肖特基
- 二維鎳配位聚合物(Ni-CP)和Ag@Ni-CP肖特基結(jié)的制備及其光催化降解陽(yáng)離子染料
馬志虎 任宜霞 王智香 張美麗 王記江(陜西省化學(xué)反應(yīng)工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，新能源新功能材料實(shí)驗(yàn)室，延安大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院，延安 716000)Metal-organic coordination polymers (M-CPs)have attracted wide attention from researchers due to their regulatory structural features and wide application prospe
無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào) 2023年10期2023-10-19
- 氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展
（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測(cè)器）被大會(huì)接收。IEEE IEDM是一個(gè)年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì)議，是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級(jí)論壇，其與ISSCC、VLSI并稱(chēng)為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”。如何開(kāi)發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場(chǎng)是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。龍世兵課題組基于氧化鎵異質(zhì)PN結(jié)的前期
河南科技 2022年24期2023-01-21
- 外電場(chǎng)和雙軸應(yīng)變對(duì)MoSH/WSi2N4肖特基結(jié)勢(shì)壘的調(diào)控*
SH/WSN 肖特基結(jié).在實(shí)際的金屬-半導(dǎo)體接觸應(yīng)用中,肖特基勢(shì)壘的存在嚴(yán)重降低了器件的性能.因此,獲得較小的肖特基勢(shì)壘甚至是歐姆接觸至關(guān)重要.本文使用第一性原理計(jì)算研究了在外電場(chǎng)和雙軸應(yīng)變作用下MSH/WSN 肖特基結(jié)勢(shì)壘的變化.計(jì)算結(jié)果表明,外電場(chǎng)和雙軸應(yīng)變均可以有效地調(diào)控MSH/WSN肖特基結(jié)勢(shì)壘.正向外電場(chǎng)能實(shí)現(xiàn)MSH/WSN 肖特基結(jié)p 型與n 型肖特基接觸之間的動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)化,而負(fù)向外電場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)MSH/WSN 肖特基結(jié)向歐姆接觸的轉(zhuǎn)化.此外,較大的雙
物理學(xué)報(bào) 2022年21期2022-11-14
- 1 nm Al 插入層調(diào)節(jié) NiGe/n-Ge 肖特基勢(shì)壘*
n 型鍺接觸的肖特基勢(shì)壘高度的影響.采用正向 I-V 法、Cheung 法和 Norde 法分別提取了鎳化鍺與n 型鍺接觸的肖特基二極管的串聯(lián)電阻、勢(shì)壘高度和理想因子.研究表明,在鎳和鍺襯底之間引入1 nm 鋁插入層,能夠有效降低勢(shì)壘高度,且其能夠在 350 ℃—450 ℃ 保持穩(wěn)定.1 引言隨著超大規(guī)模集成電路發(fā)展到納米節(jié)點(diǎn),硅(Si)材料逼近其物理極限,短溝道效應(yīng)、隧穿效應(yīng)等對(duì)器件性能的影響愈發(fā)嚴(yán)重.為了維持摩爾定律,需要新材料、新工藝和新結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)晶
物理學(xué)報(bào) 2022年20期2022-10-27
- 2.45 GHz 微波無(wú)線(xiàn)能量傳輸用Ge 基雙通道整流單端肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管*
究的重要方向.肖特基二極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管是目前主流整流器件,但二者整流范圍有限,無(wú)法實(shí)現(xiàn)兼顧弱能量和中等能量密度的寬范圍整流.有鑒于此,本文提出并設(shè)計(jì)了2.45 GHz 微波無(wú)線(xiàn)能量傳輸用Ge 基p 型單端肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管(源端為肖特基接觸,漏端為標(biāo)準(zhǔn)p+摻雜).在此基礎(chǔ)上,充分利用器件的肖特基結(jié)構(gòu),采用新型二極管連接方式,以實(shí)現(xiàn)不同偏壓下開(kāi)啟的溝道和源襯肖特基結(jié)構(gòu)的雙通道寬范圍整流.采用Silvaco TCAD 軟件進(jìn)行仿真,對(duì)于負(fù)載為0.3 pF
物理學(xué)報(bào) 2022年20期2022-10-27
- 半導(dǎo)體物理學(xué)課程課內(nèi)創(chuàng)新實(shí)踐探究
——以金屬/半導(dǎo)體的肖特基接觸為例
和半導(dǎo)體接觸的肖特基勢(shì)壘高度計(jì)算為例，借助第一性原理軟件工具模擬計(jì)算，指導(dǎo)學(xué)生分組完成實(shí)踐報(bào)告。通過(guò)創(chuàng)新實(shí)踐的鍛煉，學(xué)生能夠更好地理解這些概念及背后所涉及的生產(chǎn)實(shí)際，緊跟半導(dǎo)體科學(xué)的發(fā)展趨勢(shì)。一、課內(nèi)創(chuàng)新實(shí)踐設(shè)計(jì)——以二維磷化砷/石墨烯的肖特基勢(shì)壘計(jì)算為例（一）實(shí)踐背景在半導(dǎo)體物理學(xué)課程第七章節(jié)中，金屬和半導(dǎo)體的接觸是很重要的一部分內(nèi)容。這部分內(nèi)容包括金屬與半導(dǎo)體的整流接觸（肖特基接觸）和非整流接觸（歐姆接觸）。很多半導(dǎo)體器件的特性都和接觸界面性質(zhì)相關(guān)。例
高教學(xué)刊 2022年29期2022-10-18
- 基于表面勢(shì)的增強(qiáng)型p-GaN HEMT器件模型
