基片
- 抄造工藝條件對(duì)再造煙葉基片柔軟度的影響
能很大程度上受其基片的影響，在再造煙葉行業(yè)，對(duì)改善基片物理性能的研究主要集中在提升松厚度上［9-16］，而對(duì)于改善柔軟度的研究卻鮮有報(bào)道。因此，對(duì)煙草漿、外加纖維、碳酸鈣和瓜爾膠添加工藝影響再造煙葉基片柔軟度的規(guī)律進(jìn)行研究，并與其對(duì)再造煙葉基片松厚度的影響進(jìn)行比較，旨在為提升再造煙葉產(chǎn)品的適用性提供技術(shù)參考。1 材料與方法1.1 材料、試劑與儀器煙草漿（江蘇鑫源煙草薄片有限公司）；本色針葉木漿（智利Arauco 公司）；漂白闊葉木漿（巴西Fibria Ce
煙草科技 2023年9期2023-10-12
- 打篩模式在造紙法再造煙葉生產(chǎn)中的應(yīng)用實(shí)踐
，則細(xì)小組分多、基片勻度好，但可能會(huì)造成基片吸收性差，且抄造流失嚴(yán)重；若煙草漿料打漿度低、濕重高，則細(xì)小組分少、基片吸收性好，但可能導(dǎo)致不規(guī)則梗皮數(shù)量偏多，造成基片勻度差，影響抄造穩(wěn)定性[6-8]。如何在保證基片勻度的基礎(chǔ)上有效改善基片的吸收性，是再造煙葉行業(yè)一直探索和追求的目標(biāo)。再造煙葉行業(yè)內(nèi)已對(duì)高濃制漿、低濃制漿、煙梗及煙末分開制漿與混合制漿工藝等[9-10]，及打漿的關(guān)鍵設(shè)備（磨漿機(jī)、解纖機(jī)）[11-14]、控制參數(shù)（流量、濃度、頻率、功率、壓力等）
中國(guó)造紙 2022年9期2022-11-24
- 紅外器件鈍化膜專用磁控濺射系統(tǒng)研制及驗(yàn)證
鈍化膜低溫沉積和基片上置可旋轉(zhuǎn)自動(dòng)傳送要求。1 紅外器件鈍化膜工藝特性分析分析碲鎘汞紅外器件的制造工藝要求和發(fā)展需求，應(yīng)用于紅外器件鈍化膜專用磁控濺射系統(tǒng)的研制需要考慮以下幾個(gè)方面。1)碲鎘汞紅外探測(cè)器件向集成化、高精度化的發(fā)展對(duì)鈍化層介質(zhì)薄膜性能提出了更高要求，如支持更大的基片尺寸、高的薄膜附著力和致密性以達(dá)到對(duì)HgCdTe器件的表面鈍化效果，低的工藝過程污染以提高器件的性能和工藝重復(fù)性，大面積的高均勻性以提高器件成品率和降低成本等。2)碲鎘汞紅外探測(cè)器
技術(shù)與市場(chǎng) 2022年11期2022-11-21
- 提高煙草基片松厚度的研究進(jìn)展
性能相關(guān)，是評(píng)價(jià)基片質(zhì)量的重要技術(shù)指標(biāo)[5]。提高煙草基片的松厚度，不僅可改善基片對(duì)涂布液的吸收性，卷煙的抽吸性能與填充性能，降低卷煙煙氣中CO 等有害物質(zhì)的含量[6]，而且也有助于實(shí)現(xiàn)煙草薄片輕量化，降低其生產(chǎn)成本。因此，制備高松厚度煙草薄片一直是煙草薄片生產(chǎn)企業(yè)所追求的目標(biāo)之一。本文結(jié)合近年來(lái)煙草薄片發(fā)展的新技術(shù)，從原料組分優(yōu)化、制備工藝技術(shù)方面總結(jié)了提高基片松厚度的技術(shù)進(jìn)展。1 原料組分優(yōu)化技術(shù)1.1 梗葉配比煙梗、煙末、碎煙葉等物質(zhì)作為煙草薄片的重
中國(guó)造紙 2022年3期2022-07-21
- 打漿度和纖維配比對(duì)液體包裝紙板面層纖維基片性能的影響
包裝紙板面層纖維基片性能的影響，利用抗張指數(shù)、撕裂指數(shù)、耐破度、挺度、松厚度和內(nèi)結(jié)合強(qiáng)度等指標(biāo)對(duì)其性能進(jìn)行表征，并通過壓痕測(cè)試評(píng)價(jià)產(chǎn)品后加工應(yīng)用適應(yīng)性，為液體包裝紙板工藝配方的開發(fā)設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供支持。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 實(shí)驗(yàn)原料銀星牌松木漂白針葉木漿（簡(jiǎn)稱針葉木漿），鸚鵡牌樺木漂白闊葉木漿（簡(jiǎn)稱闊葉木漿）。1.2 設(shè)備與儀器Valmet RF-03 型錐型磨；長(zhǎng)春月明J-DJY100 型紙漿打漿度測(cè)定儀；奧地利PTI RK-H 型紙頁(yè)成型器；長(zhǎng)江造紙儀器DC
中國(guó)造紙 2022年5期2022-06-20
- 基于智能手機(jī)壓電基片上微液滴位置分析
容比率來(lái)動(dòng)態(tài)確定基片上微液滴位置。Yiyan Li等[9]提出并設(shè)計(jì)了電容敏感電路進(jìn)行基片上微液滴位置檢測(cè)，并采用200 V、 500 Hz的調(diào)制脈沖電壓進(jìn)行3 μL微液滴在基片上輸運(yùn)和定位實(shí)驗(yàn)。Shiraz Sohail等[10]在傳統(tǒng)的基于介電電潤(rùn)濕(EWOD)原理基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)器件結(jié)構(gòu)，通過電極輸出電壓檢測(cè)微液滴位置。上述微液滴操作及定位方法可有效實(shí)現(xiàn)微液滴位置分析，但需外加控制和檢測(cè)電路，增加了微流分析成本。壓電微流系統(tǒng)是建立在壓電基片上的數(shù)字微流系統(tǒng)
壓電與聲光 2022年2期2022-05-13
- Si和316L基片上TiN薄膜微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的對(duì)比分析
凱Si和316L基片上TiN薄膜微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的對(duì)比分析趙升升1，程毓1，張小波2，常正凱2（1.深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院 機(jī)電工程學(xué)院，廣東 深圳 518055；2.深圳市速普儀器有限公司，廣東 深圳 518000）比較Si和316L基片上TiN薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力，分析基片材料和基片初始曲率對(duì)薄膜應(yīng)力的影響。采用電弧離子鍍技術(shù)在Si基片和316L基片上制備了TiN薄膜，實(shí)測(cè)了薄膜應(yīng)力，通過XRD、SEM、TEM等方法對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。運(yùn)用有限元分析技
表面技術(shù) 2022年3期2022-03-31
- 基于正方形/等邊三角形基片集成波導(dǎo)的寬阻帶濾波器研究
225127）基片集成波導(dǎo)傳輸結(jié)構(gòu)具有低損耗、高Q值和高功率容量的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用在高頻毫米波射頻系統(tǒng)中。但基片集成波導(dǎo)濾波器因具有腔體的傳輸特性，導(dǎo)致其帶外的性能很差。目前實(shí)現(xiàn)基片集成波導(dǎo)濾波器寬阻帶性能的方法一般有四種。第一，在饋線上引入傳輸零點(diǎn)或低通響應(yīng)，但是這種方法不但增加了器件的尺寸，且阻帶的帶寬是受限于傳輸零點(diǎn)的個(gè)數(shù)。第二，利用腔體之間耦合的方式構(gòu)建傳輸零點(diǎn)或降低高次模之間的耦合系數(shù)，但是，這種方法一般需要特定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，且增加的傳輸零點(diǎn)有
