以Bi2Te3基單層在高溫下的ZT值小于1[16-18]。最近,Janus單層作為一類新型的二維材料衍生物,受到了學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。Janus結(jié)構(gòu)中對(duì)稱性的破壞不僅影響了材料的電子性質(zhì),而且也顯著改變輸運(yùn)性質(zhì)。此外,在晶體結(jié)構(gòu)中的不對(duì)稱性還會(huì)引入額外的聲子非諧性,從而降低κl[19-21]。例如以Bi2Te3基形成的Janus單層中,Bi2Te2Se、Bi2Te2S、Bi2TeSe2的κl分別為1.30、1.20和0.80 W·m-1·K-1,低于單層Bi

了初始幾何缺陷下單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性，并采用隨機(jī)缺陷的模態(tài)法和N 階特征的缺陷模態(tài)法，對(duì)4 個(gè)不同的梁跨比的K8 單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)中進(jìn)行了近1300 次的彈塑性荷載位移的全過程研究分析，基于實(shí)用的角度討論了不同分析方法的科學(xué)性和可行性。經(jīng)過研究實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，隨機(jī)缺陷模態(tài)法雖然能夠科學(xué)地評(píng)估不同初始幾何缺陷對(duì)單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的影響，但本身的數(shù)據(jù)計(jì)算量較大；而在分析具有穩(wěn)定承載力系數(shù)的總體試樣統(tǒng)計(jì)特征時(shí)，代表空間試樣N 的個(gè)數(shù)不能小于100；而N

二維鐵磁性材料在單層CrI3[4]和雙層Cr2Ge2Te6[5]中得到實(shí)現(xiàn)，這為進(jìn)一步研究二維鐵磁及其關(guān)鍵性質(zhì)提供了啟示。根據(jù)Mermin-Wagner 定理[6]，二維材料的本征長(zhǎng)程磁有序是不可能的，隨著厚度的減小，熱波動(dòng)越來越強(qiáng)烈；所幸的是，較強(qiáng)的磁各向異性能夠抵抗熱波動(dòng)，穩(wěn)定二維磁有序。鑭系稀土金屬元素通常具有大磁矩、強(qiáng)自旋軌道耦合(SOC)和特殊的4f 電子態(tài)，這對(duì)其磁性性質(zhì)及其在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用至關(guān)重要[7-9]。根據(jù)密度泛函理論(DFT)計(jì)算

接進(jìn)入肺表面活性單層膜[8,9]，可能會(huì)引起膜的相變、重組和溶解，從而導(dǎo)致人體疾病。因此，探索納米顆粒與生物膜分子之間的相互作用及其對(duì)人體產(chǎn)生的影響是一個(gè)亟需解決的課題[7]。研究中常用Langmuir技術(shù)模擬單層生物膜，分析納米顆粒的摻入對(duì)處于空氣-液體界面的模擬膜的影響。近年來，納米顆粒對(duì)脂質(zhì)單層膜結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)的影響受到廣泛關(guān)注[9-13]。Guzman分別研究了二氧化鈦(TiO2)[12]和二氧化硅(SiO2)[13]納米顆粒對(duì)DPPC單層膜界

了雙軸拉伸應(yīng)變對(duì)單層NbSi2N4 磁性的影響.聲子譜和分子動(dòng)力學(xué)的計(jì)算結(jié)果表明,單層NbSi2N4 結(jié)構(gòu)具有良好的動(dòng)力學(xué)與熱力學(xué)穩(wěn)定性.研究發(fā)現(xiàn)單層NbSi2N4為無磁金屬,1.5%的雙軸拉伸應(yīng)變可使其轉(zhuǎn)變?yōu)殍F磁金屬.對(duì)單層NbSi2N4 材料電子結(jié)構(gòu)的分析表明,拉伸應(yīng)變誘導(dǎo)的鐵磁性具有巡游電子起源: 當(dāng)不考慮自旋極化時(shí),單層NbSi2N4 在費(fèi)米能級(jí)處存在一條半滿的能帶,其主要由Nb 原子的dz2 軌道貢獻(xiàn),拉伸應(yīng)變可使其更局域化,進(jìn)而引起斯通納不穩(wěn)定