耗盡，缺乏考慮肖特基金屬/p-GaN結(jié)的物理特性，并且柵壓公式直接給出，缺乏物理意義，甚至沒(méi)有針對(duì)p-GaN柵進(jìn)行柵電流建模［4～7］.本文建立基于表面勢(shì)的增強(qiáng)型p-GaN HEMT 器件SPICE 模型，充分考慮p-GaN 層的摻雜效應(yīng)和柵結(jié)構(gòu)金屬/p-GaN 結(jié)與p-GaN/AlGaN/GaN 結(jié)物理特性的影響，將解析公式與基于表面勢(shì)的ASM 模型內(nèi)核相結(jié)合，準(zhǔn)確實(shí)現(xiàn)了包括轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、柵電容以及柵電流在內(nèi)的p-GaN HEMT 器件的電學(xué)特性，
電子學(xué)報(bào) 2022年5期2022-07-07
- 基于肖特基接觸的半導(dǎo)體在機(jī)電轉(zhuǎn)換方面的應(yīng)用
有廣泛的應(yīng)用。肖特基二極管是目前使用最多的非線(xiàn)性器件[2],1938 年德國(guó)的Schottky 提出了第一個(gè)金屬與半導(dǎo)體交界面的理論模型,即Schottky-Mott 模型[3],對(duì)肖特基結(jié)做了科學(xué)的解釋。之后學(xué)者們又相繼提出了Bardeen模型[4]、有效功函數(shù)模型[5]等來(lái)解釋肖特基勢(shì)壘的形成機(jī)制。肖特基器件的輸出性能對(duì)金屬-半導(dǎo)體之間界面的載流子傳輸機(jī)制有著非常重要的影響[6]。經(jīng)過(guò)不斷的研究,2006 年以王中林等[7]為代表,利用半導(dǎo)體與金屬形成
電子元件與材料 2022年5期2022-06-14
- 非金屬元素(F, S, Se, Te)摻雜對(duì)ZnO/graphene肖特基界面電荷及肖特基調(diào)控的理論研究
結(jié)合起來(lái)應(yīng)用于肖特基二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、光電器件和集成電路已成為研究熱點(diǎn)[15-16]。研究者通過(guò)設(shè)計(jì)二維異質(zhì)結(jié)層間結(jié)構(gòu)可以構(gòu)造出性能優(yōu)異的光電器件。如果將ZnO和graphene有機(jī)結(jié)合起來(lái)，不僅可以為graphene提供載體，還能彌補(bǔ)ZnO自身導(dǎo)電性能方面的不足，因此，開(kāi)展ZnO/graphene異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料的研究具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。目前，人們對(duì)ZnO/graphene異質(zhì)結(jié)進(jìn)行了研究。如Xu等[17]通過(guò)第一性原理對(duì)ZnO/graphene異質(zhì)結(jié)
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年4期2022-05-17
- rGO-AuNPs/n-Si的肖特基接觸特性研究*
導(dǎo)體接觸可形成肖特基異質(zhì)結(jié)，具有整流特性，這與傳統(tǒng)金屬電荷運(yùn)輸無(wú)法改變費(fèi)米能級(jí)截然不同，石墨烯的費(fèi)米能級(jí)可以通過(guò)載流子運(yùn)輸自適應(yīng)偏移[2]，也可通過(guò)化學(xué)摻雜來(lái)控制[3-4]，進(jìn)而改變接觸界面的勢(shì)壘高度。其次石墨烯憑借高導(dǎo)電性、高電荷載流子遷移率、低成本、可制備薄膜電極等優(yōu)勢(shì)，具有巨大的研究潛力?，F(xiàn)有研究表明將石墨烯與Si[3,5]、ZnO[6]、GaN[7]、Ge、GaAs[8]、CdSe等典型半導(dǎo)體材料進(jìn)行接觸，可進(jìn)一步提高光電探測(cè)器[9]、發(fā)光二極管[
功能材料 2022年3期2022-04-11
- 硅肖特基結(jié)自濾波窄帶近紅外光探測(cè)器的研究
來(lái),硅/石墨烯肖特基二極管廣泛用于構(gòu)建光伏和高性能光電探測(cè)器,原因如下:① 這種簡(jiǎn)單的器件結(jié)構(gòu)易于在平面硅上實(shí)現(xiàn),肖特基結(jié)的勢(shì)壘可以通過(guò)控制硅的濃度進(jìn)行調(diào)控;② 硅/石墨烯肖特基二極管與成熟的平臺(tái)硅工藝兼容,具有將光探測(cè)器和讀出電路集成的潛力。當(dāng)前報(bào)道的硅/石墨烯肖特基二極管光電探測(cè)器都是寬光譜響應(yīng),對(duì)窄帶響應(yīng)有待于深入研究[8-9]。本文首次采用Silvaco TCAD設(shè)計(jì)了光譜可調(diào)的硅/石墨烯肖特基二極管窄帶近紅外光探測(cè)器,并利用濕法轉(zhuǎn)移石墨烯電極構(gòu)建
- 勢(shì)壘可調(diào)的氧化鎵肖特基二極管*
延薄層對(duì)氧化鎵肖特基二極管的勢(shì)壘調(diào)控.模擬結(jié)果顯示,當(dāng)n型氧化鎵外延厚度為5 nm、摻雜濃度為2.6×1018 cm—3 時(shí),肖特基二極管縱向電流密度高達(dá)496.88 A/cm2、反向擊穿電壓為182.30 V、導(dǎo)通電阻為0.27 mΩ·cm2,品質(zhì)因子可達(dá)123.09 MW/cm2.進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)肖特基二極管的性能與n+外延層厚度和濃度有關(guān),其電流密度隨n+外延層的厚度和濃度的增大而增大.分析表明,n+外延層對(duì)勢(shì)壘的調(diào)控在于鏡像力、串聯(lián)電阻及隧穿效應(yīng)綜合
物理學(xué)報(bào) 2022年3期2022-02-17
- 非對(duì)稱(chēng)氧摻雜對(duì)石墨烯/二硒化鉬異質(zhì)結(jié)肖特基勢(shì)壘的調(diào)控*
件中,制造低的肖特基勢(shì)壘仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn).本文采用密度泛函理論研究了非對(duì)稱(chēng)氧摻雜對(duì)石墨烯/二硒化鉬異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和電學(xué)性質(zhì)的影響.結(jié)果表明石墨烯與二硒化鉬形成了穩(wěn)定的范德瓦耳斯異質(zhì)結(jié),同時(shí)保留了各自的電學(xué)特性,并且形成了0.558 eV 的n 型肖特基勢(shì)壘.此外,能帶和態(tài)密度數(shù)據(jù)表明非對(duì)稱(chēng)氧摻雜可以調(diào)控石墨烯/二硒化鉬異質(zhì)結(jié)的肖特基接觸類(lèi)型和勢(shì)壘高度.當(dāng)氧摻雜在界面內(nèi)和界面外時(shí),隨著摻雜濃度的增大,肖特基勢(shì)壘高度都逐漸降低.特別地,當(dāng)氧摻雜在界面外
物理學(xué)報(bào) 2022年1期2022-01-19
- 肖特基二極管銀遷移失效機(jī)理分析和研究