中國(guó)設(shè)備工程 2021年22期2021-12-20
- 一種基片集成波導(dǎo)饋電的毫米波磁電偶極子天線設(shè)計(jì)*
電方式[10]。基片集成波導(dǎo)(SIW)通過在低損耗、低剖面的介質(zhì)基板上打若干排金屬化通孔來(lái)實(shí)現(xiàn)電磁波的傳輸，是近幾年工程應(yīng)用研究較多的一種導(dǎo)波結(jié)構(gòu)[11-14]。基片集成波導(dǎo)與傳統(tǒng)的金屬波導(dǎo)對(duì)比，具有易于集成、體積小、易于加工、重量輕等優(yōu)點(diǎn)[15]。在毫米波頻段采用基片集成波導(dǎo)對(duì)磁電偶極子天線進(jìn)行饋電可以將電磁波束縛在腔體內(nèi)部，從而防止信號(hào)泄露，降低傳輸損耗，改善天線帶寬[16]。本文基于磁電偶極子天線的基本原理，設(shè)計(jì)了一種毫米波頻段的磁電偶極子天線。該天
空間電子技術(shù) 2021年4期2021-11-10
- 加熱卷煙不同類型專用基片水吸附特性研究
備的加熱卷煙專用基片的吸濕性能進(jìn)行了對(duì)比研究，以期為加熱卷煙的生產(chǎn)控制、產(chǎn)品保潤(rùn)和煙氣穩(wěn)定釋放提供一定的理論指導(dǎo)和工藝參考。1 材料與方法1.1 材料及儀器本研究所使用的樣品為不同工藝制備的加熱卷煙專用煙草薄片，見表1。表1 不同類型加熱卷煙專用煙草薄片Table 1 Heated cigarette sheets with different typesAdvantage-1動(dòng)態(tài)蒸汽吸附儀（DVS，英國(guó)SMS公司），ProX掃描電子顯微鏡（SEM，荷蘭P
中國(guó)造紙 2021年8期2021-09-16
- 等應(yīng)變率基片的有限元分析
構(gòu)常使用壓電材料基片，Lei等[10]利用有限元仿真對(duì)基片應(yīng)力應(yīng)變特性分析的結(jié)果表明：基片應(yīng)變率在z軸方向(金屬指條平行方向)呈現(xiàn)不均勻分布，這會(huì)引起叉指換能器的指條在不同z軸位置的受力應(yīng)變程度不一致，從而導(dǎo)致同一指條不同z軸坐標(biāo)處的聲同步頻率出現(xiàn)差異。為消除這一現(xiàn)象，采用有限元方法和回歸分析方法設(shè)計(jì)基片的等應(yīng)變率幾何結(jié)構(gòu)，給出其求解模型和改進(jìn)二分法求解算法，并使用有限元仿真分析法進(jìn)行驗(yàn)證。1 基片應(yīng)變率及其分布特性1.1 基片應(yīng)變率圖1為懸臂梁結(jié)構(gòu)壓電基
- 高功率CO2激光器CVD金剛石窗口制備研究
片雙面拋光后作為基片，利用蒸鍍法在基片兩面鍍制10.6 μm波段的增透膜，制作成可以應(yīng)用于CO2激光器的CVD金剛石基窗口。同時(shí)本研究還對(duì)所制備的金剛石基片和鍍膜后的窗口分別進(jìn)行了表征。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 CVD金剛石基片的制備實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)采用自研的環(huán)形天線-橢球諧振腔式MPCVD裝置[10]，氣體采用CH4/H2體系，其中CH4、H2純度(體積分?jǐn)?shù))均高于99.999%，設(shè)備漏率2.5×10-6Pa·m3/s。襯底為直徑2英寸(1英寸=2.54 cm)(100
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年6期2021-07-12
- 樹脂預(yù)浸潤(rùn)技術(shù)(RPC)增強(qiáng)鋼塑復(fù)合管道層間粘接性能研究
鋼和尼龍作為粘接基片，采用噴砂、銼刀壓痕等機(jī)械磨損的方法提高表面粗糙度，再結(jié)合樹脂預(yù)浸潤(rùn)技術(shù)(RPC)，并基于單項(xiàng)剪切測(cè)試方法(SLS)研究了不同表面處理對(duì)鋼和尼龍粘接強(qiáng)度的影響，利用SEM研究了材料的破壞行為，來(lái)分析增強(qiáng)機(jī)理。1 實(shí)驗(yàn)部分1.1 實(shí)驗(yàn)原料使用鋼條為金屬基片，以尼龍板為塑料基片，并將其切割成尺寸為：(長(zhǎng))100 mm ×(寬)25 mm的粘接基片和(長(zhǎng))25 mm ×(寬)25 mm的墊片。采用SELLEYS環(huán)氧樹脂AB膠為膠粘劑，其中僅環(huán)
高科技纖維與應(yīng)用 2021年2期2021-06-01
- 10 μm小間距紅外探測(cè)器的銦柱生長(zhǎng)研究
的速率逸出,到達(dá)基片的表面[2]。基片表面涂有光刻膠圖形,有光刻膠的部分,銦粒子沉積在光刻膠表面；沒有光刻膠的部分,銦粒子直接到達(dá)基片表面,經(jīng)過堆積,形成銦柱,銦蒸發(fā)示意圖見圖1。圖1 銦蒸發(fā)示意圖在銦堆積的過程中,光刻膠圖形上面的銦膜層越來(lái)越厚,同時(shí),銦膜層還會(huì)向水平方向不斷生長(zhǎng),這樣一來(lái),光刻孔的直徑就逐漸變小[3]。隨著銦膜層越來(lái)越厚,光刻孔的直徑就越來(lái)越小,由于直徑減小,銦粒子受到遮擋,所以進(jìn)入到光刻孔內(nèi)的銦粒子就越來(lái)越少；最終,光刻孔被水平方向生
激光與紅外 2020年10期2020-11-05
- 煙梗顆粒加填對(duì)再造煙葉基片物理性能的影響
，造紙法再造煙葉基片具有如下優(yōu)點(diǎn)：①在物理結(jié)構(gòu)與性能方面，造紙法再造煙葉基片的組織結(jié)構(gòu)疏松，具有密度較小、強(qiáng)度相對(duì)較高、透氣性好、松厚度高和成絲率高等特點(diǎn)；②在化學(xué)特性方面，造紙法再造煙葉基片的燃燒性能好，焦油釋放量較小，且在其生產(chǎn)過程中，可人為調(diào)控基片的化學(xué)組分，實(shí)現(xiàn)調(diào)香降害的目的[2-3]。因此，在卷煙中添加適量的造紙法再造煙葉，不僅可提高煙草原料的利用率和卷煙行業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益，還可改善卷煙性能，減少煙草中的焦油和尼古丁等有害成分，對(duì)實(shí)現(xiàn)卷煙工業(yè)“降焦減
中國(guó)造紙 2020年10期2020-11-04
- 藍(lán)寶石襯底基片平整加工專利分析
：藍(lán)寶石;襯底;基片;平整;研磨;拋光;技術(shù)路線中圖分類號(hào)：G306;0786文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1003-5168（2020）06-0120-041 引言固態(tài)照明是全世界公認(rèn)的一種最有效的節(jié)能途徑，而高亮度發(fā)光二極管（Light-Emitting Diode，LED）的問世，使得LED的用途發(fā)生了革命性的變革──從指示燈轉(zhuǎn)向照明。襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石，是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，具有非常重要的地位，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的
