1系列單片機(jī)的存儲(chǔ)器配置以及對應(yīng)的引腳功能的基礎(chǔ)上，從用戶角度分析了存儲(chǔ)器的地址空間分配，對 MCS-51系列單片機(jī)的256B數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的位地址進(jìn)行了研究并給出256B內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)空間分配，以51子系列和52子系列為研究對象，對兩者不同的特殊寄存器區(qū)進(jìn)行了分析，得到兩者的位地址個(gè)數(shù)。關(guān)鍵詞：單片機(jī);存儲(chǔ)器;位地址;特殊寄存器中圖分類號：TP368? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1009-3044（2021）13-0028-02現(xiàn)如今嵌入式技術(shù)

采用井下釋放微存儲(chǔ)器將隨鉆數(shù)據(jù)傳輸?shù)降孛娴拇笕萘繑?shù)據(jù)傳輸方法國內(nèi)外未見成熟產(chǎn)品報(bào)導(dǎo)，國外貝殼休斯公司對該技術(shù)進(jìn)行過研究[10-11]，國內(nèi)中國石化石油工程技術(shù)研究院對該技術(shù)進(jìn)行了專利申報(bào)[12-15]。本文將對中國石化石油工程技術(shù)研究院的相關(guān)技術(shù)進(jìn)行介紹，包括隨鉆數(shù)據(jù)微存儲(chǔ)器井下數(shù)據(jù)交換技術(shù)、井下釋放技術(shù)和地面回收技術(shù)等。1 井下釋放傳輸系統(tǒng)結(jié)構(gòu)井下釋放傳輸系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要包括3項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)：井下數(shù)據(jù)交換技術(shù)、井下釋放技術(shù)和地面回收技術(shù)。圖1 井下釋

構(gòu)成潛在威脅。存儲(chǔ)器難散列函數(shù)(Memory-Hard Hash Functions)[6]具備抗ASIC攻擊的能力，有望成為新型的口令散列函數(shù)。這類散列函數(shù)在執(zhí)行過程中需要較大的存儲(chǔ)器容量，而且計(jì)算和訪存的比例相近。這使得ASIC上實(shí)現(xiàn)該類函數(shù)面臨困難：如果將散列函數(shù)計(jì)算所需要的存儲(chǔ)器都放置在ASIC芯片上，將占用大量的晶體管，從而降低芯片的計(jì)算能力；如果采用片外存儲(chǔ)器存儲(chǔ)，芯片的存儲(chǔ)器訪問帶寬可能會(huì)成為系統(tǒng)瓶頸，而且存儲(chǔ)器訪問的功耗依然與傳統(tǒng)的CPU/

片機(jī);可靠性;存儲(chǔ)器;有限元;熱失效0 引言單片機(jī)種類較多，不同的應(yīng)用場合會(huì)根據(jù)單片機(jī)的特點(diǎn)選用相應(yīng)的類型，但是不管何種類型的單片機(jī)，都會(huì)在工作過程中產(chǎn)生熱量，尤其是在炎熱的夏季，當(dāng)單片機(jī)在大功率狀態(tài)下工作時(shí)，很容易出現(xiàn)熱失效的現(xiàn)象，從而影響單片機(jī)的工作穩(wěn)定性。本文利用有限元仿真軟件ANSYS，優(yōu)化單片機(jī)的發(fā)熱量，避免出現(xiàn)熱失效的現(xiàn)象，從而提高單片機(jī)的工作可靠性。1 單片機(jī)工作可靠性低的原因1.1? ? 內(nèi)部原因如果凍結(jié)了單片機(jī)，單片機(jī)上的隨機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)導(dǎo)

原用Flash存儲(chǔ)器M25P16停產(chǎn)，對電控系統(tǒng)存儲(chǔ)功能的開發(fā)帶來了消極的影響。本文通過實(shí)驗(yàn)，對Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ與M25P16的存儲(chǔ)功能性能進(jìn)行對比測試，研究Flash存儲(chǔ)器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16進(jìn)行使用。關(guān)鍵詞Flash存儲(chǔ)器;W25Q16JVSNIQ;M25P16;可行性中圖分類號： TG44 ? ? ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼： ADOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457.20

源電壓的降低，存儲(chǔ)器內(nèi)部電荷泵電路的電壓增益不斷減小。為提高低電源電壓下電荷泵電路的效率，提出了一種新型四相位時(shí)鐘電荷泵電路，結(jié)構(gòu)采用兩路錯(cuò)位時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路并將雙支路四相位時(shí)鐘電荷泵電路并聯(lián)進(jìn)行輸出，消除了閾值電壓的損失，有效地提高了電荷泵電路的輸出電壓，縮短了到達(dá)相同電壓的時(shí)間。最后在TSMC0.18μm工藝下，對電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器;四相位時(shí)鐘;電荷泵中圖分類號：TP391? ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1009-3044（2019