開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中肖特基二極管的銀遷移失效案例，闡述了在插件封裝半導(dǎo)體器件中的銀遷移失效機(jī)理，并給出分析方法和預(yù)防措施。1 銀遷移失效機(jī)理電子元件的遷移根據(jù)發(fā)生環(huán)境的不同有兩種表現(xiàn)形式。電遷移是一種在相對(duì)較高溫度（150℃）的干燥環(huán)境中發(fā)生電子動(dòng)量傳遞的固態(tài)遷移，離子遷移是發(fā)生在周?chē)鷾囟鹊陀?00℃的潮濕環(huán)境中[2]。離子遷移是由于電流使電離產(chǎn)生的少數(shù)離子在導(dǎo)體中產(chǎn)生流動(dòng)，當(dāng)關(guān)閉施加電壓后，離子進(jìn)行隨機(jī)的熱擴(kuò)散現(xiàn)象。本文闡述的銀遷移屬于離子遷移的表現(xiàn)形式，受溫
電子技術(shù)與軟件工程 2021年16期2021-11-03
- 超級(jí)結(jié)JBS二極管特性的仿真分析
二極管的陽(yáng)極由肖特基接觸和周?chē)腜 柱區(qū)組成；N 柱區(qū)域在肖特基接觸的下方，并且與P 柱區(qū)域形成復(fù)合耐壓層，底部N垣區(qū)域作為器件的襯底，并引出陰極。圖1 硅超級(jí)結(jié)JBS 二極管結(jié)構(gòu)當(dāng)該超級(jí)結(jié)JBS 二極管工作在正向?qū)顟B(tài)時(shí)，如果P 柱區(qū)的間距合理，在肖特基接觸下方存在未耗盡的區(qū)域，此區(qū)域可以進(jìn)行單極傳導(dǎo)。因?yàn)楣杵骷耐☉B(tài)壓降為0.45V，小于PN 結(jié)開(kāi)啟電壓，所以二極管兩端的壓降不足以使PN 結(jié)導(dǎo)通，從而可以令器件依然保持肖特基二極管的正向特性；也正因?yàn)?/div>
微處理機(jī) 2021年4期2021-09-03
- CdS紫外探測(cè)器芯片的制備研究
了Pt/CdS肖特基紫外探測(cè)器研究，通過(guò)對(duì)CdS晶片表面處理工藝、Pt電極制備及紫外芯片退火等關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化研究，并對(duì)Pt/CdS肖特基紫外探測(cè)器性能進(jìn)行測(cè)試分析。測(cè)試結(jié)果表明：Pt/CdS肖特基紫外探測(cè)器在0.3～0.5mm下響應(yīng)率大于0.2A/W，對(duì)3～5mm紅外波長(zhǎng)的平均透過(guò)率大于80%，很好地滿(mǎn)足了紫外-紅外雙色探測(cè)器中的工程化應(yīng)用要求。Pt/CdS；肖特基；紫外探測(cè)器；-特性0 引言隨著紅外技術(shù)的日趨成熟，紫外探測(cè)技術(shù)在軍事、醫(yī)學(xué)和生物學(xué)等方面紅外技術(shù) 2021年8期2021-08-31
- Ka頻段模擬預(yù)失真線(xiàn)性化器設(shè)計(jì)
非線(xiàn)性補(bǔ)償量的肖特基二極管，該技術(shù)在不但結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定，而且具有工作頻帶寬、易于集成與工程實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)，適用于毫米波頻段下的射頻電路設(shè)計(jì)[8]。本文使用ADS 2020軟件針對(duì)經(jīng)典反射式模擬預(yù)失真電路進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，并用ANSYS對(duì)其無(wú)源結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模仿真，驗(yàn)證新型模擬預(yù)失真電路的幅度擴(kuò)張與相位壓縮效果。1 模擬預(yù)失真器技術(shù)原理預(yù)失真技術(shù)的原理是在功率放大器的前端設(shè)置預(yù)失真單元，該單元在射頻信號(hào)輸入時(shí)產(chǎn)生一個(gè)非線(xiàn)性的預(yù)失真信號(hào)，由于預(yù)失真單元與功率放大器的非通信電源技術(shù) 2021年2期2021-05-21
- 晶格匹配InAlN/GaN 異質(zhì)結(jié)肖特基接觸反向電流的電壓與溫度依賴(lài)關(guān)系*
GaN 異質(zhì)結(jié)肖特基接觸的反向變溫電流?電壓特性曲線(xiàn), 研究了反向漏電流的偏壓與溫度依賴(lài)關(guān)系.結(jié)果表明: 1)電流是電壓和溫度的強(qiáng)函數(shù), 飽和電流遠(yuǎn)大于理論值, 無(wú)法采用經(jīng)典熱發(fā)射模型解釋; 2)在低偏壓區(qū), 數(shù)據(jù)滿(mǎn)足 l n(I/E)-E1/2 線(xiàn)性依賴(lài)關(guān)系, 電流斜率和激活能與Frenkel?Poole 模型的理論值接近, 表明電流應(yīng)該為FP 機(jī)制占主導(dǎo); 3)在高偏壓區(qū), 數(shù)據(jù)滿(mǎn)足 l n(I/E2)-E?1 線(xiàn)性依賴(lài)關(guān)系, 電流斜率不隨溫度改變,物理學(xué)報(bào) 2021年7期2021-05-07
- Application of Ag/ZnO composite materials in nitrogen photofixation: Constructing Schottky barrier to realized effective charge carrier separation
中的應(yīng)用：構(gòu)造肖特基勢(shì)壘以實(shí)現(xiàn)有效的電荷載流子分離肖 宇，歐陽(yáng)宇欣，辛 月，王梁炳*(中南大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院 粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長(zhǎng)沙 410083)將氮?dú)?N2)光催化還原為氨(NH3)是一種可持續(xù)的能源生產(chǎn)方法。等離激元共振光催化劑能夠通過(guò)表面等離激元共振效應(yīng)實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能的有效轉(zhuǎn)化，也因此受到越來(lái)越廣泛的關(guān)注。然而，熱載流子往往會(huì)在催化固氮的過(guò)程中發(fā)生重新結(jié)合。本研究將具有等離激元共振效應(yīng)的Ag納米粒子與ZnO半導(dǎo)體復(fù)合(Ag/ZnO)并應(yīng)用于貴金屬 2021年4期2021-04-06
- 一種肖特基二極管氫氣傳感器芯體