河南科技 2020年6期2020-10-21
- 一種基片集成波導(dǎo)-微帶過渡器的仿真設(shè)計(jì)
00）0 引 言基片集成波導(dǎo)是加拿大吳柯教授和東南大學(xué)洪偉教授共同提出的一種新技術(shù)[1]。由于基片集成波導(dǎo)可以等效成矩形波導(dǎo)，近年來(lái)國(guó)內(nèi)外學(xué)者紛紛采用基片集成波導(dǎo)設(shè)計(jì)功分器、濾波器、雙工器、定向耦合器和天線等多種微波毫米波電路[2]。基片集成波導(dǎo)-微帶過渡器在微波集成電路中主要應(yīng)用于兩個(gè)方面。一方面是器件間的互連，在電路中不一定完全由基片集成波導(dǎo)（SIW）結(jié)構(gòu)構(gòu)成[2]，而大部分器件是由微帶線設(shè)計(jì)的。為了方便基片集成波導(dǎo)與其他形式的電路集成，需要設(shè)計(jì)一種高
通信電源技術(shù) 2020年10期2020-08-19
- 單晶SiC基片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展*
器件的襯底(簡(jiǎn)稱基片)需要經(jīng)過切割、研磨、拋光等機(jī)械加工過程，加工工藝決定了基片的表面質(zhì)量。而在SiC基片的制備過程中，需要利用基片和外延材料之間晶格結(jié)構(gòu)的繁衍性，在SiC基片表面外延生長(zhǎng)一層或幾層具有特殊載流子濃度或遷移率的外延層，并且需要此外延層與基片原子排列具有同質(zhì)或異質(zhì)結(jié)構(gòu)。如果SiC基片表面有殘留的損傷層，將導(dǎo)致外延層原子排列無(wú)序，影響外延層的質(zhì)量，進(jìn)而影響最終器件的性能[5]。因此，作為SiC半導(dǎo)體器件的基片，需要控制基片表面厚度變化小于1 μ
金剛石與磨料磨具工程 2020年1期2020-03-16
- 沉積參數(shù)對(duì)磁控濺射鍍金膜膜層殘余應(yīng)力與微觀形貌的影響
aman光譜法、基片曲率法、納米壓痕法以及中子衍射法等[3-6]。法國(guó)微結(jié)構(gòu)與微電子實(shí)驗(yàn)室的Kebabi和Malek等[7-8]研究了不同工藝參數(shù)電鍍、蒸發(fā)和濺射Au膜（400nm～2000nm）的殘余應(yīng)力，由這三種方法沉積的Au膜均呈現(xiàn)出了拉應(yīng)力。電鍍Au膜的殘余應(yīng)力較小，而氣相沉積的Au膜殘余應(yīng)力較大。美國(guó)AT＆T Bell實(shí)驗(yàn)室的Katz等[9]在線測(cè)試了玻璃基底上電子束蒸發(fā)Au膜（厚度為100nm）在溫度循環(huán)下的應(yīng)力。北京科技大學(xué)的Qiu等[10]
導(dǎo)航與控制 2020年6期2020-03-04
- 應(yīng)用接觸角技術(shù)評(píng)價(jià)再造煙葉涂布液的動(dòng)態(tài)吸收性能
葉生產(chǎn)過程中，對(duì)基片施加涂布液為關(guān)鍵工序，且涂布液吸收效果會(huì)直接影響產(chǎn)品的風(fēng)格、穩(wěn)定性及再造煙葉產(chǎn)品質(zhì)量。涂布率的改變還會(huì)影響到再造煙葉成品的物理指標(biāo)（如定量、厚度、松厚度、填充值、平衡含水率、抗張強(qiáng)度、橫向和縱向拉伸率等）。影響涂布液在造紙法再造煙葉基片吸收效果的因素很多，趙英良等［1］研究發(fā)現(xiàn)，涂布后與涂布前相比，紙基的定量、厚度和平衡含水率增加，填充值、松厚度和抗張強(qiáng)度下降；紙基的長(zhǎng)度和寬度均有所增加，橫向和縱向拉伸率都會(huì)發(fā)生不同程度的變化。王鳳蘭等
煙草科技 2019年9期2019-10-15
- 基于X射線法無(wú)損測(cè)定再造煙葉基片的定量
造后形成再造煙葉基片，基片定量波動(dòng)也會(huì)傳遞到再造煙葉成品，引起再造煙葉成品定量波動(dòng)，對(duì)成品的物理指標(biāo)的穩(wěn)定性有較大影響，而且基片定量波動(dòng)勢(shì)必引起進(jìn)入涂布機(jī)之前的基片厚度和水分的變化，導(dǎo)致產(chǎn)品的涂布率波動(dòng)劇烈，對(duì)成品的化學(xué)指標(biāo)穩(wěn)定性有很大的影響[3]?，F(xiàn)階段生產(chǎn)線上針對(duì)再造煙葉基片定量的測(cè)定通常按國(guó)標(biāo)[4]執(zhí)行，但該法周期時(shí)間長(zhǎng)，數(shù)據(jù)反饋滯后不適合生產(chǎn)線的基片定量的測(cè)定與控制。目前也有針對(duì)基片定量的無(wú)損測(cè)定研究報(bào)道[5]，但存在測(cè)定準(zhǔn)確度不高，測(cè)定儀器受環(huán)境
食品與機(jī)械 2019年2期2019-04-24
- 基片表面傾斜及衍射對(duì)激光會(huì)聚原子沉積條紋的影響
單頻激光沿著沉積基片表面?zhèn)鞑?，?jīng)反射鏡原路反射后形成穩(wěn)定的駐波場(chǎng)。在合適的激光強(qiáng)度和頻率失諧(一般藍(lán)失諧幾百兆赫茲之內(nèi))的情況下，每個(gè)激光駐波波節(jié)或者波腹就會(huì)呈現(xiàn)會(huì)聚透鏡的功能，使準(zhǔn)直原子束穿過它的時(shí)候發(fā)生會(huì)聚效果[6-8]，進(jìn)而使基片表面上沉積出能夠復(fù)現(xiàn)激光駐波場(chǎng)的條紋或者多維結(jié)構(gòu)[9-14]。研究結(jié)果表明一維LFAD形成的光柵結(jié)構(gòu)的平均相鄰條紋間距在10-5量級(jí)上能夠非常精確地復(fù)現(xiàn)激光駐波場(chǎng)周期[3]。二維LFAD形成的點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)在量級(jí)上能夠非常精確地將
中國(guó)計(jì)量大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年4期2019-02-14
- 基片溫度對(duì)真空蒸鍍Ti/LiNbO3光學(xué)薄膜的影響
器件的光學(xué)襯底(基片)材料，多為鈮酸鋰(LiNbO3)晶體[4]，在其表面鍍各種金屬膜后構(gòu)成具有各種功能的光子學(xué)邏輯器件，鈦擴(kuò)散鈮酸鋰光耦合器即是其中的一員.在鈮酸鋰基片上蒸鍍高質(zhì)量的鈦薄膜，進(jìn)而將鈦擴(kuò)散入鈮酸鋰淺表層即可制成鈦擴(kuò)散鈮酸鋰光耦合器.在這一制備過程中，對(duì)鈦薄膜要求純度高，平整度好，表面粗糙度低，蒸鍍鈦膜工藝的優(yōu)化是問題的關(guān)鍵，現(xiàn)階段尚未得到很好的解決.本文對(duì)這一問題開展探索，側(cè)重研究在真空蒸鍍制備Ti/LiNbO3復(fù)合光學(xué)薄膜過程中，不同鈮酸
- 新型雙圓弧微帶天線設(shè)計(jì)及基片介質(zhì)影響
