任曉燕,高銀浩,胡博
(1.河南科技學(xué)院,河南新鄉(xiāng) 453003;2.河南省計(jì)量科學(xué)研究院,河南鄭州 450008)
II-VI族氧化物半導(dǎo)體ZnO是一種寬帶隙N型半導(dǎo)體,其低介電常數(shù)、高化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)良的光電、壓電等特性,使它在半導(dǎo)體技術(shù)的諸多領(lǐng)域中有著極為廣闊的應(yīng)用前景[1].ZnO半導(dǎo)體四個(gè)主要低密勒指數(shù)支配面分別是(000±1)極性面,(1010)和(1020)兩個(gè)非極性面,許多重要物理、化學(xué)過程首先發(fā)生在表面和界面,表面鈍化、表面擴(kuò)散、外來粒子在表面上的粘附、表面腐蝕等都與表面吸附和再構(gòu)有密切關(guān)系[2].H2的吸附和一些重要的化工進(jìn)程有緊密聯(lián)系,如甲醇的氣體合成等.本文研究了H在ZnO非極性面(1010)的吸附.
在 MaterialsStudio環(huán)境下(AccelrysS of tware Inc.),利用 Cambridge SerialTotalEnergy Package(CASTEP)模塊進(jìn)行第一性原理計(jì)算[3-4].計(jì)算中選用基于廣義梯度近似交換關(guān)聯(lián)近似的超軟(Ultras of t)贗勢(shì),平面波截?cái)嗄芰縀cut=380 eV.總能量和電荷密度在對(duì)Brillouin區(qū)的積分計(jì)算使用Monkhorst-Pack方案時(shí)選擇k網(wǎng)格點(diǎn)為4×4×2,快速傅里葉變換(FFT)網(wǎng)格取(36×36×60),自洽收斂精度設(shè)為 1×10-6eV/atom,原子間的相互作用力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.3 eV/nm,原子的最大位移收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.000 1 nm,晶體內(nèi)應(yīng)力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.05GPa.能量計(jì)算都在倒易空間中進(jìn)行,Zn-3d4s和O-2s2p電子當(dāng)作價(jià)電子處理.
權(quán)衡考慮計(jì)算精度和計(jì)算能力,超級(jí)晶胞選用p(1×1)結(jié)構(gòu)的6層共12個(gè)原子(見圖1),真空層厚度選取為15·A[5],用來模擬ZnO(1010)非極性表面.測(cè)試顯示即使增加原子層厚度(如增加到8層或10層)引起的總能變化均小于0.000 5 eV/atom,因此我們選用的6層原子進(jìn)行模擬是合理的.計(jì)算時(shí)采取底層的4個(gè)ZnO原子層在優(yōu)化好晶格參數(shù)后固定其空間位置,只留下上面的兩個(gè)原子層和吸附的H原子可以在位置上自由弛豫.優(yōu)化后的晶格參數(shù)為a=3.260 A,c=5.281 A,u=0.377與實(shí)驗(yàn)值a=3.250 A,c=5.207 A,u=0.382[6]誤差均在2%以內(nèi).本文的計(jì)算我們采用優(yōu)化所得的晶格常數(shù).
圖 1 ZnO(100)非極性面
ZnO晶體中的每個(gè)Zn和O原子周圍都有4個(gè)配位的O、Zn原子,使得它們呈四面體結(jié)構(gòu),當(dāng)ZnO晶體形成ZnO(100)非極性面時(shí),該表面上的每個(gè)Zn,O原子的一個(gè)成鍵被打斷,于是在ZnO(1010)的p(1×1)非極性面上出現(xiàn)兩種獨(dú)立懸掛鍵.H原子在此面上的吸附有兩個(gè)高對(duì)稱吸附位置:Zn和O的頂吸附位若只在Zn或O頂位吸附,即每個(gè)p(1×1)面吸附一個(gè)H原子,表示為ZnO(100)-H,則覆蓋度為0.5.見圖 2.
圖 2 ZnO(100)-H 面
表1中顯示H原子最穩(wěn)定的吸附位是在O原子的頂位,可以形成OH原子團(tuán),H原子在O頂位的吸附比在Zn原子頂位的吸附能高出1.59 eV.即H覆蓋度為0.5的吸附只在O頂位吸附.
Wang Y等通過高分辨電子能量損失譜(HREELS)分析H吸附后ZnO(1010)面,結(jié)果顯示H存在下的ZnO(1010)面只形成OH原子團(tuán),而沒有ZnH出現(xiàn)[7].與我們此處的計(jì)算結(jié)論吻合.
