場效應(yīng)
- 基于硅納米材料生物電氣接口的研究進(jìn)展
是微電極陣列、場效應(yīng)晶體管等納米級神經(jīng)調(diào)控和記錄器件。1 微電極陣列微電極陣列是生物接口的主要手段之一，是控制神經(jīng)活動狀態(tài)、記錄神經(jīng)元細(xì)胞電信號的一種電極器件。在以硅材料作為基礎(chǔ)的微電極陣列中，猶他電極與密歇根電極極具代表性，相比于金屬電極，硅電極陣列具有良好的機(jī)械特性和生物相容性，密歇根電極在一個(gè)電極上有多個(gè)記錄位點(diǎn)，形成的高密度電極陣列可同時(shí)記錄大量腦電信號[2]。1.1 工作原理微電極陣列可檢測細(xì)胞外或細(xì)胞內(nèi)的電信號，將電極放在神經(jīng)細(xì)胞的附近或其內(nèi)部
電子技術(shù)與軟件工程 2023年2期2023-05-05
- 六角型人工魚礁流場效應(yīng)數(shù)值模擬
方式成為影響流場效應(yīng)的重要因素。由此可見，人工魚礁的結(jié)構(gòu)型式、特有的相關(guān)參數(shù)、礁體之間的布設(shè)間距和布置方式以及投放的外部環(huán)境均會影響到人工魚礁的流場效應(yīng)[1-5]。六角型人工魚礁是一種新型魚礁結(jié)構(gòu)型式，由六邊形多層結(jié)構(gòu)框架、傾斜導(dǎo)流板和支撐腳組成。六角型人工魚礁構(gòu)造復(fù)雜，結(jié)構(gòu)內(nèi)部的空腔較大，其透水特性使得水流在通過結(jié)構(gòu)整體時(shí)不會顯著地沿著固定邊界剝離，有效減小旋渦結(jié)構(gòu)的生成，更易于構(gòu)造適宜魚類生存的柔和流場。但相關(guān)六角型人工魚礁流場效應(yīng)的研究文獻(xiàn)較少，故本
中國水運(yùn) 2023年2期2023-03-13
- “場效應(yīng)”視域下校園網(wǎng)的育人功能提升路徑探析
生思政教育中“場效應(yīng)”的優(yōu)勢，并就以“場效應(yīng)”提升校園網(wǎng)育人功能的現(xiàn)實(shí)路徑展開探討，指出應(yīng)從強(qiáng)調(diào)價(jià)值引導(dǎo)、注重主體建設(shè)、豐富產(chǎn)品創(chuàng)新、完善硬件條件四方面入手，全面提升校園網(wǎng)的育人功能。關(guān)鍵詞：場效應(yīng);校園網(wǎng);育人功能中圖分類號：G647? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A? ? 文章編號：1673-7164（2021）38-0058-03在“三全育人”背景下，檢視大學(xué)生的思想政治教育可以發(fā)現(xiàn)，教育資源系統(tǒng)性整合程度不高是高校普遍存在的問題。校園網(wǎng)絡(luò)文化的建設(shè)與大學(xué)生的學(xué)
大學(xué)·研究與管理 2021年10期2021-12-12
- “場效應(yīng)”視域下校園網(wǎng)的育人功能提升路徑探析
觀起著特殊的“場效應(yīng)”。一、網(wǎng)絡(luò)生活中大學(xué)生行為特征（一）網(wǎng)絡(luò)使用能力較強(qiáng)，自我管控能力不足當(dāng)代大學(xué)生是網(wǎng)絡(luò)世界的“原住民”，對網(wǎng)絡(luò)媒介的使用能力明顯高于其他社會群體。網(wǎng)絡(luò)的便攜性使他們輕松地實(shí)現(xiàn)了在網(wǎng)上學(xué)習(xí)、游戲、購物、交友、旅游、發(fā)表意見，網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為當(dāng)代大學(xué)生生活不可或缺的組成部分。大學(xué)階段是青年學(xué)生身心成長的重要時(shí)期。這一時(shí)期，他們的心智日趨成熟，世界觀、人生觀、價(jià)值觀也基本形成。這一時(shí)期的大學(xué)生自我管控能力尚顯不足，容易受到外界因素的干擾，把握不
大學(xué) 2021年10期2021-11-21
- 石墨烯晶體管優(yōu)化制備工藝在單片集成驅(qū)動氮化鎵微型發(fā)光二極管中的應(yīng)用*
將新興的石墨烯場效應(yīng)晶體管作為驅(qū)動元件與氮化鎵(GaN) micro-LED 進(jìn)行單片集成,因?yàn)槎咧苯又苽溆谕灰r底上,所以從根源上規(guī)避了巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)難題.此外,傳統(tǒng)光刻工藝中紫外光刻膠直接接觸石墨烯,會引入嚴(yán)重?fù)诫s導(dǎo)致場效應(yīng)晶體管性能較差,進(jìn)而影響集成器件性能.本文提出了一種利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作為保護(hù)層,直接旋涂紫外光刻膠進(jìn)行墊層光刻的全新工藝方法,優(yōu)化了石墨烯場效應(yīng)晶體管制備工藝.首先在分立的石墨烯場效應(yīng)晶體管中進(jìn)行驗(yàn)證,相比于沒
物理學(xué)報(bào) 2021年19期2021-11-01
- 電紡硼摻雜氧化銦場效應(yīng)晶體管的研究
大比表面積、高場效應(yīng)遷移率和靈活的機(jī)械柔韌性等優(yōu)點(diǎn)而成為研究的熱點(diǎn)[1-2]。通常一維半導(dǎo)體納米纖維采用電化學(xué)蝕刻、物理/化學(xué)氣相沉積、水熱合成等方法制備,但這些方法比較復(fù)雜且昂貴,不利于低成本電子器件的制備[3-7]。靜電紡絲工藝簡單、無高真空要求,適用于制備低成本、大面積、低損耗的電子器件。采用靜電紡絲方法制備的納米纖維具有直徑均勻、可連續(xù)制造等優(yōu)點(diǎn),因此在傳感器和顯示電子等領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛[8-9]。在眾多一維半導(dǎo)體納米纖維中,氧化銦納米纖維因其優(yōu)異的
電子元件與材料 2021年7期2021-08-06
- 理論研究晶體場效應(yīng)和電荷轉(zhuǎn)移效應(yīng)對Co2+的2p電子X射線L2,3吸收邊光譜的影響
程 效，BORA Debajeet K.，GLANS Per-Anders，GUO Jinghua，羅 毅（1.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心,合肥230026；2.Advanced Light Source,Lawrence Berkeley National Laboratory,Berkeley CA 94720,USA）1 IntroductionCobalt-containing materials are receiving r
