除進(jìn)一步提高存儲(chǔ)芯片價(jià)格漲幅。與之相應(yīng)，國(guó)際存儲(chǔ)芯片巨頭業(yè)績(jī)也明顯改善，美光科技2024財(cái)年第一財(cái)季（2023年9-11月）經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)由前一季度的-14.72億美元收窄至-11.28億美元；三星也上調(diào)2023年第四季度業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)，其最新營(yíng)業(yè)利潤(rùn)市場(chǎng)預(yù)計(jì)值為3.49萬(wàn)億韓元。不過(guò)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)回暖并不意味著消費(fèi)電子的春天來(lái)了，從多方數(shù)據(jù)來(lái)看，DRAM、NAND現(xiàn)貨價(jià)格上漲主要在于原廠商稼動(dòng)率的下調(diào)，三星電子、SK海力士、美光科技增加半導(dǎo)體設(shè)備投資的目的或?yàn)樘嵘鼿

在國(guó)際主流的存儲(chǔ)芯片DRAM和NANDFlash廠商“控產(chǎn)提價(jià)”的過(guò)程中，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)也看到了產(chǎn)品漲價(jià)的前景。有模組廠商表示，“存儲(chǔ)器價(jià)格的波動(dòng)變化正在逐步地向下游傳導(dǎo)，刺激客戶補(bǔ)庫(kù)需求，目前看到手機(jī)端的需求有復(fù)蘇的跡象?！鄙鲜鰪S商表示，公司在產(chǎn)品、技術(shù)、管理等方面均有精益提升計(jì)劃，以捕捉國(guó)產(chǎn)替代、市占率向頭部公司集中的趨勢(shì)。事實(shí)上，存儲(chǔ)芯片行業(yè)利潤(rùn)在各細(xì)分產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中分布不均。半導(dǎo)體行業(yè)人士陳啟表示，“產(chǎn)業(yè)鏈中設(shè)計(jì)類公司賺取更多的利潤(rùn)，而模組廠商和分銷商

“晴雨表”，存儲(chǔ)芯片需求從去年下半年起驟降，價(jià)格也在快速暴跌。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)群智咨詢?cè)?月底稱，存儲(chǔ)芯片價(jià)格在2022年三季度開始進(jìn)入快速下跌通道，2023年一季度價(jià)格已同比近乎“腰斬”，逼近現(xiàn)金成本。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2022年NAND Flash市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)下跌41%，DRAM市場(chǎng)綜合價(jià)格指數(shù)下跌35%。另?yè)?jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年二季度，NAND價(jià)格將繼續(xù)下降5%～10%，DRAM價(jià)格將繼續(xù)下滑10%～15%。因此，存儲(chǔ)廠商普遍業(yè)績(jī)承壓。

美光是美國(guó)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)龍頭，也是全球存儲(chǔ)芯片巨頭之一，2022年來(lái)自中國(guó)市場(chǎng)收入從此前高峰57% 降至約11%。而根據(jù)市場(chǎng)咨詢機(jī)構(gòu) Omdia（IHSMarkit）統(tǒng)計(jì)，2021年三星電子、 鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （閃存）市場(chǎng)份額約為 96.76%，三星電子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM（內(nèi)存）市場(chǎng)份額約為 94.35%。報(bào)道顯示，美光在日前聲明中表示，公司正在與中國(guó)國(guó)家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公

2億元，其中存儲(chǔ)芯片收入為40.54億元，智能視頻芯片收入為6.43億元；歸屬凈利潤(rùn)為7.89億元，較上年同期下降14.79%，全年計(jì)提資產(chǎn)減值損失2.78億元，其中第四季度一次性計(jì)提了2.01億元。自2022年10月起，公司的重要股東累計(jì)減持套現(xiàn)規(guī)模超過(guò)10億元，尚有約18億元的減持計(jì)劃等待實(shí)施。此外，北京君正應(yīng)用AI技術(shù)的智能視頻芯片、微處理器芯片的收入和毛利率均出現(xiàn)不同程度的下滑，研發(fā)費(fèi)用占營(yíng)業(yè)收入的比例不高，與其對(duì)外宣稱的形成大量成熟的AI算法形成

向標(biāo)”之稱的存儲(chǔ)芯片，在需求破滅與庫(kù)存高企的多重因素下，更是遭受著有史以來(lái)最嚴(yán)重的挫敗。根據(jù)集邦咨詢的最新研究報(bào)告，2022年第四季度，全球DRAM內(nèi)存芯片總收入122.8億美元，環(huán)比大跌32.5％，超過(guò)了此前第三季度28.9％的跌幅，甚至已經(jīng)逼近2008年底金融危機(jī)時(shí)的歷史跌幅極值36％。那么，這股凜冽的寒風(fēng)要吹到什么時(shí)候，存儲(chǔ)板塊的冬天，要持續(xù)到什么時(shí)候？存儲(chǔ)芯片步入寒冬據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2022年年初以來(lái)一路走跌，DRAM

