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        存儲(chǔ)器中的一種新型電荷泵電路

        2019-12-10 09:48:22高敬張志浩曹江中
        電腦知識(shí)與技術(shù) 2019年28期
        關(guān)鍵詞:電荷泵存儲(chǔ)器

        高敬 張志浩 曹江中

        摘要:隨著片上系統(tǒng)電源電壓的降低,存儲(chǔ)器內(nèi)部電荷泵電路的電壓增益不斷減小。為提高低電源電壓下電荷泵電路的效率,提出了一種新型四相位時(shí)鐘電荷泵電路,結(jié)構(gòu)采用兩路錯(cuò)位時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路并將雙支路四相位時(shí)鐘電荷泵電路并聯(lián)進(jìn)行輸出,消除了閾值電壓的損失,有效地提高了電荷泵電路的輸出電壓,縮短了到達(dá)相同電壓的時(shí)間。最后在TSMC0.18μm工藝下,對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。

        關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器;四相位時(shí)鐘;電荷泵

        中圖分類(lèi)號(hào):TP391? ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A

        文章編號(hào):1009-3044(2019)28-0263-03

        1 引言

        電荷泵電路的作用類(lèi)似于變壓器,可以將電源電壓一級(jí)級(jí)抬升,直到達(dá)到目標(biāo)電壓為止。電荷泵電路由晶體管和電容組成,是存儲(chǔ)器解決片內(nèi)升壓?jiǎn)栴}的電路。電荷泵電路常用于產(chǎn)生高于電源電壓或低于接地電壓的直流電壓。高壓用于執(zhí)行非易失性存儲(chǔ)器的編程和擦除操作[1],低壓可用于驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電容電路的模擬模塊[2]。衡量電荷泵的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一是輸出效率,高效率的電荷泵能為電路提供更高更穩(wěn)定的電壓。

        本文提出一種基于傳統(tǒng)四相位時(shí)鐘電荷泵結(jié)構(gòu)的新型電荷泵。該電荷泵的輔助電容不僅僅起輔助作用,而且參與到電壓升高的過(guò)程,有效地提高了電荷泵電路的輸出電壓,縮短了到達(dá)相同電壓的時(shí)間,同時(shí)采用兩路錯(cuò)位時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路并將雙支路四相位時(shí)鐘電荷泵電路并聯(lián)進(jìn)行輸出,減小輸出電壓紋波。

        2 四相位時(shí)鐘電荷泵

        在最早的Dickson電荷泵[3]中,由于使用二極管連接方式作為開(kāi)關(guān)晶體管,在電荷傳輸過(guò)程中,每一次經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)進(jìn)行電荷傳輸時(shí),均存在大小為閾值電壓的電壓損失,因此輸出電壓表達(dá)式為:

        式中[VDD]表示電源電壓,N表示電荷泵級(jí)數(shù),C表示泵浦電容,[CS]表示節(jié)點(diǎn)寄生電容,[Vclk]表示時(shí)鐘電壓幅度,[VTH]表示閾值電壓。由上式可以看出,電荷泵電路的輸出電壓與閾值電壓有關(guān),且隨著泵級(jí)數(shù)的不斷增多,閾值電壓的損失更加嚴(yán)重,限制了電荷泵的最大可輸出電壓。消除閾值電壓影響的一種方法為采用四相位時(shí)鐘電荷泵結(jié)構(gòu)[4,5],其電路結(jié)構(gòu)和時(shí)鐘信號(hào)如圖1所示,其采用非交疊時(shí)鐘信號(hào)控制電路,是為了防止短路和電容漏電,提高電荷泵電路的性能[6]。

        (a)電路結(jié)構(gòu)

        (b)時(shí)鐘信號(hào)

