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        基于Innography的技術(shù)領(lǐng)域?qū)@治鰧?shí)證研究

        2014-07-27 06:19:30曹艷
        創(chuàng)新科技 2014年22期
        關(guān)鍵詞:專利權(quán)人碳納米管專利申請(qǐng)

        曹艷

        (鄭州大學(xué)圖書館,鄭州 河南 450001)

        基于Innography的技術(shù)領(lǐng)域?qū)@治鰧?shí)證研究

        曹艷

        (鄭州大學(xué)圖書館,鄭州 河南 450001)

        本文以“碳納米管排布控制”為例,以Innography專利檢索系統(tǒng)為基礎(chǔ),通過計(jì)量分析、聚類分析、對(duì)比分析等方法,對(duì)“碳納米管排布控制”專利的申請(qǐng)趨勢(shì)、發(fā)明人或應(yīng)用國別分布、競(jìng)爭(zhēng)力、技術(shù)點(diǎn)、專利訴訟和異議、以及專利強(qiáng)度進(jìn)行了詳細(xì)分析。從專利的角度給出該技術(shù)領(lǐng)域的研究狀況及發(fā)展趨勢(shì),揭示了該技術(shù)領(lǐng)域中一些非常有價(jià)值的專利情報(bào)信息。

        Innography系統(tǒng);碳納米管;專利分析

        專利情報(bào)分析不僅是企業(yè)爭(zhēng)奪專利的前提,更能為企業(yè)發(fā)展提供技術(shù)策略,評(píng)估競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的情報(bào),認(rèn)清自己的相對(duì)專利地位和技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì),在技術(shù)開發(fā)、合作和貿(mào)易中有效地保護(hù)自身權(quán)益,制定出正確的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略、最佳的研發(fā)計(jì)劃[1]。

        碳納米管自1991年被發(fā)現(xiàn)以來[2]表現(xiàn)出很多潛在的應(yīng)用前景。利用過程中碳納米管操縱的一個(gè)局限性是它的不溶性[3]。碳納米管在膜中無規(guī)聚集,無法有效控制和進(jìn)一步提高碳納米管膜的結(jié)構(gòu)和性能,這嚴(yán)重限制了碳納米管膜在多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用[4]。因此,合理的碳納米管加工技術(shù)的發(fā)展對(duì)于工藝上的用途和進(jìn)一步理解它的基本性質(zhì)對(duì)其往后的應(yīng)用非常重要。本文利用Innography專利檢索分析工具,檢索了“碳納米管排布控制”的相關(guān)專利,并對(duì)檢索結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)的專利信息分析。

        1 數(shù)據(jù)源和檢索方法

        1.1 數(shù)據(jù)源。Innography專利檢索分析系統(tǒng),該系統(tǒng)可以查詢和獲取90多個(gè)國家的同族專利、法律狀態(tài)查詢及專利原文;包括美國、英國、中國、日本、韓國、法國、德國、PCT、EPO在內(nèi)的超過九十多個(gè)國家或地區(qū)的發(fā)明專利+實(shí)用新型和美國的外觀設(shè)計(jì)在內(nèi)的超過8千萬件專利;包含PACER全部專利訴訟部分的美國專利訴訟;來自D&B及美國證券交易委員會(huì)公司情況的公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù);以及將全美商標(biāo)注冊(cè)信息[5]。

        1.2 檢索方法。其一,檢索詞:中文-控制;碳納米管;排布;方法英文關(guān)鍵詞:carbon;Nanotube、nanometer tub、nano pipe、nano pipe;Arrange、distribute、structure、control;method。其二,檢索式:@(abstract,claims,title)carbon and(Nanotube or“nano?meter tube”or“nano pipe”or nanopipe)and@(abstract,title)(arrange or distribute or“control structure”~3)and method@*(ipc_c01 or ipc_b82)。其三,截止檢索日:2013年11月28日。

        2 檢索結(jié)果與分析

        根據(jù)上述檢索條件,在innography系統(tǒng)中運(yùn)行檢索式,并對(duì)檢索結(jié)果進(jìn)行申請(qǐng)量統(tǒng)計(jì),共得到碳納米管排布控制相關(guān)專利申請(qǐng)量1440件。