技在內(nèi)的其他存儲(chǔ)芯片公司的減產(chǎn)行列，以應(yīng)對(duì)價(jià)格下跌和供過(guò)于求的局面。據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》1月31日?qǐng)?bào)道，過(guò)去一年存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅下跌，預(yù)計(jì)2023年上半年還將延續(xù)走低趨勢(shì)，這對(duì)已經(jīng)裁員減產(chǎn)的芯片企業(yè)而言無(wú)疑是雪上加霜。行業(yè)分析師預(yù)測(cè)，除三星之外，存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士第四季度虧損也將達(dá)到8120億韓元。《華爾街日?qǐng)?bào)》　認(rèn)為，商品化程度高且對(duì)市場(chǎng)供需變化敏感的存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，而目前芯片企業(yè)背負(fù)大量庫(kù)存，市場(chǎng)需求持續(xù)疲軟。包括英特爾、美光科技、西部

采用高效性能存儲(chǔ)芯片、增加存儲(chǔ)器帶寬及構(gòu)建多層次存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在改善二者速度差距上都有積極的作用。相比而言，以單體多字和多體并行的方法對(duì)主存結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，能用更小的成本獲得更理想的效果，尤其是多體并行系統(tǒng)的低位交叉方式，對(duì)縮小主存和CPU之間速度差距有積極作用。對(duì)比得知，從結(jié)構(gòu)上對(duì)主存進(jìn)行調(diào)整，可以在一定程度上縮小主存與CPU之間的速度差距?！娟P(guān)鍵詞】存儲(chǔ)芯片;帶寬;主存結(jié)構(gòu)優(yōu)化;單體多字;多體并行【中圖分類號(hào)】G642 【文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼】A 【文章編號(hào)】1674-

護(hù)內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片。保證它能夠經(jīng)受1100℃的火焰燒烤30分鐘，能夠承受2噸重的壓力，在水中長(zhǎng)時(shí)間浸泡也不會(huì)損壞。而黑匣子的安裝位置則在飛機(jī)尾翼下方的機(jī)尾處，這里是飛機(jī)最不容易損壞的部位。黑匣子上安裝了兩種緊急定位裝置，能在陸地和水下定時(shí)發(fā)射不同頻率的定位訊號(hào)，幫助搜救人員用特制的接收機(jī)定位。就算有各種堅(jiān)固的保護(hù)，但空難中的黑匣子并非堅(jiān)不可摧，所以國(guó)際航空機(jī)構(gòu)又規(guī)定了更加嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，而且記錄介質(zhì)也從磁帶式改進(jìn)成能承受更大沖擊的靜態(tài)存儲(chǔ)記錄儀，類似于計(jì)算機(jī)

：?jiǎn)纹瑱C(jī)? 存儲(chǔ)芯片? 液晶屏?? 音頻功率放大器1.設(shè)計(jì)要求在基于單片機(jī)的音樂(lè)播放器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，采用89C58RD+型單片機(jī)為硬件基礎(chǔ)，通過(guò)C語(yǔ)言程序?qū)π酒M(jìn)行編程。單片機(jī)需外接+5V穩(wěn)壓電源，并通過(guò)MAX232電平轉(zhuǎn)換芯片和串口接入PC機(jī)。單片機(jī)工作時(shí)，用軟件對(duì)定時(shí)器初值進(jìn)行設(shè)定，從而得到所需要的聲音頻率;通過(guò)四位共陰LED數(shù)碼管，可顯示時(shí)間，并可進(jìn)行定時(shí)設(shè)置;通過(guò)LM386N1芯片，將單片機(jī)輸出的信號(hào)放大，接入喇叭即可發(fā)聲。2.分析（1）對(duì)時(shí)間進(jìn)行定

記本產(chǎn)品高速存儲(chǔ)芯片的電磁輻射特性沒(méi)有評(píng)價(jià)方法和標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致產(chǎn)品設(shè)計(jì)和芯片應(yīng)用中的電磁干擾問(wèn)題無(wú)法提前識(shí)別和快速解決問(wèn)題進(jìn)行研究。將會(huì)在芯片級(jí)電磁輻射測(cè)量方法、測(cè)量系統(tǒng)、測(cè)量工具、評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)等技術(shù)上形成突破，并輸出相應(yīng)的研究和開發(fā)成果，最終為高速存儲(chǔ)芯片相關(guān)企業(yè)提供電磁輻射特性的測(cè)試測(cè)量、質(zhì)量檢測(cè)、故障分析。從而確保在高速存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域電磁技術(shù)方向上走在全國(guó)前列，保障存儲(chǔ)芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。推動(dòng)高速存儲(chǔ)芯片應(yīng)用突破技術(shù)瓶頸，打破產(chǎn)業(yè)發(fā)展的束縛，支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)健康高速發(fā)