高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào) 2021年7期2021-07-11
- 油氣潤滑ECT系統(tǒng)靈敏度矩陣的秩虧問題及其影響因素
圖像重建中，軟場效應(yīng)和不適定問題仍是必須面對的問題。軟場效應(yīng)即敏感場靈敏度分布不均勻，靈敏度分布函數(shù)受介電分布函數(shù)的影響[1]。不適定問題的一般定義為：“解不連續(xù)依賴數(shù)據(jù)”，它滿足下述3個(gè)條件中的任何一個(gè)即稱系統(tǒng)為不適定：①解不存在；②解不唯一；③解不穩(wěn)定[2]。筆者暫不討論條件①。條件②是指若圖像重建過程中靈敏度矩陣的秩小于待求的未知參數(shù)個(gè)數(shù)[3]，即其解不唯一，稱該系數(shù)陣是秩虧的；而條件③是指若圖像重建過程中，由于法矩陣條件數(shù)很大(如大于1)，法矩陣的
內(nèi)蒙古科技與經(jīng)濟(jì) 2021年8期2021-06-08
- 一種提高離子敏感場效應(yīng)晶體管靈敏度的方法
斷發(fā)展，人們對場效應(yīng)晶體管的研究也不斷深入。1970年P(guān).Bergveld 將MOSFET 去掉金屬柵極，使絕緣體直接與電解質(zhì)接觸，得到的源漏電流與電解質(zhì)離子濃度呈線性關(guān)系，從此揭開了離子敏感場效應(yīng)晶體管的研究（離子敏感場效應(yīng)晶體管）[1]。目前該器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用于pH 傳感器、生物醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測等多個(gè)研究領(lǐng)域[2]。離子敏感場效應(yīng)晶體管的快速發(fā)展歸功于他的尺寸小、靈敏度高，并且具有良好的CMOS 工藝兼容性，可簡化生產(chǎn)工藝的同時(shí)提高產(chǎn)量[3]。這使得離子
電子技術(shù)與軟件工程 2021年2期2021-04-20
- 一種離子敏感場效應(yīng)晶體管的建模策略
）引言離子敏感場效應(yīng)晶體管為一種主要的生物傳感器平臺，被研究者們廣泛應(yīng)用于監(jiān)測電解質(zhì)溶液中的離子活度（pH 值）[1]。這種高精度傳感器具有響應(yīng)速度快、成本低、體積小和CMOS 制造技術(shù)兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)。也常被應(yīng)用于醫(yī)療保健、食品安全、環(huán)境監(jiān)測以及最近DNA 測序等生物反應(yīng)檢測等多種應(yīng)用檢測平臺[2]。正因?yàn)榇?，越來越多的研究者對離子敏感場效應(yīng)晶體管產(chǎn)生了濃厚的興趣[3]。但由于離子敏感場效應(yīng)晶體管的尺寸為納米量級，一般只能通過仿真軟件對其進(jìn)行研究，而半導(dǎo)體
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2021年11期2021-03-20
- 基于原子層沉積的二硫化鉬場效應(yīng)晶體管制造及其性能研究
發(fā)展,傳統(tǒng)硅基場效應(yīng)晶體管的尺寸已經(jīng)達(dá)到10 nm以下,但是,由于量子隧穿效應(yīng),其制造成本急劇增加.為解決這一問題,具有優(yōu)異電學(xué)和力學(xué)性能的二硫化鉬等二維層狀半導(dǎo)體材料得到了廣泛的關(guān)注[1-3].研究表明,常溫下二硫化鉬的載流子遷移率可以達(dá)到410 cm2/(V·s),其斷裂強(qiáng)度達(dá)到23 GPa,可承受11%的形變,是一種理想的場效應(yīng)晶體管材料[4-5];文獻(xiàn)[6]基于機(jī)械剝離的二硫化鉬制備單層二硫化鉬場效應(yīng)晶體管,其開關(guān)比和載流子遷移率分別達(dá)到1×108
- Massive MIMO系統(tǒng)的信道建模及其性能研究
就應(yīng)該將模擬近場效應(yīng)的SW納入考慮。筆者提出了一種ULA型3D幾何信道模型，該模型考慮了遠(yuǎn)場效應(yīng)和近場效應(yīng)兩種傳輸場景?；诮y(tǒng)計(jì)物理信道模型分析了AAoA和EAoA的關(guān)系，研究了參數(shù)對平均相關(guān)性和信道容量的影響。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明近場效應(yīng)有助于對天線進(jìn)行去相關(guān)性，隨著天線數(shù)量的增加，特定天線和系統(tǒng)天線的平均相關(guān)性都將在一定程度上降低， SW效應(yīng)隨著發(fā)射端和接收端的距離增加而減弱，其信道容量逐漸趨近于PW模擬的信道容量曲線，當(dāng)距離足夠遠(yuǎn)時(shí)，SW可以被看作PW。
- 一種采用介電突起消除邊緣場效應(yīng)的LCoS
(為了降低邊緣場效應(yīng)對液晶顯示器顯示效果的影響，劉紹錦等人提出了混合排列模式(HAN)的方法[13]。在混合排列模式方法下，液晶盒一側(cè)基板上的液晶分子垂直表面排列，施加電場后液晶分子轉(zhuǎn)動較為平滑，在像素邊界處不會產(chǎn)生明顯的擾動，可以大大提高顯示性能，但是這會使取向工藝變得復(fù)雜。而李朋等人提出了雙邊叉指電極結(jié)構(gòu)的方法[14]，液晶盒的頂部和底部都使用叉指電極結(jié)構(gòu)，偏置電壓施加到同一平面內(nèi)的相鄰電極上和上下相對的電極上。這種特殊的電極結(jié)構(gòu)在相鄰電極之間產(chǎn)生一個(gè)
液晶與顯示 2020年1期2020-03-13
- 離子注入和退火對LTPS-TFT特性的影響
要技術(shù)便是薄膜場效應(yīng)晶體管，而具有源矩陣尋址的平板技術(shù)都需要薄膜場效晶體管來進(jìn)行控制與驅(qū)動。而主動型面板按照薄膜晶體管技術(shù)可劃分為高溫多晶硅、低溫多晶硅以及非晶硅三類。傳統(tǒng)的氫化非晶硅薄膜場效應(yīng)晶體管的載流子遷移率不高，因此無法有效驅(qū)動尺寸龐大的AMOLED。高溫多晶硅具有工藝溫度較高的特點(diǎn)，所以不能使用熔點(diǎn)不高的玻璃作為基板，必須使用石英作為基板。但低溫多晶硅可以完美解決所有問題，低溫多晶薄膜場效應(yīng)晶體管具有遷移率較高的載流子，可以在面板中將驅(qū)動電路進(jìn)行
電子技術(shù)與軟件工程 2019年1期2019-11-30