約12.1%。存儲(chǔ)器市場規(guī)模與產(chǎn)品價(jià)格“雙下降”在市場規(guī)模方面，所有主要類別的半導(dǎo)體產(chǎn)品均出現(xiàn)不同程度的下降，存儲(chǔ)器產(chǎn)品首當(dāng)其沖，全年銷售額預(yù)計(jì)下挫30.6%，預(yù)計(jì)2019全球的產(chǎn)品銷售額僅為1095.9億美元。7月31日，IC Insight發(fā)布預(yù)警，DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器全年銷售額將分別重挫38%和32%。在產(chǎn)品價(jià)格方面，雖然受到東芝/西數(shù)跳電、日韓半導(dǎo)體材料輸出限制影響和存儲(chǔ)器廠商減產(chǎn)措施等諸多市場因素影響，讓存儲(chǔ)器市場出現(xiàn)短暫的局勢轉(zhuǎn)

磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、RRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）等下一代存儲(chǔ)技術(shù)加快開發(fā)并且進(jìn)入市場應(yīng)用，但尚未實(shí)現(xiàn)規(guī)模化與標(biāo)準(zhǔn)化，成本過高成為其入市的主要阻礙。下一代存儲(chǔ)器何時(shí)方能實(shí)現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)之一。2020年或?qū)⒊蔀槭袌鰴C(jī)會(huì)點(diǎn)DRAM與NAND價(jià)格將在2020年反彈。這將增加用戶采用新型存儲(chǔ)器的意愿，2020年也就有望成為下一代存儲(chǔ)器切入市場的開端。3D XPoint、MRAM、RRAM等下一代存儲(chǔ)器與DRAM相比，具有非易失性（不需加電后重新

算機(jī)硬盤和內(nèi)存存儲(chǔ)器的安全銷毀與資源化處理為中心展開了探討。關(guān)鍵詞：計(jì)算機(jī)；存儲(chǔ)器；安全銷毀；資源化處理中圖分類號：TP309 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1672-9129（2019）04-0021-03Abstract： With the development of modern science and technology， electronic technology products have become an irreplaceable par

非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器成為現(xiàn)階段存儲(chǔ)器行業(yè)的研究熱點(diǎn)。在此背景下，本文針對新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制備及機(jī)理以及存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行探究，以供參考。關(guān)鍵詞：非揮發(fā)性 存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體隨著集成電路的密度、性能的不斷提升，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器性能要求不斷提升，超大容量、超高密度，超低功耗的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器成為存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的重要方向。在此背景下，本文針對我國非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行探究，重點(diǎn)研究相關(guān)的芯片電路設(shè)計(jì)技術(shù)，針對存儲(chǔ)器陣列、系統(tǒng)架構(gòu)、各模塊設(shè)計(jì)進(jìn)行探討。1 非揮發(fā)性半

】當(dāng)前硅基浮柵存儲(chǔ)器已經(jīng)無法滿足超高密度存儲(chǔ)的性能要求，器件結(jié)構(gòu)尺寸難以進(jìn)一步縮小，同時(shí)現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展對器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下，研究人員對于新型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的研發(fā)成為熱點(diǎn)。文章介紹了納米晶存儲(chǔ)器的改進(jìn)方案，探討了提升存儲(chǔ)器件性能的方法。【關(guān)鍵詞】非易失性;納米晶存儲(chǔ);存儲(chǔ)器中圖分類號： TP333 文獻(xiàn)標(biāo)識碼： A 文章編號： 2095-2457（2019）14-0015-002DOI：10.19694/j.cn

算性能的提升給存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)、類型的選擇和配置都帶來挑戰(zhàn)，這也導(dǎo)致在不同的應(yīng)用市場中需要進(jìn)行更復(fù)雜的權(quán)衡。芯片架構(gòu)正在與新市場一起發(fā)展，但數(shù)據(jù)在芯片、設(shè)備之間以及系統(tǒng)之間如何移動(dòng)并不是很清楚。汽車和AI應(yīng)用的數(shù)據(jù)正變得越來越多，并且也越來越復(fù)雜。但芯片架構(gòu)在處理時(shí)，有時(shí)候會(huì)不清楚如何優(yōu)先處理數(shù)據(jù)。這讓芯片設(shè)計(jì)人員面臨抉擇，不知道是應(yīng)該選擇共用內(nèi)存降低成本，還是增加不同類型內(nèi)存提高性能和降低功耗。所有這些都是以安全為前提，并且不同的市場設(shè)計(jì)的要求也不一樣。比如