創(chuàng)新最早是以存儲(chǔ)芯片起家，到目前為止公司存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微處理器業(yè)務(wù)（MCU）及傳感器芯片業(yè)務(wù)占比分別為15%、5%左右，產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景包括了移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、個(gè)人電腦及周邊、網(wǎng)絡(luò)、電信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域。存儲(chǔ)芯片大體分類為DRAM、NORflash、NANDflash三種，兆易創(chuàng)新目前的產(chǎn)品主要集中于后兩種。結(jié)合行業(yè)數(shù)據(jù)來(lái)看，存儲(chǔ)芯片本身就是高度壟斷行業(yè)，DRAM、NANDflas

3年中國(guó)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6492億元，發(fā)展空間極為廣闊，然而中國(guó)存儲(chǔ)芯片的自給率僅為15.70%，這對(duì)于中國(guó)企業(yè)而言是一個(gè)巨大的機(jī)會(huì)。在政府倡導(dǎo)集中精力解決一大批“卡脖子”技術(shù)的背景下，以集成電路為主業(yè)的東芯股份正在申請(qǐng)科創(chuàng)板IPO。產(chǎn)品售價(jià)不斷下滑按照分工模式不同，集成電路企業(yè)的商業(yè)模式主要分為兩種：IDM模式，即相關(guān)廠商獨(dú)立完成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝、測(cè)試全流程;Fabless-Foundry模式，即垂直分工的商業(yè)模式，無(wú)生產(chǎn)線的IC設(shè)計(jì)、晶

漲的順風(fēng)車？存儲(chǔ)芯片龍頭的無(wú)奈朱一明創(chuàng)立的兆易創(chuàng)新最早是以存儲(chǔ)芯片起家，到目前為止公司存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微處理器業(yè)務(wù)（MCU）及傳感器芯片業(yè)務(wù)占比分別為15%、5%左右，產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景包括了移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、個(gè)人電腦及周邊、網(wǎng)絡(luò)、電信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域。存儲(chǔ)芯片大體分類為DRAM、NORflash、NANDflash三種，兆易創(chuàng)新目前的產(chǎn)品主要集中于后兩種。結(jié)合行業(yè)數(shù)據(jù)來(lái)看，存儲(chǔ)芯片本

拆組合儀表存儲(chǔ)芯片2.2 分析將儀表供電并接入ON擋電，此時(shí)儀表開始工作，并上報(bào)總里程，經(jīng)解析報(bào)文發(fā)現(xiàn)，其上報(bào)的總里程確實(shí)為2837km。在實(shí)車環(huán)境中，組合儀表計(jì)算總里程并發(fā)送到CAN（Controller Area Network，控制器局域網(wǎng)絡(luò)） 總線上，而后由TBOX采集并發(fā)送到監(jiān)控平臺(tái)，監(jiān)控平臺(tái)解析后予以顯示。將儀表的存儲(chǔ)芯片拆下來(lái)進(jìn)行分析，如圖1和圖2所示。該存儲(chǔ)芯片的型號(hào)是ATMEL 93C86A，通過(guò)專用工具讀取芯片的數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)如下問(wèn)題點(diǎn)：

難突圍的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片根據(jù)國(guó)家海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018年，中國(guó)芯片進(jìn)口總量為3120億美元，占全球集成電路5000億美元市場(chǎng)規(guī)模的近60%，進(jìn)口額度超過(guò)石油，位列國(guó)內(nèi)進(jìn)口商品第一位。智能手機(jī)、云計(jì)算、智能AI、5G通訊等領(lǐng)域，讓中國(guó)進(jìn)入了新的科技時(shí)代，也產(chǎn)生了巨大的芯片需求。以存儲(chǔ)芯片為例，中國(guó)的智能手機(jī)廠商、PC廠商、服務(wù)器廠商使用的DRAM內(nèi)存、NAND閃存幾乎都來(lái)自進(jìn)口，2017年中國(guó)存儲(chǔ)芯片進(jìn)口價(jià)值896億美元，市場(chǎng)被三星、SK Hynix、美光、東芝

合，包括國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)龍頭公司兆易創(chuàng)新、生物識(shí)別芯片供應(yīng)商匯頂科技、集成電路封裝測(cè)試企業(yè)長(zhǎng)電科技、半導(dǎo)體設(shè)備制造商北方華創(chuàng)等。市場(chǎng)空間廣闊年初市場(chǎng)躁動(dòng)，半導(dǎo)體ETF已有巨大漲幅，紛紛創(chuàng)出凈值新高。未來(lái)能不能繼續(xù)參與可能是很多人的疑惑?？傮w來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的體量還非常小，大約是美國(guó)的十分之一左右。這個(gè)行業(yè)通常集中度比較高，容易走出大型企業(yè)。而從目前的情況看，國(guó)內(nèi)的企業(yè)顯然還有很長(zhǎng)的路要走。也就是說(shuō)，如果你相信這個(gè)故事，認(rèn)為中國(guó)可以在半導(dǎo)體世界版圖上占據(jù)