        四相位時(shí)鐘電荷泵的傳輸管D1~D5和輔助管FP1~FP5均采用NMOS晶體管,其利用輔助電容C5~C9以及輔助晶體管使傳輸晶體管在導(dǎo)通時(shí)工作在深三極管區(qū),消除了閾值電壓損失,以第2級(jí)和第3級(jí)為例對(duì)電路的工作原理進(jìn)行分析如下。在T1時(shí)刻,clk1由高電位變?yōu)榈碗娢?,clk2和clk3均處于低電位,F(xiàn)P2管截止。在T2時(shí)刻,clk2由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)4的電壓升高,F(xiàn)P2管導(dǎo)通,同時(shí)由于D2管在T1時(shí)刻已經(jīng)截止,所以節(jié)點(diǎn)4的電荷不會(huì)向節(jié)點(diǎn)3進(jìn)行回流。在T3時(shí)刻,clk4由高電位變?yōu)榈碗娢唬?jié)點(diǎn)5的電壓降低,F(xiàn)P3管和D3管均截止。在T4時(shí)刻,clk3由低電位變?yōu)楦唠娢唬琧lk4為低電位,節(jié)點(diǎn)2的電壓升高,D3管導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)5的低電位與節(jié)點(diǎn)4的高電位相同。在T5時(shí)刻,clk3由高電位變?yōu)榈碗娢唬?jié)點(diǎn)2的電壓降低,導(dǎo)致D3管截止。在T6時(shí)刻,clk4由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)3的電壓升高,由于D3管在T5時(shí)刻已經(jīng)截止,節(jié)點(diǎn)5的電荷同樣不會(huì)出現(xiàn)回流現(xiàn)象。在T7時(shí)刻,clk2由高電位變?yōu)榈碗娢唬瑢?dǎo)致FP2管截止。在T8時(shí)刻,clk1由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)1的電壓升高,D2管導(dǎo)通,泵浦電容C2和C3發(fā)生電荷共享,因此節(jié)點(diǎn)4和節(jié)點(diǎn)3的電壓相同。

        電路工作在上述循環(huán)過(guò)程中,電壓從VDD持續(xù)升高。相比于Dickson電荷泵,四相位時(shí)鐘電荷泵的傳輸晶體管由于在導(dǎo)通時(shí)處于深三極管區(qū),消除了閾值電壓損失,因而具有較高的輸出電壓。

        3 新型電荷泵結(jié)構(gòu)

        本文提出了一種新型電荷泵結(jié)構(gòu),電路結(jié)構(gòu)和時(shí)鐘信號(hào)如圖2所示。在傳統(tǒng)四相位電荷泵電路的基礎(chǔ)上,新型結(jié)構(gòu)中輔助管采用PMOS晶體管替代傳統(tǒng)四相位電荷泵中的NMOS晶體管,而傳輸管仍然采用NMOS晶體管。此結(jié)構(gòu)由于輔助電容不僅僅起輔助作用,而是參與到電壓升高的過(guò)程,因而有效地提高了電荷泵電路的輸出電壓,縮短了到達(dá)相同電壓的時(shí)間。同時(shí)采用兩路錯(cuò)位時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路并將雙支路四相位時(shí)鐘電荷泵電路并聯(lián)進(jìn)行輸出,減小了輸出電壓紋波。

        (a)電路結(jié)構(gòu)

        (b)時(shí)鐘信號(hào)