- 氮摻雜石墨烯的p型場效應(yīng)及其精細(xì)調(diào)控
彭鵬，劉洪濤，武斌，湯慶鑫，劉云圻1東北師范大學(xué)先進(jìn)光電子功能材料研究中心，紫外光發(fā)射材料與技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長春 1300242中國科學(xué)院化學(xué)研究所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京分子科學(xué)國家研究中心，北京 1001901 lntroductionGraphene, a two-dimensional crystal formed by covalent connection of sp2hybridized carbon atoms, is well k
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2019年11期2019-11-04
- Comparison of treatment modalities in pancreatic pseudocyst: A population based study
1).其中Γ是場效應(yīng)增強(qiáng)系數(shù)，F(xiàn)是場強(qiáng)，.ni 是本征載流子濃度。τn和τp分別是電子和空穴的壽命， Ei和ET分別是本征費(fèi)米能級和復(fù)合中心能級。k是玻爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度，?是狄拉克常數(shù)，q是單位電子的電荷，mt*是電子的有效隧穿質(zhì)量。Table1 Baseline characteristics of the study cohort,n (%)Treatments and outcomesLaparoscopic approach associa
- 大學(xué)生思想政治教育中的場效應(yīng)運(yùn)用探究
極運(yùn)用，探究了場效應(yīng)對大學(xué)生思想政治教育的綜合提升與人才多樣化、綜合性培養(yǎng)的實(shí)踐模式的實(shí)際效果。關(guān)鍵詞：場效應(yīng);思政教育;大學(xué)生高校是思想政治教育的第一陣地，有著豐富的教育資源，除傳統(tǒng)的課堂教育以外，還擁有豐富多彩的校園文化。由校園活動、校園文化、校園建筑等形成的思想政治教育場，對學(xué)生成長成才起到無形的引導(dǎo)、凝聚和激勵作用，對高校思想政治教育具有較強(qiáng)的指導(dǎo)意義。思想政治教育場是以思想政治教育工作為中心所形成的“生活圈圍”，是指與思想政治工作有關(guān)的或是表現(xiàn)形
山東青年 2019年8期2019-10-30
- Phototransistor Based on Single TaON Nanobelt and Its Photoresponse from Ultraviolet to Near-infrared
N單根納米帶的場效應(yīng)晶體管; 該晶體管的電子遷移率和開關(guān)比分別為9.53×10–4cm2/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范圍內(nèi)顯示良好的光響應(yīng)。在405 nm (42 mW/cm2)的光照下, 外加5.0 V的偏壓時(shí), 光響應(yīng)為249 mA/W, 光開關(guān)比為11。因此, 該器件具有良好的光探測性, TaON納米帶可作為光電子器件的候選材料。另外, 實(shí)驗(yàn)還控制合成出Ta2O5@TaON納米帶, 并加工成單根納米帶的場效應(yīng)晶體管, 雖然相同光照條
無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2019年9期2019-10-10
- 探索場效應(yīng)模式提升學(xué)生課外閱讀品質(zhì)
會環(huán)境下的心理場效應(yīng)，能激發(fā)學(xué)生的閱讀潛能，養(yǎng)成其良好的閱讀習(xí)慣。三者的合力效應(yīng)是很顯著的，能改善目前的不良狀況，從而提升學(xué)生的課外閱讀品質(zhì)?！娟P(guān)鍵詞】課外閱讀 場效應(yīng) 營建 “三位一體化”【基金項(xiàng)目】本文系甘肅省教育科學(xué)規(guī)劃“十三五”課題研究成果之一，課題批準(zhǔn)號：GS[2018] GHB2929?！局袌D分類號】G623.23 【文獻(xiàn)標(biāo)識碼】A 【文章編號】2095-3089（2019）33-0106-01課外閱讀在語文學(xué)習(xí)中的重要性是毋庸置疑的。很多名家
課程教育研究 2019年33期2019-08-30
- 場效應(yīng)晶體管短路失效的數(shù)值模型
于碳化硅材料的場效應(yīng)晶體管更適合于高頻、高溫、高耐壓等功率變換場合。在實(shí)際的應(yīng)用中，功率場效應(yīng)晶體管經(jīng)常會遭遇短路事故，尤其是電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)，在保護(hù)電路能夠介于之前，人們希望功率場效應(yīng)晶體管能夠具有一定的短路抵御能力。然而，由于碳化硅/氧化物界面陷阱密度比硅/氧化物高兩個(gè)數(shù)量級，為了取得較高的閾值電壓，碳化硅場效應(yīng)晶體管的氧化層厚度往往設(shè)計(jì)得比硅場效應(yīng)晶體管的薄，這使得在高電應(yīng)力的條件下，碳化硅場效應(yīng)晶體管的氧化層更容易失效[3]；同時(shí)，由于同樣功率等級的情
西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年4期2019-08-20
- 光電協(xié)同增強(qiáng)的場效應(yīng)對LaAlO3/SrTiO3界面中持續(xù)光電導(dǎo)的調(diào)控*
. 本文研究了場效應(yīng)對LaAlO3/SrTiO3 界面光電導(dǎo)效應(yīng)的調(diào)控,發(fā)現(xiàn)光電協(xié)同增強(qiáng)的場效應(yīng)可以使得LaAlO3/SrTiO3 界面產(chǎn)生顯著的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng),進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn): 在光電協(xié)同效應(yīng)的影響下,隨著負(fù)的背柵門電壓的增加,持續(xù)光電導(dǎo)的數(shù)值增大,在–70 V 附近達(dá)到極值;隨著負(fù)的背柵門電壓處理時(shí)間的增加,持續(xù)光電導(dǎo)的數(shù)值單調(diào)增加. LaAlO3/SrTiO3 異質(zhì)結(jié)中這種場增強(qiáng)的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)可為多參數(shù)可調(diào)的光電子記憶器件的研發(fā)提供參考依據(jù).1 引