存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片選擇是本產(chǎn)品的關(guān)鍵，為確?？煽窟x擇兩種類型存儲(chǔ)芯片進(jìn)行考核驗(yàn)證，為鐵電存儲(chǔ)芯片FRAM和磁性存儲(chǔ)器芯片MRAM。FRAM選用RAMTRON公司的FM22L16，采用并行讀寫的操作方式，最快寫入周期為110ns，存儲(chǔ)容量為512KB，工作溫度為-40℃～+85℃，具備讀寫1014次的能力，數(shù)據(jù)保存時(shí)限為10年。MRAM選用EVERSPIN公司的MR4A08B，采用并行讀寫的操作方式，最寫入周期為35ns，存儲(chǔ)容量為2MB，工作溫度為-40

速發(fā)展，生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片流水線裝置越來(lái)越完善，生產(chǎn)成本也越來(lái)越低，讓大數(shù)據(jù)信息的集合在存儲(chǔ)芯片中從而為生產(chǎn)服務(wù)已成為大多數(shù)行業(yè)的可能，在起重機(jī)械行業(yè)中也類似于像航空航天一樣加入黑匣子的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的盒子，可以更好地促進(jìn)起重機(jī)械安全管理的升級(jí)和發(fā)展。[關(guān)鍵詞]大數(shù)據(jù);安全管理;存儲(chǔ)芯片;系統(tǒng)[中圖分類號(hào)]TH21 [文獻(xiàn)標(biāo)志碼]A [文章編號(hào)]2095–6487（2020）06–0–03Big Data Model is Analysed in the Safe

于懷的，日本存儲(chǔ)芯片企業(yè)被韓國(guó)用“反周期”投資方式打敗之事。在上世紀(jì)八九十年代，日本存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)十分輝煌，英特爾公司為了避其鋒芒，舍棄了占據(jù)其營(yíng)收超80%的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，主動(dòng)轉(zhuǎn)型去做CPU。而最近這些年日本存儲(chǔ)芯片企業(yè)的節(jié)節(jié)敗退，并非技術(shù)不如人，而是大環(huán)境影響再加上商業(yè)策略失誤連連所致。日本企業(yè)的工匠精神讓他們?cè)诮?jīng)營(yíng)策略上陷入一種思維定式：不惜成本追求高質(zhì)量，一定能贏得市場(chǎng)。這種策略在大型機(jī)時(shí)代或許是對(duì)的，但是當(dāng)計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了小型機(jī)、工作站、個(gè)人電腦、智

方式為：多片存儲(chǔ)芯片并聯(lián)、共享訪問(wèn)地址線.因此，一個(gè)PCM內(nèi)存系統(tǒng)的使用壽命問(wèn)題需要考慮內(nèi)存系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的影響.一個(gè)由多片PCM并聯(lián)而成的內(nèi)存系統(tǒng)而言，其壽命取決的因素有：不同地址間的磨損分布和同一地址內(nèi)的磨損分布.前者指不同地址間的寫入頻繁程度的差別；而后者指在同一個(gè)地址內(nèi)不同的存儲(chǔ)位置，特別是不同存儲(chǔ)芯片間的寫入頻繁程度的差別本文稱為片間磨損局部性.為討論片間磨損局部性對(duì)PCM內(nèi)存的壽命影響，本文首先收集實(shí)際應(yīng)用的內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)，并分析其在各個(gè)存儲(chǔ)芯片間的

大品類之一的存儲(chǔ)芯片，隨著智能手機(jī)、智能家居、智能汽車等新興市場(chǎng)的崛起，開始成為集成電路產(chǎn)業(yè)的主力，更進(jìn)一步成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。在這樣一個(gè)重要的領(lǐng)域中，國(guó)內(nèi)廠商究竟有多少話語(yǔ)權(quán)、國(guó)產(chǎn)閃存離我們又有多遠(yuǎn)呢？風(fēng)起云涌的閃存市場(chǎng)閃存芯片市場(chǎng)近年來(lái)一直不平靜，2013年開始的暴漲以及2018年開始的暴跌，讓閃存芯片出現(xiàn)過(guò)山車走勢(shì)的同時(shí)，也影響著全球半導(dǎo)體乃至終端設(shè)備市場(chǎng)的走勢(shì)。資本、技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)讓上游芯片廠商不得不在閃存漲價(jià)周期擴(kuò)產(chǎn)以攫取更多市