中心，設(shè)計(jì)信息存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，使信息轉(zhuǎn)化為內(nèi)存形式，可直接被CPU訪問。針對某些信息存儲(chǔ)歷史記錄，設(shè)計(jì)分析處理模塊接口電路，保證輸入電流和輸出電流具有規(guī)律性，可恢復(fù)休眠文件。根據(jù)信息分析處理結(jié)果，設(shè)計(jì)信息查詢模塊，保證系統(tǒng)設(shè)計(jì)的安全性。根據(jù)查詢模塊軟件功能，結(jié)合檔案錄入流程，設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)機(jī)制，采用面向分布式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)與HBase數(shù)據(jù)庫，開發(fā)分布式系統(tǒng)查詢項(xiàng)目，由此完成系統(tǒng)設(shè)計(jì)。通過實(shí)驗(yàn)對比結(jié)果可知，該系統(tǒng)最高查詢精準(zhǔn)性為98%，實(shí)現(xiàn)了電子檔案輔助信息的高效查

高.以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器為主的內(nèi)存系統(tǒng)具有易失性和高能耗兩大缺點(diǎn)，于是對散熱系統(tǒng)提出了更高的要求.目前，內(nèi)存系統(tǒng)的能耗問題已經(jīng)成為限制移動(dòng)終端和云計(jì)算發(fā)展的一大瓶頸[1].然而，相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory，PCM)憑借其非易失性、能耗低、存儲(chǔ)密度大、字節(jié)可尋址等諸多優(yōu)勢，為內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了新的前景和契機(jī).1)字節(jié)尋址，可以保證相變存儲(chǔ)器可以按照隨機(jī)存儲(chǔ)器的字節(jié)訪問方式與處理器進(jìn)行交互，不用改變內(nèi)存系統(tǒng)的尋址方式；2)非易失性，可以提供

子顯微鏡對相變存儲(chǔ)器的相變過程進(jìn)行了觀察和研究，找到了實(shí)現(xiàn)相變材料空洞缺陷“自我修復(fù)”的方法，成功研發(fā)出了新型可自愈封閉型相變存儲(chǔ)器。研究人員將新型相變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)改為由金屬層包圍的封閉式倒錐狀結(jié)構(gòu)，以增強(qiáng)器件的穩(wěn)定性和耐久性。外襯的金屬層對相變材料起到了保護(hù)作用，可減小相變存儲(chǔ)器的電阻漂移，改善器件的整體性能。通過透射電鏡觀察相變過程，研究人員觀察到，改變器件結(jié)構(gòu)和增加金屬外襯層后，相變存儲(chǔ)器獲得了自修復(fù)特性，這使得鍺—銻—碲（GST）材料的相變過程更加可

理 匯編語言 存儲(chǔ)器 總線時(shí)序【基金項(xiàng)目】2015年湖南省普通高等學(xué)校教學(xué)改革研究項(xiàng)目：“ICT產(chǎn)教融合”契機(jī)下實(shí)踐類課程教學(xué)模式改革與探索——以衡陽師范學(xué)院“電子信息工程專業(yè)”為例（湘教通〔2015〕291號369），光電信息技術(shù)湖南省應(yīng)用基礎(chǔ)研究基地開放基金項(xiàng)目（GD15K05），衡陽師范學(xué)院校校合作項(xiàng)目?！局袌D分類號】G64 【文獻(xiàn)標(biāo)識碼】A 【文章編號】2095-3089（2018）29-0139-01一、微機(jī)原理的課程性質(zhì)微機(jī)原理是一門重要的專業(yè)

量產(chǎn)芯片的本土存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)控制器廠商介紹了相關(guān)市場技術(shù)趨勢及公司產(chǎn)品策略。這三家企業(yè)分別是：北京兆易創(chuàng)新、上海華瀾微電子、北京憶芯科技。關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器：特殊存儲(chǔ)器；控制器；SSDDOI： 10.3969/j.issn.1005-5517.2018.7.0041 本土特殊存儲(chǔ)器的生態(tài)和發(fā)展探討北京兆易創(chuàng)新科技有限公司戰(zhàn)略市場部總監(jiān)蘇志強(qiáng)先生介紹道，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器作為處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的載體，也是持續(xù)增長的，由此在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的比重也是持續(xù)增長的。例如2001年，存

楊 直?中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)何去何從楊 直中國銀河證券股份有限公司，北京 100033存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)水平低下等問題，與發(fā)達(dá)國家相比存在顯著差距。在多方因素綜合影響下，中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將迎來歷史性機(jī)遇。如何克服困難，抓住機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，是一個(gè)值得深思的問題?；诖耍⒆惝?dāng)前中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，首先對產(chǎn)業(yè)存在的主要問題進(jìn)行了說明，然后對發(fā)展前景進(jìn)行了闡述，最后針對問題對產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出了相關(guān)建議。集成電路；存儲(chǔ)