泛應(yīng)用。微帶天線基片是微帶天線結(jié)構(gòu)的重要組成部分，不同的基片介質(zhì)有不同的相對(duì)介電常數(shù)，基片介質(zhì)的選擇對(duì)微帶天線的信號(hào)傳輸影響很大?；谛滦碗p圓弧微帶結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)一種信號(hào)傳輸特性優(yōu)、帶寬較寬的新型微帶天線，并對(duì)六種不同基片介質(zhì)的新型微帶天線模型進(jìn)行仿真，通過對(duì)仿真數(shù)據(jù)的分析比較，得出FR?4諧振抑制深度最大、信號(hào)傳輸損耗最小、信號(hào)輸出特性最佳。關(guān)鍵詞： 微帶天線； 航空電子； 移動(dòng)互聯(lián)； 相對(duì)介電常數(shù)； HFSS； FR?4中圖分類號(hào)： TN826?34 文獻(xiàn)
現(xiàn)代電子技術(shù) 2018年17期2018-09-12
- MPCVD中雙基片臺(tái)結(jié)構(gòu)對(duì)單晶金剛石生長(zhǎng)的影響*
其裝置通常使用單基片臺(tái)結(jié)構(gòu)，在此生長(zhǎng)模式下，等離子體球中各個(gè)基團(tuán)的密度較小，基團(tuán)強(qiáng)度較弱，金剛石的生長(zhǎng)速率和生長(zhǎng)質(zhì)量均不能達(dá)到理想狀態(tài)[7]。丁康俊等[8]研究表明，相同生長(zhǎng)參數(shù)的條件下，與單基片臺(tái)結(jié)構(gòu)相比，裝有雙基片臺(tái)結(jié)構(gòu)的腔體中微波耦合效果更好，電場(chǎng)強(qiáng)度更大，等離子體基團(tuán)的密度和強(qiáng)度明顯更高，但其對(duì)雙基片臺(tái)對(duì)于單晶金剛石生長(zhǎng)的影響并沒有過多探討。我們?cè)谙嗤某练e參數(shù)下，使用自制雙基片臺(tái)設(shè)備和傳統(tǒng)設(shè)備沉積單晶金剛石，并用拉曼光譜儀、掃描電鏡、發(fā)射光譜儀等
金剛石與磨料磨具工程 2018年3期2018-07-06
- 影響真空蒸發(fā)鍍膜膜厚的因素分析
蒸汽流，并入射到基片的表面，凝結(jié)成為固態(tài)薄膜，達(dá)到薄膜制造的目的。在這一過程當(dāng)中，很多因素會(huì)對(duì)薄膜厚度產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響鍍膜的質(zhì)量，研究分析影響因素及其影響規(guī)律對(duì)薄膜具有重要的意義。1 真空蒸發(fā)鍍膜膜厚的理論分析簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)，要實(shí)現(xiàn)真空蒸鍍，必須有“熱”的蒸發(fā)源、“冷”的基片、周圍的真空環(huán)境。為了明確真空蒸發(fā)鍍膜影響因素以及規(guī)律，需要對(duì)真空蒸發(fā)的條件進(jìn)行一定程度的假設(shè)：其一，蒸發(fā)中的分子或是原子未與殘余的氣體分子發(fā)生任何碰撞；其二，位于蒸發(fā)源附近范圍的蒸發(fā)分子
數(shù)字通信世界 2018年8期2018-03-20
- 含C源AlN陶瓷基片燒結(jié)工藝研究
成型的AlN陶瓷基片進(jìn)行了幾種燒結(jié)溫度、時(shí)間的實(shí)驗(yàn)，并與金屬發(fā)熱體常壓高溫?zé)Y(jié)爐燒制的AlN陶瓷基片進(jìn)行了體積密度、硬度、氣孔率、表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)的對(duì)比。實(shí)驗(yàn)表明，石墨發(fā)熱體高溫條件下形成的C源，對(duì)AlN陶瓷基片燒結(jié)影響不大；高溫?zé)Y(jié)條件下助劑的燒結(jié)作用明顯，會(huì)提升助劑晶相的含量；可以選擇性引導(dǎo)AlN晶面的生長(zhǎng)；保持低溫?zé)Y(jié)條件，有利于保持AlN晶相結(jié)構(gòu)。關(guān)健詞：AlN陶瓷基片；常壓燒結(jié)；晶相控制；石墨加熱體1 前言AlN陶瓷具有優(yōu)良的熱學(xué)、力學(xué)、電學(xué)性
佛山陶瓷 2018年2期2018-03-10
- 單晶藍(lán)寶石高效超精密加工技術(shù)研究*
法。通過對(duì)藍(lán)寶石基片表面形貌、材料去除率及表面粗糙度變化情況的追蹤檢測(cè)，獲得較好的加工工藝，該工藝目前已在一些企業(yè)得以推廣使用。1 試驗(yàn)1.1 試驗(yàn)方法拋光試驗(yàn)采用UNIPOL-1202型國(guó)產(chǎn)精密自動(dòng)研磨拋光機(jī)如圖1所示，研磨時(shí)所用的拋光盤為帶紋理的碳化硼盤，試驗(yàn)前對(duì)碳化硼盤進(jìn)行修整，使其表面具有一定的粗糙度。拋光采用聚氨酯拋光墊。本文所采用的化學(xué)機(jī)械拋光原理如圖2所示，拋光盤與載樣盤分別以角速度ωp和角速度ωc旋轉(zhuǎn)，拋光盤直徑為φ300 mm，利用載樣塊
組合機(jī)床與自動(dòng)化加工技術(shù) 2018年2期2018-03-07
- TiZr基非晶熔體與Ti合金的界面特征和熔體層結(jié)構(gòu)
果表明：界面處的基片發(fā)生溶解，且溶解深度隨著溫度的升高而增大，受重力影響，上基片溶解量略低于下基片的；兩相之間具有良好的成分穩(wěn)定性，溶解進(jìn)入合金熔體的Ti基合金保持成分基本不變以枝晶的形態(tài)析出。隨基片溶解量增大，熔體中析出的枝晶相的體積分?jǐn)?shù)增加，且枝晶相含量隨著離界面距離的增加逐漸減小。非晶；界面；枝晶相；溶解；液橋Ti基塊體非晶因其優(yōu)異的抗腐蝕性能和超高的比強(qiáng)度[1?3]，得到了科研工作者廣泛的關(guān)注。隨著研究人員對(duì)塊體非晶的不斷研究，具有高玻璃形成能力的
中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào) 2018年1期2018-03-01
- 基于VirtualLab Fusion的原子光刻基片定位方案的光學(xué)系統(tǒng)仿真
將其沉積在特定的基片上，形成納米光柵結(jié)構(gòu).經(jīng)研究，這種鉻原子納米光柵結(jié)構(gòu)平均條紋間距在10-5量級(jí)相對(duì)不確定度下很好地復(fù)現(xiàn)了會(huì)聚駐波場(chǎng)的波長(zhǎng)，可以直接溯源于鉻原子的絕對(duì)躍遷(7S3→7P4)對(duì)應(yīng)的頻率[6].在原子光刻實(shí)驗(yàn)中，基片表面和會(huì)聚激光駐波場(chǎng)之間的距離對(duì)沉積納米光柵質(zhì)量影響非常大，需要精確定位[7-8].研究表明，當(dāng)基片表面處于激光中軸線上時(shí)，沉積條紋的半高寬最?。划?dāng)基片表面離開這個(gè)位置時(shí)，沉積條紋半高寬將有3倍于最小值以上的展寬.為了精確控制基片
中國(guó)計(jì)量大學(xué)學(xué)報(bào) 2017年4期2018-01-23
- 不同磁控濺射模式的膜厚均勻性仿真計(jì)算研究
的位置，采用旋轉(zhuǎn)基片，增加遮擋機(jī)構(gòu)等[1，2]。對(duì)于磁控濺射鍍膜，由于陰極靶面電磁場(chǎng)的非均勻分布，造成等離子體密度的分布不均，最終導(dǎo)致靶原子的不均勻?yàn)R射和不均勻沉積。磁控濺射的膜厚均勻性，除了上述幾種方法之外，還可以通過改進(jìn)磁路布置，優(yōu)化靶基距等措施來(lái)提高。對(duì)于一臺(tái)特定的磁控濺射鍍膜設(shè)備，陰極靶的形狀、磁路等結(jié)構(gòu)參數(shù)及基片的運(yùn)動(dòng)方式已經(jīng)確定，難以改變。相比之下，基片比較容易放置在靶前的不同位置。隨著基片和濺射靶相對(duì)位置的變化，膜厚分布也會(huì)發(fā)生變化。有必要尋