主族的Se原子對(duì)單層MoS2一側(cè)的S原子進(jìn)行替換，得到具有較強(qiáng)的壓電效應(yīng)的Janus結(jié)構(gòu)MoSSe[1,19]; Yu等在單層MoSi2N4中的Si原子和Mo原子分別替換為同族Ge和W原子，得到具有優(yōu)異的光催化分解水能力的Janus MoSiGeN4和Janus WSiGeN4[16]。最近，一種二維IVA-VA化合物材料單層SiP2被報(bào)道[20]，該材料是一種帶隙大小為2.39 eV的間接半導(dǎo)體，其載流子遷移率達(dá)到3.27×104cm2/(V·s)，光吸

氧化銅(CuO)單層[21-22]。同年，Lin等[23]成功制備了具有三角形納米孔洞陣列的硒化銅(CuSe)單層，進(jìn)一步研究顯示該材料是磁性原子、功能分子等選擇性吸附的理想模板，在高密度信息存儲(chǔ)方面有著巨大的潛力。隨后，具有一維摩爾條紋的CuSe單層[24]相繼被成功制備，在不考慮自旋軌道耦合(spin-orbit coupling, SOC)時(shí)CuSe單層具有狄拉克節(jié)線(Dirac nodal-line)拓?fù)涮匦浴?019年，Dong等[25]與Liu

被制備出來，其中單層過渡金屬硫 化 物（Transition metal dichalcogenides，TMDs）以其優(yōu)異的物化性質(zhì)受到廣泛的關(guān)注和研究［5-7］，單層TMDs 具有三原子層結(jié)構(gòu)，由于其不具有中心對(duì)稱性，因此具有壓電效應(yīng)［8-9］。關(guān)于TMDs的壓電效應(yīng)國內(nèi)外專家學(xué)者做了大量的研究工作。Duerloo 等［8］通過基于密度泛函理論（Density functional theory，DFT）DFT 的第一性原理計(jì)算了6 種單層TMDs 的

料,人們開始研究單層單硫族化合物[3-5]。單層單硫族化合物二維材料[6-9]因其優(yōu)異的性能和較強(qiáng)的抗氧化能力而受到人們的關(guān)注。鍺或錫的單硫族化合物具有鍺型斜方晶結(jié)構(gòu)(空間群為Pnma),與黑磷烯結(jié)構(gòu)類似[10]。二維硒化鍺(GeSe)材料已被證實(shí)在光電領(lǐng)域很有應(yīng)用潛力,因此,對(duì)GeSe二維化合物進(jìn)行系統(tǒng)研究非常必要[11]。到目前為止,基于GeSe納米片的光電行為的實(shí)驗(yàn)研究已有一些報(bào)道。有實(shí)驗(yàn)表明,具有良好光學(xué)帶隙的少層GeSe薄片可以有效地收集太陽光,

①復(fù)合式襯砌；②單層襯砌。目前初期支護(hù)與二次襯砌間設(shè)立防水層的復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)已經(jīng)在國內(nèi)項(xiàng)目中得到了廣泛應(yīng)用[1]。從襯砌結(jié)構(gòu)受力的角度進(jìn)行分析，復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)中初支與二襯間存在防水層，其結(jié)構(gòu)形式和力學(xué)機(jī)理相對(duì)比較明確，可以基于一些合理的假定和簡(jiǎn)化，進(jìn)行襯砌結(jié)構(gòu)的計(jì)算和設(shè)計(jì)[2-5]；以往的復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要基于荷載-結(jié)構(gòu)法，按照經(jīng)驗(yàn)確定初支與二襯的荷載分擔(dān)比[6]，或者采用二襯承擔(dān)所有荷載的設(shè)計(jì)方法，忽略了初支的支護(hù)作用，該設(shè)計(jì)方法具有一定的局限性。而

4 年,理論預(yù)言單層1T' 相過渡金屬硫族化合物是一類新型的二維量子自旋霍爾絕緣體.其中,以單層1T'-WTe2 為代表的材料體系具有原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、體帶隙顯著、拓?fù)湫再|(zhì)易于調(diào)控等許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),對(duì)低功耗自旋電子器件的發(fā)展具有重要的意義.本文總結(jié)了單層1T'-WTe2 在實(shí)驗(yàn)上的最新進(jìn)展,包括基于分子束外延生長(zhǎng)的材料制備,螺旋邊界態(tài)的探測(cè)及其對(duì)磁場(chǎng)的響應(yīng),摻雜、應(yīng)力等手段在單層1T'-WTe2 中誘導(dǎo)出的新奇量子物態(tài)等.也對(duì)單層1T'-WTe2 未來可能的應(yīng)