中學(xué)基于高密度存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用的探索胥日升 湖南省長沙市周南中學(xué)高密度存儲(chǔ)器技術(shù)就是可以在一個(gè)存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存很多大容量的數(shù)據(jù)資料。在這個(gè)社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅猛的時(shí)代，高密度存儲(chǔ)技術(shù)也被推動(dòng)著發(fā)展和進(jìn)步。為了適應(yīng)當(dāng)前的市場運(yùn)用情況以及存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展情況，還需要作為高中生的我們盡量學(xué)好各個(gè)科目，尤其是物理學(xué)科。高密度存儲(chǔ)器技術(shù)涉及到高中物理有關(guān)導(dǎo)體的課程等。所以，本文針對高密度存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展以及運(yùn)用進(jìn)行了簡單的介紹和分析。高密度 存儲(chǔ)器技術(shù) 發(fā)展 應(yīng)用探索1 關(guān)

位機(jī)架式NAS存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案制造商Synology近期推出了一款定價(jià)頗為親民的NAS網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器。新款DS418j NAS存儲(chǔ)器最高支持40TB的存儲(chǔ)空間，完全能夠滿足專業(yè)攝影師及攝影愛好者對于大空間存儲(chǔ)的需求。通過采用4盤位機(jī)架式結(jié)構(gòu)，DS418j能夠容納4個(gè)存儲(chǔ)空間為10TB的HDDs或SSDs硬盤。而為了進(jìn)一步增強(qiáng)數(shù)據(jù)處理速度，DS418j不僅搭載了一個(gè)64bit的雙核處理器，而且也將內(nèi)存規(guī)格提升至1GB DDR4。Synology表示，新款D

器；光耦隔離；存儲(chǔ)器專用機(jī)床是一種用來加工特定零部件和特定工藝的機(jī)床，生產(chǎn)效率比普通機(jī)床高幾倍甚至是幾十倍，由于所使用的配件已高度標(biāo)準(zhǔn)化，所以可以根據(jù)生產(chǎn)訂單靈活組織搭配，如進(jìn)行大批量的訂單可有效的降低企業(yè)的生產(chǎn)成本。而專用鉆床就是里面的一類機(jī)床，是主要進(jìn)行孔加工的機(jī)床，可鉆削80mm以下的孔，也可進(jìn)行攻螺紋、鉸孔、擴(kuò)孔等相關(guān)工作。而機(jī)床中的PLC在工業(yè)控制生產(chǎn)領(lǐng)域已得到廣泛的應(yīng)用，由于PLC的可靠性高，光耦隔離的部分更是讓其在抗干擾方面得到保障，并且其平

算器、控制器、存儲(chǔ)器、輸入輸出設(shè)備構(gòu)成。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，單片機(jī)的性能迅速提高。目前單片機(jī)在工業(yè)控制、智能家電、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)等的應(yīng)用屢見不鮮。本文將從單片機(jī)的結(jié)構(gòu)，工作過程，應(yīng)用等方面對單片機(jī)進(jìn)行簡要介紹。【關(guān)鍵詞】單片機(jī) 微電子技術(shù) 運(yùn)算器 存儲(chǔ)器引言：單片機(jī)是單片微型計(jì)算機(jī)的簡稱，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把中央處理器CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM等功能集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，是典型的微控制器。就功能而言，

感器；單片機(jī)；存儲(chǔ)器中圖分類號 TP3 文獻(xiàn)標(biāo)識碼 A 文章編號 1674-6708（2017）195-0063-02早在公元前1000年左右，波斯人已發(fā)明一種古式的空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)，主要是利用裝置于屋頂?shù)娘L(fēng)桿，以外面的自然風(fēng)穿過涼水并吹入室內(nèi)，令室內(nèi)的人感到?jīng)隹?。從此，這種空調(diào)的雛形開始參與人類的生活。隨著人類文明的發(fā)展與科技的飛速發(fā)展，1902年后期，電力推動(dòng)的空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)開始用于提升在家居及汽車的舒適度。1915年，卡里爾成立了一家公司，至今它仍是世界最

國產(chǎn)新型存儲(chǔ)器成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用國產(chǎn)存儲(chǔ)器【本刊訊】據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所消息，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。傳統(tǒng)存儲(chǔ)器在處理信息時(shí)有幾個(gè)致命缺點(diǎn)，一是意外斷電數(shù)據(jù)易丟失，二是讀取數(shù)據(jù)速度慢。相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。利用電脈沖誘導(dǎo)存儲(chǔ)材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換，可有效克服上述缺陷

速發(fā)展的今天，存儲(chǔ)器在電子系統(tǒng)中被大量使用，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）作為一種通用非揮發(fā)存儲(chǔ)器件被廣泛的應(yīng)用在各類電子系統(tǒng)中，復(fù)旦微電子提供的24系列串行EEPROM在消費(fèi)電子領(lǐng)域被大量的應(yīng)用。電子系統(tǒng)中一般都有應(yīng)用軟件，且常常將該軟件存放在EEPROM存儲(chǔ)器中，為避免軟件設(shè)計(jì)產(chǎn)權(quán)輕易的被復(fù)制，在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對于應(yīng)用軟件的防復(fù)制保護(hù)也越來越