發(fā)明公開(kāi)了一種肖特基二極管氫氣傳感器芯體。所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體由4層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電引線(xiàn)構(gòu)成，4層結(jié)構(gòu)依次是氫氣裂解金屬層、羥基擴(kuò)散阻隔層、半導(dǎo)體層和集流體層，從氫氣裂解金屬層和集流體層分別引出導(dǎo)電引線(xiàn)。本發(fā)明中所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體具有室溫下抗?jié)穸雀蓴_的特殊性能，室溫下氣體環(huán)境中的水蒸氣不會(huì)降低所述肖特基二極管氫氣傳感器芯體對(duì)氫氣的靈敏度，克服了現(xiàn)有無(wú)羥基擴(kuò)散阻隔層的普通氫氣裂解金屬層/半導(dǎo)體層肖特基二極管氫氣傳感器芯體在室溫下濕度降低其氫敏傳感器世界 2021年7期2021-03-27
- InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子帶系綜蒙特卡洛模擬
彥InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子帶系綜蒙特卡洛模擬李金培 杜剛 劉力鋒 劉曉彥?北京大學(xué)微電子學(xué)研究院, 北京 100871; ?通信作者, E-mail: xyliu@ime.pku.edu.cn采用基于有效質(zhì)量近似的多子帶、多能谷系綜蒙特卡洛方法, 考慮納米尺度 MOSFET 溝道二維電子氣中實(shí)際存在的多種散射機(jī)制, 模擬 InGaAs 肖特基源漏 MOSFET。結(jié)果顯示, 在穩(wěn)態(tài)下, 散射雖然改變了InGaAs 肖特基源漏 MOSFET 溝- 一種基于深肖特基勢(shì)壘輔助柵控制的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管
提出一種基于深肖特基勢(shì)壘輔助柵控制的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管。傳統(tǒng)肖特基勢(shì)壘晶體管希望勢(shì)壘盡可能降低[8-9]，與此不同，所設(shè)計(jì)器件利用深肖特基勢(shì)壘來(lái)克服由肖特基勢(shì)壘隧穿產(chǎn)生的電流，使源漏與硅體接觸界面處的正向?qū)娏鳎磶泶˙TBT）電流，實(shí)現(xiàn)最大化。新器件利用輔助柵電極有效抑制反向漏電流，與傳統(tǒng)SB MOSFET或者JL FETs相比，能獲得低亞閾值擺幅、更小的反向偏置GIDL電流和高開(kāi)關(guān)電流比等優(yōu)越性能。2 HSB-TFET器件結(jié)構(gòu)所設(shè)計(jì)的深肖特基勢(shì)壘微處理機(jī) 2020年4期2020-08-24
- 用于提高微波無(wú)線(xiàn)能量傳輸系統(tǒng)接收端能量轉(zhuǎn)換效率的肖特基二極管*
折疊空間電荷區(qū)肖特基二極管, 該器件結(jié)構(gòu)可以顯著降低肖特基二極管的零偏置電容, 利于能量轉(zhuǎn)換效率的提高. 通過(guò)在ADS 仿真軟件中使用該器件SPICE 模型進(jìn)行整流電路仿真, 在輸入能量為24.5 dBm時(shí), 獲得了75.4%的轉(zhuǎn)換效率.1 引 言微波無(wú)線(xiàn)能量傳輸系統(tǒng)(microwave wireless power transfer, MWPT)是一種可以突破傳輸線(xiàn)限制的在空間中自由輸送電能的系統(tǒng)裝置, 可以將空間中廣泛存在的自由電磁波轉(zhuǎn)換成為直流能量以物理學(xué)報(bào) 2020年10期2020-06-04
- MOS光伏旁路開(kāi)關(guān)電路
路保護(hù)電路——肖特基二極管的工作特性和缺點(diǎn)，并通過(guò)第三代MOS光伏旁路開(kāi)關(guān)工作原理、電路結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)的分析和對(duì)比，證明MOS光伏旁路開(kāi)關(guān)電路可以有效解決目前光伏電站現(xiàn)有的問(wèn)題和可靠性風(fēng)險(xiǎn)。1 光伏旁路保護(hù)電路典型失效分析在光伏電站的實(shí)際使用過(guò)程中，對(duì)接線(xiàn)盒失效現(xiàn)象進(jìn)行了不完全統(tǒng)計(jì)，發(fā)現(xiàn)接線(xiàn)盒的失效現(xiàn)象中由于光伏旁路保護(hù)電路原因引起的失效占到了80%，其中光伏旁路保護(hù)電路擊穿失效占63%，光伏旁路保護(hù)電路異常發(fā)熱失效占17%，接線(xiàn)盒失效比例見(jiàn)圖1。對(duì)光伏旁電子元器件與信息技術(shù) 2020年2期2020-05-14
- 二維電場(chǎng)分布對(duì)JBS二極管阻斷特性影響的仿真分析
名為結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管（JBS 二極管）的結(jié)構(gòu)被提出[3-4]。該結(jié)構(gòu)是在肖特基接觸周?chē)O(shè)置高摻雜的P+區(qū)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，相較于肖特基二極管，可以更有效地提高反向阻斷電壓且保留快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)[5]。但P+結(jié)的出現(xiàn)也犧牲了一部分肖特基接觸面積，使正向?qū)娏髅芏仍黾恿薣6]。P+區(qū)的引入，使器件的電場(chǎng)呈現(xiàn)二維分布，此時(shí)可通過(guò)P+區(qū)寬度和結(jié)深的改變來(lái)改變[7]?；诖耍瑥亩S電場(chǎng)分布入手，針對(duì)P+區(qū)寬度和結(jié)深對(duì)JBS 二極管反向阻斷特性的影響來(lái)展開(kāi)討論。2 JB微處理機(jī) 2019年6期2019-12-26
- 肖特基二極管氫氣傳感器的試驗(yàn)研究
型[2,3]、肖特基二極管型等，每種傳感器都有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。肖特基二極管氫氣傳感器是一種新型的氫氣傳感器，具有工作溫度低、選擇性好的特點(diǎn)，且可以利用微加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)批量制造，可確保同一批次傳感器的均一性和互換性[4]。由于肖特基二極管氫氣傳感器的諸多優(yōu)點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外研究者展開(kāi)了廣泛的研究。鐘德剛等人[5]采用NO直接氧化制備氮氧化物，并以該氮氧化物作為絕緣層制備高性能Si基MOS肖特基二極管式氣體傳感器，結(jié)果顯示,傳感器靈敏度高、重復(fù)性好、檢測(cè)極限低，可以檢測(cè)濃傳感器與微系統(tǒng) 2019年9期2019-09-11
- 高速晶體管研制成功