物理學(xué)報(bào) 2019年6期2019-04-10
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器在醫(yī)學(xué)檢測中的研究進(jìn)展
，特別是石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器。與傳統(tǒng)檢測技術(shù)相比，在核酸、蛋白質(zhì)、細(xì)菌等的檢測方面，石墨烯場效應(yīng)晶體管具備一定的優(yōu)勢，主要表現(xiàn)在靈敏度高和選擇性高、分析速度快、免標(biāo)記、廉價(jià)、能夠微型化和一體化等[1]，這些優(yōu)點(diǎn)助力石墨烯場效應(yīng)晶體管在生物分子的床旁化檢測中發(fā)揮重要作用。迄今為止，關(guān)于石墨烯場效應(yīng)晶體管在醫(yī)學(xué)檢測中的研究越來越多。本文簡要綜述石墨烯器件的制備及工作原理，石墨烯的制備及功能化，重點(diǎn)綜述石墨烯場效應(yīng)晶體管在醫(yī)學(xué)檢測中的運(yùn)用，包括核酸、蛋白
國際檢驗(yàn)醫(yī)學(xué)雜志 2019年3期2019-02-14
- 綠色住宅價(jià)值場效應(yīng)評述
及影響程度即為場效應(yīng)。通過構(gòu)建場效應(yīng)模型，找到影響消費(fèi)者綠色住宅消費(fèi)行為的影響因素。關(guān)鍵詞：綠色住宅價(jià)值;場論;價(jià)值場;場效應(yīng)中圖分類號：F294文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A文章編號：1001-9138-（2019）12-0051-59收稿日期：2019-09-241引言隨著綠色建筑在全球范圍內(nèi)被推廣和發(fā)展，一種新型住宅模式一綠色住宅應(yīng)運(yùn)而生。與傳統(tǒng)住宅相比，綠色住宅強(qiáng)調(diào)在住宅開發(fā)及使用過程中節(jié)約資源、減少能源消耗，側(cè)重住宅的低碳節(jié)能和可持續(xù)發(fā)展。綠色住宅在我國已經(jīng)取得
中國房地產(chǎn)·市場版 2019年12期2019-01-03
- 三維Saddle FET的溫度特性仿真及量子仿真驗(yàn)證
結(jié)構(gòu)，其中無結(jié)場效應(yīng)晶體管就是最有發(fā)展前景的器件類型之一[1-2]。無結(jié)場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢體現(xiàn)在簡單的工藝制作流程和較好的電學(xué)特性[3-6]。此后研究人員又提出了多柵結(jié)構(gòu)，包括最開始的雙柵結(jié)構(gòu)，以及后來出現(xiàn)的各種三維結(jié)構(gòu)如FinFET、I形柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管、Saddle無結(jié)場效應(yīng)晶體管以及H形柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管等[7-8]。然而隨著器件尺寸的不斷縮小，相應(yīng)的，很多負(fù)面反應(yīng)，如短溝道效應(yīng)，ION-IOFF比降低和器件在不同溫度、壓力等環(huán)境下性能不穩(wěn)定等狀況
微處理機(jī) 2018年5期2018-10-30
- 高性能折疊I型柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管
柵極技術(shù)的無結(jié)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)成為深納米級硅基VLSI技術(shù)領(lǐng)域中最流行的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)之一[1-2]。由于超薄硅膜SOI技術(shù)可以使柵極能夠輕易控制溝道在完全耗盡狀態(tài)下工作，因此器件制造不再需要PN結(jié)[3]。與常規(guī)的基于PN結(jié)的三柵極（TG）MOSFET類似，在關(guān)斷狀態(tài)下，三柵極無結(jié)（TG JL）FET的柵極電壓反向偏置時(shí)會引起帶間隧穿的增強(qiáng)，特別是在柵極角區(qū)域和柵極至漏極或源極的延長區(qū)，它極大地增加了由于帶間隧穿所引起的泄漏電流，并在靜態(tài)關(guān)斷狀態(tài)下導(dǎo)致了更
微處理機(jī) 2018年5期2018-10-30
- 基于硅納米線的場效應(yīng)晶體管電學(xué)性質(zhì)仿真
基于硅納米線的場效應(yīng)晶體管的電學(xué)特性進(jìn)行了仿真模擬。并對其進(jìn)行了詳細(xì)分析。2.參數(shù)設(shè)置我們以直徑為100nm的P型單晶硅納米線作為研究對象，設(shè)計(jì)了以單根硅納米線作為導(dǎo)電通道的納米線場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（FET）。硅納米線的摻雜濃度為1016cm-3。漏極和源極之間的距離為1um，即場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電通道長度是1um；柵極介質(zhì)層為100nm厚的SiO2。我們模擬了不同條件下空穴和電子濃度的分布圖以及硅納米線場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線及轉(zhuǎn)移特性曲線。通過對仿真結(jié)果
電子世界 2018年17期2018-09-14
- Graphenea石墨烯晶體管正式上市銷售
ETs（石墨烯場效應(yīng)晶體管）新產(chǎn)品。該舉措進(jìn)一步降低了石墨烯應(yīng)用的障礙，特別是在傳感器市場。Graphenea提供的GFETs（石墨烯場效應(yīng)晶體管）可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領(lǐng)域的科學(xué)研究提供高質(zhì)量的GFET器件。Graphenea已經(jīng)上市的兩種用于傳感器領(lǐng)域的石墨烯場效應(yīng)晶體管包括兩種標(biāo)準(zhǔn)的GFET-for-sensing配置，稱為GFET-S10和GFET-S20，每種均包括一個(gè)位于一平方厘米芯片上36個(gè)獨(dú)立的GFET，但器件布局不同。G