鍵詞：PLC；存儲(chǔ)器1 S7-300存儲(chǔ)概述S7-300PLC的存儲(chǔ)區(qū)域我們分成四個(gè)部分：裝載存儲(chǔ)器、工作寄存器、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、保持存儲(chǔ)器。1）系統(tǒng)存儲(chǔ)器：我們使用系統(tǒng)存儲(chǔ)器存放以下數(shù)據(jù)：位存儲(chǔ)器、定時(shí)器和計(jì)數(shù)器、輸入輸出過程映像區(qū)、中斷堆棧和塊堆棧、本地?cái)?shù)據(jù)堆棧的臨時(shí)存儲(chǔ)。2）工作寄存器：工作寄存器用來存放CPU運(yùn)行時(shí)讀取的程序數(shù)據(jù)。工作寄存器RAM集成在CPU中，通過電源或后備電池保持其內(nèi)容。S7-300CPU的工作存儲(chǔ)器無法擴(kuò)展。3）裝載存儲(chǔ)器：我們使

新型FPGA將存儲(chǔ)器帶寬提升20倍賽靈思(Xilinx)公司宣布，采用HBM和CCIX技術(shù)的新型16 nm Virtex UltraScale+ FPGA的細(xì)節(jié)。該支持HBM的FPGA系列，擁有最高存儲(chǔ)器帶寬，相比DDR4 DIMM將存儲(chǔ)器帶寬提升了20倍，而相比競爭性存儲(chǔ)器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專為滿足諸如機(jī)器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8 K視頻和雷達(dá)等計(jì)算密集型應(yīng)用所需的更高存儲(chǔ)器帶寬而打造，同時(shí)還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理

?TI全新統(tǒng)一存儲(chǔ)器16位MCU可擴(kuò)展價(jià)值鏈德州儀器(TI)推出兩款針對廣泛感測和測量應(yīng)用的全新低功耗微控制器(MCU)，以擴(kuò)展其超低功耗MSP430 FRAM MCU產(chǎn)品組合。全新的系列包括：① MSP430FR5994 MCU。該產(chǎn)品擁有256 KB FRAM，同時(shí)其性能是其他低功耗MCU的40倍，能夠通過全新且易于使用的集成型低能耗加速器(LEA)為開發(fā)人員提供數(shù)字信號處理(DSP)能力。② MSP430FR2111 MCU。該產(chǎn)品可利用擴(kuò)展的TI

儲(chǔ)功能一體化的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)徐翔宇余玲（廣西科技大學(xué)鹿山學(xué)院，廣西 柳州 545616）在微處理器流水線設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)器的讀寫控制和尋址計(jì)算等一直是提高微處理器執(zhí)行速度的瓶頸。文章在深入研究FPGA技術(shù)、存儲(chǔ)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、通用尋址方式以及FPGA的開發(fā)流程和主要工具的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一種具有尋址與存儲(chǔ)功能一體化的存儲(chǔ)器。闡述了一體化存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)組成，并對各功能模塊進(jìn)行說明。最后通過功能仿真與測試來驗(yàn)證存儲(chǔ)器的功能，從測試的結(jié)果分析設(shè)計(jì)的一體化存儲(chǔ)器滿足設(shè)計(jì)要求。尋

T89S52；存儲(chǔ)器；位地址；SFR1　引言自1980年直到現(xiàn)在，MCS-51系列單片機(jī)憑借其優(yōu)越的性能和完善的結(jié)構(gòu)，成為一種通用計(jì)算機(jī).其強(qiáng)大的位處理功能，為處理復(fù)雜程序標(biāo)志位的置位、清零或檢測以及確定程序的運(yùn)行方向等提供了極大的方便.但許多單片機(jī)愛好者在開始學(xué)習(xí)期間，對其存儲(chǔ)器地址沖突問題上倍感棘手.本文主要介紹了一種單片機(jī)位地址的計(jì)算方法，針對內(nèi)部RAM128字節(jié)中位地址段20H-2FH16個(gè)字節(jié)單元拆分成的128位地址，無需查表，快速準(zhǔn)確地得到位地

機(jī)制。攝像頭、存儲(chǔ)器和電視墻等安防設(shè)備能夠采集、存儲(chǔ)、輸出城市實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)，提高城市管理和安全保護(hù)成效，在數(shù)字城管系統(tǒng)應(yīng)用中具有重要的作用。關(guān)鍵詞：安防設(shè)備 數(shù)字城管 攝像頭 存儲(chǔ)器中圖分類號：TP311.52 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1007-9416（2016）06-0000-001 引言互聯(lián)網(wǎng)、存儲(chǔ)器、攝像機(jī)、GIS、電視墻等軟硬件技術(shù)快速發(fā)展，促進(jìn)了數(shù)字城管建設(shè)和發(fā)展。數(shù)字城管系統(tǒng)是智慧城市的重要組成部分，系統(tǒng)開發(fā)中采用高清晰、紅外攝像頭采集城市