員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)晶體管“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。目前已報(bào)道的石墨烯基區(qū)晶體管普遍采用隧穿發(fā)射結(jié)，然而隧穿發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘高度嚴(yán)重限制了晶體管作為高速電子器件的發(fā)展前景。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)半導(dǎo)體薄膜和石墨烯轉(zhuǎn)移工藝，首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)的“硅- 石墨烯- 鍺晶體管”。研究人員表示，與已報(bào)道的隧穿發(fā)射結(jié)相比，硅-石墨烯肖特基結(jié)表現(xiàn)出目前最大的開(kāi)態(tài)電流和最小的發(fā)射結(jié)電容，從而得到最短的發(fā)射結(jié)充電時(shí)間，器件的截止頻率由約1.發(fā)明與創(chuàng)新 2019年41期2019-04-14
- 高速晶體管研制成功
員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”。目前已報(bào)道的石墨烯基區(qū)晶體管普遍采用隧穿發(fā)射結(jié)，然而隧穿發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘高度嚴(yán)重限制了晶體管作為高速電子器件的發(fā)展前景。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)半導(dǎo)體薄膜和石墨烯轉(zhuǎn)移工藝，首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)的“硅-石墨烯-鍺晶體管”。研究人員表示，與已報(bào)道的隧穿發(fā)射結(jié)相比，硅-石墨烯肖特基結(jié)表現(xiàn)出目前最大的開(kāi)態(tài)電流和最小的發(fā)射結(jié)電容，從而得到最短的發(fā)射結(jié)充電時(shí)間，器件的截止頻率由約1.0MHz發(fā)明與創(chuàng)新·大科技 2019年11期2019-03-07
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接觸的電流輸運(yùn)機(jī)理?
n-InGaN肖特基接觸的勢(shì)壘特性和電流輸運(yùn)機(jī)理,結(jié)果表明,在不同背景載流子濃度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基勢(shì)壘特性差異明顯.研究發(fā)現(xiàn),較低生長(zhǎng)溫度制備的InGaN中存在的高密度施主態(tài)氮空位(VN)缺陷導(dǎo)致背景載流子濃度增高,同時(shí)通過(guò)熱電子發(fā)射模式擬合得到高背景載流子濃度的InGaN肖特基勢(shì)壘高度和理想因子與熱電子場(chǎng)發(fā)射模式下的結(jié)果差別很大,表明VN缺陷誘發(fā)了隧穿機(jī)理并降低了肖特基勢(shì)壘高度,相應(yīng)的隧穿電流顯著增大了肖特基勢(shì)壘總的輸運(yùn)電流,證實(shí)熱電子物理學(xué)報(bào) 2018年21期2018-12-02
- 不同放射源在同位素電池?fù)Q能單元肖特基結(jié) 金屬中的能量沉積
p-i-n結(jié)和肖特基結(jié)的輻伏同位素電池進(jìn)行了廣泛的研究[2-4]，已有結(jié)果表明，基于傳統(tǒng)Ge，Si，GaAs半導(dǎo)體p-n結(jié)的核電池轉(zhuǎn)換效率都很低并存在壽命短等問(wèn)題，主要原因是高能粒子輻射下材料的性能退化和p-n結(jié)低的載流子分離效率。通過(guò)采用耐輻射的寬禁帶半導(dǎo)體材料(如GaN，SiC等)是解決這些問(wèn)題的有效途徑，尤其是金剛石具備優(yōu)異的抗輻射能力、大的禁帶寬度(5.45 eV)、高載流子遷移率而更加引人關(guān)注[6-7]，基于金剛石半導(dǎo)體的肖特基結(jié)輻伏同位素電池也西南科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年3期2018-09-27
- MPS二極管特性折衷的研究
系統(tǒng)，可以使用肖特基二極管。對(duì)于中高壓系統(tǒng)，大部分使用PIN結(jié)構(gòu)的二極管。但是，這種PIN二極管具有較差的開(kāi)關(guān)特性（大峰值反向恢復(fù)電流，長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)間和較差的反向di/dt）[2]。通常通過(guò)金或鉑摻雜、電子輻照、輕離子輻照等少數(shù)載流子壽命控制技術(shù)，來(lái)改善PIN二極管的反向恢復(fù)特性。但是這種壽命控制技術(shù)導(dǎo)致正向壓降和反向漏電流的增加[3-4]。通過(guò)改變陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，控制陽(yáng)極的注入效率，調(diào)制其內(nèi)部的載流子分布，從而獲得較軟的反向恢復(fù)特性和較好的導(dǎo)通特性[5]。MPS二微處理機(jī) 2018年1期2018-02-08
- Ka頻段氮化鎵功放的預(yù)失真線(xiàn)性化器設(shè)計(jì)
器，用盡量少的肖特基二極管產(chǎn)生非線(xiàn)性補(bǔ)償信號(hào)，改良了傳統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)，采用開(kāi)環(huán)技術(shù)，舍棄使用功分器構(gòu)成的環(huán)路或雙環(huán)路電路結(jié)構(gòu)，更簡(jiǎn)單且穩(wěn)定性更高。調(diào)諧部位少，調(diào)試簡(jiǎn)單，易于集成和安裝，降低了成本，這種預(yù)失真電路結(jié)構(gòu)還沒(méi)有相關(guān)報(bào)道。本文首先介紹模擬預(yù)失真技術(shù)和具體電路，再?gòu)睦碚摲矫娣治鲈撾娐返目尚行裕詈笸ㄟ^(guò)專(zhuān)用電磁仿真軟件ADS2013驗(yàn)證其性能并與實(shí)測(cè)結(jié)果進(jìn)行比較。1 模擬預(yù)失真技術(shù)預(yù)失真技術(shù)是在信號(hào)進(jìn)入功率放大器之前，先通過(guò)一個(gè)與功率放大器的非線(xiàn)性失真特計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制 2018年1期2018-02-05
- Vishay 推出新款表面貼裝TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器系列
h MOS勢(shì)壘肖特基整流器系列該器件采用eSMP系列的SlimDPAK(TO-252AE)封裝。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封裝的器件更薄，而散熱性能更好，反向電壓可以從45V到150V，正向?qū)▔航档?，電流等?jí)高。發(fā)布的40顆肖特基整流器集合了TMBS技術(shù)和SlimDPAK封裝的優(yōu)點(diǎn)，單管芯結(jié)構(gòu)的電流等級(jí)能達(dá)到35A，雙管芯共陰極結(jié)構(gòu)的電流等級(jí)達(dá)到40A。器件的PCB占位與DPAK封裝電子制作 2017年18期2017-12-30
