設(shè)計(jì)高性能的光電器件.本文通過(guò)精確調(diào)控發(fā)光層(x m-MTDATA:y Bphen,x,y 為質(zhì)量分?jǐn)?shù))中給體與受體的共混比例和流過(guò)器件的載流子密度,獲得了載流子平衡與非平衡的激基復(fù)合物器件,采用特征磁電導(dǎo)(magneto-conductance,MC)響應(yīng)曲線(xiàn)可視化了平衡激基復(fù)合物器件中CT 態(tài)間的RISC 過(guò)程,且相比于非平衡器件,該器件具有更高的電致發(fā)光效率.本工作不僅能加深對(duì)于激基復(fù)合物器件中給體/受體共混比例影響載流子平衡的理解,還為最優(yōu)利用RI

。常見(jiàn)的OLED器件結(jié)構(gòu)主要有兩種，分別為多摻雜層發(fā)光器件和多重發(fā)光層器件。所謂多摻雜發(fā)光層器件是指將含有多種顏色發(fā)光材料的摻雜物共蒸鍍于同一發(fā)光層中，利用不完全能量轉(zhuǎn)換原理使電致發(fā)光呈現(xiàn)不同顏色混合而形成白光。而多重發(fā)光層器件是將不同顏色的發(fā)光材料分別摻混在各個(gè)發(fā)光層中，利用各單層發(fā)光再混合來(lái)實(shí)現(xiàn)多波段的發(fā)光。1.2 白色熒光OLEDs最早報(bào)道的熒光系統(tǒng)WOLED是美國(guó)柯達(dá)公司制備的雙發(fā)光層的器件結(jié)構(gòu)，主要是將黃光發(fā)光材料摻雜到NPB中，結(jié)合藍(lán)色發(fā)光材料

管(HEMT) 器件的主要結(jié)構(gòu),因具有較強(qiáng)的自發(fā)極化效應(yīng),在高溫、高頻、高功率等領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注[1-6]。特別是在高溫條件下,由于外部環(huán)境溫度的升高以及器件本身的自熱效應(yīng),傳統(tǒng)的InAlN/GaN HEMT 器件仍然存在閾值電壓漂移、飽和輸出電流降低、器件關(guān)斷困難等問(wèn)題,這嚴(yán)重影響了器件的性能。因此,尋找提高InAlN/GaN HEMT 器件熱穩(wěn)定性的方法具有重要意義。纖鋅礦結(jié)構(gòu)的BGaN 材料具有較小的晶格常數(shù)[7-9],因壓電極化效應(yīng)在GaN/BGa

言隨著功率半導(dǎo)體器件的不斷發(fā)展，功率器件逐漸成為人們研究的熱門(mén)器件。而橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）作為常用的功率器件，因其制造工藝簡(jiǎn)單且易實(shí)現(xiàn)，一直是人們研究的重點(diǎn)[1]。導(dǎo)通電阻和擊穿電壓作為L(zhǎng)DMOS 的重要參數(shù)，低導(dǎo)通電阻高擊穿電壓一直是研究學(xué)者研究的主要方向[2]。提高LDMOS 器件性能的技術(shù)有：超結(jié)技術(shù)[3]、場(chǎng)板技術(shù)[4]、降低器件表面電場(chǎng)[5]等技術(shù)。降低器件表面電場(chǎng)（Reduced Surface Field，RESURF）技

atus （敏感器件） to collect radio waves from the far reaches of space， hoping to discover in them some mathematical pattern （數(shù)學(xué)模式） indicating that the waves were sent out by other intelligent beings. The first attempt failed， but somed

言有機(jī)電致發(fā)光器件(OLEDs)由于具有驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光亮度和效率高、響應(yīng)速度快、視角寬、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、重量輕和色彩豐富等優(yōu)點(diǎn)，容易實(shí)現(xiàn)全彩色平板顯示，已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，廣泛應(yīng)用于小面積顯示領(lǐng)域中[1-6]。為提高器件的光電性能，目前主要從3個(gè)方面入手：一是采用封裝等工藝延遲其水氧老化速率[7]；二是研究新型有機(jī)發(fā)光分子材料[8]；三是采用微腔結(jié)構(gòu)[9]、量子阱結(jié)構(gòu)和超薄結(jié)構(gòu)等。增加有效電子注入也可以顯著提高器件性能。利用低功函數(shù)材料，例如鎂(Mg)、鈣(C

傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光器件, 串聯(lián)有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率與壽命均得到明顯提升.因此, 深入研究微腔效應(yīng)對(duì)頂發(fā)射串聯(lián)有機(jī)電致發(fā)光器件性能的影響具有重要意義.本文以藍(lán)光器件為例, 通過(guò)光學(xué)仿真模擬與實(shí)際實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法, 研究了頂發(fā)射串聯(lián)藍(lán)光器件的光學(xué)性能與電學(xué)性能變化規(guī)律.具體實(shí)驗(yàn)為:分別制備了頂發(fā)射串聯(lián)藍(lán)光器件, 使其兩個(gè)發(fā)光層位置分別位于器件光學(xué)結(jié)構(gòu)中的第一與第二反節(jié)點(diǎn)、第二與第三反節(jié)點(diǎn)、第三與第四反節(jié)點(diǎn).分析并確定了頂發(fā)射串聯(lián)藍(lán)光器件的兩個(gè)發(fā)光層位置分別

來(lái)越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)，因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器件的候選者[1-6]。但是，目前對(duì)AlGaN/GaN SBD器件的研究并不是很成熟，該器件仍然存在著眾多尚未解決的問(wèn)題，例如開(kāi)啟電壓高、陽(yáng)極泄漏電流嚴(yán)重、擊穿電壓低等問(wèn)題。針對(duì)這些問(wèn)題，國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)做了一系列研究，例如為了降低AlGaN/GaN SBD的開(kāi)啟電壓，采用刻蝕陽(yáng)極勢(shì)壘層的技術(shù)[6]和選擇性Si擴(kuò)散的方法[7]等。為了抑制二極管的陽(yáng)極泄漏電流，研

言有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic light-emitting device，OLED)具有自發(fā)光、效率高、環(huán)境友好、可用作柔性顯示以及可實(shí)現(xiàn)大面積全彩顯示等優(yōu)點(diǎn)，在下一代固態(tài)照明和大面積平板顯示領(lǐng)域中備受關(guān)注[1-4]，近年來(lái)成為國(guó)際上的研究熱點(diǎn)[5-12]。提升OLED的亮度、效率和壽命是人們一直研究的課題，為此，日本山形大學(xué)的Kido教授首先提出了疊層有機(jī)電致發(fā)光器件(Tandem organic light-emitting device，TO

電路中的NMOS器件對(duì)這些效應(yīng)比較敏感，在總劑量效應(yīng)下，NMOS器件會(huì)出現(xiàn)漏電流增加以及閾值電壓變化，嚴(yán)重影響器件特性，并使得集成電路的性能和功能出現(xiàn)異常，進(jìn)而導(dǎo)致衛(wèi)星系統(tǒng)無(wú)法正常工作[2]。普通集成電路中的器件以PMOS和NMOS器件為主，但對(duì)于Flash[3-5]產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，其主要組成單元是存放數(shù)據(jù)的浮柵器件，圍繞浮柵器件的電路稱(chēng)為外圍電路。外圍電路主要包括用于算法控制的數(shù)字電路和用于高壓擦寫(xiě)的高壓電路，前者主要由低壓MOS器件組成，后者主要由高壓MOS

價(jià)值，WOLED器件在有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的研究領(lǐng)域得到了越來(lái)越多的關(guān)注。實(shí)現(xiàn)高效率、低成本和高顏色穩(wěn)定性是WOLED器件能夠獲得更加廣泛商業(yè)應(yīng)用的前提條件。磷光材料可以同時(shí)俘獲單重態(tài)和三重態(tài)激子，理論上可以得到近乎100%的內(nèi)量子效率[1]，在高效率的WOLED器件中經(jīng)常被作為發(fā)光材料使用[2-4]。例如，文獻(xiàn)[5-7]在簡(jiǎn)單的WOLED器件結(jié)構(gòu)中通過(guò)調(diào)整橙色磷光客體材料的比例，制備了高效率的WOLED器件。Chen等[8]在WOLED器件中通過(guò)采

言有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic light emitting-device,OLED)已經(jīng)在照明和平板顯示領(lǐng)域表現(xiàn)出了巨大的潛力。其自發(fā)光、低成本、低功耗等優(yōu)勢(shì)，使得有機(jī)電致發(fā)光器件成為目前學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的研究熱點(diǎn)[1-5]。高效率、低功耗無(wú)疑是有機(jī)電致發(fā)光器件研究者的共同目標(biāo)。有機(jī)電致發(fā)光器件是電子和空穴同時(shí)存在的雙載流子器件，電子和空穴的平衡是影響有機(jī)電致發(fā)光器件性能的主要原因之一。然而對(duì)于有機(jī)小分子材料而言，空穴傳輸材料的遷移率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子傳