并行計(jì)算引擎；存儲(chǔ)器中圖分類號：TP391.9 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A DOI：10.15913/j.cnki.kjycx.2016.10.1591 實(shí)現(xiàn)CUDA技術(shù)的GPU結(jié)構(gòu)1.1 支持CUDA技術(shù)的GPU計(jì)算單元結(jié)構(gòu)支持CUDA技術(shù)的GPU處理器的強(qiáng)大運(yùn)算能力來自芯片的SM（Streaming Multiprocessor），而Fermi處理器將每個(gè)SM包含的線程處理器增加到32個(gè)，線程處理器首次增加一級緩存結(jié)構(gòu)和二級緩存，它可以供所有的SM處理器使用。為了

】SDRAM；存儲(chǔ)器；S3C24400 引言制造商所生產(chǎn)的MCU片內(nèi)存儲(chǔ)器空間往往不可能完全滿足所有的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)，例如，AT89S51單片機(jī)的內(nèi)部RAM大小為128字節(jié)。因此，對于需要較大片內(nèi)存儲(chǔ)空間的應(yīng)用設(shè)計(jì)來說，擴(kuò)展片內(nèi)存儲(chǔ)器空間是非常重要的。1 硬件設(shè)計(jì)1.1 三星S3C2440微處理器1.1.1 S3C2440硬件資源S3C2440是三星公司開發(fā)的一款基于ARM920T內(nèi)核的16/32位RISC微處理器，集成的系統(tǒng)外設(shè)和接口有：1.8V內(nèi)核

LC自動(dòng)控制；存儲(chǔ)器；可編程控制器；操作技術(shù)中圖分類號：TP273 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A DOI：10.15913/j.cnki.kjycx.2016.04.0651 PLC自動(dòng)控制技術(shù)PLC自動(dòng)控制裝置是一種基于工業(yè)生產(chǎn)的電子控制系統(tǒng)裝置，其主要功能是進(jìn)行編程控制，在工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域主要用于數(shù)字運(yùn)算操作和電子系統(tǒng)化控制。通過電子計(jì)算機(jī)內(nèi)部對計(jì)算機(jī)程序進(jìn)行編制與管控，利用計(jì)算器裝置內(nèi)部存儲(chǔ)器完成邏輯運(yùn)算、計(jì)數(shù)、順序運(yùn)算、算術(shù)運(yùn)算和計(jì)時(shí)指令等一系列操作，實(shí)現(xiàn)數(shù)字場景化

?英特爾再戰(zhàn)存儲(chǔ)器、擴(kuò)大晶圓代工沖刺晶圓廠產(chǎn)能英特爾(Intel)過去不敵日廠攻勢，黯然退出存儲(chǔ)器市場，如今面對晶圓廠整體產(chǎn)能利用率下滑，英特爾重啟存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，不僅借以提高晶圓廠產(chǎn)能利用率，甚至有助于英特爾2016年?duì)I運(yùn)成長，然業(yè)者認(rèn)為即使英特爾存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)大幅成長，恐亦難填滿晶圓廠產(chǎn)能，未來英特爾勢必將全力爭取其他芯片廠代工訂單。英特爾在1985年選擇退出存儲(chǔ)器市場，將DRAM大餅拱手讓給日本半導(dǎo)體業(yè)者，當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)占英特爾營收比重最高，然因日廠已躍過成

來越大，嵌入的存儲(chǔ)器也隨著變多，傳統(tǒng)的測試方法受測試難度和測試成本所制約，已不為芯片設(shè)計(jì)廠商所接受。目前存儲(chǔ)器最常用的測試方法是通過內(nèi)建自測試存儲(chǔ)器電路[1]（MBIST：存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試)來實(shí)現(xiàn)，其通過eda軟件，自動(dòng)生成存儲(chǔ)器的測試電路，根據(jù)相應(yīng)的算法對存儲(chǔ)器地址進(jìn)行讀寫，完成存儲(chǔ)器的測試。該種測試方法雖然會(huì)在電路中加入一些控制邏輯，從而增加芯片的面積，但是對于大規(guī)模測試電路，其能夠?qū)崿F(xiàn)測試自動(dòng)化，減小測試時(shí)間，提高測試覆蓋率，很大程度上節(jié)約測試成本。