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年6期2018-01-04
- 提高基片集成波導(dǎo)圓極化天線軸比帶寬方法概述
園園 劉明飛提高基片集成波導(dǎo)圓極化天線軸比帶寬方法概述武警工程大學(xué)研究生管理大隊(duì)13隊(duì) 張葉楓 郭園園 劉明飛概述了提高基片集成波導(dǎo)圓極化天線軸比帶寬的方法。首先介紹了圓極化天線的基本知識(shí)；其次介紹了基片集成波導(dǎo)圓極化天線存在的問題；最后分析了提高基片集成波導(dǎo)圓極化天線軸比帶寬的方法，為設(shè)計(jì)基片集成波導(dǎo)寬帶圓極化天線提供依據(jù)和指導(dǎo)。基片集成波導(dǎo)；圓極化天線；軸比帶寬0 引言圓極化天線常用于雷達(dá)通信系統(tǒng)，可以解決極化失配和多徑效應(yīng)等問題。基片集成波導(dǎo)是通過在
電子世界 2017年20期2017-11-08
- 填料對(duì)再造煙葉基片結(jié)構(gòu)及品質(zhì)的影響
)填料對(duì)再造煙葉基片結(jié)構(gòu)及品質(zhì)的影響盧昕博1戴 路1史春云1黃 華1楊 君1吳志宏2肖 偉2陶 豐2周國(guó)俊1(1. 浙江中煙工業(yè)有限責(zé)任公司技術(shù)中心，浙江 杭州 310024；2. 杭州利群環(huán)保紙業(yè)有限公司，浙江 杭州 310018)對(duì)具有不同晶型及粒徑分布的進(jìn)口碳酸鈣、硅藻土以及二氧化鈦在造紙法再造煙葉中的應(yīng)用進(jìn)行了研究，同時(shí)對(duì)填料的用量進(jìn)行了優(yōu)化，探討了添加填料對(duì)再造煙葉基片物理性能的影響，通過掃描電鏡儀以及熱重分析比較了不同填料再造煙葉基片留著率的差
食品與機(jī)械 2017年8期2017-10-17
- 基片集成波導(dǎo)仿真與教學(xué)應(yīng)用研究
陽(yáng)236037)基片集成波導(dǎo)仿真與教學(xué)應(yīng)用研究韓波，王詩(shī)兵，王先超，王秀友，宋有才，王中心，史曉鳳，李軍(阜陽(yáng)師范學(xué)院計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院，安徽阜陽(yáng)236037)電磁場(chǎng)與微波技術(shù)是電子信息類專業(yè)的一門重要專業(yè)基礎(chǔ)課，該課程具有概念抽象、計(jì)算復(fù)雜等特點(diǎn)。本文采用電磁仿真軟件HFSS，設(shè)計(jì)并仿真了基片集成波導(dǎo)與慢波基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。結(jié)果顯示基片集成波導(dǎo)可有效工作在16.3～35 GHz頻率范圍內(nèi)，而相同結(jié)構(gòu)的慢波基片集成波導(dǎo)能夠降低波導(dǎo)通帶，減小基片集成波導(dǎo)縱
- 基片集成波導(dǎo)仿真與教學(xué)應(yīng)用研究
236037)基片集成波導(dǎo)仿真與教學(xué)應(yīng)用研究韓 波，王詩(shī)兵，王先超，王秀友，宋有才，王中心，史曉鳳，李 軍(阜陽(yáng)師范學(xué)院 計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院，安徽 阜陽(yáng) 236037)電磁場(chǎng)與微波技術(shù)是電子信息類專業(yè)的一門重要專業(yè)基礎(chǔ)課，該課程具有概念抽象、計(jì)算復(fù)雜等特點(diǎn)。本文采用電磁仿真軟件HFSS，設(shè)計(jì)并仿真了基片集成波導(dǎo)與慢波基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。結(jié)果顯示基片集成波導(dǎo)可有效工作在16.3～35 GHz頻率范圍內(nèi)，而相同結(jié)構(gòu)的慢波基片集成波導(dǎo)能夠降低波導(dǎo)通帶，減小基片
- POM勻膠托盤的優(yōu)化設(shè)計(jì)*
果表明，螺旋托盤基片因發(fā)生翹曲形變而易使膠體滲入勻膠機(jī)，腔式托盤基片形變量過大。基于分析結(jié)果，對(duì)現(xiàn)有勻膠托盤進(jìn)行了優(yōu)化，提出一種腔式花灑型托盤，其通過過盈配合，在腔式托盤上裝配花灑型端蓋，數(shù)值模擬結(jié)果表明，腔式花灑型托盤在保持腔式托盤阻膠結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，基片最大形變量為2.7 μm，與螺旋托盤相比降低了3.9 μm左右，且基片邊緣處的翹曲形變較小，為0.17 μm左右；借助3D打印技術(shù)，對(duì)優(yōu)化的托盤進(jìn)行快速成型制造，并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，基片形變測(cè)
工程塑料應(yīng)用 2016年12期2016-12-21
- 接觸接近式光刻機(jī)微力找平技術(shù)
新的要求，即要求基片與掩模版找平時(shí)找平力盡量小且方便調(diào)整找平力的大小，并在找平過程中減少對(duì)掩模版的損傷，延長(zhǎng)掩模版的使用壽命。本文介紹了一種微力找平技術(shù)可滿足厚膠工藝及延長(zhǎng)掩模版使用壽命，在接觸接近式光刻機(jī)領(lǐng)域有著良好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。1 微力找平技術(shù)1.1找平原理基片與掩模版在對(duì)準(zhǔn)時(shí)必須保持一個(gè)平行的距離，而基片自身的不平行度與經(jīng)過幾次刻蝕后的翹曲度對(duì)這個(gè)平行間隙的設(shè)定帶來(lái)一定誤差，因此在對(duì)準(zhǔn)與曝光之前必須進(jìn)行找平，以使其與掩模版之間形成一個(gè)平行間隙，即完
電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年11期2016-12-12
- 基片式光纖光柵傳感器應(yīng)變傳遞分析與試驗(yàn)*
京100192）基片式光纖光柵傳感器應(yīng)變傳遞分析與試驗(yàn)*陳昊，郭陽(yáng)寬，閆光，祝連慶 （北京信息科技大學(xué)光電信息與儀器北京市工程研究中心，北京100192）為研究基片式光纖光柵傳感器傳遞效率，建立了應(yīng)變傳遞模型，對(duì)基片式光纖光柵傳感器與裸貼式光纖光柵傳感器進(jìn)行了對(duì)比試驗(yàn)，得到了傳感器中心波長(zhǎng)與撓度關(guān)系曲線，試驗(yàn)結(jié)果表明：基片式光纖光柵具有良好的線性度，應(yīng)變靈敏度為0.822pm/10-6，應(yīng)變傳遞效率可達(dá)89.4%。利用ANSYS有限元軟件對(duì)基片式光纖光柵傳
傳感器與微系統(tǒng) 2016年6期2016-09-02
- 一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的新型光纖振動(dòng)加速度傳感器
