數(shù)值模擬的方法對(duì)熱場(chǎng)進(jìn)行仿真,田舒平[6]等人通過一種激光金屬成形的檢測(cè)方法對(duì)熱場(chǎng)進(jìn)行仿真,但是這些方法過于理論化,實(shí)際應(yīng)用效果較差。文章通過有限元軟件FEMAG仿真300CM單晶硅生長(zhǎng)過程中的熱場(chǎng)特征,獲取合適的單晶硅生長(zhǎng)參數(shù)。2 FEMAG軟件模擬的300CM單晶硅熱場(chǎng)特征2.1 幾何建?；谟邢拊浖﨔EMAG的300CM單晶硅熱場(chǎng)計(jì)算應(yīng)用了2D軸對(duì)稱模型。首先通過CAD繪圖軟件繪制了熱場(chǎng)的幾何結(jié)構(gòu),并且在確保計(jì)算準(zhǔn)確性的同時(shí)省略對(duì)熱場(chǎng)特征仿真無影響

，從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于15.24 cm氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，突破了15.24 cm氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于15.24 cm氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。近年來，中國(guó)電科圍繞國(guó)家戰(zhàn)略需求，在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域砥礪深耕并取得重大突破和標(biāo)志性成果，有力支撐了我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展。摘自《光明日?qǐng)?bào)》

測(cè)出轉(zhuǎn)臺(tái)潤(rùn)滑油膜熱場(chǎng)成為提高數(shù)控裝備的關(guān)鍵難題.本文對(duì)微傾斜油墊靜壓轉(zhuǎn)臺(tái)油膜熱場(chǎng)進(jìn)行仿真研究，從理論上揭示出不同微傾斜參數(shù)下高速極端工況下的油膜溫度分布規(guī)律，為靜壓轉(zhuǎn)臺(tái)潤(rùn)滑設(shè)計(jì)提供理論依據(jù).1 數(shù)學(xué)模型1.1 32號(hào)液壓油黏-溫模型表1 32號(hào)液壓油黏溫?cái)?shù)據(jù)本研究選取以上8組數(shù)據(jù)來構(gòu)造和擬合Vogel黏溫方程，得到黏溫方程表達(dá)式：(1)式中μ為動(dòng)力黏度(Pa·S)，T為平均溫度(℃).1.2 油膜熱計(jì)算控制方程油膜運(yùn)行中，依據(jù)能量守恒定律，能量方程基本表達(dá)

的方法不同,基于熱場(chǎng)動(dòng)力學(xué)理論,范洪義教授引入了一種描述系統(tǒng)與其周圍環(huán)境相互作用的熱場(chǎng)糾纏態(tài)表象(系統(tǒng)作為實(shí)模,與系統(tǒng)有相互作用的環(huán)境作為虛模),由此推導(dǎo)出了實(shí)、虛模算符滿足的算符恒等式及其互換關(guān)系,并將關(guān)于密度算符的量子主方程轉(zhuǎn)化為相應(yīng)態(tài)矢量滿足的方程,從而成功求解了一系列描述系統(tǒng)發(fā)生退相干演化的量子主方程并給出了其解析解的不同表示[5,6]。在光學(xué)理論中,熱通道噪聲是引起退相干的重要來源,因此熱噪聲影響下量子態(tài)的演化及其退相干問題備受關(guān)注。目前,對(duì)于熱

調(diào)整加熱器功率到熱場(chǎng)達(dá)到穩(wěn)定所需的熱延遲時(shí)間變長(zhǎng)，反饋控制更難實(shí)現(xiàn)。因此用于小尺寸晶體生長(zhǎng)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)將無法保證大尺寸晶體生長(zhǎng)中流動(dòng)及熱場(chǎng)的橫向均勻性，對(duì)于大尺寸鑄錠晶體硅，需要重新設(shè)計(jì)熱場(chǎng)，并對(duì)橫向流動(dòng)加以控制。此前晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)優(yōu)化大多采用數(shù)值模擬，如Wei等[2]通過二維穩(wěn)態(tài)數(shù)值模擬研究了隔熱籠開口大小、保溫棉熱導(dǎo)率、側(cè)隔熱籠分區(qū)塊對(duì)240 kg鑄錠多晶硅熱場(chǎng)溫度分布、晶體生長(zhǎng)界面形狀的影響，并做了能量平衡分析，結(jié)果表明在側(cè)加熱器下方增加分區(qū)塊可以