)3聚合物電雙穩(wěn)器件王 敏， 胡煜峰， 滕 楓*(北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所 發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室， 北京 100044)通過(guò)逐層旋涂的方法，利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]與Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ)))，制備活性層，實(shí)現(xiàn)了高性能的電雙穩(wěn)器件。通過(guò)改變MEH-PPV 的濃度，制備了不同

bit/s的速率器件，當(dāng)前產(chǎn)業(yè)鏈不夠成熟。NRZ+均衡和PAM4基于25 Gbit/s速率器件，器件相對(duì)成熟，是50 G PON調(diào)制技術(shù)的研究熱點(diǎn)。Overcoming a Cold War MindsetThe Belt and Road Initiative represents much more than simply a needed development program. It is a key element in a new model

雙層聚合物電雙穩(wěn)器件的研究彭 博， 曹亞鵬， 胡煜峰， 滕 楓*(北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所 發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室， 北京 100044)通過(guò)逐層旋涂的方法，制備了P3HT(poly(3-hexylthiophene))與PMMA(poly(methylmethacrylate))雙層器件，并與二者的共混溶液制備的器件進(jìn)行了性能對(duì)比。利用掃描電鏡(SEM)表征了雙層器件的橫截面形貌；利用電流-電壓(I-V)以及電流-讀取次數(shù)(I-t)測(cè)試，測(cè)

型軍用雙航空收發(fā)器件據(jù)報(bào)道，美國(guó)Holt集成電路公司新近推出一種3.3 V雙航空收發(fā)器HI-2579CG，它符合MIL-STD-1553/1760標(biāo)準(zhǔn)的要求，適用于PMC和XMC等高度受限的板卡式應(yīng)用領(lǐng)域。該器件在同一封裝中集成了雙發(fā)射機(jī)，表面貼裝后其尺寸小于4.6 mm；采用陶瓷LCC做襯底，進(jìn)行了密封封裝，從而保證了器件的工作溫度范圍可拓展至-5～125℃，潮濕敏感度等級(jí) （MSL）達(dá)到1級(jí)。該器件特別適用于符合MIL-STD-1553/1760標(biāo)準(zhǔn)的

綠光有機(jī)電致發(fā)光器件田苗苗1*,賀小光1,祁金剛1,王 寧2(1.長(zhǎng)春師范大學(xué)物理學(xué)院,吉林長(zhǎng)春 130032; 2.新加坡南洋理工大學(xué)電氣科學(xué)與電子工程學(xué)院,新加坡 639798)為了提高有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)在高電流密度下的發(fā)光效率,在以C545T摻雜Alq3為發(fā)光層的有機(jī)小分子綠光器件中的發(fā)光層與電子傳輸層之間插入超薄LiF絕緣層。結(jié)果表明,器件的外量子效率隨著電流密度的增加始終沒(méi)有降低,直至600 mA/cm2時(shí)達(dá)到最大值4.79％,是相同電

言有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED：Organic Light Emitting Device），具有驅(qū)動(dòng)電壓低、效率高、能實(shí)現(xiàn)大面積全色顯示等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域引起廣泛的關(guān)注，近年來(lái)成為國(guó)際上的研究熱點(diǎn)［1－8］。提高有機(jī)發(fā)光器件的效率和壽命一直是人們研究的課題，為此，日本的Kido等人首先提出了疊層OLED的概念，即垂直層疊兩個(gè)或多個(gè)發(fā)光單元以構(gòu)成一個(gè)器件，在各發(fā)光單元之間使用電荷產(chǎn)生層（CGL：Charge Generation Layer）連接，所以

術(shù)的發(fā)展，鍵合的器件的種類(lèi)也不斷增加，這就要求手動(dòng)鍵合設(shè)備針對(duì)器件的改變進(jìn)行相應(yīng)的變化。1 夾持臺(tái)夾持臺(tái)是手動(dòng)鍵合設(shè)備變化最為復(fù)雜的部件。針對(duì)需要鍵合器件的不同，夾持臺(tái)需要進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，來(lái)滿(mǎn)足鍵合的需要。夾持臺(tái)需要實(shí)現(xiàn)的基本功能是實(shí)現(xiàn)器件的牢固裝夾，保證在鍵合過(guò)程中器件的牢固，以免影響焊接質(zhì)量。根據(jù)壓焊工藝的不同，夾持臺(tái)分為熱夾持臺(tái)和冷夾持臺(tái)兩種。熱夾持臺(tái)主要應(yīng)用于金絲球鍵合和金絲楔形鍵合；冷夾持臺(tái)則主要應(yīng)用于鋁絲楔形鍵合。因?yàn)槭謩?dòng)鍵合設(shè)備90%以上應(yīng)用