- 利用碳化硅改善燃料電池汽車(chē)升壓轉(zhuǎn)換器效率的研究
準(zhǔn)二極管和Si肖特基二極管。使用SiC代替上述兩個(gè)部件的Si材料，形成SiC標(biāo)準(zhǔn)二極管和SiC肖特基二極管。由于SiC具有較小的寬帶間隙，因而SiC標(biāo)準(zhǔn)二極管和SiC肖特基二極管的尺寸較小，使其內(nèi)部電阻也隨之降低，而轉(zhuǎn)換的響應(yīng)速度則隨之提高，實(shí)現(xiàn)了升壓轉(zhuǎn)換器功率模塊尺寸和電能損耗的降低，以及轉(zhuǎn)換頻率的升高。在日本豐田汽車(chē)公司和日野汽車(chē)公司聯(lián)合生產(chǎn)的Oiden燃料電池汽車(chē)上，對(duì)SiC標(biāo)準(zhǔn)二極管和SiC肖特基二極管的性能進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試結(jié)果顯示，與Si標(biāo)準(zhǔn)二極管汽車(chē)文摘 2017年5期2017-12-05
- GaN基p-i-n和肖特基紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜及暗電流特性
基p-i-n和肖特基紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜及暗電流特性易淋凱1， 黃佳琳1， 周 梅1*， 李春燕1*， 趙德剛2(1. 中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院 應(yīng)用物理系， 北京 100083； 2. 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 集成光電子國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室， 北京 100083)研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜和暗電流特性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，隨著p-GaN層厚度的增加，p-i-n型紫外探測(cè)器的響應(yīng)度下降，并且在短波處下降更加明顯。肖特基探測(cè)器的響應(yīng)度明顯比p-i-n發(fā)光學(xué)報(bào) 2017年10期2017-10-10
- Si肖特基二極管直流及高頻建模*
0084)Si肖特基二極管直流及高頻建模*劉江宜，唐楊，王丁，王燕*(清華大學(xué)微納電子系，北京100084)采用分段提參的方法，針對(duì)SMIC 130 nm CMOS工藝下CoSi2-Si肖特基二極管的直流及高頻特性建立統(tǒng)一模型。直流時(shí)除了熱發(fā)射效應(yīng)，也考慮了勢(shì)壘不均勻效應(yīng)、大注入效應(yīng)及隧穿效應(yīng)的影響。高頻時(shí)，在直流特性基礎(chǔ)上特別考慮了襯底以及金屬寄生效應(yīng)的影響。該模型直流擬合誤差為1.26%，高頻時(shí)在整個(gè)測(cè)試頻段(1 GHz～67 GHz)內(nèi)電阻、電容擬合電子器件 2017年1期2017-09-06
- Ni(W)Si/Si肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)特性研究
W)Si/Si肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)特性研究石青宏1，劉瑞慶2，黃 偉2(1.深圳深?lèi)?ài)半導(dǎo)體股份有限公司，廣東 深圳 518116；2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第 58 研究所，江蘇 無(wú)錫 214072)首次提出在 Ni中摻入夾層 W 的方法來(lái)提高 NiSi的熱穩(wěn)定性。具有此結(jié)構(gòu)的薄膜，經(jīng)600～800 ℃快速熱退火后，薄層電阻保持較低值，小于 2 Ω/□。經(jīng) Raman 光譜分析表明，薄膜中只存在 NiSi相，而沒(méi)有 NiSi2生成。Ni(W)Si的薄層電阻由電子與封裝 2017年6期2017-06-27
- 表面處理對(duì)肖特基接觸的影響
咸?表面處理對(duì)肖特基接觸的影響霍蕩蕩1,2，鄭英奎2，陳詩(shī)哲1,2，魏 珂2，李培咸1（1. 西安電子科技大學(xué)先進(jìn)材料與納米科技學(xué)院，陜西西安 710126；2. 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，北京 100029）研究了不同的表面處理方法對(duì)器件肖特基特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用氧等離子體及體積比(HF:NH4F)為1:7的BOE溶液對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料表面進(jìn)行處理后，其肖特基接觸特性比鹽酸或者氨水溶液處理有了明顯的改善。當(dāng)柵壓為–50 V時(shí)，柵反向漏電子元件與材料 2017年6期2017-06-13
- 柵條狀和蜂窩狀結(jié)構(gòu)結(jié)勢(shì)壘肖特基整流器（JBSR）性能對(duì)比*
窩狀結(jié)構(gòu)結(jié)勢(shì)壘肖特基整流器（JBSR）性能對(duì)比*高樺，柴彥科，劉肅*（蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子所，蘭州730000）柵條狀和蜂窩狀平面結(jié)構(gòu)的結(jié)勢(shì)壘肖特基整流管（JBSR）的不同之處在于其溝道有效面積的大小不同。從這兩種平面結(jié)構(gòu)的結(jié)勢(shì)壘肖特基整流管（JBSR）的工藝和電學(xué)特性來(lái)看，適當(dāng)?shù)脑龃驤BSR器件的溝道有效面積，可使JBSR器件的擊穿電壓得到提高。蜂窩狀平面結(jié)構(gòu)JBSR器件的溝道有效面積較柵條狀器件的小，開(kāi)啟電壓低，但反向耐壓不如柵條狀平面結(jié)構(gòu)電子器件 2016年2期2016-10-13
- 肖特基二極管用硅外延片過(guò)渡區(qū)控制研究
王鐵剛摘 要 肖特基二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，具有正向壓降小、開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)，高性能的肖特基二極管器件需要高質(zhì)量的外延材料，生長(zhǎng)出高質(zhì)量的外延層成了制作高頻肖特基二極管的關(guān)鍵。關(guān)鍵詞 肖特基；二極管實(shí)驗(yàn)；工藝改善中圖分類(lèi)號(hào) TN3 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼 A 文章編號(hào) 1674-6708（2016）161-0137-02肖特基二極管也被稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，具有正向壓降小、開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開(kāi)科技傳播 2016年8期2016-07-13