)過渡金屬硫化物單層具有直接帶隙,可產(chǎn)生較強(qiáng)的光致發(fā)光,這一特殊的性質(zhì)使其在光電器件、光電探測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景.由于只有原子級(jí)別的厚度以及存在激子的非輻射復(fù)合,其光致發(fā)光效率仍有待提高.本文設(shè)計(jì)了一種金膜-二氧化鈦光柵-過渡金屬硫化物單層組合結(jié)構(gòu),可大幅提升過渡金屬硫化物單層光致發(fā)光效率.利用Purcell 效應(yīng)對(duì)自發(fā)輻射速率進(jìn)行控制,得到峰值為3.4 倍的發(fā)光增強(qiáng).研究了單層二硫化鎢以及單層二硒化鎢在設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)上的光致發(fā)光信號(hào),通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了過渡金

半導(dǎo)體，當(dāng)剝離成單層結(jié)構(gòu)時(shí)，則轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體，帶隙為1.55 eV[8]. 在實(shí)驗(yàn)上，通常采用機(jī)械剝離，水熱，化學(xué)氣相沉積等方法[9-11]來制備單層MoSe2，Liu[12]等發(fā)現(xiàn)基于單層MoSe2構(gòu)建的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以取得高達(dá)104的電流開關(guān)比，體現(xiàn)了MoSe2優(yōu)異的電學(xué)性能；實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)還表明單層MoSe2在可見光范圍內(nèi)具有較強(qiáng)的光吸收能力[13]，同時(shí)王等研究發(fā)現(xiàn)MoSe2的光電轉(zhuǎn)換效率接近10%[14]，這進(jìn)一步顯示單層MoSe2在光電器件方

DFT）計(jì)算藍(lán)磷單層對(duì)小氣體分子H2S、SO2的氣敏特性，發(fā)現(xiàn)其具有很好的氣敏性能. Mao等[11]通過第一性原理計(jì)算，研究具有點(diǎn)缺陷工程的GeSe單層吸附有毒氣體（NH3、SO2和NO2）分子的結(jié)構(gòu)、穩(wěn)定性、狀態(tài)密度和功函數(shù)，發(fā)現(xiàn)氣體分子與GeSe單分子膜點(diǎn)缺陷之間的相互作用非常敏感，并使得GeSe的電子結(jié)構(gòu)和功函數(shù)變化極大，從而具有檢測(cè)性能.Rad等[12]通過密度泛函理論計(jì)算N摻雜石墨烯吸附SOx（x = 2, 3）分子的能力，發(fā)現(xiàn)SO2和SO3分

–HD)植被網(wǎng)與單層土工網(wǎng)得到了廣泛的應(yīng)用。PE–HD的硬度、拉伸強(qiáng)度和蠕變性均較強(qiáng)。近年來，以PE–HD的高分子聚合物片材為主要材料的纖維土工網(wǎng)成為一種新興的有效加固措施。PE–HD 料經(jīng)過機(jī)械設(shè)備的特定生產(chǎn)方法加工，即可得到PE–HD 植被網(wǎng)與單層土工網(wǎng)。PE–HD 單層土工網(wǎng)具有防滲與隔離性能良好、結(jié)晶度高、樹脂密度大、化學(xué)物理穩(wěn)定性優(yōu)、抗拉性能較強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，成為邊坡防護(hù)的重要材料[1]。根據(jù)構(gòu)成材料形式的不同，PE–HD 纖維單層土工網(wǎng)的分類越來越多