鏈的路子，并以存儲(chǔ)器教學(xué)為例，系統(tǒng)地給出溯源法教學(xué)的層層推進(jìn)過程。課堂教學(xué)證實(shí)：此法有助于消除學(xué)生的畏難情緒，強(qiáng)化學(xué)習(xí)效果。關(guān)鍵詞： 計(jì)算機(jī)組成原理 ? ?溯源法 ? ?存儲(chǔ)器 ? ?教學(xué)探索計(jì)算機(jī)組成原理是計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)及相其關(guān)專業(yè)的專業(yè)骨干課程，它一方面以模擬電路、數(shù)字邏輯電路、匯編語言等課程為基礎(chǔ)，另一方面是操作系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)等課程的基礎(chǔ)，從指令的硬件實(shí)現(xiàn)角度對計(jì)算機(jī)的部件如總線、存儲(chǔ)器、CPU、輸入輸出設(shè)備、計(jì)算機(jī)的運(yùn)算、指令的譯碼控制等展

65）SRAM存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)參數(shù)測試向量分析張 吉1，羅喜明1，王 軍1，唐 力1，張一波2 （1. 湖北航天技術(shù)研究院計(jì)量測試技術(shù)研究所，湖北 孝感 432000；2. 中船重工西安東儀科工集團(tuán)有限公司，西安 710065）摘 要：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般由存儲(chǔ)體、地址譯碼驅(qū)動(dòng)器、讀/寫放大器和控制電路組成，是一種能存儲(chǔ)大量信息的器件，它是由許多存儲(chǔ)單元組成的。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的測試有功能測試、直流參數(shù)測試、交流參數(shù)測試，而功能測試和交流參數(shù)測試對存儲(chǔ)器來說是至關(guān)重要的

于24XX系列存儲(chǔ)器通用函數(shù)庫的研究唐玉兵，秦祖銘（瀘州職業(yè)技術(shù)學(xué)院 電子工程系，四川 瀘州 646005）24XX系列EEPROM存儲(chǔ)器是目前電子產(chǎn)品開發(fā)中使用頻率較高的存儲(chǔ)設(shè)備，文章通過構(gòu)建基于該存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)函數(shù)和應(yīng)用函數(shù)庫，既可以提高產(chǎn)品開發(fā)速度，又可以提升存儲(chǔ)器的讀寫穩(wěn)定性。i2c EEPROM;存儲(chǔ)器;函數(shù)庫24系列EEPROM存儲(chǔ)器是現(xiàn)代電子產(chǎn)品中使用非常廣泛的一種基于I2C協(xié)議的存儲(chǔ)器。24XX系列存儲(chǔ)器容量多種多樣，從24C01的128字節(jié)

高性能DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率Altera公司在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是2 666 Mbps。Altera的Arria 10 FPGA和SoC能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器性能比前一代FPGA提高了43%。硬件設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以使用最新的Quartus II軟件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)2 666 Mbps DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率。視頻演示表明，魯棒的存儲(chǔ)器接口能夠工作在2 666 Mbps，并具有一

串口連接，讀取存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)，并將之提取并保存為固定格式。通過數(shù)據(jù)庫編程技術(shù)，將提取的觀測數(shù)據(jù)導(dǎo)入到“十五”O(jiān)racle數(shù)據(jù)庫中，從而達(dá)到提高觀測資料完整率的目的。關(guān)鍵詞：數(shù)據(jù)采集器；存儲(chǔ)器；監(jiān)測數(shù)據(jù)；恢復(fù)平臺(tái)0引言隨著上海佘山地震基準(zhǔn)臺(tái)(以下簡稱佘山臺(tái))前兆2012年“十五”數(shù)字臺(tái)網(wǎng)的改造完成，佘山臺(tái)形變觀測已經(jīng)全面實(shí)現(xiàn)數(shù)字網(wǎng)絡(luò)化，監(jiān)控能力得到了極大的提升?！笆濉睌?shù)字網(wǎng)絡(luò)化系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，大大提高了觀測效率。但大量電子產(chǎn)品的應(yīng)用，也不可避免地帶來了新的

算機(jī)組成原理 存儲(chǔ)器 課程建設(shè)中圖分類號：G624 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1674-098X（2014）09（c）-0110-02本課程主要講述計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)的邏輯組成，各部件的工作原理，部件的協(xié)同運(yùn)行機(jī)制，分析計(jì)算機(jī)組成對系統(tǒng)性能的影響。課程實(shí)踐設(shè)計(jì)一個(gè)具有特定功能的指令系統(tǒng)（部件）。讓學(xué)生建立計(jì)算機(jī)整機(jī)系統(tǒng)的概念，掌握計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)方法，為學(xué)習(xí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、操作系統(tǒng)等課程打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。本課程的培養(yǎng)目標(biāo)為：培養(yǎng)系統(tǒng)地掌握計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)理論與基本技能、