試驗(yàn)分別采用傳統(tǒng)熱場(chǎng)處理技術(shù)和電磁能熱處理技術(shù)兩種工藝進(jìn)行軸承鋼的兩相區(qū)球化退火處理，工藝路線如圖3所示。圖3 球化退火處理工藝示意圖本文在790 ℃下分別進(jìn)行60 min的傳統(tǒng)熱場(chǎng)球化退火和10、20及60 min 的CEME(可控電磁能)技術(shù)球化退火處理，使用Image-J圖像分析軟件統(tǒng)計(jì)不同熱處理?xiàng)l件下獲得的殘留碳化物尺寸及含量，并對(duì)殘留碳化物的形貌、數(shù)量及粒徑進(jìn)行對(duì)比，從而探索短時(shí)電磁能技術(shù)在軸承鋼熱處理方面的機(jī)理。2 試驗(yàn)結(jié)果圖4為不同熱處理?xiàng)l件

加熱方式3 應(yīng)用熱場(chǎng)仿真技術(shù)，提高加熱準(zhǔn)型及效率應(yīng)用Ansys 軟件熱仿真板塊，可實(shí)現(xiàn)模具加熱系統(tǒng)熱場(chǎng)仿真。模具加熱系統(tǒng)經(jīng)過：加熱管設(shè)計(jì)?熱場(chǎng)仿真?校正加熱管設(shè)計(jì)?再次熱場(chǎng)仿真?得到想要加熱效果。下隨形加熱系統(tǒng)，熱場(chǎng)仿真得到塑件表面加熱溫度小于5℃的結(jié)果。根據(jù)實(shí)際需要，可調(diào)整加熱絲的設(shè)計(jì)排布進(jìn)一步優(yōu)化加熱均勻度效果（見圖5、圖6）。圖5 加熱絲設(shè)計(jì)效果圖6 熱場(chǎng)仿真結(jié)果4 加熱功率計(jì)算系統(tǒng)加熱絲功率及條數(shù)，根據(jù)生產(chǎn)塑件及生產(chǎn)節(jié)拍計(jì)算得出，如塑封電機(jī)模具，加

目前針對(duì)成都地表熱場(chǎng)的研究多集中分析其時(shí)空分布及演變規(guī)律， 探討下墊面對(duì)成都地表熱場(chǎng)影響的研究較少． 成都城市化導(dǎo)致城區(qū)不透水面快速增加， 以及成都對(duì)環(huán)境的建設(shè)和治理使得郊區(qū)植被覆蓋增加， 均改變了原有下墊面的物理性質(zhì)， 對(duì)地表熱環(huán)境造成影響． 因此聚焦于研究成都城市下墊面變化對(duì)地表熱場(chǎng)的影響顯得尤為重要．本研究以2001年和2018年MODIS數(shù)據(jù)反演的地表溫度為基礎(chǔ)， 結(jié)合植被指數(shù)和地表分類數(shù)據(jù)， 對(duì)比了成都市2001年和2018年城市熱島和熱場(chǎng)強(qiáng)度的

?！皡未呵铮_始熱場(chǎng)！”盯著第八排座位的絕不只有呂春秋，在離演出開場(chǎng)還剩五百八十秒的時(shí)候，導(dǎo)演發(fā)出了命令。五百八十秒，將徹徹底底地屬于呂春秋。不長(zhǎng)，卻也不算很短?！拔襾砹恕迸e著話筒的呂春秋，單槍匹馬上陣了。2“觀眾朋友們，大家好，好些日子沒見，把我想得都快得相思病了。剛誰說的，也想我？我不相信，要是想我的話，得用掌聲來證明，鼓掌的時(shí)間越長(zhǎng)，說明想得越厲害。我喊三二一，就開始鼓：三，二，一，開始！”呂春秋單刀直入式的開場(chǎng)，套用了春晚上馮鞏演小品的出場(chǎng)模式