梯度電流條件下的單層堆焊試驗(yàn)，研究了電流對(duì)堆焊層化學(xué)成分、鐵素體數(shù)FN的影響規(guī)律，并分析堆焊層微觀組織。國產(chǎn)單層電渣堆焊焊材在不同電流下具有良好的焊接工藝性，焊后自動(dòng)脫渣，堆焊層具有良好的平整度及直線度。理化性能結(jié)果顯示，不同電流水平下的化學(xué)成分、鐵素體、硬度、側(cè)彎、晶間腐蝕、氫剝離結(jié)果均滿足技術(shù)條件要求。在堆焊厚度相同的條件下，隨著焊接電流增大及焊接速度加快，熔深及稀釋率增大，堆焊層主要合金元素中Cr、Ni含量下降，鐵素體含量降低，工程應(yīng)用中可通過調(diào)節(jié)焊

陣列單元采用的是單層多諧振平行偶極子形式，通過優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)，得到寬頻帶范圍內(nèi)較線性的反射相位響應(yīng)及較大的相位變化區(qū)間。在此單元的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一個(gè)口徑480mm的共40×40個(gè)單元的反射陣天線，天線在Ku頻帶內(nèi)具有穩(wěn)定的增益及較低的副瓣電平。【關(guān)鍵詞】? ? 衛(wèi)星通信? ? 寬帶? ? 單層? ? 反射相位引言反射陣天線是將拋物反射面天線平面化并結(jié)合陣列天線的若干優(yōu)點(diǎn)而形成的一種新的天線類型。相比于彎曲的拋物反射面天線，反射陣天線因其平面化的結(jié)構(gòu)而更易于加

化學(xué)鍍層，但由于單層Ni-P 鍍層的耐腐蝕性能與其孔隙率密切相關(guān)，只有當(dāng)鍍層覆蓋完整、孔隙率較低的情況下才能起到良好的防護(hù)作用。近年來，雙層鍍層受到越來越多的關(guān)注。張祖軍等［1］在鋁合金表面制備了以Ni-P鍍層為底層、Ni-B鍍層為表層的雙層鍍層，高榮杰等［2］在Q235B鋼表面制備了兩種高磷Ni-P 鍍層緊密堆疊的雙層鍍層，趙丹等［3］在 Q235 鋼表面制備了以Ni-P 鍍層為底層、Ni-Zn-P 鍍層為表層的雙層鍍層，王良洪等［4］在7075 鋁合金

層袋、白色微透光單層袋、雙層袋黃袋轉(zhuǎn)白色微透光單層袋、白色單層無紡布袋和不套袋5種處理后杧果品質(zhì)差異。結(jié)果表明，套袋能明顯改變杧果果實(shí)的外觀品質(zhì)，減少果皮擦傷，增加果面光潔度。3種果袋透光率內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋＜白色微透光單層袋＜白色單層無紡布袋，內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋、白色微透光單層袋、內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋轉(zhuǎn)白色微透光單層袋的L*、c*和b*值增加有利于果皮亮度、飽和度的增加，果實(shí)偏黃呈黃色或黃綠色。套白色單層無紡布袋的a*值最大，最有利于熱農(nóng)1號(hào)杧

現(xiàn)出半導(dǎo)體性能，單層WS2厚度僅為0.618 nm，是一種直接帶隙材料，其帶隙約為2.0 eV，在帶隙邊存在極強(qiáng)的吸收峰[15-17]。不同層數(shù)的WS2表現(xiàn)出不一樣的光電性質(zhì)[18]。就光電探測(cè)器應(yīng)用而言，如何增強(qiáng)WS2的光吸收進(jìn)而提高器件的光響應(yīng)率是一大關(guān)鍵。國內(nèi)外學(xué)者在增強(qiáng)單層WS2光吸收方面做了一些探索。Cao等[19]在Si襯底上采用Ag納米光柵和分布式布拉格反射器 (DBR) 增強(qiáng)單層WS2的光吸收。系統(tǒng)研究了DBR周期、Ag納米光柵高度和周期、

的關(guān)注.常溫下的單層黑磷空穴遷移率可達(dá)1000 cm2V-1s-1 [11-14].與石墨烯和TMDs相比，黑磷具有直接帶隙，帶隙隨著黑磷層數(shù)的增加而減小，單層黑磷帶隙為1.51 eV，塊狀黑磷帶隙為0.3 eV[15]，這使得我們可以通過改變黑磷晶體層數(shù)來獲得理想的帶隙.對(duì)于黑磷的研究已經(jīng)有很多.劉遠(yuǎn)全[16]等人利用第一性原理研究了Fe、Co、Ni在P位吸附和摻雜磷烯的性質(zhì)，發(fā)現(xiàn)Co在P位的吸附的穩(wěn)定性強(qiáng)于Fe、Ni.大多數(shù)材料都可以通過應(yīng)變工程改變其

