房 曠, 陳清疇, 賀思敏, 蔣小華

(中國工程物理研究院化工材料研究所, 四川 綿陽 621999)

1 引 言

沖擊片雷管因其換能元與始發(fā)藥隔離,以及較高的起爆能量,被認為是一種具有較高安全性、可靠性的雷管。但由于其采用了分離式的組件裝配方式,且對裝配精度要求較高,使得小尺寸的沖擊片組件裝配復雜,制造成本高,難以廣泛使用。

簡化制備工藝,降低制造成本是沖擊片雷管制造技術的重要發(fā)展趨勢。因而沖擊片組件的批量化集成制造技術近年來引起了眾多學者的關注。施志貴[1]利用微機電(MEMS)技術,制備出了一種硅基的集成式沖擊片組件。其采用了重摻雜的多晶硅作為換能元,飛片材料為單晶硅。試驗結果表明,該組件具備較低的發(fā)火能量。而在后續(xù)的研究中,施志貴[2]還利用金屬薄膜橋作為換能元,用絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)代替單晶硅作為飛片材料,進一步縮短了橋箔的作用時間。但是其采用的多層鍵合工藝對組件的表面質量,以及對位精度都要求極高。在美國利弗莫爾國家實驗室(LLNL)的芯片式沖擊片雷管研究計劃中[3],研究人員利用物理沉積、光刻技術完成了爆炸箔陣列的批量化制備,采用飛秒激光進行橋區(qū)的成型控制,有效解決了多層金屬復合膜的橋區(qū)對位問題。Amish Desai[4]和曾慶軒[5]等對環(huán)氧樹脂型加速膛的光刻集成方法進行了研究,認為該方法工藝簡單,加工精度高,易于實現(xiàn)沖擊片組件的大規(guī)模批量化制造。

利用MEMS技術來進行沖擊片組件的集成制備,是沖擊片組件批量化制造的重要實現(xiàn)方式。為了進一步簡化制造方法,本研究利用MEMS技術制備一種一體化的全集成沖擊片組件。采用自底向上原位集成的設計思想,以避免復雜的鍵合裝配工藝。以氧化鋁陶瓷為基底,利用磁控濺射技術鍍制金屬橋箔,采用化學氣相沉積(CVD)與光刻技術,完成飛片層與加速膛的集成。并利用光子多普勒測速技術(PDV)測試了短脈沖大電流激發(fā)下,該集成組件的飛片驅動特性,將其與常規(guī)方法制造的沖擊片組件的飛片PDV試驗數(shù)據(jù)進行對比。目前,PDV測速技術已有效應用于小飛片速度的測量中[6],從國外的研究結果來看[7],PDV的測試精度已能夠達到或超過激光干涉測速(VISAR)系統(tǒng),并有望在大多數(shù)場合代替VISAR系統(tǒng)。

2 設計與制備

2.1 集成化沖擊片組件設計方法

沖擊片組件的制備方法采用自底向上原位集成的設計思路。以氧化鋁陶瓷電極塞為基底,利用磁控濺射與光刻方法制備銅爆炸箔,采用CVD的方法在爆炸箔上鍍制聚氯代對二甲苯(Parylene C,PC)飛片層,最后直接在飛片層上,以Su8-2150光刻膠為材料,利用光刻技術集成光刻膠加速膛,如圖1所示。

圖1 沖擊片組件集成制備工藝

Fig.1 Fabrication process of integrated Exploding Foil Initiator (EFI)

PC膜因其具備良好的電絕緣性、物理機械性能、水汽阻隔性能,常被用于集成電路或MEMS器件的封裝、器件阻蝕層制備,以及光學透鏡的鍍膜層制備[8-10]。集成組件采用PC作為飛片層材料,其不僅能夠滿足飛片層電絕緣性、物理機械性能的要求,同時易于通過CVD技術集成[11]。加速膛的制造采用了光刻的方法,選用的光刻膠為Su8-2150,該光刻膠為Su8光刻膠的改進型,穩(wěn)定性更高,可制備膜厚達1000 μm的結構圖形。而Su8光刻膠本身是一種近紫外線光刻膠,通常在集成電路工藝中作為刻蝕掩蔽層使用,但是其在近紫外光范圍內光吸收度低,整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致,便于獲得具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形[12]。此外,Su8膠經固化交聯(lián)后還會具備優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性[13],可以進行結構件的制作[14]。