- Al/CuO肖特基結(jié)換能元芯片的非線(xiàn)性電爆換能特性
-13]。根據(jù)肖特基勢(shì)壘(Schottky barrier)理論,金屬Al薄膜和CuO半導(dǎo)體薄膜接觸時(shí)會(huì)因?yàn)?span id="ldpxtzd" class="hl">肖特基勢(shì)壘的存在,形成肖特基結(jié)[14-18]。這一特性使得Al/CuO復(fù)合薄膜在外電場(chǎng)作用下產(chǎn)生類(lèi)似于肖特基二極管的整流效應(yīng)。將Al/CuO復(fù)合薄膜設(shè)計(jì)制備成電爆換能元,既可以利用Al薄膜和CuO薄膜的化學(xué)反應(yīng)能提高換能元輸出效率,同時(shí)由于復(fù)合薄膜的整流效應(yīng),還可以使換能元具備一定的發(fā)火閾值,使其擁有非線(xiàn)性電爆換能的特性。為了提高火工品的安全性能,同含能材料 2016年3期2016-05-08
- Schottky Barrier Diode Based on Super-Junction Structure
基于超結(jié)結(jié)構(gòu)的肖特基勢(shì)壘二極管馬 奎，楊發(fā)順，傅興華(貴州大學(xué)電子科學(xué)系；貴州省微納電子與軟件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 貴陽(yáng) 550025)在功率半導(dǎo)體器件中，高的反向擊穿電壓和低的正向?qū)娮柚g的矛盾關(guān)系是影響其發(fā)展的主要因素之一，選用超結(jié)結(jié)構(gòu)替代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)電壓支持層能夠有效緩解這一矛盾關(guān)系。該文設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了一種超結(jié)肖特基二極管，其中的電壓支持層采用P柱和N柱交替構(gòu)成的超結(jié)結(jié)構(gòu)。在器件的制作方面，選用成熟的單步微電子工藝，通過(guò)4次N型外延和4次選擇性電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年1期2015-10-14
- 混合PiN/Schottky二極管的研究
MPS二極管、肖特基二極管、PIN二極管的伏安特性進(jìn)行模擬，結(jié)果表明MPS二極管正向壓降小，電流密度大，反向漏電流小，是一種具有肖特基正向特性和PN結(jié)反向特性的新型整流器.可以通過(guò)改變肖特基和PN結(jié)的面積比來(lái)調(diào)整MPS二極管的性能，與肖特基二極管和PIN二極管相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)，是功率系統(tǒng)不可或缺的功率整流管。MPS；PiN；Schottky；伏安特性；模擬電力電子技術(shù)的發(fā)展使作為電力電子技術(shù)重要基礎(chǔ)的電力電子器件得到了廣泛的關(guān)注和研究。功率整流管是電力電電子設(shè)計(jì)工程 2014年15期2014-09-25
- Analysis of Temperature Characteristic and Design of Interface ASIC Based on Ring Schottky Diode for MEMS Gyroscope*
理，提出了環(huán)形肖特基二極管與跨阻放大器結(jié)構(gòu)，理論分析了它的功能與溫度特性。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一款MEMS陀螺儀接口ASIC電路，適用于諧振頻率3 kHz～10 kHz的MEMS陀螺儀。1 MEMS陀螺儀與電路原理分析MEMS陀螺儀基于科里奧里力效應(yīng)［8］，是一種線(xiàn)振動(dòng)陀螺儀。圖1所示是EMMS陀螺儀的結(jié)構(gòu)圖。它包含兩個(gè)振動(dòng)模態(tài)，即驅(qū)動(dòng)模態(tài)與檢測(cè)模態(tài)［9］。其中，沿驅(qū)動(dòng)軸即x軸方向給質(zhì)量塊施加正弦激勵(lì)，質(zhì)量塊做正弦運(yùn)動(dòng)，如果在z軸方向施加一個(gè)角速度Ω，將在檢傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-09-08
- 10 A/600 V大功率硅基JBS肖特基二極管的制備*
功率硅基JBS肖特基二極管的制備*陳菩祥,高 樺,李海蓉,劉 肅*(蘭州大學(xué)微電子所,蘭州 730000)為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)肖特基二極管漏電流大和反向耐壓低的不足,采用柵條P+-N結(jié)和肖特基結(jié)嵌套形成結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管(JBS),終端結(jié)構(gòu)由7道場(chǎng)限環(huán)和1道切斷環(huán)構(gòu)成。通過(guò)模擬確定最優(yōu)參數(shù)后流片試驗(yàn),同步制備肖特基二極管(SBD)和PiN二極管作為對(duì)比。結(jié)果表明:制備的JBS二極管兼?zhèn)銼BD二極管正偏和PiN二極管反偏的優(yōu)點(diǎn)。在漏電流密度小于1×10-5A/cm2電子器件 2014年6期2014-09-06
- JBS結(jié)構(gòu)肖特基整流器
2）JBS結(jié)構(gòu)肖特基整流器唐 冬，劉 旸，徐 衡（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，沈陽(yáng)110032）介紹了結(jié)勢(shì)壘控制肖特基整流管（Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier，JBS）的結(jié)構(gòu)原理，論述了JBS結(jié)構(gòu)肖特基整流器的正向特性和反向特性，通過(guò)對(duì)擴(kuò)散掩膜尺寸m和擴(kuò)散P＋區(qū)時(shí)窗口寬度S的工藝模擬，歸納出m、s變化對(duì)器件參數(shù)正向壓降和反向漏電流密度的影響。并通過(guò)實(shí)際產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證，得出JBS結(jié)構(gòu)肖特基整流微處理機(jī) 2014年5期2014-08-07
- NiCr勢(shì)壘肖特基技術(shù)