大量研究，少層或單層MoTe2[13-15]已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室通過化學(xué)氣相沉積方法成功制備.但是，采用這些方法制備的MoTe2結(jié)構(gòu)中不可避免地會(huì)出現(xiàn)各種缺陷.TEM和STEM圖像顯示，在所制備的MoTe2樣品中存在多種空位缺陷，這些空位對(duì)MoTe2材料的穩(wěn)定性起著重要作用[16-18].空位的出現(xiàn)也有可能對(duì)材料電子和光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生顯著影響[19-20].然而，對(duì)空位摻雜的單層MoTe2，特別是1T′MoTe2還缺乏系統(tǒng)的研究.因此，本文擬對(duì)空位缺陷摻雜單層1H和1

10]. 但對(duì)于單層的二硫化鉬(monolayer MoS2); 其結(jié)構(gòu)與石墨烯的結(jié)構(gòu)相似, 這種似石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)使二硫化鉬在眾多領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用[3-8], 如在晶體管制造業(yè)、儲(chǔ)能材料以及器件、電池、電化學(xué)、催化劑等領(lǐng)域都蘊(yùn)藏著巨大的應(yīng)用價(jià)值[5-14]. 為此, 研究者們對(duì)單層二硫化鉬材料進(jìn)行了研究. 例如李剛等[1]用Se摻雜單層MoS2研究了摻雜的能帶結(jié)構(gòu)和光吸特性, 并分析了對(duì)其光解水性質(zhì)的影響; 陶鵬程等[2]討論了鹵族元素?fù)诫s對(duì)金屬-

，隨著工業(yè)發(fā)展對(duì)單層工業(yè)廠房的要求越來越高，現(xiàn)在的工業(yè)建筑朝著超大層高、大跨度、大柱距、大噸位吊車的方向發(fā)展，為適應(yīng)當(dāng)前工業(yè)廠房的發(fā)展水平，應(yīng)當(dāng)對(duì)這類單層超大層高大跨重載工業(yè)建筑結(jié)構(gòu)體系及其快速建造關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行深入的研究和探索。本文首先介紹了大跨度工業(yè)廠房的鋼結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，分析了鋼結(jié)構(gòu)工業(yè)廠房安裝的準(zhǔn)備工作，并結(jié)合相關(guān)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，介紹超大層高大跨重載鋼結(jié)構(gòu)工業(yè)廠房快速建造關(guān)鍵技術(shù)。關(guān)鍵詞：單層;超大層高;大跨度;重載工業(yè)廠房;鋼結(jié)構(gòu);快速建造DOI：10.16

到修改稿)用氫對(duì)單層二維過渡金屬硫化物(TMDs)進(jìn)行功能化是調(diào)節(jié)單層TMDs電子性質(zhì)的既有效又經(jīng)濟(jì)的方法. 采用密度泛函理論, 對(duì)單層TMDs (MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te))的穩(wěn)定性和電子性質(zhì)進(jìn)行理論研究, 發(fā)現(xiàn)在單層MX2的層間有一個(gè)比其表面更穩(wěn)定的氫吸附位點(diǎn). 當(dāng)同陽離子時(shí), 隨著陰離子原子序數(shù)的增加, H原子與MX2層的結(jié)合越強(qiáng), 氫化單層MX2結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定; 相反, 同陰離子時(shí), 隨著陽離子原子序數(shù)的增加, H原子

其層數(shù)由高降低至單層可使其能帶結(jié)構(gòu)從間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋丁?span id="mq8i8ym" class="hl">單層TMDs的光激發(fā)過程中的基本粒子為激子[9-10]，即庫侖力束縛下的電子空穴對(duì)，包括中性和帶電激子兩類。其中中性激子(X0激子)由庫侖力束縛下的一個(gè)電子和一個(gè)空穴組成；帶電激子又包括了一個(gè)電子和兩個(gè)空穴組成的正電激子(X+激子)，和一個(gè)空穴兩個(gè)電子組合而成的負(fù)電激子(X-激子)。由于強(qiáng)烈的量子限域效應(yīng)、較大的載流子有效質(zhì)量和較弱的介電屏蔽作用，單層TMDs具有可達(dá)數(shù)百meV量級(jí)的激子結(jié)合能，比

