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        非易失性存儲芯片的兩點應(yīng)用注意

        2013-03-28 03:05:45湖南師范大學(xué)物理與信息科學(xué)學(xué)院方淼榮
        電子世界 2013年1期
        關(guān)鍵詞:存儲芯片存儲器低功耗

        湖南師范大學(xué)物理與信息科學(xué)學(xué)院 方淼榮

        湖南師范大學(xué)數(shù)學(xué)與計算機(jī)科學(xué)學(xué)院 錢光明

        1.引言

        非易失性存儲芯片歷史悠久,如ROM、PROM和EPROM等等。當(dāng)今,隨著便攜式低功耗電子設(shè)備的大量使用,這類存儲器幾乎天天伴隨著我們。U盤、手機(jī)、隨身聽都是再好不過的例子。不過,我們在感到它們帶來的方便和實用的同時,對它們的要求和主要特點也應(yīng)該心中有數(shù)。本文以兩類主要的存儲芯片EEPROM和FLASH為例,總結(jié)了兩個不太被一般使用者所注意的特點。

        2.數(shù)據(jù)保存的時間有限

        無論是EEPROM還FLASH芯片,生產(chǎn)商都不保證其中的數(shù)據(jù)可以無限期地保存下去。例如,F(xiàn)LASH芯片K9F6408U0B-TCB0的數(shù)據(jù)保存年限(Data Retention)在說明書上給出的是10年,AT89C51單片機(jī)內(nèi)部的FLASH存儲器是10年(85℃),PIC18F2455單片機(jī)內(nèi)部的FLASH/EEPROM的程序和數(shù)據(jù)保存時間可以大于40年,而存儲器EEPROM芯片24LC512給出的指標(biāo)是大于200年。

        通過查找芯片的產(chǎn)品說明書,一般不難找到數(shù)據(jù)保存年限這一指標(biāo)。雖然有的年限長一些,有的年限短一些,但總歸是有限的。

        上世紀(jì)90年代出現(xiàn)了一個電腦“千年蟲”的問題,因為當(dāng)時許多電腦表示年份時本該取4位,但實際只取后兩位,導(dǎo)致2000年到來時可能誤認(rèn)為是1900年。通過預(yù)警和巨大努力,“千年蟲”問題才得以順利解決。

        現(xiàn)在,對于一個數(shù)據(jù)保存年限20年的芯片,意味著20年后里面的程序和/或數(shù)據(jù)可能發(fā)生了改變,這對于某些重要應(yīng)用場合是絕對不能允許的。當(dāng)然,有人說生產(chǎn)商給出的保存年限指標(biāo)可能比較保守,實際時間會長一些,但這并不能作為我們的行為依據(jù)。為此,我們能否提出一個“幾十年蟲”或是“存儲蟲”的概念,用以警示人們:信息如果幾十年放在芯片中不動,到時候可能已經(jīng)改變。許多人的生活節(jié)奏越來越快,需要顧及的嵌入式電子設(shè)備越來越多,一個地方20年不碰不是不可能的。

        3.編程電流有別

        因為EEPROM和/或FLASH存儲芯片常常用于低功耗便攜式裝置中,電能來源不是電網(wǎng)而是電池,應(yīng)用時必須考慮到芯片的用電指標(biāo)。有人會說這些存儲芯片本來耗電很小,使用電池一般不會有問題。但是別忘了:這類芯片的編程電流比讀電流要大,且FLASH比EEPROM大。例如:EEPROM芯片24LC512的讀電流最大值(maximum read current)約400μA(5.5V時),編程電流最大值(maximum write current)約5mA(5.5V時)。而FLASH芯片K9F6408U0B-TCB0的編程電流可達(dá)20mA,有些FLASH芯片還可能更大一些。

        5mA和20mA差別好像并不大,但在某些測量場合并不能忽視這一差別。例如,我們在設(shè)計一個低功耗溫度測量裝置時,采用EEPROM芯片24LC512,溫度傳感器DS18B20,鋰電池XL-050F。DS18B20在-10℃~85℃的范圍內(nèi)能保證±0.5℃的測量精度,且其工作電壓必須保證在3.0V~5.5V,溫度轉(zhuǎn)換時間(temperature conversion time)可長達(dá)750ms,如果此期間發(fā)生了EEPROM芯片的寫操作,那么電池要多承受5mA(最大值)的電流沖擊,換作FLASH芯片K9F6408U0B-TCB0的話,則可能達(dá)20mA,這樣的電流沖擊是要造成電池電壓下降的。例如-10℃時,6mA就可使鋰電池XL-050F電壓從3.6V降至3.23V左右,-40℃時降至3.0V以下,低于DS18B20的正常工作電壓了。

        嵌入式、低功耗的測量往往要求我們精打細(xì)算,不但可能存在需要保證精度的問題,還需考慮電池使用壽命、價格等等因素,這就提醒我們不要小看EEPROM和FLASH編程電流的這一點差別。有些文獻(xiàn)談到FLASH芯片非常適合于長期測量和存儲參數(shù)。是的,它的容量是EEPROM無法比擬的。但是,器件選型時別忘了看一看編程電流。

        [1]K9F6408U0B-TCB0,K9F6408U0B-TIB0 FLASH MEMORY.http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html.

        [2]PIC18F2455/2550/4455/4550數(shù)據(jù)手冊.http//www.microchip.com.

        [3]串行EEPROM系列數(shù)據(jù)手冊.http//www.microchip.com.

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