度傳感器，包括：基片、懸臂梁、固定片和單模光纖，在基片四個(gè)角的尺寸相同位置上各有一個(gè)固定孔，懸臂梁安裝在基片上，并靠近基片的邊線，懸臂梁一端固定，另一端懸空；固定片中間施壓固定懸臂梁的一端；單模光纖以被壓方式固定在基片和懸臂梁之間；當(dāng)振動(dòng)信號(hào)作用到懸臂梁上時(shí)，懸臂梁擠壓傳感光纖，使光纖產(chǎn)生微小形 變，從而使光纖末端產(chǎn)生的反射光功率受到振動(dòng)信號(hào)的調(diào)制，光電檢測(cè)器檢測(cè)光功率的變化，即可確定振動(dòng)信號(hào)的頻率和幅度；本發(fā)明可以解決現(xiàn)有光纖振動(dòng)加速度傳感器及其解調(diào)系統(tǒng)
傳感器世界 2016年12期2016-03-25
- 高靈敏度SAW紗線張力傳感器研究*
傳感器的靈敏度和基片應(yīng)變率之間關(guān)系的研究，提出了通過增加基片應(yīng)變率來(lái)提高傳感器靈敏度的理論。以該理論為指導(dǎo)，給出了通過靈活設(shè)計(jì)基片尺寸來(lái)獲得最佳基片應(yīng)變率的設(shè)計(jì)方案。為了得到最佳基片應(yīng)變率對(duì)應(yīng)的基片尺寸，建立了基片應(yīng)變率和基片尺寸之間的數(shù)學(xué)模型，提出了求解最大基片應(yīng)變率所對(duì)應(yīng)基片尺寸的線性規(guī)劃模型，即最佳靈敏度所對(duì)應(yīng)基片尺寸。實(shí)驗(yàn)表明：該方法可以有效提高SAW紗線張力傳感器的靈敏度，靈敏度達(dá)3 132.4 Hz/gf。聲表面波; 靈敏度； 紗線張力傳感器；
傳感器與微系統(tǒng) 2015年4期2015-05-11
- AL2O3陶瓷化學(xué)鍍Ni—P工藝研究
集成電路對(duì)封裝用基片的最基本要求，AL2O3陶瓷價(jià)格低廉、耐熱沖擊性和電絕緣性較好、制作和加工技術(shù)成熟，是目前應(yīng)用最成熟的陶瓷基片材料之一，占整個(gè)陶瓷基片的90%以上。endprint集成電路在電子工業(yè)中占有重要的地位，高電阻率、高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)是集成電路對(duì)封裝用基片的最基本要求，AL2O3陶瓷價(jià)格低廉、耐熱沖擊性和電絕緣性較好、制作和加工技術(shù)成熟，是目前應(yīng)用最成熟的陶瓷基片材料之一，占整個(gè)陶瓷基片的90%以上。endprint集成電路在電子工業(yè)中占有
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2015-01-04
- 基片表面的傾斜度對(duì)光學(xué)勢(shì)阱的影響
津300072）基片表面的傾斜度對(duì)光學(xué)勢(shì)阱的影響張寶武1，支理想1，王道檔1，2（1.中國(guó)計(jì)量學(xué)院計(jì)量測(cè)試工程學(xué)院，杭州310018；2.天津大學(xué)精密測(cè)試技術(shù)及儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津300072）為了研究原子光刻實(shí)驗(yàn)中基片對(duì)匯聚激光場(chǎng)的影響，基于幾何光學(xué)，采用數(shù)值仿真的方法，研究了基片表面的傾斜度對(duì)光學(xué)勢(shì)阱的影響。結(jié)果表明，當(dāng)基片表面相對(duì)于激光駐波中軸線正傾斜時(shí)，基片表面會(huì)形成一個(gè)無(wú)光場(chǎng)區(qū)，使光學(xué)勢(shì)阱為0，且在z方向上光學(xué)勢(shì)阱會(huì)發(fā)生一個(gè)零值突變；當(dāng)基片表
激光技術(shù) 2014年3期2014-06-09
- 一種新型基片集成波導(dǎo)帶通濾波器的設(shè)計(jì)
1003）引 言基片集成波導(dǎo)技術(shù)（Substrate Integrated Waveguide，SIW）是最近幾年提出的一種新型的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，它主要通過低損耗的介質(zhì)基片來(lái)實(shí)現(xiàn)，由上下底面金屬層、兩側(cè)金屬化通孔側(cè)壁組成，使傳輸?shù)奈⒉ㄏ拗圃谡麄€(gè)封閉區(qū)間內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)金屬波導(dǎo)的良好功能.近幾年來(lái)，國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者對(duì)基片集成波導(dǎo)技術(shù)的應(yīng)用做了大量的研究工作，出現(xiàn)了一大批性能優(yōu)良的微波SIW器件，如濾波器［1-4］、功分器［5］、定向耦合器［6］、天線［7］等，使得S
電波科學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-03-05
- 微波法金剛石膜的均勻沉積
石膜沉積過程當(dāng)中基片溫度的分布以及等離子體球中能量分布的均勻性.本論文針對(duì)上述問題，利用實(shí)驗(yàn)室自制的圓柱形多模腔式10 kW微波等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，對(duì)大面積金剛石膜的均勻沉積進(jìn)行了深入研究，并根據(jù)相關(guān)實(shí)驗(yàn)的具體情況對(duì)裝置進(jìn)行了合理的改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)大面積金剛石膜的均勻沉積，為工業(yè)化沉積大面積CVD金剛石膜提供了實(shí)驗(yàn)參考.1 實(shí) 驗(yàn)實(shí)驗(yàn)采用圓柱形多模腔式10 kW-MPCVD裝置來(lái)進(jìn)行大面積金剛石膜均勻性的研究.該裝置的特點(diǎn)是能進(jìn)行大功率的微波饋入，從而實(shí)
武漢工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年6期2014-02-27
- 基片溫度對(duì)納米金剛石薄膜摻硼的影響
定為0.01%.基片溫度通過SDH1-IR-HS型雙色紅外測(cè)溫儀進(jìn)行測(cè)量，摻硼過程中基片溫度通過選擇不同導(dǎo)熱系數(shù)的墊片放置在基片底部來(lái)調(diào)節(jié).利用AJ-Ш型原子力顯微鏡(AFM)和FEI Nova NanoSEM 450型掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)NCD薄膜的表面形貌進(jìn)行檢測(cè)，薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸數(shù)據(jù)通過Imager軟件對(duì)樣品5個(gè)不同區(qū)域的AFM檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，最終得到平均值.摻硼NCD薄膜的表面電阻采用SDY-4型四探針進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試過程中針間
武漢工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-02-26