2.2 集成沖擊片組件制備方法

爆炸橋箔的制備采用磁控濺射在氧化鋁陶瓷基底上鍍制銅膜,然后利用光刻技術制備出橋箔的掩膜圖形,通過電化學方法去除其余部分得到所需的橋箔結構,如圖2所示,其中磁控濺射的工作氣壓為10-4～10-5Pa,靶材為99.99%銅。

采用CVD技術在爆炸箔基底上沉積PC飛片層。根據(jù)對飛片層的真空沉積工藝的研究[16],試件同一表面內各部分的均勻性相當好,且沉積層厚度的增加對均勻性幾乎沒有影響。而加速膛的制備直接在飛片層上進行,選用Su8-2150光刻膠作為加速膛材料,通過接觸曝光顯影成形,最終所得集成沖擊片組件如圖3所示。

圖2 爆炸橋箔結構示意圖

Fig.2 Schematic diagram ofexploding foil bridge structure[15]

圖3 沖擊片集成組件

Fig.3 EFI integrated assembly

3 測試與表征

3.1 PDV測試原理及裝置

飛片驅動速度是沖擊片組件的重要性能特征之一。本研究采用PDV技術進行沖擊片集成組件的飛片驅動性能測試。PDV技術是一種基于多普勒效應的激光干涉測速技術,其原理(圖4a)是將激光探頭的出射光作為參考光,將從飛片上反射回的光作為信號光,然后利用探測器將參考光與信號光的波形差通過光電轉換與信號放大,根據(jù)多普勒效應推算飛片速度。

PDV測速試驗共分為兩組,一組(No.1)為采用常規(guī)方法制造的沖擊片組件,使用聚酰亞胺作為飛片材料,加速膛為不銹鋼; 另一組(No.2)為采用MEMS技術制造的集成沖擊片組件,集成組件采用PC飛片,Su8-2150光刻膠加速膛。

兩試驗組的組件尺寸參數(shù)與文獻[15]中的試驗組6相同,爆炸箔寬300 μm,厚度為3 μm,飛片厚25 μm,加速膛長度400 μm,其電容充電電壓為2600 V, 放電電容0.2 μF。

a. Principle diagram of PDV system

b. Picture of EFI assembly on PDV platform

圖4 PDV測速系統(tǒng)

Fig.4 PDV diagnostic system

3.2 試驗結果與分析

采用圖4b的裝置,測試了兩組沖擊片組件的電爆炸飛片驅動速度,獲得的飛片速度歷程如圖5所示。

a. shot No.1

b. shot No.2

圖5 PDV系統(tǒng)輸出的飛片速度歷程圖像

Fig.5 PDV diagnostic result of flyer velocity profile

圖5中,顏色的深淺表征了激光干涉頻率信號的高低,兩組測試所得結果的有效時長約為190 ns。而通過相應的圖像處理軟件處理后可以獲得飛片加速歷程的速度細節(jié),如圖6所示。

圖6 數(shù)據(jù)處理后的飛片速度歷程

Fig.6 Profiles of flyer velocity after data treatment

從圖6中可以發(fā)現(xiàn),兩發(fā)飛片測速結果較為一致。在兩發(fā)測試中,飛片的主要加速歷程基本重合,僅在飛片加速末段出現(xiàn)了較小差異,試驗組1與試驗組2的最大速度分別為4247 m·s-1和4023 m·s-1。在880 ns處,兩試驗組飛片的速度時間歷程上出現(xiàn)拐點,加速度明顯減小。在此之前飛片加速較快,在起始的80ns內,試驗組1與試驗組2的飛片分別加速到了3288 m·s-1與3203 m·s-1,約為最大速度的77%與80%。而在后續(xù)的加速歷程中,飛片速度上升較慢,在余下約110ns的時間內成了剩余速度的增加。該測試結果反映了兩組不同沖擊片組件的飛片在電爆炸驅動條件下相同的加速特征,該結果與文獻[6]中的小飛片PDV加速歷程較為吻合,同時也符合LLNL的飛片測速試驗結果[17]與VISRA測速曲線[18]。