中國計(jì)算機(jī)報(bào) 2018年20期2018-08-28
- 2010年一汽馬自達(dá)睿翼不能升入4擋
圖5所示MOS場效應(yīng)晶體管控制。因?yàn)榭刂茊卧獌H報(bào)此電磁閥故障，在控制器內(nèi)部電磁閥A和C也是由相同結(jié)構(gòu)的電路控制，所以在不拆卸元件的條件下可以，即可進(jìn)行初步的對比測量，測量結(jié)果如圖6所示，根據(jù)測量結(jié)果J600 MOS場效應(yīng)晶體管和R10(采樣電阻1W 5% 100mΩ)電阻已經(jīng)損壞。將R 1 0電阻拆下后測量，其電阻為無窮大(R10采樣電阻1W 5%1 0 0 m Ω)，說明已經(jīng)斷路。拆下J600 MOS場效應(yīng)晶體管，其電阻值只有4Ω，正常情況下其電阻值應(yīng)大
汽車維修與保養(yǎng) 2018年3期2018-06-08
- Call for Papers Journal of Electronic Science and Technology Special Section on Energy-Efficient Technologies
的液柵型石墨烯場效應(yīng)器件，因石墨烯直接與待測液接觸，使得石墨烯溝道極易被污染，致使器件的穩(wěn)定性減小，也不能被重復(fù)利用。因此，頂柵型石墨烯場效應(yīng)管pH傳感器[19]得到了關(guān)注，它以石墨烯材料為溝道并在其表面沉積了絕緣層(如HfO2等)，其結(jié)構(gòu)及電學(xué)檢測示意圖如圖4所示。◆ Energy-efficient transport and logisticsGuest Editors are also cordially invited to submit pro
Journal of Electronic Science and Technology 2018年1期2018-02-14
- 從“場效應(yīng)”看觀眾對戲劇演出的影響
眾；戲劇活動；場效應(yīng)中圖分類號：J82 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：1007-0125（2017）23-0021-01美國戲劇家小羅杰斯·M·巴斯菲爾德說：“觀眾是最迷人的學(xué)問。有如此多的東西確實(shí)都與他們有關(guān)，但人們不知道原因何在?！雹賾騽∈侨祟悇?chuàng)造的最古老的藝術(shù)之一，迄今已有兩千多年的歷史。盡管戲劇在其發(fā)展的漫長過程中經(jīng)歷了許多變化，但戲劇的本質(zhì)并沒有變化。觀眾作為戲劇活動的重要組成部分，已經(jīng)不是戲劇單純的享受者和旁觀者，而是一種參與者。觀眾在觀看演出時(shí)，
戲劇之家 2017年23期2018-01-12
- “場效應(yīng)理論”在體育教學(xué)中的應(yīng)用研究
東禮，杜曉俠“場效應(yīng)理論”在體育教學(xué)中的應(yīng)用研究李小芳，張朝法，王東禮，杜曉俠引入“場”的概念，利用場效應(yīng)動力原理來診斷課堂教學(xué)，按照不同的體育項(xiàng)目技術(shù)特點(diǎn)，有針對性的進(jìn)行場效應(yīng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)，創(chuàng)建適合不同類型體育項(xiàng)目的場效應(yīng)教學(xué)模式，旨在為公共體育課中的選項(xiàng)課教學(xué)提供借鑒和參考。結(jié)果表明：場效應(yīng)教學(xué)模式，能充分挖掘項(xiàng)目特色，提高學(xué)生參與的廣度與深度，有效提高提高課堂教學(xué)的效率和質(zhì)量。建議：體育教師在教學(xué)過程中充分發(fā)揮主導(dǎo)作用，合理安排課堂教學(xué)，創(chuàng)建積極的體育教
體育科技文獻(xiàn)通報(bào) 2017年12期2017-12-13
- 用于高品質(zhì)光電探測器的砷化鎵光場效應(yīng)晶體管
測器的砷化鎵光場效應(yīng)晶體管光電探測器已經(jīng)成為汽車行業(yè)的一個(gè)重要組成部分。汽車上利用光電傳感器實(shí)現(xiàn)對汽車前照燈、倒車燈、儀表燈和轉(zhuǎn)向燈等光電系統(tǒng)的控制。光電探測器利用光照引起被照射材料電導(dǎo)率變化的原理，將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，實(shí)現(xiàn)對汽車相應(yīng)裝置的控制。光電探測器的關(guān)鍵組件為光場效應(yīng)晶體管，其品質(zhì)高低直接關(guān)系到光電探測器的品質(zhì)。另外，近些年汽車行業(yè)朝著智能化、自動駕駛的方向發(fā)展，開始將光電探測器應(yīng)用到自動導(dǎo)航、自適應(yīng)巡航中，因而對光電探測器品質(zhì)的要求進(jìn)一步提高。
汽車文摘 2017年2期2017-12-04
- 石墨烯場效應(yīng)晶體管參數(shù)提取及建模研究
009)石墨烯場效應(yīng)晶體管參數(shù)提取及建模研究陳榮敏，王 研(合肥工業(yè)大學(xué) 光電技術(shù)研究院，安徽 合肥 230009)現(xiàn)有的傳統(tǒng)器件模型已不能完全表征石墨烯場效應(yīng)晶體管的特性。文中介紹了GFET的器件結(jié)構(gòu)，分析了GFET的工作原理及其基本電特性，提出了基于等效電路思想的小信號模型。模型的參數(shù)值來源于晶體管電流-電壓和S參數(shù)的實(shí)測數(shù)據(jù)，采用測試結(jié)構(gòu)法對模型參數(shù)進(jìn)行提取與分析。并針對柵寬16 μm，柵長150 nm的GFET，將參數(shù)初值代入ADS仿真工具中優(yōu)化仿
電子科技 2017年11期2017-11-16
- 雜質(zhì)對二硫化鉬場效應(yīng)晶體管磁滯效應(yīng)的影響
雜質(zhì)對二硫化鉬場效應(yīng)晶體管磁滯效應(yīng)的影響方佳佳，楊啟志，王 權(quán)（江蘇大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院，江蘇 鎮(zhèn)江 212013）二硫化鉬（MoS2）具有優(yōu)異的理化性能，但是磁滯效應(yīng)限制了其在半導(dǎo)體器件上的大量應(yīng)用。研究了化學(xué)氣相沉積法（CVD）生長的MoS2薄膜制備的懸置和非懸置場效應(yīng)晶體管在室溫下（20℃左右）的電學(xué)特性曲線。發(fā)現(xiàn)非懸置場效應(yīng)晶體管和懸置場效應(yīng)晶體管中都存在磁滯現(xiàn)象，但是非懸置場效應(yīng)晶體管的磁滯現(xiàn)象比懸置場效應(yīng)晶體管更強(qiáng)。說明在樣品制備過程中引入的水分