- 等離子體反應(yīng)腔中電磁場(chǎng)的邊緣效應(yīng)
均勻性一直是影響基片處理的質(zhì)量和產(chǎn)品良率的重要因素。本文試圖從解決反應(yīng)腔內(nèi)電磁場(chǎng)均勻性入手，提出一種改善邊緣效應(yīng)所產(chǎn)生的電磁場(chǎng)分布不均勻性，來(lái)提高等離子體密度分布的不均勻性，進(jìn)而提高處理基處理的質(zhì)量和產(chǎn)品的良率。邊緣效應(yīng)，顧名思義，就是在基片或者處理的其它器件的邊緣所產(chǎn)生的一種效應(yīng)。產(chǎn)生邊緣效應(yīng)的直接原因是在邊緣處發(fā)生了某種改變，比如在基處的邊緣處，一邊是基片，而另一片沒有其它介質(zhì)，是充滿等離子體的空間，從電磁場(chǎng)的角度來(lái)看，基片與等離子體的電學(xué)性質(zhì)迥然不同
中國(guó)科技信息 2014年24期2014-01-02
- K9和Si(100)基片上Be薄膜微觀組織、晶粒尺寸及表面粗糙度的演變規(guī)律
和Si(100)基片上Be薄膜微觀組織演變規(guī)律、生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)特性、晶粒細(xì)化及表面粗糙度變化規(guī)律等，并建立它們與沉積速率的相關(guān)關(guān)系，為高品質(zhì) Be薄膜的制備提供技術(shù)支撐。1 實(shí)驗(yàn)采用電阻熱蒸發(fā)裝置制備鈹薄膜，該裝置主要由真空室、智能控溫系統(tǒng)、蒸發(fā)坩堝、擋板和襯底組件等構(gòu)成。實(shí)驗(yàn)前先將K9和Si(100)基片在洗滌劑中進(jìn)行去油處理，經(jīng)去離子水沖洗干凈后在乙醇溶液中超聲清洗10 min，再經(jīng)去離子水沖洗并烘干。其中，Si基片還需放入5%的HF酸中浸泡2 min并甩
中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào) 2013年4期2013-12-15
- 基片溫度對(duì)鎵鈦共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜性能的影響
測(cè)試表征，研究了基片溫度對(duì)薄膜結(jié)晶質(zhì)量、電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性能的影響.1 實(shí)驗(yàn)1.1 基片處理實(shí)驗(yàn)選用普通玻璃作為基片材料，首先采用丙酮擦拭玻璃基片表面，然后用清水沖洗干凈，再依次使用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水各超聲清洗約15 min，最后在無(wú)水乙醇中煮沸，吹干待用.1.2 薄膜制備利用射頻磁控濺射技術(shù)在玻璃基片上制備透明導(dǎo)電的GTZO薄膜，所用實(shí)驗(yàn)設(shè)備為國(guó)產(chǎn)KDJ567型高真空復(fù)合鍍膜系統(tǒng)，所用濺射靶材的直徑為50 mm、厚度為4 mm，它由ZnO、Ga2O3
- 細(xì)小纖維對(duì)造紙法煙草薄片基片物理性能的影響
采用造紙法抄造成基片，而分離后的萃取液經(jīng)過濃縮、調(diào)配制成涂布液，利用表面施膠機(jī)或其他涂布裝置回涂到基片的表面，經(jīng)過干燥、分切制成造紙法煙草薄片［1-3］。煙梗和煙末所制的煙草漿料，主要由雜細(xì)胞、表皮細(xì)胞等非纖維物質(zhì)組成，纖維物質(zhì)含量較少，成紙時(shí)結(jié)合強(qiáng)度低，無(wú)法滿足抄紙要求。由于煙草薄片助劑安全性的要求較高，使得紙張?jiān)鰪?qiáng)劑等助劑的選擇和應(yīng)用受到了很大限制［4-5］。為了保證紙機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行，傳統(tǒng)造紙法煙草薄片生產(chǎn)工藝通過添加植物纖維來(lái)解決這些問題［6］，但是添加
中國(guó)造紙 2013年9期2013-09-10
- 瑞利型聲板波的液體傳感研究
積在足夠薄的壓電基片表面的叉指換能器（inter－digital transducer，IDT）來(lái)有效激發(fā)［1－2］。當(dāng)采用聲板波器件進(jìn)行液體檢測(cè)時(shí)，可選擇IDT沉積在基片其中一個(gè)界面而待測(cè)液體與另一界面接觸的結(jié)構(gòu)形式，使得IDT與液體分離開來(lái)，不受液體侵蝕［3－4］。與此同時(shí)，聲板波也不會(huì)因?yàn)橐后w的出現(xiàn)而產(chǎn)生太大衰減［5－6］。因此，聲板波器件非常適于液體傳感［7－9］。本文以傳播方向和基片表面法線方向存在振動(dòng)的瑞利型聲板波為例，在有限元軟件COMSOL
中國(guó)機(jī)械工程 2013年22期2013-09-07
- 基于基片集成波導(dǎo)的Ku波段波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)
，本文提出了基于基片集成波導(dǎo)的波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。1 傳統(tǒng)波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)與基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1.1 傳統(tǒng)的波導(dǎo)微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)傳統(tǒng)的波導(dǎo)轉(zhuǎn)微帶結(jié)構(gòu)有三種：波導(dǎo)／脊波導(dǎo)／微帶過度、波導(dǎo)／對(duì)鰭線／微帶過度、波導(dǎo)／微帶探針過度［1］，都是二端口的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。波導(dǎo)／脊波導(dǎo)／微帶過度是通過在波導(dǎo)腔體中加金屬脊，形成漸變的場(chǎng)強(qiáng)結(jié)構(gòu)，使波導(dǎo)輸入的信號(hào)通過逐級(jí)耦合到微帶上［2－3］。波導(dǎo)／脊波導(dǎo)／微帶過度與波導(dǎo)傳輸方向一致，可以很方便地加入到電路中。波導(dǎo)／對(duì)鰭線／微帶過度通過在波
探測(cè)與控制學(xué)報(bào) 2013年2期2013-08-27
- 改善造紙法煙草基片松厚度的研究
)改善造紙法煙草基片松厚度的研究溫洋兵1羅 沖1胡惠仁1王 亮2孫德平2姚元軍2(1．天津科技大學(xué)天津市制漿造紙重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津，300457;2．湖北中煙技術(shù)研發(fā)中心黃鶴樓薄片應(yīng)用研究所，湖北武漢，430056)研究了造紙法煙草基片生產(chǎn)過程中，煙梗漿與煙末漿比例、木漿和沉淀碳酸鈣 (PCC)用量對(duì)煙草基片松厚度和抗張強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明，適宜的木漿添加比例約為20%;增加煙草漿中煙末漿的比例對(duì)基片的松厚度有利，但是對(duì)煙草基片的強(qiáng)度性能具有負(fù)面影響，煙草漿
