李東華 邊兆英 王好成 郭太赟

（1 鄆城縣人民醫(yī)院放射科 山東 菏澤 274700）

（2 南方醫(yī)科大學(xué) 廣東 廣州 510515）

腦灌注CT成像技術(shù)近年來在缺血性腦卒中應(yīng)用廣泛，可對腦血流動力學(xué)參數(shù)進(jìn)行定量、定性地評價，對疾病診斷和預(yù)后評估有重要意義。常規(guī)腦灌注CT成像中需對目標(biāo)區(qū)域給予連續(xù)性掃描，射線劑量較大，為降低潛在傷害可降低掃描的電流，但會引起圖像質(zhì)量的損失[1]，本文采取投影數(shù)據(jù)恢復(fù)算法用于提高低劑量灌注CT成像質(zhì)量，現(xiàn)報告如下。

1.資料與方法

1.1 一般資料

將我院2017年4月—2018年4月收治的80例缺血性腦卒中患者均分成觀察組、對照組各40例，均符合診斷標(biāo)準(zhǔn)[2]。觀察組男20例，女20例，年齡44～83歲；對照組男22例，女18例，年齡45～85歲；兩組一般資料無統(tǒng)計學(xué)差異（P＞0.05）。

1.2 方法

使用Philips brilliance 64排螺旋CT機，兩組均行常規(guī)平掃，層厚度5mm，在平掃基礎(chǔ)之上對病變范圍加以確定，對照組進(jìn)行常規(guī)劑量灌注CT成像，350mg I/mL碘比醇50ml以5ml/s速率經(jīng)由高壓注射器注入，延遲10s，管電壓120kV，管電流200mA，矩陣512×512，掃描時間為50s。觀察組進(jìn)行投影數(shù)據(jù)恢復(fù)算法低劑量灌注CT成像，將管電壓調(diào)節(jié)為80kV，管電流40mA，通過構(gòu)建基于懲罰加權(quán)最小二乘（PWLS）準(zhǔn)則的投影數(shù)據(jù)恢復(fù)模型進(jìn)行投影數(shù)據(jù)降噪[3]。2位科室資深影像診斷醫(yī)生對指標(biāo)進(jìn)行評價，對兩組局部腦血流（rCBF）、平均通過時間（MMT）、峰值時間 （TTP）和局部腦血容量（rCBV）等檢查指標(biāo)進(jìn)行對比分析。

1.3 統(tǒng)計學(xué)方法

以SPSS17.0軟件處理數(shù)據(jù)，計量數(shù)據(jù)用t檢測，P＜0.05為差異有統(tǒng)計學(xué)意義。

2.結(jié)果

兩組病灶中心rCBF、rCBV均明顯低于缺血區(qū)（P＜0.01），病灶中心MMT、TTP指標(biāo)高于缺血區(qū)（P＜0.01）；組間相同部位rCBF、rCBV、MMT、TTP指標(biāo)無明顯差異（P＞0.05）。詳見表1～表4。

表1 兩組不同部位rCBF指標(biāo)對比[（±s），ml/（min·g），n=40]

表1 兩組不同部位rCBF指標(biāo)對比[（±s），ml/（min·g），n=40]

位置 觀察組 對照組 t P病灶中心 0.23±0.16 0.22±0.13 0.3068 ＞0.05缺血區(qū) 0.75±0.37 0.78±0.31 0.3931 ＞0.05 t 8.1584 10.5361 / /P＜0.01 ＜0.01 / /

表2 兩組不同部位rCBV指標(biāo)對比[（±s），ml/g，n=40]

表2 兩組不同部位rCBV指標(biāo)對比[（±s），ml/g，n=40]

位置 觀察組 對照組 t P病灶中心 0.29±0.16 0.32±0.18 0.7878 ＞0.05缺血區(qū) 0.93±0.27 0.97±0.28 0.6504 ＞0.05 t 12.8971 12.3502 / /P＜0.01 ＜0.01 / /

表3 兩組不同部位MMT指標(biāo)對比[（±s），s，n=40]

表3 兩組不同部位MMT指標(biāo)對比[（±s），s，n=40]

位置 觀察組 對照組 t P病灶中心 18.51±3.20 19.22±2.82 1.0528 ＞0.05缺血區(qū) 12.95±3.31 13.16±2.64 0.3137 ＞0.05 t 7.6379 9.8843 / /P＜0.01 ＜0.01 / /

表4 兩組不同部位TTP指標(biāo)對比[（±s），s，n=40]

表4 兩組不同部位TTP指標(biāo)對比[（±s），s，n=40]

位置 觀察組 對照組 t P病灶中心 24.16±3.27 23.85±3.83 0.3893 ＞0.05缺血區(qū) 21.72±4.06 20.49±3.67 1.4214 ＞0.05 t 2.9602 4.0061 / /P＜0.01 ＜0.01 / /

3.討論

常規(guī)CT平掃、增強平描都能夠發(fā)現(xiàn)腦卒中病灶，可是常規(guī)CT平掃敏感性不高，對病灶壞死組織敏感性尚可，而對病灶周圍缺血區(qū)恢復(fù)情況無法進(jìn)行有效評價。缺血性腦卒中梗死灶周圍組織的毛細(xì)血管稀少，對比造影劑不能充分滲入，因此采用增強平掃也不足以評估缺血區(qū)恢復(fù)情況[1]。

CT灌注成像可同時對患者rCBF、rCBV、MMT、TTP指標(biāo)進(jìn)行顯示，對局部組織血流動力和微循環(huán)可起到有效評估作用。但常規(guī)腦灌注CT成像中需對目標(biāo)區(qū)域給予連續(xù)性掃描，病人接受的射線劑量較大。為降低潛在傷害，本研究觀察組采取降低掃描電流的方法，以PWLS準(zhǔn)則的投影數(shù)據(jù)恢復(fù)模型進(jìn)行投影數(shù)據(jù)降噪，以消除圖像中噪聲及偽影，提高低劑量灌注CT成像質(zhì)量。本文顯示兩組病灶中心rCBF、rCBV均低于缺血區(qū)（P＜0.01），病灶中心MMT、TTP指標(biāo)高于缺血區(qū)（P＜0.01）；組間相同部位rCBF、rCBV、MMT、TTP指標(biāo)無明顯差異（P＞0.05）。提示通過投影數(shù)據(jù)恢復(fù)算法低劑量灌注CT成像，既能對病灶處血流情況進(jìn)行有效分析，還可明顯降低輻射劑量，對缺血性腦卒中的臨床診斷具有重要價值。