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        Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

        2013-03-26 04:41:34
        電子設計工程 2013年14期
        關鍵詞:肖特基功率密度熱阻

        Diodes公司(Diodes Incorporated)推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管,為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積,實現(xiàn)雙倍功率密度。

        全新30 V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝,熱阻僅為261oC/W,比DFN0603封裝低約一半,有效把開關、反向阻斷和整流電路的功耗減半。

        SDM0230CSP的占位面積為0.18 mm2,比采用了行業(yè)標準的DFN1006及SOD923封裝的肖特基二極管節(jié)省電路板面積達70%,非常適合高密度的設計。此外,這個器件的離板厚度為0.3 mm,相對于其他二極管薄25%,有利于超薄便攜式產(chǎn)品設計。

        這款肖特基二極管的最大正向電壓十分低,于0.2 A正向電流時僅為0.5 V,加上在30 V反向電壓的情況下,漏電流一般低至1.5 mA,能夠把功耗減到最少,從而延長電池壽命。

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