電子元件與材料 2017年4期2017-10-13
- 中藥辨證外敷加場效應(yīng)透入治療膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎患者的臨床觀察
中藥辨證外敷加場效應(yīng)透入療法對膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎治療效果的影響。 方法 選取2015年11月～2017年2月來我院接受治療的42例膝關(guān)節(jié)骨性關(guān)節(jié)炎患者，隨機(jī)分為治療組和對照組，每組各21例。對照組給予健膝止痛膏外敷治療，通過辨證后對中藥進(jìn)行加減；治療組除了使用健膝止痛膏外敷治療以外，還另外加用場效應(yīng)治療。兩組觀察指標(biāo)采用Lequesne指數(shù)進(jìn)行評分，評分越低，恢復(fù)效果越好。然后觀察比較兩組患者的治療總有效率，以及兩組治療后Lequesne指數(shù)評分，數(shù)據(jù)經(jīng)過統(tǒng)
中國醫(yī)藥科學(xué) 2017年13期2017-08-22
- 電學(xué)層析成像中軟場效應(yīng)的度量與應(yīng)用*
學(xué)層析成像中軟場效應(yīng)的度量與應(yīng)用*楊家輝， 岳士弘， 于 曉(天津大學(xué) 電氣與自動化工程學(xué)院, 天津 300072)“軟場效應(yīng)”的存在導(dǎo)致電學(xué)層析(ET)成像技術(shù)重建圖像分辨率低，為了度量“軟場效應(yīng)”并降低其影響，提出了一個(gè)基于靈敏度系數(shù)的“軟場效應(yīng)”度量指標(biāo)，據(jù)此實(shí)施ET測量數(shù)據(jù)的重構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：軟場效應(yīng)指標(biāo)能夠有效地反映“軟場效應(yīng)”對ET成像空間分辨率的影響，重構(gòu)的數(shù)據(jù)能夠提高已有ET算法的空間分辨率。電學(xué)層析成像； 靈敏度系數(shù)； 軟場效應(yīng)； 空間
傳感器與微系統(tǒng) 2017年7期2017-08-09
- 戲劇特有的場效應(yīng)
意。【關(guān)鍵詞】場效應(yīng)；觀演關(guān)系；假定性；互動中圖分類號：J80 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：1007-0125（2017）10-0030-01戲劇，是以演員的生理?xiàng)l件為中心媒介、當(dāng)眾敘演一定長度的故事、觀眾與戲劇創(chuàng)演者以假定性為協(xié)作活動前提的藝術(shù)活動。觀演關(guān)系作為戲劇“場效應(yīng)”的創(chuàng)造者與承受者，這種無形中的關(guān)系似乎看不見也摸不著，但它確實(shí)存在。戲劇以“場效應(yīng)”為載體為觀眾帶去享受的同時(shí)，也能為觀眾帶去對于人性的思考。一、小劇場話劇的場效應(yīng)話劇在表演場地、舞臺
戲劇之家 2017年10期2017-06-21
- 基于CH3NH3PbI3單晶的Ta2O5頂柵雙極性場效應(yīng)晶體管
O5頂柵雙極性場效應(yīng)晶體管呂乾睿 李 晶 廉志鵬 趙昊巖 董桂芳*李 強(qiáng) 王立鐸 嚴(yán)清峰*(清華大學(xué)化學(xué)系，北京100084)具有無機(jī)-有機(jī)雜化鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的CH3NH3PbI3通常偏向于顯示n型半導(dǎo)體特性，本文以五氧化二鉭(Ta2O5)作為絕緣層，制備了基于鈣鈦礦CH3NH3PbI3單晶的頂柵結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管，暗態(tài)下更明顯地觀察到了CH3NH3PbI3所具有的p型場效應(yīng)特性，空穴場效應(yīng)遷移率達(dá)到8.7×10－5cm2·V－1·s－1，此暗態(tài)空穴遷移率比原有
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2017年1期2017-03-13
- 觸發(fā)課堂場效應(yīng)的探索與實(shí)踐
營造課堂上的“場效應(yīng)”?？茖W(xué)研究表明，相互作用場是物質(zhì)存在的兩種基本形態(tài)之一，它存在于一切空間區(qū)域，如電磁場、引力場。帶電粒子在電磁場中會受到電磁力的作用，物體在引力場中會受到萬有引力的作用。課堂教學(xué)場境我們可以稱為“語文課堂教學(xué)場”。在這樣的“教學(xué)場”中，每個(gè)學(xué)生都仿佛是一個(gè)帶電“粒子”，接受“場”的作用，并且作為組成“場”的一分子，發(fā)揮自身能量，產(chǎn)生交互作用。在這樣的“場”作用下，教學(xué)主體可實(shí)現(xiàn)能量升級──思想、情感、意志等人格因素和語文能力得到整體提
語文世界(教師版) 2016年11期2016-12-09
- 移動通信基站天線近場效應(yīng)影響分析
通信基站天線近場效應(yīng)影響分析福建省輻射環(huán)境監(jiān)督站陳瓊霞高一弘該文介紹了移動通信基站天線的近場效應(yīng)，推導(dǎo)出該效應(yīng)的修正因子公式，并通過計(jì)算幾種常見類型天線的近場效應(yīng)修正因子，得出修正因子隨距離變化的規(guī)律，對近場效應(yīng)的影響范圍進(jìn)行了分析。研究表明，常見天線近場效應(yīng)在距天線5m外影響較小?；咎炀€ 近場效應(yīng)1 天線近場效應(yīng)微波頻段天線產(chǎn)生的電磁場區(qū)主要為遠(yuǎn)場區(qū)和輻射近場區(qū)（以下簡稱“近場區(qū)”），近場區(qū)和遠(yuǎn)場區(qū)的分界點(diǎn)距離為2D2/λ［1］，其中D為天線的最大尺寸
海峽科學(xué) 2016年4期2016-09-24
- 談?wù)剰V播精品節(jié)目中的制作環(huán)節(jié)