主體投資建設(shè)存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試廠。項(xiàng)目擬選址鹽城市智能終端產(chǎn)業(yè)園;計(jì)劃2020年年底試生產(chǎn)，固定資產(chǎn)投資金額為5.01億元。公告顯示，經(jīng)友好協(xié)商，鹽城高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)擬與公司簽署投資協(xié)議，投資協(xié)議的主要內(nèi)容如下：項(xiàng)目?jī)?nèi)容是投資建設(shè)存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試廠，開展存儲(chǔ)芯片的封裝測(cè)試及銷售。項(xiàng)目規(guī)模為計(jì)劃總投入10.82億元，其中購(gòu)買設(shè)備等投資約5億元。項(xiàng)目占地為100畝（以國(guó)土部門最終出讓面積為準(zhǔn)）。該項(xiàng)目有利于公司加強(qiáng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，促進(jìn)公司半導(dǎo)體及

當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片主要為韓美日三國(guó)所占有，中國(guó)的三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機(jī)臺(tái)，預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面。存儲(chǔ)芯片主要有NAND Flash、DRAM，在全球NAND flash市場(chǎng)份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場(chǎng)份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%，；在DRAM市場(chǎng)份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場(chǎng)份額分別為45%

其表現(xiàn)在手機(jī)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)。手機(jī)存儲(chǔ)是短板我國(guó)手機(jī)產(chǎn)業(yè)短板之一的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)新一輪洗禮。近日，福建晉華和臺(tái)灣聯(lián)電各自發(fā)布聲明，稱因涉嫌專利侵權(quán)，福州中院發(fā)布“臨時(shí)禁令”，要求美光停止在華銷售部分DRAM和NAND產(chǎn)品。在此之前，媒體披露，由于涉嫌操縱哄抬內(nèi)存價(jià)格，國(guó)際三大存儲(chǔ)巨頭三星、 SK海力士、美光遭中國(guó)反壟斷調(diào)查，或遭罰款8-80億元。而更早之前，去年12月，美光科技在美國(guó)加州提起民事訴訟，控告臺(tái)灣聯(lián)電及福建晉華侵害DRAM的營(yíng)業(yè)秘密。從訴方變成

Flash存儲(chǔ)芯片由于價(jià)格低、體積小以及效率高的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品以及固態(tài)硬盤等媒體設(shè)備。作為高密度靜態(tài)可擴(kuò)展存儲(chǔ)器，NAND Flash存儲(chǔ)芯片在大容量高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中占據(jù)主流地位[1-2]。采用NAND Flash存儲(chǔ)芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)盤，比傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備更能承受溫度的變化、機(jī)械的振動(dòng)和沖擊，同時(shí)具有耗電少、存儲(chǔ)密度提升快、可靠性更高的優(yōu)點(diǎn)，易于實(shí)現(xiàn)高速度大容量的存儲(chǔ)[3-8]。NAND Flash存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)每比特成本低，具有更高的

光是全球三大存儲(chǔ)芯片巨頭，在DRAM、NAND兩大產(chǎn)品線中占據(jù)全球絕大多數(shù)市場(chǎng)份額。2016年，因行業(yè)技術(shù)更迭、企業(yè)生產(chǎn)線換代，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)出現(xiàn)近年來(lái)罕見的供不應(yīng)求，并于2016年第三季度全面進(jìn)入漲價(jià)通道。其后漲價(jià)帶來(lái)的成本壓力傳遞至手機(jī)、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)，2017年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長(zhǎng)了39.56%。存儲(chǔ)產(chǎn)品的持續(xù)漲價(jià)給中國(guó)產(chǎn)業(yè)造成了高成本負(fù)荷。

能手機(jī)使用的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，英特爾猶顯底氣不足。事實(shí)上，智能手機(jī)銷量如今遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)個(gè)人電腦。與此同時(shí)，存儲(chǔ)芯片開始進(jìn)入一些新設(shè)備，包括汽車。相比之下，三星電子在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域大獲成功。具有諷刺意味的是，這一業(yè)務(wù)正是由英特爾在上世紀(jì)60年代開創(chuàng)。上世紀(jì)90年代初，日本企業(yè)在這一領(lǐng)域表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)。英特爾先是退出這一市場(chǎng)，后來(lái)重新進(jìn)入。三星電子通過(guò)購(gòu)買日本企業(yè)的專利授權(quán)進(jìn)入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，去年12月宣布研制出全球最小DRAM芯片，將在全球率先量產(chǎn)。三星電子還是美國(guó)高通公司的

出中國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的黯淡。由于中企在NANDFlash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NANDFlash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠，特別是韓國(guó)企業(yè)所壟斷，直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。韓國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域?qū)吓拼蠊镜膹?qiáng)勢(shì)“逆襲”再次表明，將“自由競(jìng)爭(zhēng)”“小政府”奉為“圣經(jīng)”完全是自欺欺人。自上世紀(jì)80年代以來(lái)，三星等公司充分利用存儲(chǔ)器行業(yè)周期性強(qiáng)的特點(diǎn)，以舉國(guó)體制為籌碼，在價(jià)格下跌、生產(chǎn)過(guò)剩的大環(huán)境下，逆勢(shì)瘋狂擴(kuò)