高分子光電材料與器件研究所,廣州 510640)2)(發(fā)光材料與器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣州 510640)(2012年11月30日收到;2012年12月17日收到修改稿)1 引言耗低、由于視有角機(jī)廣發(fā)以光及二響極應(yīng)管速度(O快LE等D優(yōu))具異有性亮能度[1高],、并功在顯示和照明領(lǐng)域有廣闊應(yīng)用前景,受到學(xué)者和業(yè)界的廣泛重視而成為研究熱點(diǎn).20多年來(lái),眾多的科研工作者為了提高OLED的性能,對(duì)OLED進(jìn)行了大量的探索和研究[2-6].進(jìn)一步提高效率、降低功獲耗

機(jī)技術(shù)并綜合運(yùn)用器件直接功能測(cè)試、端口阻抗測(cè)試等先進(jìn)測(cè)試手段，直接針對(duì)電路板上器件進(jìn)行測(cè)試，無(wú)需涉及電路原理和功能，普遍適用各種繁雜的電路板，節(jié)省維修電路板的時(shí)間和費(fèi)用。目前通用型數(shù)字器件的發(fā)展趨勢(shì)主要表現(xiàn)在以下方面：①管腳趨多，以前常用的74LS244 是8位驅(qū)動(dòng)器，20管腳器件，現(xiàn)在多采用的74ABT16244 是16位驅(qū)動(dòng)器，48管腳器件。②電壓趨低，以前數(shù)字器件多為+5V 供電，某些CMOS 結(jié)構(gòu)的數(shù)字器件為+12V 供電，現(xiàn)在逐漸形成主流3.3V

研究者的注意.就器件本身而言，通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)提高有機(jī)電致發(fā)光器件的效率、亮度、壽命等的研究已處于白熱化狀態(tài).尤其是隨著磷光材料的出現(xiàn)，使得OLED的內(nèi)量子效率幾乎達(dá)到100%，而外量子效率由于組成器件的功能層、電極層材料的吸收，以及很大一部分波導(dǎo)模態(tài)和襯底模態(tài)被限制，出光效率僅僅只有20%左右[1,2].大量的能量損耗在器件內(nèi)部，因此如何提高OLED器件的外量子效率，減少內(nèi)部損耗則成為目前OLED器件研究的熱點(diǎn).提高OLED出光效率經(jīng)常使用的方法有散布微

之一。由于SOI器件底部被厚厚的埋層氧化層隔離，器件四周也被SiO2進(jìn)行了全介質(zhì)隔離，理論分析與實(shí)際經(jīng)驗(yàn)都顯示，SOI器件與電路一方面對(duì)ESD應(yīng)力非常敏感；另一方面，相比體硅器件而言，將SOI MOS器件應(yīng)用于ESD設(shè)計(jì)的難度也更大了，因?yàn)镾OI MOS器件存在的體區(qū)使NMOS器件的觸發(fā)機(jī)制更復(fù)雜，由于結(jié)構(gòu)所限，體硅技術(shù)中許多可以用于ESD保護(hù)的結(jié)構(gòu)，如厚場(chǎng)氧器件、縱向PN結(jié)等都無(wú)法在SOI電路中使用[1]。因此，SOI電路的ESD設(shè)計(jì)是一個(gè)值得關(guān)注的重要

構(gòu)的高效有機(jī)白光器件王春雷 費(fèi) 騰 李 峰*馬於光*(吉林大學(xué)超分子結(jié)構(gòu)與材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)春 130012)制備了一種高效的p型結(jié)構(gòu)的紅光有機(jī)發(fā)光器件.對(duì)比發(fā)現(xiàn)這種p型結(jié)構(gòu)的器件在亮度、電流密度以及效率等方面都優(yōu)于普通的器件.將這種p型結(jié)構(gòu)應(yīng)用到白光器件上,使用紅、綠、藍(lán)三種發(fā)光材料作為發(fā)光層,通過(guò)調(diào)節(jié)它們各自的發(fā)射強(qiáng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射.優(yōu)化條件后,制得白光器件的最大電流效率和功率效率分別為19.3 cd·A-1和12.1 lm·W-1,最大亮度可達(dá)到

Axel Eschenburg,Taufiq Habib(Viscom AG,Germany)In semiconductor manufacturing,automatic wafer inspection is essential to detect defects in the early stage.At the back-end of processes where bonding joins two or more wafers,or a wa