隨后,我們又詳細(xì)分析了 ZnO(1010)-H 的態(tài)密度(Density of States,DOS)(見圖 3(b)),與潔凈 ZnO(1010)面DOS(見圖3(a)),可看出由于H的吸附,在禁帶中出現(xiàn)電子態(tài),這主要是由于導(dǎo)帶底的Zn4s電子向禁帶中擴(kuò)散,并伴隨有顯著的高度下降;同時(shí)O原子的2 p電子態(tài)也在遠(yuǎn)離費(fèi)米能級(jí)方向出現(xiàn)一個(gè)小小的水平移位,DOS峰的高度沒有顯著變化.從圖4中ZnO(1010)-H的能帶結(jié)構(gòu)圖上更能清晰看出:由于H原子的吸附,導(dǎo)致導(dǎo)帶向費(fèi)米能級(jí)方向擴(kuò)散,并擴(kuò)散到費(fèi)米能級(jí)下,和價(jià)帶發(fā)生交叉,出現(xiàn)和金屬的能帶類似的結(jié)構(gòu),即呈現(xiàn)出金屬特性.原因是單個(gè)H原子的吸附引入一個(gè)1 s電子,當(dāng)H原子吸附在O頂位后,該H原子的1 s電子和表面此處的O原子懸掛鍵緊密成鍵.原來表面上的Zn、O兩個(gè)懸掛鍵,由于被H飽和一個(gè),則在表面剩余下一個(gè)由Zn4s懸掛鍵,剩余的Zn4s電子懸掛鍵導(dǎo)致表面呈現(xiàn)出Zn的金屬性.
圖3 三種情況DOS圖對(duì)比
圖4 ZnO(1010)-H的能帶結(jié)構(gòu)
Yin X L的STM研究顯示直接表明H吸附后的ZnO(1010)面導(dǎo)電性明顯增強(qiáng),電流呈指數(shù)增長(zhǎng),顯示出ZnO(1010)-H面明顯金屬化[8].這一結(jié)論很好的解釋了實(shí)驗(yàn)中的疑惑.
ZnO(1010)對(duì)H的吸附,往往由于實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件的制約,很難保證H原子的濃度,也就是ZnO(1010)面上發(fā)生的吸附反應(yīng)可能在H濃度低的環(huán)境下進(jìn)行,也可能會(huì)在富H環(huán)境中發(fā)生.富H環(huán)境下H的覆蓋度能達(dá)到1,即ZnO(1010)面上的Zn、O原子頂位各自吸附一個(gè)H原子,即每個(gè)p(1×1)面上有兩個(gè)H原子吸附(表示為 ZnO(1010)-2H).見圖 5.
圖5 ZnO-2H面
通過對(duì)比DOS(見圖3),可以清楚的看到雙H吸附的 ZnO(1010)-2H 面的 DOS(見圖 3(c))和清潔體系表面(見圖3(a))的DOS大體相似,導(dǎo)帶主要由Zn4s電子態(tài)構(gòu)成,低于費(fèi)米面下2 eV處的DOS峰主要是O2p電子的貢獻(xiàn).禁帶寬度清晰可見約1 eV.從圖6 ZnO(1010)-2H的能帶結(jié)構(gòu)圖上更能清晰看出:由于又多了一個(gè)H原子在面上的吸附,使得ZnO(1010)-2H體系的能帶結(jié)構(gòu)和ZnO體材料的很類似,導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于Brillouin區(qū)的G點(diǎn)處.通過對(duì)DOS圖和能帶結(jié)構(gòu)的分析發(fā)現(xiàn):雙H吸附后的ZnO(1010)-2H面與單H吸附后的ZnO(1010)-H相比,消除了單H吸附引起的金屬性,又表現(xiàn)出了和體材料類似的直接帶隙半導(dǎo)體特性.
由于單個(gè)H原子在表面的吸附引入的一個(gè)1 s電子只能飽和表面一個(gè)懸掛鍵,即飽和掉了表面的O原子的懸掛鍵,使得表面的Zn原子懸掛鍵剩余,這個(gè)余下的Zn懸掛鍵顯示出極強(qiáng)的金屬性.當(dāng)在富H環(huán)境中,表面Zn原子會(huì)在形成的OH原子團(tuán)影響下吸附一個(gè)H,出現(xiàn)雙H吸附態(tài).對(duì)應(yīng)于兩個(gè)H原子在ZnO非極性面的吸附,則可以同時(shí)引入兩個(gè)1 s電子,此時(shí)該表面上的ZnO兩個(gè)懸掛鍵恰好被完全飽和,因此,雙H吸附的ZnO(1010)-2H體系又表現(xiàn)出與原來ZnO體材料相似的半導(dǎo)體特性.
圖6 ZnO(1010)-2H能帶結(jié)構(gòu)圖
采用基于DFT的第一性原理計(jì)算,本文詳細(xì)計(jì)算了H在ZnO非極性面上的吸附.通過計(jì)算不同濃度H在(1010)非極性面上的吸附,分析能帶結(jié)構(gòu)和DOS,以及對(duì)不同吸附體系總能量的計(jì)算,我們可知:①當(dāng)H濃度低時(shí),H原子只吸附在(1010)非極性面的O原子上,形成OH原子團(tuán),使得Zn懸掛鍵獨(dú)立存在,導(dǎo)致吸附后的該面呈現(xiàn)金屬性;②H濃度大時(shí),(1010)非極性面的O、Zn各吸附一個(gè)H原子,使得該面上的Zn、O懸掛鍵均得到飽和,以至金屬性消失.該計(jì)算模型和結(jié)論很好的解釋了實(shí)驗(yàn)上的疑惑.
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