播節(jié)目 制作 場效應(yīng) 二度創(chuàng)作【中圖分類號】G222 【文獻(xiàn)標(biāo)識碼】A傳統(tǒng)觀念認(rèn)為廣播的鏈條是采編播，對于從業(yè)者的訓(xùn)練也是從這三個(gè)維度切入的。但是，現(xiàn)代廣播的實(shí)踐證明，單一的鏈條模式已經(jīng)遠(yuǎn)不能滿足精品節(jié)目的要求，制播思維開始向矩陣化方向發(fā)展。對于廣播精品節(jié)目制作來說，多元復(fù)合式思維顯得尤為重要。精品節(jié)目從開始的策劃、采訪、編輯，再到后期的制作、播出，整個(gè)過程環(huán)環(huán)相扣，任何一環(huán)的缺失都會導(dǎo)致整個(gè)鏈條的崩潰。因此，制作在廣播精品節(jié)目的生產(chǎn)流程中擔(dān)負(fù)著重要的角色
中國廣播 2016年2期2016-05-30
- 近場效應(yīng)對CSAMT一維反演的影響分析
21000）近場效應(yīng)對CSAMT一維反演的影響分析■盧蕾劉登董志泉徐揚(yáng)威 （內(nèi)蒙古自治區(qū)第六地質(zhì)礦產(chǎn)勘查開發(fā)院內(nèi)蒙古呼倫貝爾021000）CSAMT是由MT發(fā)展而來，但MT的很多成熟理論CSAMT還不能完全應(yīng)用，其主要原因在于人工控制源帶來的一系類效應(yīng)，CSAMT的幾種效應(yīng)主要有：靜態(tài)效應(yīng)；近場效應(yīng)；場源效應(yīng)；陰影效應(yīng)及地形效應(yīng)，其中近場效應(yīng)對可控源測深效果的好壞起著非常重要的作用，所謂近場效應(yīng)是因?yàn)镃SAMT的場源距離是有限的，當(dāng)發(fā)射的頻率降低到一定程度
地球 2016年1期2016-04-14
- 培育“學(xué)習(xí)場”，形成“場效應(yīng)”
，這就是心理“場效應(yīng)”。湖南師范大學(xué)吳小歐教授認(rèn)為，教學(xué)場就是教學(xué)信息輻射與作用的時(shí)空整體。吳斌武認(rèn)為，課堂教學(xué)場的產(chǎn)生，對課堂教學(xué)情境的各個(gè)因素“對個(gè)體內(nèi)部知識吸收，外部的教學(xué)交流都產(chǎn)生影響，即存在場效應(yīng)”。這種“場”的培育和形成“場效應(yīng)”對于提高思想品德課堂教學(xué)效果有一定的借鑒意義。思想品德課教學(xué)離不開教師、學(xué)生、教材、教學(xué)手段等因素，也離不開師生能力、情緒、意志等因素。準(zhǔn)確地分析、把握教材的要求，通過教師最佳的組織、安排、導(dǎo)引，可以讓每個(gè)學(xué)生成為“場
教學(xué)月刊·小學(xué)綜合 2015年3期2015-03-18
- 建筑學(xué)專業(yè)設(shè)計(jì)系列課程“場效應(yīng)”教學(xué)模式探索與實(shí)踐
設(shè)計(jì)系列課程“場效應(yīng)”教學(xué)模式及其實(shí)踐操作方法。關(guān)鍵詞：建筑學(xué)專業(yè)；場效應(yīng)；教學(xué)模式；教學(xué)實(shí)踐中圖分類號：G420；TU 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號：10052909（2015）01009205 時(shí)代的發(fā)展，科技的進(jìn)步，對建筑學(xué)科提出了的新要求。建筑學(xué)專業(yè)新教學(xué)模式的探討對專業(yè)人才的培養(yǎng)有著極其重要的作用。重視課堂教學(xué)的效率與效果，促進(jìn)學(xué)生間的相互交流和啟發(fā)，增強(qiáng)學(xué)生對專業(yè)學(xué)習(xí)的探索性與研究性，提升學(xué)生的專業(yè)設(shè)計(jì)思維能力已成為當(dāng)前建筑學(xué)專業(yè)教育的目標(biāo)。為培養(yǎng)
高等建筑教育 2015年1期2015-03-12
- 課堂場效應(yīng)的觸發(fā)在教學(xué)中的探索與實(shí)踐
營造課堂上的“場效應(yīng)”?？茖W(xué)研究表明，相互作用場是物質(zhì)存在的兩種基本形態(tài)之一，它存在于一切空間區(qū)域，如電磁場、引力場。帶電粒子在電磁場中會受到電磁力的作用，物體在引力場中會受到萬有引力的作用。上述這種成功的課堂教學(xué)場境我們也可以稱為“語文課堂教學(xué)場”。在這樣的“教學(xué)場”中，每個(gè)學(xué)生都仿佛是一個(gè)帶電“粒子”，接受“場”的作用，并且作為“場”組成的一分子，發(fā)揮自身能量，產(chǎn)生交互作用。在這樣的“場”作用下，教學(xué)主體可實(shí)現(xiàn)能量升級──思想、情感、意志等人格因素和語
小學(xué)教學(xué)研究·理論版 2014年6期2014-06-11
- 科學(xué)家成功制備二維黑磷場效應(yīng)晶體管
功制備二維黑磷場效應(yīng)晶體管文/吳長鋒 楊保國記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室陳仙輝教授課題組與復(fù)旦大學(xué)張遠(yuǎn)波教授、封東來教授和吳驊教授課題組合作，在二維類石墨烯場效應(yīng)晶體管研究中取得重要進(jìn)展，成功制備出具有幾個(gè)納米厚度的二維黑磷場效應(yīng)晶體管。研究成果近日在線發(fā)表在《自然·納米科技》雜志上。單層原子厚度的石墨烯的發(fā)現(xiàn)，標(biāo)志著二維晶體作為一類可能影響人類未來電子技術(shù)的材料問世。然而二維石墨烯的電子結(jié)構(gòu)中不具備能隙，在電子學(xué)應(yīng)用中不能實(shí)現(xiàn)
化工管理 2014年10期2014-04-04
- 美科學(xué)家構(gòu)造出一個(gè)超薄超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管
一個(gè)超薄的超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導(dǎo)體的環(huán)境細(xì)節(jié)。這種突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導(dǎo)性，加速無電阻電子設(shè)備的研發(fā)進(jìn)程。相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在最近出版的 《自然》雜志上普通絕緣材料銅酸鹽在何種情況下從絕緣態(tài)躍遷到超導(dǎo)態(tài)？這種躍遷發(fā)生時(shí)，會發(fā)生什么情況？這些問題一直困擾著物理學(xué)家。探究這種躍遷的一種方法是，施加外電場來增加或減少該材料中的自由電子濃度，并觀察其對材料負(fù)載電流能力的影響。但要在銅酸鹽超導(dǎo)體中做到這一點(diǎn)，還需要構(gòu)建成分始終如一的超