詞 單片機(jī) 存儲(chǔ)芯片 液晶屏中圖分類號(hào)：TP273.5 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A1設(shè)計(jì)要求在點(diǎn)餐系統(tǒng)硬件部分，主要采用的是24C1024和AT89C51兩塊芯片，其中24C1024用來(lái)存儲(chǔ)所有菜名信息，通過(guò)AT89C51，將菜譜信息傳輸給液晶顯示。但顧客選擇好自己需要的菜品后，菜單將自動(dòng)存儲(chǔ)到AT89C51中，再可以通過(guò)串口與電腦直接相連，將菜單傳輸?shù)綌?shù)據(jù)庫(kù)中進(jìn)行存儲(chǔ)，并顯示、打印出來(lái)。而AT89C51主要是用來(lái)控制24C1024與液晶之間數(shù)據(jù)傳輸，液晶顯示部分以及

存和DRAM存儲(chǔ)芯片。但是，從2011年起，三星開始減少對(duì)蘋果的零部件供應(yīng)。因?yàn)榫驮谀且荒?，蘋果以侵犯專利為由，將三星告上法庭。根據(jù)iFixit的拆解報(bào)告稱，三星如今只向iPhone 7供應(yīng)DRAM芯片。顯示面板和存儲(chǔ)芯片（NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)芯片）向來(lái)是蘋果iPhone上面最貴的一些零部件。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit的報(bào)告，以32GB版本的iPhone 7為例，這些零部件的成本加起來(lái)占到物料總成本（219.80美元）的四分之一以上。有報(bào)道

芯，雙方旗下存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目有望合并。記者了解到，上市傳聞來(lái)源于華爾街日?qǐng)?bào)的一則報(bào)道，該報(bào)道稱，清華紫光集團(tuán)將收購(gòu)武漢新芯的大部分股權(quán)，新武漢新芯將改名長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（Yangtze River Storage Technology Co.），紫光集團(tuán)將擁有這家新公司的50%股權(quán)，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)則擔(dān)任新公司的總裁。至于其他的股權(quán)，據(jù)透露，將由集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和武漢政府扶持的另一個(gè)基金共同持有。至此，紫光終于踏入了存儲(chǔ)領(lǐng)域。據(jù)悉，武漢新芯全稱為武

素可得，大陸存儲(chǔ)芯片有望復(fù)制面板產(chǎn)業(yè)的成功。市場(chǎng)可能認(rèn)為：存儲(chǔ)芯片是壟斷競(jìng)爭(zhēng)的重資產(chǎn)行業(yè)，海外巨頭客戶、技術(shù)、資本先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，大陸企業(yè)難有作為，我們認(rèn)為：技術(shù)更新放緩，彎道追趕擁有時(shí)間窗口：摩爾定律已近物理極限，28nm以下經(jīng)濟(jì)效益大幅降低，3D技術(shù)漸成主流；（1）3D技術(shù)更新速度、難度和頻率不及2D制程更新；（2）3D技術(shù)成熟不久，此時(shí)若能通過(guò)合資、并購(gòu)或團(tuán)隊(duì)引進(jìn)獲取技術(shù)，差距并不明顯。市場(chǎng)：存量市場(chǎng)加速轉(zhuǎn)移，增量市場(chǎng)就在大陸。（1）對(duì)于移動(dòng)終端存量市

設(shè)計(jì)2.1 存儲(chǔ)芯片選型根據(jù)系統(tǒng)在現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)，每個(gè)節(jié)點(diǎn)每次采集的數(shù)據(jù)量的大小在1kB以內(nèi)，如果在保持每天1～2次的采集頻率下至少保存一年的數(shù)據(jù)，則選擇具有1024kB存儲(chǔ)能力的存儲(chǔ)芯片就可滿足。Microchip公司的24LC1025串行EEPROM芯片支持I2C總線，具有功耗低、可百萬(wàn)次擦寫、工作電壓范圍寬、最低工作溫度可到-40℃的特點(diǎn)，滿足存儲(chǔ)要求及工作環(huán)境，故選取其作為所要設(shè)計(jì)的節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展存儲(chǔ)芯片。2.2 存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)在這個(gè)存儲(chǔ)電路中，主器件

億元增發(fā)投入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首次出現(xiàn)資本和實(shí)業(yè)如此大手筆的合作。從去年提出成立國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金，國(guó)家集團(tuán)和產(chǎn)業(yè)基金為代表的先行者積極參與轟轟烈烈的國(guó)際半導(dǎo)體并購(gòu)，市場(chǎng)對(duì)中國(guó)電子行業(yè)的希望又重新燃起。之所以國(guó)家會(huì)選擇在存儲(chǔ)芯片這個(gè)行業(yè)，主要基于幾點(diǎn)：1）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，市場(chǎng)空間足夠大。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)空間為800億美金，占比約為整個(gè)芯片市場(chǎng)的20%，僅次于邏輯芯片和微處理器芯片，而前兩者的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度低，因此單個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的空間有限。2）存儲(chǔ)芯片最大

