【摘 要】GTEM小室近些年來在電磁兼容領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,其工作頻率范圍寬,內(nèi)部可用場區(qū)大,對EUT大小的限制與頻率無關(guān),既可以用于電磁輻射敏感度的測量,也可進行電磁輻射干擾的測試,質(zhì)高價廉,易于使用。該裝置為電磁兼容的測試與評估提供了強有力的手段。本文概述了GTEM小室的設(shè)計原理和整體結(jié)構(gòu)設(shè)計的實施方法。
【關(guān)鍵詞】吉赫橫電磁波傳輸室 電磁場的分布 特性阻抗 設(shè)計
GTEM小室采用同軸及非對稱矩形傳輸線設(shè)計原理,為避免內(nèi)部電磁波的反射及產(chǎn)生高階模式和諧振,總體設(shè)計為尖劈形。輸入端口采用N型同軸接頭,而后漸變至非對稱矩形傳輸以減少結(jié)構(gòu)突變所引起的電波反射。為使GTEM內(nèi)部達到良好的阻抗匹配與較大的可用體積,選取并調(diào)測了合適的角度、芯板寬度和非對稱性。
1 設(shè)計原理
GTEM室由底板、芯板、頂板、側(cè)板、電阻面陣、吸波材料、后蓋板等部分組成的封閉式結(jié)構(gòu),如圖1所示。其漸變形結(jié)構(gòu)避免了TEM傳輸室中由于截面突變而造成來回反射的諧振現(xiàn)象。終端匹配負載由電阻面陣和吸波材料共同組成,大大提高了頻率使用范圍。
GTEM室是單端口網(wǎng)絡(luò),是由喇叭狀的矩形同軸傳輸線端接匹配負載構(gòu)成的微波系統(tǒng)。GTEM室的匹配負載包括兩類:分配型阻抗匹配負載和吸波負載。分配型阻抗匹配負載聯(lián)接GTEM室的內(nèi)導(dǎo)電板與終端導(dǎo)電板,其阻值等于GTEM室的特性阻抗,故在低頻段能得到很好的匹配。而在高頻段,則由粘附在終端導(dǎo)電板上的吸波負載吸收電磁波,避免反射。為達到GTEM室的阻抗匹配,特性阻抗無疑是GTEM室最重要的設(shè)計參數(shù)之一。其分析計算方法的研究和GTEM室制造上的特性阻抗設(shè)計,是GTEM室理論研究的重要部分。盡管GTEM室結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,但仍需對其特性阻抗進行分析和計算。
根據(jù)傳輸線理論,高頻無損耗線特性阻抗的表達式為:
可認為是光速,是已知值。所以,只要求出單位長電容C,就可得到特性阻抗。而求電容要根據(jù)TEM波電場所滿足的微分方程即同一裝置處在靜態(tài)場中其電場所滿足的微分方程出發(fā),并利用各種數(shù)學(xué)方法進行計算。
在GTEM室內(nèi)部場強的傳統(tǒng)計算中,其內(nèi)部場強由芯板上的射頻電壓U與芯板對GTEM室的底板高度h之比,即:
2 仿真驗證結(jié)果
建立GTEM室的幾何模型,要使用三維建模。建立的幾何模型如圖3所示。
加載激勵源后的模型圖如圖4所示。
在建立幾何模型的過程中,我們充分考慮了GTEM室的兩端的特殊情況,對這兩部分的結(jié)構(gòu)采取了特殊的處理方法。使小室的模型完全符合其實際工作的狀態(tài)。
GTEM室模型在激勵頻率為100MHz和500MHz時的主測試區(qū)域位置截面的電場分布如下面多圖所示:
通過設(shè)置場強探頭依次計算每個測試點的場強,在每個頻率上均測出16個點的數(shù)值,分析全部16個點的測量值,剔除其中偏差較大的4個點的數(shù)據(jù),經(jīng)計算顯示場強在±3dB容差之內(nèi),即設(shè)計方案滿足標(biāo)準(zhǔn)場地均勻性的要求。
3 整體結(jié)構(gòu)設(shè)計
GTEM小室的結(jié)構(gòu)總體上可分為接頭部分、主體部分和負載部分,整體構(gòu)成一個四棱錐,如圖7所示。
GTEM小室的內(nèi)部,除了呈扇形展開的斧形塊和芯板之外,還有一個重要組成部分,就是匹配負載。它包括兩個部分,即低頻段的電阻型匹配負載和高頻段的微波吸收材料。低頻段的電阻性匹配負載為0-100MHz的行波傳播提供了精確的50Ω匹配。考慮到功率容量、熱穩(wěn)定性以及對電脈沖的耐受性等因素,可采用電阻串并聯(lián)焊接而成的電阻面陣來作為匹配負載使用。電阻面陣由并聯(lián)的三塊電阻板組成,這樣做的目的是使電阻面陣的邊緣能接近于圓弧狀。由于GTEM小室的輸入端有時會饋入強電場,所以為防止電阻擊穿,在設(shè)計時要保證每塊電阻板上串聯(lián)的電阻足夠多,這樣在降低每只電阻功率要求的同時,也節(jié)約了制造成本,另一方面,為避免產(chǎn)生高壓打火現(xiàn)象,在制作電阻板時應(yīng)注意去除毛刺。高頻段的吸波材料被用于吸收高于100MHz的入射橫電磁行波。所有的吸波材料都堆砌在GTEM小室的后部封閉端,吸波材料處于同一個波面,使GTEM小室能獲得較好的匹配性能。
為防止在鋁板拼接后的接縫處產(chǎn)生電磁泄漏,應(yīng)在接縫處用鋁制包條進行覆蓋。包條應(yīng)足夠?qū)?,上面的螺釘孔要設(shè)計的盡量靠近,而且螺釘孔的位置應(yīng)該盡量避免橫向接縫,以避免截斷箱壁上的縱向表面電流。
GTEM側(cè)板的適當(dāng)位置需安裝屏蔽門以便進出。為了使外部的干擾信號不至于擾亂內(nèi)部分布均勻的電磁場,同時防止內(nèi)部電磁場泄漏,要保證屏蔽門的屏蔽效能滿足設(shè)計要求。
4 結(jié)語
GTEM小室最基本的兩個電氣特性是阻抗和內(nèi)部場分布,所以準(zhǔn)確計算特性阻抗,與負載做到良好匹配,使傳輸室測試區(qū)的場分布滿足場均勻性要求,是GTEM小室設(shè)計的關(guān)鍵。
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