        以電荷泵電路的下支路的第2級(jí)和第3級(jí)為例分析其工作原理,將時(shí)鐘信號(hào)分為8個(gè)時(shí)刻。在T1時(shí)刻,clk1由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)1的電壓升高,此時(shí)DN2管導(dǎo)通,DP2也導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)3的電荷向節(jié)點(diǎn)4進(jìn)行傳輸,因此節(jié)點(diǎn)4的電壓升高,同時(shí),節(jié)點(diǎn)1的電荷向節(jié)點(diǎn)3進(jìn)行傳輸,節(jié)點(diǎn)3的電壓會(huì)進(jìn)一步升高,進(jìn)而將節(jié)點(diǎn)4的電壓升高的更多。在T2時(shí)刻,clk1由高電位變?yōu)榈碗娢唬珼N2管截止。在T3時(shí)刻,clk2由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)4的電壓經(jīng)前一過(guò)程升高之后再一次進(jìn)行升高。在T4時(shí)刻,clk4由高電位變?yōu)榈碗娢粫r(shí),節(jié)點(diǎn)3和節(jié)點(diǎn)5的電壓降低。在T5時(shí)刻,clk3由低電位變?yōu)楦唠娢唬cT1時(shí)刻類(lèi)似,節(jié)點(diǎn)2的電壓升高,DN3管導(dǎo)通,DP3管也導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)4向節(jié)點(diǎn)5進(jìn)行電荷傳輸,進(jìn)而升高節(jié)點(diǎn)5的電壓,同時(shí),節(jié)點(diǎn)2的電荷向節(jié)點(diǎn)4進(jìn)行傳輸,進(jìn)一步升高節(jié)點(diǎn)4的電壓,進(jìn)而將節(jié)點(diǎn)5的電壓升高的更多。在T6時(shí)刻,clk3由高電位變?yōu)榈碗娢?,?jié)點(diǎn)2的電壓降低,此時(shí)DN3管截止。在T7時(shí)刻,clk4由低電位變?yōu)楦唠娢?,?jié)點(diǎn)5的電壓經(jīng)前一過(guò)程升高之后再一次升高。在T8時(shí)刻,clk2由高電位變?yōu)榈碗娢?,?jié)點(diǎn)4的電壓降低,準(zhǔn)備接受節(jié)點(diǎn)3進(jìn)行電荷傳輸以升高電壓。

        4仿真結(jié)果

        在TSMC 0.18μm工藝下,只有電容負(fù)載的情況,電源電壓和時(shí)鐘電壓幅度均為1.8V,對(duì)本文提出的新型電荷泵和傳統(tǒng)電荷泵進(jìn)行對(duì)比仿真,仿真結(jié)果如圖3所示。進(jìn)行對(duì)比仿真時(shí),兩種電荷泵電路的仿真條件相同,并均采用雙支路并聯(lián)電路結(jié)構(gòu),其中new表示本文提出的新型四相位時(shí)鐘電荷泵,con表示傳統(tǒng)四相位時(shí)鐘電荷泵。

        由圖3中可以看出,在仿真條件相同的條件下,相較于傳統(tǒng)四相位時(shí)鐘電荷泵,本文設(shè)計(jì)的新型電荷泵電路具有較高的輸出電壓,到達(dá)相同電壓的時(shí)間更短。新型電荷泵設(shè)計(jì)的版圖如圖4所示,由占大部分面積的電容和一些高壓MOS管組成,并對(duì)其進(jìn)行DRC、LVS驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取之后的后仿真結(jié)果如圖5所示,仿真條件與前仿真相同。由圖5中可以看出,經(jīng)過(guò)寄生參數(shù)提取之后對(duì)電荷泵進(jìn)行的仿真,與前仿真區(qū)別較小。

        5結(jié)束語(yǔ)

        本文提出了一種基于傳統(tǒng)四相位時(shí)鐘電荷泵的新型電荷泵結(jié)構(gòu),通過(guò)輔助電容參與到電壓升高的過(guò)程,同時(shí)采用兩路錯(cuò)位時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)電路并將雙支路四相位時(shí)鐘電荷泵電路并聯(lián)進(jìn)行輸出,減小輸出電壓紋波。采用TSMC 0.18μm工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明電荷泵有效地提高了電荷泵電路的輸出電壓,并完成了電荷泵的版圖設(shè)計(jì)和后仿真。

        參考文獻(xiàn):

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        [5] SteenwijkV ,Hoen, Wallinga. Analysis and Design of a Charge Pump Circuit for High Output Current Applications[C]// European Solid-state Circuits Conference. IEEE, 1993.

        [6] 萬(wàn)悅, 呂堅(jiān), 周云, 等. 一種具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的低損耗低紋波電荷泵[J]. 微處理機(jī), 2018, 189(3):3-7.

        【通聯(lián)編輯:唐一東】

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