江旅銳

摘 要

在工程機械電控系統(tǒng)開發(fā)過程中，由于原用Flash存儲器M25P16停產(chǎn)，對電控系統(tǒng)存儲功能的開發(fā)帶來了消極的影響。本文通過實驗，對Flash存儲器W25Q16JVSNIQ與M25P16的存儲功能性能進行對比測試，研究Flash存儲器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16進行使用。

關鍵詞

Flash存儲器;W25Q16JVSNIQ;M25P16;可行性

中圖分類號： TG44 ? ? ? ? ? ?文獻標識碼： A

DOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2020.19.063

0 引言

Flash存儲器W25Q16JVSNIQ為空間有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案，25Q系列提供的靈活性和性能遠遠超過普通的串行閃存設備。隨著Flash存儲器M25P16的停產(chǎn)，W25Q16JVSNIQ的使用價值得到越來越多的重視，且二者的封裝完全相同，因此，在替換方案的便利性上具備一定的優(yōu)勢。但行業(yè)內(nèi)對使用Flash存儲器W25Q16JVSNIQ替換M25P16的可行性缺乏研究，本課題的研究，為使用Flash存儲器W25Q16JVSNIQ替換M25P16的可行性提供必要的數(shù)據(jù)支撐，具有重要的理論意義和工程應用價值。

1 實驗方法

通過焊接手段將Flash存儲器安裝在電控系統(tǒng)主控制器電路板上，主要針對Flash存儲器W25Q16JVSNIQ和M25P16的擦除數(shù)據(jù)（包括全片擦除和Sector擦除）、寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)等基本功能性能進行對比測試，各項操作指令均由控制器發(fā)出。

系統(tǒng)電路連接示意圖如圖1，實驗環(huán)境溫度為23.6℃，濕度為90.1%，測試流程如圖2。

本文針對Flash存儲器W25Q16JVSNIQ和M25P16的基本存儲功能性能進行試驗，為減少誤差，提高試驗的準確性，先對M25P16進行測試，每次試驗進行3次，然后取3次試驗結果的平均值，完成測試后，將M25P16替換為W25Q16JVSNIQ，按照相同的測試過程、測試要求進行測試。

2 結果與討論

經(jīng)驗證，F(xiàn)lash存儲器W25Q16JVSNIQ和M25P16的讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能正常，完成各功能操作的時間記錄如表1。

從表1可以得出，F(xiàn)lash存儲器W25Q16JVSNIQ在完成讀數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能的平均使用時間與M25P16基本保持一致，誤差保持在±0.5s內(nèi)，對全片數(shù)據(jù)或32個Sector數(shù)據(jù)進行寫操作時，速度較慢，平均使用時間接近M25P16的2倍。

3 結論

在存儲功能方面，外擴Flash存儲器W25Q16JVSNIQ與M25P16的讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)功能指令相同，可以相互兼容;在工作速率方面，對執(zhí)行讀數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)的指令時，速率相當，對執(zhí)行寫入全片數(shù)據(jù)（或32個Sector數(shù)據(jù)）指令時，F(xiàn)lash存儲器W25Q16JVSNIQ的速率相對較低，但屬于可視差距。

因此，若對寫入全片數(shù)據(jù)（或32個Sector數(shù)據(jù)）的速率無嚴苛要求的前提下，外擴Flash存儲器W25Q16JVSNIQ可代替M25P16進行使用。

參考文獻

[1]劉岐，沈鳴杰，董藝.電離總劑量效應對浮柵型Flash存儲器擦寫耐久與數(shù)據(jù)保持特性的影響研究[J].航天器環(huán)境工程，2019，36（03）：264-270.

[2]李遠哲，賀海文，萬麗，李妍，趙峰.嵌入式系統(tǒng)大容量NAND Flash存儲器分區(qū)管理設計[J].計算機測量與控制，2019，27（02）：212-215+220.

[3]郭慧瑩.Flash存儲器并行耐久測試方案研究[J].科技創(chuàng)新導報，2019，16（11）：148-149.