中國(guó)造紙 2012年4期2012-11-22
- 基片集成脊波導(dǎo)傳輸特性的研究
）引 言近年來(lái)，基片集成波導(dǎo)得到了廣泛的研究和應(yīng)用。基片集成波導(dǎo)是一種由插在介質(zhì)片中的兩排金屬短路針構(gòu)成的介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)。基片集成波導(dǎo)具有傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)和微帶傳輸線的共同優(yōu)點(diǎn)，如體積小，重量輕，平面結(jié)構(gòu)，易制作等，目前，已有很多基片集成波導(dǎo)器件和天線研制成功［1-3］。然而，基片集成波導(dǎo)的帶寬較窄，不適合應(yīng)用于寬帶微波系統(tǒng)中。所以，如何拓展基片集成波導(dǎo)帶寬是目前亟待解決的問題。已知傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)中的縱向金屬脊可以大大拓展矩形波導(dǎo)的帶寬［4］。為了提高基片集成
電波科學(xué)學(xué)報(bào) 2012年1期2012-09-18
- 接觸接近式曝光機(jī)曝光方式淺析及實(shí)例
真空接觸曝光：在基片與掩模版完成找平、對(duì)準(zhǔn)后，讓二者接觸，用密封件將二者完全密封形成一個(gè)腔體，并在此密封腔體中通真空負(fù)壓，增大基片與掩模版的接觸力，然后進(jìn)行曝光。此種曝光方式適用于對(duì)曝光線條質(zhì)量要求較高、基片膠層較薄的情況，該方式下基片線條的曝光分辨率通?？蛇_(dá)到0.5～1 μm以下。硬接觸曝光：在基片與掩模版完成找平、對(duì)準(zhǔn)后，讓二者接觸，在基片底部均勻通入壓縮氣體（例如氮?dú)猓┦?span id="2ykaqac" class="hl">基片與掩模版更緊密接觸，然后再進(jìn)行曝光。該曝光方式適用于對(duì)基片曝光線條質(zhì)量要求較
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年6期2012-08-09
- 基于基片集成波導(dǎo)的巴特勒矩陣饋電網(wǎng)絡(luò)
問題，提出將基于基片集成波導(dǎo)的Butler矩陣作為饋電網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于多波束陣列天線中。1 基片集成波導(dǎo)和Butler矩陣原理1.1 基片集成波導(dǎo)基片集成波導(dǎo)［5］的結(jié)構(gòu)，如圖1所示：兩排金屬化通孔的中心間距為a，金屬化通孔的直徑和間距分別為d和p，介質(zhì)基片的厚度和介電常數(shù)分別為h和ξr。電磁波在介質(zhì)基片的上下金屬面和兩排金屬化通孔所圍成的矩形區(qū)域內(nèi)以類似于介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)中的場(chǎng)模式傳輸。圖1 基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)Fig.1 The str uct ure of S
探測(cè)與控制學(xué)報(bào) 2011年5期2011-08-27
- 基片溫度對(duì) Ti O2薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和紫外光電特性的影響
)所獲得的薄膜與基片結(jié)合良好;(3)濺射工藝可重復(fù)性好,膜厚可以控制,可在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜;(4)相對(duì)于射頻磁控濺射,它的沉積速率較高。本實(shí)驗(yàn)研究了不同基片溫度對(duì)直流磁控濺射制備出的 TiO2薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌、薄膜組分、紫外光照射下電阻響應(yīng)時(shí)間的影響。1 實(shí)驗(yàn)TiO2薄膜是利用直流磁控濺射鍍膜機(jī)在玻璃基底上通過反應(yīng)磁控濺射制備的。實(shí)驗(yàn)中 Ar作為濺射氣體,O2為反應(yīng)氣體,分別通過氣體流量計(jì)進(jìn)入制備室中。濺射靶為半徑 50 mm,厚度
電子器件 2010年2期2010-12-22
- 鍍膜工藝對(duì)溶膠-凝膠法制備鈦酸鋁薄膜的影響
外加水，在莫來(lái)石基片上制備鈦酸鋁薄膜。借助偏光顯微鏡、SEM和XRD研究了提拉速度、浸漬時(shí)間和鍍膜次數(shù)等鍍膜工藝參數(shù)對(duì)鍍膜效果的影響。研究結(jié)果表明：采用浸漬-提拉法，浸漬提拉速度為1mm/s、每次浸漬時(shí)間為30s，經(jīng)過3次鍍膜可以在莫來(lái)石基片上制備出均勻、致密、高質(zhì)量的鈦酸鋁薄膜。溶膠-凝膠法，鈦酸鋁，薄膜，莫來(lái)石1 引言鈦酸鋁(Al2TiO5，簡(jiǎn)稱AT)集高熔點(diǎn)(1860℃)和低膨脹(α＜1.5×10-6/℃)特點(diǎn)于一身，具有導(dǎo)熱系數(shù)低(＜1.5W/m·
陶瓷學(xué)報(bào) 2010年4期2010-09-25
- K波段基片集成波導(dǎo)帶通濾波器的設(shè)計(jì)
作難度高等缺點(diǎn)。基片集成波導(dǎo)，作為一種新型的導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，具有與傳統(tǒng)波導(dǎo)相似的傳輸特性，同時(shí)具有低插損、低輻射、高品質(zhì)因素、易于加工和集成等顯著優(yōu)點(diǎn)[2-3]。本文基于基片集成波導(dǎo)設(shè)計(jì)的K波段帶通濾波器，仿真結(jié)果顯示了其優(yōu)良特性。1 基片集成波導(dǎo)理論基片集成波導(dǎo)是由兩排金屬通孔和介質(zhì)基片的上下金屬面構(gòu)成的類似普通矩形波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)[4-5]，如圖1所示，金屬通孔的直徑為d，孔間距為S，兩排金屬通孔的中心距離為w，介質(zhì)基片的厚度為h，介電常數(shù)為rε。圖1 基片集成波
海軍航空大學(xué)學(xué)報(bào) 2010年3期2010-03-24
- 掩模光刻機(jī)中找平控制研究
但是掩模版平面與基片平面的平行是光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)曝光的基礎(chǔ)。隨著掩模光刻機(jī)分辨率進(jìn)入亞微米，為了保證基片上產(chǎn)品的合格率，光刻機(jī)的找平過程和結(jié)果就越發(fā)顯得關(guān)鍵。1 光刻機(jī)的找平結(jié)構(gòu)目前掩模光刻機(jī)中的找平(掩模版與基片楔形誤差補(bǔ)償)方法主要有兩種，一種為掩模版(或找平版)和基片之間的一個(gè)相互適應(yīng)找平，另一種為固定掩模版(或找平版)，通過找平機(jī)構(gòu)將基片與掩模版平面找平。找平機(jī)構(gòu)的形式有兩種：一種采用空氣氣浮軸承找平，即空氣軸承在找平的過程中通過高壓氣體將氣浮球碗吹離球
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年11期2010-03-23