美國耶魯大學(xué)和IBM公司的研究人員利用耶魯大學(xué)納米科學(xué)和量子工程研究所（YINQE）的原位透射電子顯微鏡對相變存儲器的相變過程進(jìn)行了觀察和研究，找到了實現(xiàn)相變材料空洞缺陷“自我修復(fù)”的方法，成功研發(fā)出了新型可自愈封閉型相變存儲器。

研究人員將新型相變存儲器結(jié)構(gòu)改為由金屬層包圍的封閉式倒錐狀結(jié)構(gòu)，以增強器件的穩(wěn)定性和耐久性。外襯的金屬層對相變材料起到了保護(hù)作用，可減小相變存儲器的電阻漂移，改善器件的整體性能。通過透射電鏡觀察相變過程，研究人員觀察到，改變器件結(jié)構(gòu)和增加金屬外襯層后，相變存儲器獲得了自修復(fù)特性，這使得鍺—銻—碲（GST）材料的相變過程更加可控。

研究人員未來將開發(fā)一種雙極運行模式，以改變電壓的方向，從而控制化學(xué)分離過程。該項研究成果有望延長相變存儲器的生命周期。 (李鐵成)