李 權(quán)，靳曉詩

（沈陽工業(yè)大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，沈陽110870）

1 引言

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路向著更小尺寸方向不斷發(fā)展，這就對作為集成電路的基本單元——MOSFET器件提出了同樣的要求。傳統(tǒng)的MOSTET器件，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其導(dǎo)通機理是基于不同載流子類型而表現(xiàn)為不同的導(dǎo)通類型，即可分為N-MOSFET和P-MOSFET兩種。傳統(tǒng)器件每次工作只會工作在一種工作模式下，器件功能單一，可實現(xiàn)功能少，這與現(xiàn)代科技的發(fā)展要求產(chǎn)生了一定的差距。因此人們對MOSFET的要求進一步提高，不僅要求在尺寸上達到更小的級別，同時也要求在器件功能上實現(xiàn)更多可能的選擇[1]。同時，MOSFET器件導(dǎo)通機理受到漂移、擴散的的影響，熱壓閾值也只能降到65mV/dec，因此降低熱壓閾值也是目前需要解決的問題之一。綜合考慮上述問題，在此提出一種新型場效應(yīng)晶體管，在器件尺寸上進一步縮小，并在保證正常MOSFET的邏輯功能的基礎(chǔ)上，通過對控制柵施加不同電壓，實現(xiàn)不同導(dǎo)通類型之間的可調(diào)互換，靈活地適應(yīng)更為復(fù)雜的新技術(shù)需求。

2 器件設(shè)計與工作原理

2.1 器件關(guān)鍵參數(shù)

所設(shè)計器件以雙側(cè)浮動?xùn)艠O結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)導(dǎo)通類型的可調(diào)，且具有無摻雜的特點，其在Silvaco TCAD軟件中Devedit模塊中生成的平面示意圖如圖1所示。所設(shè)計結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)已在圖中標出[2]。

圖1 平面示意圖及關(guān)鍵參數(shù)標注

由圖中可見該器件同時具有控制導(dǎo)通類型的雙側(cè)浮動?xùn)艠O和中央控制柵極。在柵極與硅體之間用HfO（2二氧化鉿）作為絕緣層，外側(cè)周圍則用SiO2來做絕緣層。其中，W是溝道寬度；L是溝道長度；Ws是源漏寬度；Wfg是兩側(cè)浮動?xùn)艠O寬2度；Wpg是中央控制柵寬度；Lpg是中控制柵長度；tHfO是柵極與硅體之間絕緣層厚度；tox1、tox2、tox3皆為SiO2絕緣層厚度。各參數(shù)的具體數(shù)值如表1所示。

表1 參數(shù)數(shù)值

2.2 工作原理

所設(shè)計場效應(yīng)晶體管的漏、源電極均采用金屬材質(zhì)（Al）。電極金屬與半導(dǎo)體Si接觸形成金屬結(jié)，并在源漏區(qū)接觸處形成肖特基勢壘，借助于載流子隧穿效應(yīng)形成導(dǎo)通電流。新結(jié)構(gòu)中，兩側(cè)的浮動控制柵極是通過帶帶隧穿機理來提供正向?qū)娏?；利用突變金屬結(jié)在半導(dǎo)體處提供一種比P+/N+結(jié)更強烈的帶帶隧穿[3]。兩側(cè)浮動制柵極主要控制源、漏區(qū)。中央控制柵極的導(dǎo)通機制與傳統(tǒng)MOSFET導(dǎo)通機理相同。

在N-MOSFET情況下，各處柵極均正偏，由源極提供帶帶隧穿產(chǎn)生的電子空穴對[4]。從源極流出的電子受到兩側(cè)控制柵極的控制在溝道兩側(cè)集中，積累起來的電子以漏電流形式從源極不斷流向漏極，器件因此導(dǎo)通。此時若令兩側(cè)柵極正偏，而使中央柵極反偏，電子依舊從源極流出在溝道兩側(cè)集中并流向漏極，器件關(guān)斷[5]。