41000）1 單層二硫化鉬簡(jiǎn)介二硫化鉬是一種典型的層狀過渡金屬硫族化合物，化學(xué)式是。單層層內(nèi)的Mo原子和S原子之間通過較強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合形成二維六角格子，類似于石墨烯，如圖1（b）所示，結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定。每個(gè)Mo原子被位于三棱柱頂點(diǎn)的六個(gè)S原子包圍，也就是說每個(gè)單層包含一層Mo原子和上下兩層 S原子，形成類“三明治”結(jié)構(gòu),如圖1（a）所示。圖1 單層MoS2的導(dǎo)帶低和價(jià)帶頂位于二維六角布里淵區(qū)的頂點(diǎn)處（K點(diǎn)），如圖2所示。對(duì)于位于點(diǎn)附近的低能量載流子而言，兩個(gè)

大跨多曲鼓形節(jié)點(diǎn)單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)體系，其支點(diǎn)依附在東西主樓的兩側(cè)鋼筋混凝土框架上，俯視看為多段弧形線條，立面看為多曲變化的曲面，其結(jié)構(gòu)重心偏移結(jié)構(gòu)本身，結(jié)構(gòu)平面外剛度弱，無法采用傳統(tǒng)鋼結(jié)構(gòu)散拼、整體吊裝等施工方法，本文結(jié)合結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并充分考慮現(xiàn)場(chǎng)施工環(huán)境采用胎架支撐、分層分階的施工技術(shù)。由于本結(jié)構(gòu)重心偏移，需考慮網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)本生撓度和側(cè)向變形影響，應(yīng)預(yù)留網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的變形值確保建筑外觀效果。通過此文希望對(duì)其他同類型結(jié)構(gòu)的安裝起到一定借鑒作用。關(guān)鍵詞：大跨度；單層；網(wǎng)殼

王 嵐 編譯單層碳納米管的功能化對(duì)轎車輪胎胎面膠料及其硫化膠性能的影響王 嵐 編譯文中重點(diǎn)研究了單層碳納米管經(jīng)功能化處理后，對(duì)胎面膠料及其硫化膠性能的影響。試驗(yàn)表明，向轎車輪胎胎面膠中添加羧基化單層碳納米管后，100%和300%定伸應(yīng)力提高，拉伸強(qiáng)度和撕裂強(qiáng)度無甚變化，伸長(zhǎng)率減小，硬度和固特里奇生熱增大，耐磨耗性有所下降。單層碳納米管；羧基化；胎面膠；磨耗在輪胎橡膠中應(yīng)用單層碳納米管，是其頗有發(fā)展前景的用途之一。文中的研究旨在弄清楚經(jīng)受了不同功能化處理的單

材料多向?qū)雍习逯?span id="ae0mgy0" class="hl">單層力學(xué)性能不同于單向板力學(xué)性能，表現(xiàn)出明顯的就位特性。文章采用能量準(zhǔn)則法和經(jīng)驗(yàn)公式法對(duì)復(fù)合材料層合板中90°層的就位特性進(jìn)行了評(píng)述，基于試驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)這兩類方法進(jìn)行了分析。結(jié)果顯示，能量準(zhǔn)則法很好預(yù)測(cè)了薄90°就位層的就位橫向拉伸強(qiáng)度，而對(duì)厚90°就位層預(yù)測(cè)能力弱；由于面內(nèi)剪切損傷機(jī)理復(fù)雜，兩種方法對(duì)就位剪切強(qiáng)度的預(yù)測(cè)誤差較大。關(guān)鍵詞：復(fù)合材料；層合板；單層；就位效應(yīng)；分析中圖分類號(hào)：V262 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：2095-2945（2

