極紫外光刻（Extreme Ultr

aviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長為10～14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm的軟x射線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

光刻技術是現代集成電路設計上一個最大的瓶頸?，Fcpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統來實現的，但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的，但是如采用EUV光刻技術就會很好地解決此問題，很可能會使該領域帶來一次飛躍。

但是涉及到生產成本問題，由于193納米光刻是目前能力最強且最成熟的技術，能夠滿足精確度和成本要求，所以其工藝的延伸性非常強，很難被取代。因而在2011年國際固態(tài)電路會議（ISSCC2011）上也提到，在光刻技術方面，22/20nm節(jié)點主要幾家芯片廠商也將繼續(xù)使用基于193nm液浸式光刻系統的雙重成像（double patterning）

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