P-MOSFET與N型相似，若各處柵極均為反偏，電子空穴對主要在源極由帶帶隧穿產(chǎn)生，在兩側(cè)控制柵極的柵控作用下，從源極流出的空穴在溝道兩側(cè)聚焦，數(shù)量不斷積累，形成從源極到漏極的源源不斷的漏電流，使器件呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)。反之，如果兩側(cè)控制柵極保持反偏不變，中央控制柵極改為正偏，空穴將由源極流出聚集在溝道兩側(cè)，此時處于正偏狀態(tài)的中央控制柵會阻止空穴繼續(xù)向漏極流動，使器件進入關(guān)斷狀態(tài)[6]。

3 仿真與分析

通過Silvaco TCAD半導(dǎo)體仿真軟件對所設(shè)計器件結(jié)構(gòu)進行模擬仿真與分析研究。通過DevEdit編輯器件二維結(jié)構(gòu)尺寸，在DeckBuild中調(diào)用Atlas仿真語句進行導(dǎo)通特性仿真分析，最后經(jīng)視圖工具Tonyplot顯示仿真結(jié)果，并對圖像進行測量、分析[7]。詳細仿真結(jié)果如下：

如圖2所示為仿真得到的直流特性仿真曲線。此時漏極電壓固定在0.2V，中央控制柵極電壓固定在-0.8V，側(cè)柵電壓Vfg分別為-0.5V和0.5V。曲線呈現(xiàn)的是以中央控制柵電壓Vpg作為參數(shù)的Vpg-IDS轉(zhuǎn)移特性。此時當Vfg=0.5V，器件的導(dǎo)通類型為NMOSFET；而當Vfg=-0.5V，器件導(dǎo)通類型則轉(zhuǎn)換為P-MOSFET。由此通過對柵壓的改變實現(xiàn)了器件導(dǎo)通類型的轉(zhuǎn)變。

圖2 不同V pg極性下的輸出特性仿真曲線

由仿真曲線可以看出，通過改變Vfg的電壓極性可以指定器件類型（N-MOSFET或P-MOSFET），但不管它是作為N-MOSFET還是P-MOSFET，中央控制柵電極Vpg仍然作為開關(guān)控制著整體晶體管的開啟與關(guān)斷[8]。

如圖3所示為對Vfg施加反偏時的輸出特性仿真結(jié)果。漏極施外固定電壓0.2V，中央柵極施加固定電壓-0.8V，Vfg在-0.2V到-0.8V之間變化。

圖3 V fg反偏時的輸出特性仿真曲線

由仿真曲線可以看出，當Vfg＜0時，MOS場效應(yīng)晶體管作為P-MOSFET工作，當Vpg一定時，隨著Vfg反向增大，兩側(cè)控制柵電極對溝道的柵控作用增強，溝道內(nèi)的空穴不斷的匯聚，源源不斷流向漏極，使得漏極電流增大。

如圖4所示為對Vfg施加正偏時的輸出特性仿真結(jié)果。漏極施加固定電壓0.2V，中央柵極施加固定電壓-0.8V，Vfg在0.2V到0.8V之間變化。

圖4 V fg正偏時的輸出特性仿真曲線

由仿真曲線可以看出，當Vfg＞0時，MOS場效應(yīng)晶體管作為N-MOSFET工作，當Vpg一定時，隨著Vfg正向增大，兩側(cè)浮動?xùn)烹姌O對溝道的柵控作用增強，溝道內(nèi)的電子不斷的聚集，源源不斷從源極流向漏極，使得漏極電流增大。

4 結(jié)束語

提出的一種導(dǎo)通類型可調(diào)的無摻雜MOS場效應(yīng)晶體管，通過結(jié)合TFET和MOSFET的各自優(yōu)點，通過改變控制柵極的電壓極性即可改變整體器件的導(dǎo)通類型。通過仿真分析，可對器件各方面進行數(shù)值優(yōu)化以達到最佳特性。中央主控制柵的兩側(cè)輔助控制柵場效應(yīng)晶體管具有很大的發(fā)展前景，器件不僅結(jié)構(gòu)對稱，還在很大程度上克服了短溝道效應(yīng)，提高了導(dǎo)通電流，降低了亞閾值擺幅數(shù)值和靜態(tài)功耗，有益于在工藝上實現(xiàn)更高的集成度。