        2.1 碳納米管排布控制相關(guān)專利申請(qǐng)趨勢(shì)。對(duì)檢索得到的1 440件專利申請(qǐng)進(jìn)行優(yōu)先權(quán)年(Priority Year)的統(tǒng)計(jì),得到碳納米管排布控制相關(guān)專利的申請(qǐng)年度趨勢(shì)圖見圖1,對(duì)中國專利的年度趨勢(shì)進(jìn)行統(tǒng)計(jì),得到折線圖見圖2。從趨勢(shì)上看,碳納米管排布控制相關(guān)專利的申請(qǐng)始于1995年,早年的專利申請(qǐng)量較小,1999后進(jìn)入快速增長(zhǎng)期,隨后大致成逐年遞增的趨勢(shì),2010年之后的專利申請(qǐng)量有所下降。2013年的專利公開還不充分,部分專利數(shù)據(jù)還沒收錄,因此暫不列入趨勢(shì)分析的范疇。對(duì)比圖1可知,中國最早的相關(guān)專利申請(qǐng)出現(xiàn)在1996年基本與世界同步,在2002年后專利申請(qǐng)量開始快速增長(zhǎng),在2009年達(dá)到高峰后近年申請(qǐng)量稍有回落。

        圖1 專利年度申請(qǐng)趨勢(shì)

        圖2 中國專利申請(qǐng)年度趨勢(shì)

        2.2 碳納米管排布控制相關(guān)專利申請(qǐng)與發(fā)明國別分布。利用Innography的專利發(fā)明人國別(Inventor Location)篩選功能,得到專利發(fā)明人國別分布圖。發(fā)現(xiàn)碳納米管排布控制相關(guān)專利主要來自日本、中國、美國和韓國,其他各國發(fā)明人的專利申請(qǐng)量少而較為接近。

        利用Innography的專利的申請(qǐng)國(Source Jurisdiction)統(tǒng)計(jì)功能,對(duì)1440件專利申請(qǐng)進(jìn)行分析,得出碳納米管排布控制相關(guān)技術(shù)主要在哪些國家或者地區(qū)進(jìn)行了保護(hù)。通過分析可知,該技術(shù)的專利申請(qǐng)主要分布在日本、美國、中國和韓國四個(gè)國家。同時(shí)還發(fā)現(xiàn)了一定量的PCT國際專利申請(qǐng)(WIPO)和歐洲(EPO)的專利申請(qǐng),說明很多專利權(quán)人逐漸重視技術(shù)的區(qū)域保護(hù),利用WIPO和EPO的專利申請(qǐng)同時(shí)對(duì)多個(gè)國家或者地區(qū)申請(qǐng)保護(hù)。

        2.3 競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析。將檢索得到1 440件碳納米管排布控制相關(guān)專利進(jìn)行專利權(quán)人(Organization)統(tǒng)計(jì),并利用Innography的競(jìng)爭(zhēng)力分析功能,對(duì)統(tǒng)計(jì)所得的專利權(quán)人進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)力分析,得到圖3氣泡圖。

        圖3 全球?qū)@?jìng)爭(zhēng)力分析圖

        由圖3可以看出:其一,全球在碳納米管排布控制相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)的以中國、日本、美國和韓國的專利權(quán)人為主,其中包括有中國的清華大學(xué)、韓國的三星以及美國的威廉馬什賴斯大學(xué)和哈佛大學(xué)表現(xiàn)出較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。其二,通過氣泡圖可以看出全球范圍內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)差距較為明顯,其中清華大學(xué)在領(lǐng)域內(nèi)擁有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。氣泡最大,說明目前擁有的專利最多;氣泡靠右,說明其專利的總體質(zhì)量較高。清華大學(xué)一直是我國碳納米管相關(guān)技術(shù)的研發(fā)主力,2001年已經(jīng)與南風(fēng)化工集團(tuán)率先實(shí)現(xiàn)了碳納米管的產(chǎn)業(yè)化;2003年與鴻海集團(tuán)旗下富士康建立清華-富士康納米科技研究中心,碳納米管技術(shù)方面的研發(fā)成果和實(shí)力處于世界領(lǐng)先水平。其三,在該技術(shù)領(lǐng)域內(nèi),擁有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的還有上述的三星、威廉馬什賴斯大學(xué)、哈佛大學(xué)等,但這些專利權(quán)人無論從專利量和專利質(zhì)量上都與清華大學(xué)存在較大的差距。其四,經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)力排名靠前的20位專利權(quán)人中,既有高等院校,也有跨國的集團(tuán)公司,可以推測(cè)碳納米管排布控制相關(guān)技術(shù)經(jīng)過多年研究,已經(jīng)逐步進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段,同時(shí),該技術(shù)還存在較多的不足和缺陷亟待解決,也具有較廣泛的發(fā)展空間。上海交通大學(xué)US20050181143 A1專利也屬于領(lǐng)域內(nèi)的重要專利,但該專利族當(dāng)前都已失效,建議上海交通大學(xué)加強(qiáng)對(duì)重要專利的管理,定期對(duì)專利的強(qiáng)度進(jìn)行更新,優(yōu)先維持高強(qiáng)的重要專利;對(duì)于尚處于審查過程中的專利,應(yīng)及時(shí)答復(fù)審查意見,保證審查程序的正常進(jìn)行。