等新工藝技術(shù)。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基(Schottky)博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(Schottky Barrier Diode)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的功函數(shù)差勢(shì)壘原理制作的。因此，SBD也稱(chēng)為金屬－半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種多數(shù)載流子輸運(yùn)的單極器件。在通常情況下，一般采用金屬—半導(dǎo)體接觸來(lái)形成肖特基勢(shì)壘，但是由于金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，接觸界面微處理機(jī) 2013年1期2013-06-13
- Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度
芯心尺寸封裝的肖特基（Schottky）二極管，為智能手機(jī)及平板電腦的設(shè)計(jì)提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實(shí)現(xiàn)雙倍功率密度。全新30 V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤(pán)封裝，熱阻僅為261oC/W，比DFN0603封裝低約一半，有效把開(kāi)關(guān)、反向阻斷和整流電路的功耗減半。SDM0230CSP的占位面積為0.18 mm2，比采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DFN1006及SOD電子設(shè)計(jì)工程 2013年14期2013-03-26
- Vishay發(fā)布采用SlimSMA?封裝的新款45 V TMBSTMTrench MOS勢(shì)壘肖特基整流器
h MOS勢(shì)壘肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面貼裝SlimSMATMDO-221AC封裝，正向電流為3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的極低正向壓降，可在低壓高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、續(xù)流二極管，以及智能手機(jī)充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護(hù)中減少功率損耗，并提高效率。新整流器的最高工作結(jié)溫為+150℃，MSL潮濕敏感度等級(jí)達(dá)到per J-STD-020的1電子設(shè)計(jì)工程 2013年1期2013-03-24
- 一種改進(jìn)太陽(yáng)能計(jì)算器芯片二極管穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
N結(jié)二極管改為肖特基二極管，使其正向飽和壓降處于一個(gè)合理的區(qū)間，避免上述的“鬼影”現(xiàn)象，從而達(dá)到改善太陽(yáng)能應(yīng)用的目的。2 肖特基二極管的特性肖特基二極管也稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管，肖特基二極管是以金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以N型半導(dǎo)體為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管具有以下特性：（1）正向壓降小，約0.35V左右，比PN結(jié)二極管0.7V的壓降小很多；（3）更穩(wěn)定的溫度特性；（4）有較高的工作頻率和開(kāi)關(guān)速度電子與封裝 2012年10期2012-05-31
- Vishay發(fā)布12個(gè)采用不同封裝的45V TMBS TrenchMOS勢(shì)壘肖特基整流器
MOS 勢(shì)壘肖特基整流器。 這些整流器在20 A電流下具有0.51 V的極低正向壓降，適合在太陽(yáng)能電池接線(xiàn)盒中用作起保護(hù)作用的旁路二極管。發(fā)布的產(chǎn)品包括單芯片 V（B，F(xiàn)）T1045BP、V（B，F(xiàn)）T2045BP、V（B，F(xiàn)）T3045BP 和 V（B，F(xiàn)）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封裝。所有整流器在沒(méi)有反向偏置（t≤1小時(shí)）的直流正向電流下的最高結(jié)溫為200℃。器件符合RoHS指令200電子設(shè)計(jì)工程 2012年3期2012-03-31
- 安森美半導(dǎo)體推出帶集成肖特基二極管的MOSFET
容,推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF 及 NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 mΩ、3 mΩ及5 mΩ的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值,針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6 nC、25.6 nC及12.2 nC,確保開(kāi)關(guān)損耗保持最低。安森美半導(dǎo)體這些新的功率MOSFET典型應(yīng)用包括用于服務(wù)器、電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)施、單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用 2010年6期2010-04-04
- Ni（W）Si/Si肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)特性研究
參數(shù)測(cè)試儀測(cè)量肖特基二極管的正反向特性。3 結(jié)果和討論3.1 Ni（W）Si薄膜的薄層電阻用四探針?lè)y(cè)量經(jīng)不同溫度快速熱退火后的Ni（W）Si薄膜的薄層電阻，結(jié)果如圖1所示。由圖1可以看出，CapTi/Ni/Si結(jié)構(gòu)經(jīng)600℃～700℃快速熱退火后，該硅化物的薄層電阻為3.0 Ω/□～3.2Ω/□。當(dāng)快速熱退火溫度升高到750℃時(shí)，薄膜電阻就增大到4.5 Ω/□，這個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果已被張慧等人報(bào)道[6]。而由夾層結(jié)構(gòu)得到的Ni（W）Si薄膜經(jīng)受600℃～800℃電子與封裝 2010年10期2010-02-26
- CdS紫外探測(cè)器芯片的制備研究