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        Vishay發(fā)布12個采用不同封裝的45V TMBS TrenchMOS勢壘肖特基整流器

        2012-03-31 09:11:38
        電子設(shè)計工程 2012年3期
        關(guān)鍵詞:單芯片肖特基勢壘

        日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3種功率封裝、具有10~40 A額定電流范圍的新型45 V器件——V(B,F(xiàn))T1045BP、V(B,F(xiàn))T2045BP、V(B,F(xiàn))T3045BP 和 V(B,F(xiàn))T4045BP,擴充其 TMBS Trench MOS 勢壘肖特基整流器。 這些整流器在20 A電流下具有0.51 V的極低正向壓降,適合在太陽能電池接線盒中用作起保護作用的旁路二極管。

        發(fā)布的產(chǎn)品包括單芯片 V(B,F(xiàn))T1045BP、V(B,F(xiàn))T2045BP、V(B,F(xiàn))T3045BP 和 V(B,F(xiàn))T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封裝。所有整流器在沒有反向偏置(t≤1小時)的直流正向電流下的最高結(jié)溫為200℃。器件符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。TO-263AB封裝的潮濕敏感度等級(MSL)達到per J-STD-020規(guī)定的1級,LF最大峰值為245℃。TO-220AC和ITO-220AC封裝的最高焊浴溫度為275℃,時間為10 s,符合JESD 22-B106的各項標準,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

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