將圖6飛片的加速歷程曲線進行積分,可以得到飛片的位移-速度曲線,如圖7所示。由圖7可以得到,與圖6中880 ns處的加速拐點相對應的位置出現(xiàn)在0.13 mm處,且兩者速度歷程基本重合,在0.2 mm處兩試驗組的飛片速度分別達到了3562 m·s-1與3516 m·s-1,即為最大速度的83.9%與87.4%,這與文獻[7]中的加速歷程曲線較為吻合。且兩組試件加速膛出口處的飛片速度較為接近,分別為3970 m·s-1,3906 m·s-1。

雖然Su8加速膛( No.2)的硬度與不銹鋼(No.1)相比較低,但在金屬電爆炸的驅動下,飛片在約80 ns的時間內,就加速到了數(shù)千米每秒,加速膛對飛片的剪切作用時間極短,該過程可以被視為是一種超高速切削過程。而在超高速切削中,切削力與被加工試件的表面溫升會大大降低[19],因此加速膛硬度的變化對飛片加速歷程的影響也會相應減小,同時PC與聚酰亞胺性能接近,都是作為飛片層的良好材料?；谝陨显?研究認為在沖擊片組件的加速膛與飛片材料發(fā)生變化的情況下,得到了相近的加速歷程測試結果是合理的。

圖7 飛片的位移-速度曲線

Fig.7 Relationship between the displacement and velocity of flyer

4 結 論

利用薄膜沉積技術與光刻技術制備了一種新型的全集成沖擊片組件。通過直接在爆炸箔基底上沉積PC薄膜飛片,以及加速膛的光刻集成實現(xiàn)了沖擊片的一體化制造,避免了復雜的裝配工藝。并將該集成沖擊片組件與相同尺寸采用不銹鋼加速膛、聚酰亞胺飛片的常規(guī)沖擊片組件進行了PDV的對比測速試驗,獲得了兩種不同飛片在金屬電爆炸驅動下的加速歷程,所測得的速度歷程有效時長約為190 ns,且兩試驗組的速度歷程較為相近,在加速膛出口位置的飛片速度分別為3970,390 m·s-1。兩組試驗中,飛片在起始的80 ns內,即0.13 mm之前,加速較快,分別達到了最大速度的77%與80%,而在后110 ns內完成了剩余部分的加速。兩試驗組速度歷程基本重合,在金屬電爆炸等離子體的驅動下,加速膛材料與飛片材料變化所帶來的影響并未在飛片的速度歷程中得到明顯體現(xiàn),而這種利用薄膜沉積與厚膠光刻進行沖擊片組件制造的技術,具備由下至上原位集成的特點,為沖擊片組件的集成化發(fā)展提供了新思路。

致謝: PDV測試工作得到了南京理工大學吳立志博士的大力幫助,在此表示感謝！

參考文獻:

[1] 施志貴, 楊芳. 硅集成沖擊片雷管的研制[J].中國機械工程, 2005, 16 (增刊): 469-471.

SHI Zhi-gui, YANG Fang. Development of an integrated silicon slapper detonator[J].ChinaMechanicalEngineering, 2005, 16(Supl.): 469-471.

[2] 施志貴, 郭菲, 席仕偉, 等. 一種金屬橋沖擊片雷管集成制造方法[J].火工品, 2010 (3): 1-3.

SHI Zhi-gui, GUO Fei, XI Shi-wei, et al. A method for fabricating an integrated metal slapper detonator[J].Initiators&Pyrotechnics, 2010 (3): 1-3.

