當(dāng)前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機(jī)臺，預(yù)計今年下半年投產(chǎn)存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。

存儲芯片主要有NAND Flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%，；在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%、28%、21%。

由上可見，全球存儲芯片主導(dǎo)無疑是三星，其在NAND Flash和DRAM市場均占據(jù)優(yōu)勢的市場份額，而按國家來說韓國是全球存儲芯片的龍頭，擁有三星和SK海力士兩大存儲芯片企業(yè)。

中國是全球最大制造國，對存儲芯片有巨大需求，中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例，近兩年全球存儲芯片價格持續(xù)上漲對中國產(chǎn)生了巨大影響，導(dǎo)致本來就利潤微薄的行業(yè)飽受其苦。要打破這種局面，發(fā)展白己的存儲芯片無疑是最好的辦法。正是在這種背景下，中國開始積極發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

長江存儲、合肥長鑫、福建晉華擔(dān)起了這個重任，長江存儲主要發(fā)展NAND Flash，合肥長鑫和福建晉華主要發(fā)展DRAM，三家企業(yè)在去年底實現(xiàn)了廠房封頂，近期開始陸續(xù)搬人機(jī)臺等生產(chǎn)設(shè)備，按計劃它們2018年下半年將開始試產(chǎn)存儲芯片。

當(dāng)然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長江存儲當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND Flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND Flash，長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND Flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。

合肥長鑫、福建晉華計劃投產(chǎn)DRAM，韓國三星當(dāng)下已開始采用18nm工藝生產(chǎn)DRAM，并正研發(fā)更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產(chǎn)后預(yù)計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產(chǎn)后還將面臨良率等問題。

值得注意的是，北京兆易創(chuàng)新公司在DRAM技術(shù)上取得了突破，其也與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)達(dá)成了合作協(xié)議，計劃投資180億元，采用19nm工藝生產(chǎn)存儲芯片，預(yù)計今年底前投產(chǎn)，不過它表示希望今年能實現(xiàn)產(chǎn)品良率達(dá)到10%，這說明生產(chǎn)存儲芯片面臨著不少的技術(shù)難題，只是良率方面就是一個相當(dāng)大的難題。

對于中國龐大的制造業(yè)來說，即使中國存儲芯片企業(yè)初期在技術(shù)方面稍為落后，但是這里對低端存儲芯片依然有強(qiáng)烈需求，這為中國存儲芯片企業(yè)提供了生存發(fā)展機(jī)會，它們總有趕上韓美日存儲芯片企業(yè)的一天，中國的許多產(chǎn)業(yè)不就是從低端做起，從無到有，再從有到強(qiáng)的發(fā)展的么？