層結(jié)構(gòu)的隔熱屏的單層鉬圓片變形問題，提供一種多層結(jié)構(gòu)鉬隔熱屏，包括多個(gè)單層鉬圓片，各單層鉬圓片上設(shè)置有通孔，各單層鉬圓片上設(shè)置有支撐各相鄰單層鉬圓片的凸軌，通孔中穿有兩端設(shè)有緊固支撐鉬螺桿。優(yōu)選的，所述設(shè)置在單層鉬圓片上的通孔有若干個(gè)，各通孔兩端鄰近位置各設(shè)置有一道凸軌，所述凸軌用于支撐和固定相鄰鉬圓片，其中，凸軌處壓制成半圓形，使得相鄰鉬圓片之間還留有縫隙；優(yōu)選的，所述鉬螺桿下方設(shè)置成直角彎曲狀，并留有一段支撐鉬螺桿，用于構(gòu)成對(duì)鉬隔熱屏底部支撐架，螺桿上

，包括：儲(chǔ)物室、單層籠、給食槽、給水槽、給食管、給水管、排食管、排水管，所述儲(chǔ)物室設(shè)在若干單層籠頂部，每個(gè)單層籠上設(shè)有給食槽、給水槽，給食管、給水管、排食管、排水管貫穿連接若干單層籠，給食槽連接給食管、排食管，給水槽連接給水管排水管，給食槽、給水槽連接儲(chǔ)物室。本實(shí)用新型通過給食管、給水管、排食管、排水管貫穿連接若干單層籠可以實(shí)現(xiàn)對(duì)每層食物、水的定量供給，而且通過排食管、排水管可以及時(shí)把污染過的食物和水及時(shí)排出，保證籠內(nèi)清潔，從而保證鳥兒好的心情，避免生病，

的方法成功剝離出單層MoS2[10]．近年來,通過溶劑[11]或裂解[12]的方法制備單層MoS2的方法也有報(bào)道．如今,作為典型的類石墨烯單層過渡金屬化合物,單層MoS2憑借其優(yōu)秀的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)在輔助石墨烯甚至替代石墨烯上有著很好的前景,在晶體管制造[13]和電子探針的應(yīng)用[14]等方面也受到人們的關(guān)注．MoS2是間接帶隙半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為1.29 eV[15],而單層MoS2則是直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為1.8 eV[11]．到目前為止,對(duì)于

，此種現(xiàn)象定義為單層突進(jìn)，是層間矛盾的突出體現(xiàn)。單層突進(jìn)極易形成低效或無效注采循環(huán)現(xiàn)象，導(dǎo)致油層動(dòng)用不均衡，加快含水上升和產(chǎn)量遞減速度。因此，研究非均質(zhì)油層單層突進(jìn)的形成原因及相應(yīng)的調(diào)整對(duì)策具有重要意義[1]。統(tǒng)計(jì)H油田2001年以來的7410井次注入剖面資料，共有57914層（次）相對(duì)吸水量大于0，平均單層相對(duì)吸水12.80%。從分布頻率來看，以低于10%的為主，從累計(jì)分布曲線來看，90%以上的油層相對(duì)吸水量低于30%（圖1）。圖1 H油田油層相對(duì)吸水量

SiO2納米顆粒單層膜流變特性的雙Wilhelmy片法研究*臧渡洋1)張永建2)Langevin Dominique3)1)(空間應(yīng)用物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院，西安710072) 2)(西北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院，西安710072) 3)(Laboratoire de Physique des Solides，UniversitéParis-Sud，UMR CNRS 8502，Batiment 510，91405 Orsay cedex，F(xiàn)

083)0 前言單層索網(wǎng)體系是點(diǎn)支式柔性支承玻璃幕墻結(jié)構(gòu)中的一種新型體系,以其建筑結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)捷、輕盈美觀、通透性好等優(yōu)點(diǎn)深受建筑師的青睞,應(yīng)用廣泛[1-2]。單層平面索網(wǎng)作為一種新型預(yù)張力結(jié)構(gòu)體系,具有柔性大、質(zhì)量輕、阻尼小、自振頻率低的特點(diǎn),屬風(fēng)敏感結(jié)構(gòu)[3-4]。有很多學(xué)者針對(duì)單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)振動(dòng)特性開展了深入研究,文獻(xiàn)[5-6]研究了單層索網(wǎng)體系固有振動(dòng)特性,文獻(xiàn)[7-10]研究了單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)動(dòng)力特性,文獻(xiàn)[11-12]研究了單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)的風(fēng)振響