[3] Schmidt M. Chip slapper detonator processing for rapid prototyping and hydrodynamic properties[R]. FY07Engineering Research and Technology Report, Lawrence Livermore National Laboratory, CA, USA, 2007.

[4] Amish Desai, Altadena, CA. Efficient exploding foil initiator and process for making same: US,7938065 B2[P], 2011.

[5] 曾慶軒, 鄭志猛, 李明愉, 等. 沖擊片雷管集成制造方法研究[J].火工品, 2012(5): 1-3.

ZENG Qing-xuan, ZHENG Zhi-meng, LI Ming-yu, et al. Research on fabrication method of integrated slapper detonator[J].Initiators&Pyrotechnics, 2012,(5): 1-3.

[6] 陳清疇, 陳朗, 覃文志, 等. PDV方法測量電爆炸驅動小飛片速度[J]. 含能材料, 2014, 22(3): 413-416.

CHEN Qing-chou, CHEN Lang, QIN Wen-zhi, et al. Photonic doppler velocimetry of mini flyers driven by electrically exploded foils[J].ChineseJournalofEnergeticMaterials(HannengCailiao), 2014, 22(3): 413-416.

[7] Cenobio H Gallegos, Bruce Marshall, Matthew Teel, et al. Comparison of triature doppler velocimetry and visar [J].JournalofPhysics:ConferenceSeries, 2010(3): 2045-2049.

[8] Lee T, Lee J, Park C.Characterization of parylene deposition process for the passivation of organic light emitting diodes[J].JChemEng, 2002, 19: 722-727.

[9] Pokhodnya K I, Bonner M, Miller J S. Parylene protection coatings for thin film V [tcne]× room temperature magnets[J].ChemMater, 2004,16: 5114-5119.

[10] Hopf H. Recent uses of [2.2] paracyclophanes in polymer chemistry and material science[J].AngewChemIntEd, 2008, 47: 9808-9812.

[11] Fortin J B, Lu T M. Chemical vapor deposition polymerization: the growth and properties of parylene thin films[M]. Springer, Netherlands, 2003: 77-79.

[12] Lorenz H, Despont M, Fahrni N, et al. SU-8: a low-cost negative resist for MEMS[J].JMicromech.Microeng, 1997(7): 121-124.

[13] 伊福廷, 張菊芳, 彭良強, 等. 利用紫外光刻技術進行SU-8膠的研究[J]. 微納電子技術, 2013(7/8): 126-128.

YIN Fu-ting, ZHANG Ju-fang, PENG Liang-qiang, et al. The research of SU-8 resist using uv lithography[J].MicronanoelectronicTechnology, 2013(7/8): 126-128.

[14] Alvaro Mata1, Aaron J Fleischman, Shuvo Roy. Fabrication of multi-layer SU-8 microstructures[J].JMicromechMicroeng, 2006, 16: 276-284.

[15] CHEN Qing-chou, FU Qiu-bo, CHEN Lang, et al. Parametric influences on the sensitivity of exploding foil initiators [J].Propellants,Explosives,Pyrotechnics, 2014, 39(4): 558-562.

[16] 石耀剛, 楊光成, 張長生, 等. 新型涂層聚氯代對二甲苯的性能及其應用研究[J]. 涂料工業(yè), 2006, 36(7): 1-3.

SHI Yao-gang, YANG Guang-cheng, ZHANG Chang-sheng, et al. Study on property of new coatings parylene c and its application[J].Paint&CoatingIndustry, 2006, 36(7): 1-3.

[17] Chow R, Schmidt M. Advanced initiation systems manufacturing level 2 milestone completion summary. LLNL-TR-417546[R], 2009.

[18] Hatt D J. A VISAR velocity interferometer system at MRL for slapper detonator and shock wave studies. MRL-TR-9142[R], 1991.

[19] 楊廣勇. 超高速切削時的T-v關系與切削力[J]. 北京理工大學學報, 1996, 16(3): 263-266.

YANG Guang-yong.T-vrelationship and cutting force in high speed cutting processes[J].JournalofBeijingInstituteofTechnology, 1996, 16(3): 263-266.