        圖4 2009年及之前的技術(shù)聚類圖

        2.4 碳納米管排布控制相關(guān)專利技術(shù)點(diǎn)分析。通過Innography對(duì)檢索1 440件結(jié)果進(jìn)行公開年份的限定,分別得到827件2009年及以前公開的專利,661件2009年后公開的專利。分別對(duì)兩組專利進(jìn)行文本聚類分析,對(duì)前后兩個(gè)時(shí)間段的技術(shù)側(cè)重點(diǎn)進(jìn)行對(duì)比分析,得到圖4。

        圖4可以看出,早年碳納米管排布控制集中對(duì)電場(chǎng)、碳納米管薄膜、單筆碳納米管和碳納米管纖維的研究;對(duì)比近幾年,碳納米管薄膜依然是技術(shù)的研發(fā)熱點(diǎn),對(duì)電場(chǎng)的研究減少,同時(shí)對(duì)碳納米管膜的結(jié)構(gòu)、陣列、光纖和電池的研究成為新的研發(fā)熱點(diǎn)。

        2.5 訴訟和異議分析。利用Innography的訴訟和異議專利檢索功能發(fā)現(xiàn),截至檢索日,碳納米管排布控制相關(guān)專利暫時(shí)還沒發(fā)生過訴訟以及異議,由此可見,目前該技術(shù)專利的訴訟風(fēng)險(xiǎn)不高。

        2.6 高強(qiáng)度專利分析。“專利強(qiáng)度”是Innography的核心功能之一,它是專利價(jià)值判斷的綜合指標(biāo)。專利強(qiáng)度受權(quán)利要求數(shù)量、引用與被引用次數(shù)、是否涉案、專利時(shí)間跨度、同族專利數(shù)量等因素影響,其強(qiáng)度的高低可以綜合的反映出該專利的文獻(xiàn)價(jià)值大小。通過此功能,可快速從大量專利中篩選出核心專利,幫助判斷該技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)。通過強(qiáng)度值的限制,對(duì)專利進(jìn)行高強(qiáng)度篩選,得到碳納米管排布控制技術(shù)相關(guān)的核心(≥80%)專利一共9件。且均為有效專利。

        3 結(jié)語

        通過對(duì)碳納米管排布控制的相關(guān)技術(shù)的專利分析發(fā)現(xiàn)以下幾個(gè)方面:

        3.1 發(fā)展趨勢(shì)。世界范圍內(nèi)該技術(shù)領(lǐng)域起步較早始于1985年,快速發(fā)展于1995年,之后1999年-2010年處于高峰階段,近幾年有所下緩。在中國的發(fā)展基本與世界同步,2002-2011年快速發(fā)展,2009年達(dá)到高峰,近年申請(qǐng)量稍有回落。

        3.2 競(jìng)爭(zhēng)力。該技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)的國家有中國、日本、美國和韓國,全球范圍內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)差距較為明顯。其中,清華大學(xué)在領(lǐng)域內(nèi)擁有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前,該技術(shù)已經(jīng)逐步進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段。

        3.3 專利技術(shù)點(diǎn)。該技術(shù)領(lǐng)域近年的研究熱點(diǎn)為碳納米管膜的結(jié)構(gòu)、陣列、光纖和電池等。

        3.4 其他。該技術(shù)領(lǐng)域無訴訟和異議案例,目前,該技術(shù)專利的訴訟風(fēng)險(xiǎn)不高。另外,該技術(shù)領(lǐng)域高價(jià)值專利較多有9件,且均有效,值得該領(lǐng)域研究人員關(guān)注。

        [1]于和琴.專利情報(bào)數(shù)據(jù)挖掘—企業(yè)獲取競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的法寶[J].商場(chǎng)現(xiàn)代化,2008(13):22-24.

        [2]張紅丹,鄒小平,程進(jìn),等.碳納米管制備及其生長(zhǎng)機(jī)制研究[J].微納電子技術(shù),2007(Z1):60-62.

        [3]張弢,李含.化學(xué)修飾的水溶性碳納米管[J].南京工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2010(3):99-104.

        [4]黃三慶.取向碳納米管及其復(fù)合膜的制備和應(yīng)用[D].復(fù)旦大學(xué),2012.

        [5]周玉芳.基于Innography的無線電力傳輸專利情報(bào)研究[J].新世紀(jì)圖書館,2013(6):41-44.

        F224

        A

        1671-0037(2014)11-18-2

        曹艷(1978-),女,碩士研究生,館員,研究方向:圖書情報(bào)。

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