電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn) 2012年6期2012-03-30
- 中科院化學(xué)研究所在聚合物場效應(yīng)晶體管材料研究方面取得重要進(jìn)展
，可溶液法加工場效應(yīng)晶體管器件，研究結(jié)果表明:兩個(gè)聚合物都表現(xiàn)出良好的空穴傳輸性能，其遷移率均高于2.0 cm2/V·s，電流開關(guān)比大約在105～107。其中，含長鏈側(cè)基的聚合物PDVT-10的遷移率最高可以達(dá)到8.2 cm2/V·s，這一結(jié)果是目前所報(bào)道的溶液法加工聚合物場效應(yīng)晶體管器件的最高值。研究人員采用掠入式X－射線衍射(GIXRD)研究了聚合物的堆積結(jié)構(gòu)，解析了聚合物PDVT-8和PDVT-10薄膜的堆積形態(tài)。兩個(gè)聚合物的烷基鏈間距d-d分別為1
中國材料進(jìn)展 2012年11期2012-01-26
- 碳納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)場效應(yīng)晶體管電學(xué)性能分析
納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)場效應(yīng)晶體管電學(xué)性能分析常永嘉，皇 華，黃文龍(合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院，安徽合肥 230009)利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在Si襯底形成Au電極作為底柵電極，在底柵電極上生長SiO2薄膜。超聲分散CVD法合成的商用單壁碳納米管(SWCNTs)，使用勻膠機(jī)將單壁碳納米管懸浮液均勻旋涂于SiO2薄膜上。再利用蔭罩式電子束蒸發(fā)技術(shù)，在單壁碳納米管隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)薄膜表面制備漏源電極。該工藝過程避免了碳納米管過多的化學(xué)接觸，有效地保護(hù)了碳納米管的性狀。在
電子科技 2012年8期2012-01-19
- 碳化硅功率場效應(yīng)功率晶體管仿真模型及其驅(qū)動研究
2）碳化硅功率場效應(yīng)功率晶體管仿真模型及其驅(qū)動研究郝夏斐，潘三博（安陽師范學(xué)院，安陽 455002）0 引言碳化硅半導(dǎo)體器件具有耐壓高、通態(tài)電阻低、漏電流小、開關(guān)速度高、電流密度高、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，這決定了它在高溫、高頻率、高功率的應(yīng)用場合是理想的下一代電力電子器件[1]。近年來，國內(nèi)外對碳化硅結(jié)型場效應(yīng)功率晶體管在高性能電力電子裝置的應(yīng)用開始了探索性的研究[2,3]。本文從功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)出發(fā)，通過對靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)的測量，計(jì)算出器件耗盡層寬度等半導(dǎo)體參數(shù)，建
制造業(yè)自動化 2011年8期2011-05-11
- 論翻譯的語義場效應(yīng)關(guān)聯(lián)性與可及性
，涉及詞匯語義場效應(yīng)理論、關(guān)聯(lián)理論和可及性理論的綜合運(yùn)用，這就是本文提出的詞匯語義場效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及翻譯觀。2.語義場效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及詞匯間語義關(guān)聯(lián)源于生成語法描寫語言結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性階標(biāo)理論，詞聚合必須反映語義內(nèi)容(Ouhalla，1999:113)，首詞與后續(xù)詞或結(jié)構(gòu)的語義關(guān)系必須合符論旨關(guān)系準(zhǔn)則(吳炳章，2003)。詞匯論旨關(guān)系是對詞匯語義進(jìn)行邏輯關(guān)聯(lián)性可及的分析結(jié)果。由于詞匯語義場效應(yīng)關(guān)聯(lián)性可及的約束，詞匯意義關(guān)聯(lián)性程度取決于人對相似事物認(rèn)知的范疇化程度。越
外國語文 2011年5期2011-03-20
- 四方晶系下釹離子的基態(tài)分裂
數(shù)，并分析了晶場效應(yīng)對化合物磁性質(zhì)的影響.結(jié)果表明，Kramers離子Nd3+的十重簡并基態(tài)4I9/2在晶場效應(yīng)的作用下分裂為5個(gè)雙態(tài)，計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合得較好.NdCuAs2；Nd2Ge2In；磁化率；晶場效應(yīng)稀土元素特殊的外電子層結(jié)構(gòu)使稀土化合物具有獨(dú)特的光、電、磁等性能，稀土化合物被譽(yù)為“新材料的寶庫”.稀土化合物中存在各種磁性效應(yīng)，這些磁性效應(yīng)各自都以不同的物理機(jī)制使稀土磁性材料起著轉(zhuǎn)換、傳遞和存儲能量、信息的作用，所以對稀土化合物進(jìn)行深入細(xì)致的研
- 建構(gòu)課堂教學(xué)場,煥發(fā)語文生命力
堂教學(xué)場,發(fā)揮場效應(yīng),讓語文課堂煥發(fā)生命活力。關(guān)鍵詞:語文課堂 場效應(yīng) 朗讀 演講對話一、研究的現(xiàn)實(shí)背景及意義目前,語文教學(xué)以聽說讀寫能力要素為框架、以分項(xiàng)訓(xùn)練為手段建構(gòu)的語文教學(xué)體系,追求語文訓(xùn)練的系統(tǒng)性,卻忽視了語文的情感性和人文性。大量的練習(xí),確實(shí)也能使學(xué)生的能力得到一定的提高,但這在一定程度上導(dǎo)致了教師在課堂上的串講串問現(xiàn)象,影響了學(xué)生的自讀自悟和對文章主旨的把握。課堂是學(xué)校教學(xué)的基本形式,是實(shí)現(xiàn)教師、學(xué)生、教材和教學(xué)環(huán)境等教學(xué)諸因素之間的相互作用
新課程·上旬 2009年5期2009-07-16