千億資本再造存儲(chǔ)芯片中芯、新芯組建國(guó)家隊(duì)在1200億元大基金落地的9個(gè)月之后,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)又將迎來(lái)一筆規(guī)模超過(guò)200億美元的資本投資。近日,知名調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布報(bào)告稱:武漢新芯集成電路制造有限公司被中國(guó)政府選為中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的首要重點(diǎn)區(qū)域,未來(lái)武漢新芯將募集約240億美元打造中國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地。多位知情人士透露:“中國(guó)政府對(duì)于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展己經(jīng)密集討論了接近兩年,最近己基本盲定‘在武漢塑造存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)龍頭’,但官方暫未公布這一

政府選為中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的首要重點(diǎn)區(qū)域，未來(lái)武漢新芯將募集約240億美元打造中國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地。多位知情人士表示：“中國(guó)政府對(duì)于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)密集討論了接近兩年，最近已基本敲定”在武漢塑造存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)龍頭，但官方暫未公布這一消息。知情人士稱，中芯國(guó)際、武漢新芯將聯(lián)合打造存儲(chǔ)芯片國(guó)家隊(duì)，預(yù)計(jì)需要募資總額250億美元左右，國(guó)家大基金領(lǐng)投，中芯國(guó)際、湖北省，以及一些社會(huì)資本都會(huì)投資。目前，中芯國(guó)際、武漢新芯均未對(duì)該報(bào)告作出回應(yīng)。存儲(chǔ)器的空白2014年

電路板上的主存儲(chǔ)芯片與手機(jī)電路板分離后，通過(guò)專門手機(jī)芯片提取設(shè)備進(jìn)行讀取，然后再對(duì)得到的機(jī)身數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。首先，將機(jī)身外圍無(wú)效器件、銹蝕部分清理掉，露出主存儲(chǔ)芯片。該手機(jī)采用存儲(chǔ)為256Mb Nand存儲(chǔ)芯片。在芯片讀取設(shè)備的支持中確認(rèn)可進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取后，開始拆除芯片，即將熱風(fēng)槍調(diào)節(jié)到270℃加熱60秒后，將芯片與主板電路剝離。其次，對(duì)拆除的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行預(yù)處理植球除膠后，放置在專用讀取設(shè)備上讀取，用時(shí)約1分鐘。最后，對(duì)讀取手機(jī)芯片數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，通過(guò)分析系統(tǒng)，

RFLASH存儲(chǔ)芯片進(jìn)行測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該測(cè)試程序的設(shè)計(jì)能避免由于無(wú)測(cè)試工具而無(wú)法測(cè)試到的儲(chǔ)存區(qū)塊損壞造成的設(shè)備運(yùn)行異常，并實(shí)現(xiàn)測(cè)試自動(dòng)化?！娟P(guān)鍵詞】NORFLASH;存儲(chǔ)芯片;測(cè)試程序NOR FLASH技術(shù)是Intel于1988年開發(fā)的，其特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行，即應(yīng)用程序可以直接在FLASH閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，是現(xiàn)在市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)之一。其傳輸效率高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益[1]?；谄涮攸c(diǎn)NOR FLA

儲(chǔ)測(cè)試技術(shù)；存儲(chǔ)芯片1、 引言近年來(lái)，在我國(guó)學(xué)習(xí)和應(yīng)用單片機(jī)的熱潮始終不減，特別是MCS-51系列。這是由單片機(jī)的特點(diǎn)決定的。實(shí)際上，從應(yīng)用通用數(shù)字集成電路系統(tǒng)，到廣泛應(yīng)用單片機(jī)，是我國(guó)電子設(shè)計(jì)在智能化應(yīng)用水平上質(zhì)的飛躍。據(jù)統(tǒng)計(jì)分析，單片機(jī)的銷量到目前為止依然逐年遞增，而且在很長(zhǎng)一段的時(shí)間內(nèi)，單片機(jī)依然會(huì)是電子設(shè)計(jì)的主角。大量的外圍芯片和接口電路使得單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而且快捷，新型單片機(jī)的上市和高級(jí)語(yǔ)言的支持進(jìn)一步延長(zhǎng)了單片機(jī)的壽命。且長(zhǎng)期穩(wěn)定的

5 納米相變存儲(chǔ)芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國(guó)三星、美國(guó)美光之后，世界上第三家、中國(guó)第一家擁有相變存儲(chǔ)技術(shù)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國(guó)外公司壟斷的局面。目前靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)和快閃存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲(chǔ)，存儲(chǔ)容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤。與現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片相比，相變存儲(chǔ)器執(zhí)行速度快1000倍，耐久性