通過使用多字寬存儲(chǔ)器來增加數(shù)據(jù)帶寬，降低失效開銷的時(shí)鐘周期，從而達(dá)到提高訪存效率的目的。數(shù)據(jù)寬度；多字寬存儲(chǔ)器；訪存速度1 引 言輸入輸出子系統(tǒng)始終是高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的瓶頸。隨著IC制造工藝和RISC技術(shù)的發(fā)展，電路速度越來越快，指令執(zhí)行時(shí)間越來越短，雖然連接微處理器（MPU）和存儲(chǔ)器的I／O帶寬也不斷增加，但它的增長速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)趕不上微處理器和存儲(chǔ)器本身速度的增長。特別是先進(jìn)的RISC技術(shù)，如超流水、超標(biāo)量和VLIW在MPU設(shè)計(jì)中的廣泛應(yīng)用，使得這一矛盾更

法；尋址方式；存儲(chǔ)器中圖分類號：G712 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：1674-9324（2014）03-0083-03“微機(jī)原理與接口”課程是一門涉及計(jì)算機(jī)硬件與軟件技術(shù)的綜合性課程。其內(nèi)容包括CPU工作原理及匯編語言程序設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)器工作原理及其擴(kuò)展設(shè)計(jì)、接口電路工作原理及其應(yīng)用設(shè)計(jì)三大部分。[1]課程中的一些基本概念多，內(nèi)容抽象、枯燥、難于理解，難于接受，師生們普遍反映，微機(jī)原理與接口是一門難教難學(xué)的課程。筆者在多年來的教學(xué)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，講解時(shí)運(yùn)用適當(dāng)?shù)谋?/div>

教育教學(xué)論壇 2014年3期2014-03-11

24PI）外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展及基于單片機(jī)控制的多通道串口擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)及具體實(shí)現(xiàn)方法。并以雙端口存儲(chǔ)器 IDT70V261S25PFI和串行通訊控制器TL16C754BPN及以C51系列單片機(jī)軟件開發(fā)環(huán)境Keil μVision4為例實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的外部電路控制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方案接口簡單、使用方便、穩(wěn)定可靠?！娟P(guān)鍵詞】單片機(jī)；存儲(chǔ)器；串行通訊；Keil μVision4【中圖分類號】 TN45【文獻(xiàn)標(biāo)識碼】 A【文章編號】1672-5158（2013）07-0

一種先入先出的存儲(chǔ)器控制算法，其使用一個(gè)雙端口存儲(chǔ)器存放數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)發(fā)送方在一端寫入數(shù)據(jù)，接收方在另一端讀出數(shù)據(jù)，良好的FIFO控制算法能夠非常好的協(xié)調(diào)兩個(gè)時(shí)鐘域的讀/寫工作，滿足高時(shí)鐘頻率的要求。在FIFO設(shè)計(jì)中，有軟件FIFO和硬件FIFO，常用的硬件FIFO由專用的ASIC芯片組成，提供外部接口，可以很方便的實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)控制，例如IDT公司的7200系列異步雙口FIFO存儲(chǔ)器［3］。根據(jù)FIFO的工作時(shí)鐘，可將FIFO分為同步FIFO和異步FIFO，同步F

振弦式傳感器;存儲(chǔ)器;電子標(biāo)簽;管理系統(tǒng)中圖分類號:TP23文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A文章編號:1004-373X(2009)19-155-02Design and Realization about Management System of Vibrating-wire Sensors′ Electric TagsJIAN Xiaoping1,WU Yiqin2,ZHANG Weigang2(1.College of Automobile,Chang′an Univ

在芯片中的大型存儲(chǔ)器會(huì)轉(zhuǎn)變成數(shù)十或數(shù)百個(gè)小型的存儲(chǔ)器陣列，并且散布在芯片中各個(gè)角落。這些陣列有的是寄存器堆，F(xiàn)IPO，或者是在存儲(chǔ)器管理系統(tǒng)中一些對性能要求較高的存儲(chǔ)器。針對這種類型的小型陣列，如果想要偵測出與速度相關(guān)的瑕疵以及固定邏輯(stuck—at)故障，其實(shí)并不是一件容易的事。

含CPU、程序存儲(chǔ)器(ROM、 OTP和Flash ROM)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM)、運(yùn)行控制、外圍模塊、振蕩器和倍頻器等主要功能模塊。其基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。可以看出，MSP430內(nèi)部包含了計(jì)算機(jī)的所有部件，是一個(gè)真正的單片機(jī)(微控制器MCU)。CPUCPU 由一個(gè)16位的ALU、16個(gè)寄存器和一套指令控制邏輯組成，其邏輯簡圖如圖2所示。在16個(gè)寄存器中，程序計(jì)數(shù)器PC、堆棧指針SP、狀態(tài)寄存器SR和常數(shù)發(fā)生器CGl、CG2這4個(gè)寄存器有特殊用途。除了R3和