；無(wú)線通信；存儲(chǔ)芯片1.嵌入式系統(tǒng)的相關(guān)問(wèn)題1.1嵌入式系統(tǒng)的定義對(duì)于嵌入式系統(tǒng)最普遍認(rèn)同的定義是：將應(yīng)用作為中心，計(jì)算機(jī)技術(shù)為基礎(chǔ)，軟硬件可裁減，適應(yīng)應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)功能、成本、可靠性、體積、功耗嚴(yán)格要求的專用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)實(shí)用性強(qiáng)、體積小、功能強(qiáng)、可定制、管理系統(tǒng)軟件。近年來(lái)，嵌入式系統(tǒng)完成了從單一的非實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)向多元的實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)化，加之性能的不斷完善，使它的運(yùn)用范圍更加廣闊，例如，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、信息電器、移動(dòng)計(jì)算機(jī)設(shè)備、工控、醫(yī)療儀器

引言非易失性存儲(chǔ)芯片歷史悠久，如ROM、PROM和EPROM等等。當(dāng)今，隨著便攜式低功耗電子設(shè)備的大量使用，這類存儲(chǔ)器幾乎天天伴隨著我們。U盤、手機(jī)、隨身聽都是再好不過(guò)的例子。不過(guò)，我們?cè)诟械剿鼈儙?lái)的方便和實(shí)用的同時(shí)，對(duì)它們的要求和主要特點(diǎn)也應(yīng)該心中有數(shù)。本文以兩類主要的存儲(chǔ)芯片EEPROM和FLASH為例，總結(jié)了兩個(gè)不太被一般使用者所注意的特點(diǎn)。2.數(shù)據(jù)保存的時(shí)間有限無(wú)論是EEPROM還FLASH芯片，生產(chǎn)商都不保證其中的數(shù)據(jù)可以無(wú)限期地保存下去。例如

5P64作為存儲(chǔ)芯片，主要用于電氣參數(shù)的存儲(chǔ);在Windows XP下用VB開發(fā)了一套可視化、智能化的系統(tǒng)應(yīng)用軟件，主要用于顯示、分析存儲(chǔ)在FLASH芯片中的電氣參數(shù)。該系統(tǒng)很容易得到電機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中詳細(xì)充分的狀態(tài)信息和故障信息，為電機(jī)的故障分析提供了很大幫助，具有廣泛的應(yīng)用前景。1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)主要由永磁電機(jī)、下位機(jī)、存儲(chǔ)芯片和上位機(jī)組成。下位機(jī)與上位機(jī)采用CAN總線技術(shù)進(jìn)行通信，永磁電機(jī)與下位機(jī)采用SPI總線技術(shù)進(jìn)行通信，存儲(chǔ)芯片與下位機(jī)采用SPI總

9采樣狀態(tài)圖存儲(chǔ)芯片HM628128D控制模塊為jicunnx。在實(shí)際的操作過(guò)程中，任何存儲(chǔ)芯片對(duì)于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與讀取都需要一定的控制信號(hào)，這樣方能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與讀取。為此，我們?cè)贔PGA芯片中對(duì)于該存儲(chǔ)芯片的控制進(jìn)行了設(shè)計(jì)。同樣用狀態(tài)機(jī)的思想來(lái)實(shí)現(xiàn)，程序略。三態(tài)門，由于存儲(chǔ)芯片HM628128D的數(shù)據(jù)端是雙向端口，輸入輸出共用，所以FPGA和它連接的時(shí)候需要設(shè)計(jì)三態(tài)門，使得在HM628128D進(jìn)行讀操作時(shí)，三態(tài)門處于高阻狀態(tài)。其實(shí)現(xiàn)的電路封裝后的形式如圖

tel下一代存儲(chǔ)芯片,并結(jié)合UIT在存儲(chǔ)體系、軟件、產(chǎn)品、方案方面的強(qiáng)大實(shí)力,共同開發(fā)基于開放架構(gòu)的、標(biāo)準(zhǔn)化的統(tǒng)一存儲(chǔ)平臺(tái),從而降低開發(fā)和部署成本,增強(qiáng)存儲(chǔ)的靈活性和擴(kuò)展性,簡(jiǎn)化存儲(chǔ)應(yīng)用。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,UIT與Intel的合作揭開了存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展歷史上新的一頁(yè)。此次雙方的合作可謂優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。Intel將向UIT提供技術(shù)文檔、設(shè)計(jì)指南、技術(shù)支持、解決方案等全方位的支持。UIT將基于雄厚的研發(fā)實(shí)力,根據(jù)技術(shù)和市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì),并結(jié)合Intel的技術(shù)戰(zhàn)略和路線,與In