揮發(fā)物遷移過程中熱場(chǎng)溫度和延長(zhǎng)其停留時(shí)間[12-13]均會(huì)加劇其反應(yīng)行為，導(dǎo)致焦油產(chǎn)率降低，瀝青和積碳含量增加。相較于相同熱解溫度下所得熱解半焦，揮發(fā)物反應(yīng)形成的積碳具有更高的熱穩(wěn)定性[11]。顯著的揮發(fā)物反應(yīng)不僅與體系相對(duì)缺氫有關(guān)，更與富含易發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的含氧類自由基密切相關(guān)。煤熱解揮發(fā)物體系中引入相對(duì)富氫的物質(zhì)，通過富氫小分子或自由基將揮發(fā)物中所含的不穩(wěn)定自由基中間體及時(shí)穩(wěn)定，減少因顯著鍵合而發(fā)生的重排和縮聚等反應(yīng)，一定程度上有利于改善焦油品質(zhì)。相對(duì)富

ission)和熱場(chǎng)發(fā)射電子槍(Thermal Field Emission)。1.2.1 冷場(chǎng)發(fā)射電子槍冷場(chǎng)發(fā)射電子槍工作溫度是300 K，最大的優(yōu)點(diǎn)是電子束的直徑最小，亮度最高，因此影像分辨率最優(yōu)，能量分布最小。為避免針尖被外來氣體吸附而降低場(chǎng)發(fā)射電流并使發(fā)射電流不穩(wěn)定，冷場(chǎng)發(fā)射式電子槍必須要在10×10-10Torr 的真空度下操作，雖然如此還是需要定時(shí)短暫加熱針尖至2 500 K(Flashing)，以去除所吸附的氣體原子。它的缺點(diǎn)是發(fā)射的總電流最

角度來看，溫度和熱場(chǎng)都是溫?zé)岽碳げ煌潭鹊牧炕问絒10]。董新民等[11]提出不同灸法會(huì)產(chǎn)生不同的療效，這是因?yàn)楦鞣N灸法的溫度變化規(guī)律不同，但是各灸法所形成的動(dòng)態(tài)熱場(chǎng)分布規(guī)律卻也存在相同點(diǎn)，特別是對(duì)于同屬懸起灸的溫和灸和雀啄灸。王曉瑜等[6]進(jìn)行了溫度特征分析實(shí)驗(yàn)，并記錄了艾灸過程的溫度特征，但他們僅通過實(shí)驗(yàn)分析了單一灸法的溫度特征，并未建立理論傳熱模型。劉志朋等[12]通過建立一維穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱模型研究了傳統(tǒng)灸法的熱場(chǎng)分布，并進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，但他們并未

數(shù)據(jù)的地表溫度和熱場(chǎng)強(qiáng)度指數(shù)數(shù)據(jù)，統(tǒng)計(jì)分析了木蘭溪流域地表溫度和熱場(chǎng)強(qiáng)度在不同時(shí)間尺度下的變化特征，并探討了不同下墊面類型對(duì)地表溫度的調(diào)節(jié)作用，由此構(gòu)建了基于建筑、水體和植被的木蘭溪流域地表溫度評(píng)估模型。該研究成果可為當(dāng)?shù)卣_展城市生態(tài)環(huán)境治理提供科學(xué)決策參考。1 資料與方法1.1 數(shù)據(jù)來源本文數(shù)據(jù)來源為8天合成的分辨率為1km的2000—2019年MOD11A2地表溫度遙感產(chǎn)品，獲取行列號(hào)為h28v06，共計(jì)910景影像①。1.2 熱場(chǎng)強(qiáng)度指數(shù)為更好地

錠爐設(shè)備由爐體、熱場(chǎng)、真空泵、電氣控制柜、人機(jī)界面等組成，可實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)加熱、溫度、壓力、真空度等子系統(tǒng)控制。采用多晶硅定向凝固技術(shù)，硅料在高溫熔融后，通過定向冷凝結(jié)晶工藝，形成太陽能電池生產(chǎn)用多晶硅硅錠，提供高品質(zhì)硅片原料。3 鑄錠爐的鑄錠工藝及常見故障3.1 鑄錠工藝及參數(shù)鑄錠工藝流程為預(yù)熱、熔化、長(zhǎng)晶、退火、冷卻，一般工藝參數(shù)設(shè)置如下。預(yù)熱：時(shí)間約15h，溫度控制范圍為室溫～1200℃，過程保溫；熔化：時(shí)間約10h，溫度控制范圍1200℃～1550℃，真

423)鋁電解槽熱場(chǎng)分布是槽工況表現(xiàn)的重要特征[1],在鋁電解槽生產(chǎn)過程中電解槽的熱場(chǎng)不僅能夠影響電解槽的運(yùn)行狀態(tài)同時(shí)還影響鋁電解槽的能耗指標(biāo),良好的熱場(chǎng)分布能夠讓鋁電解槽獲得理想指標(biāo)。熱場(chǎng)分布合理時(shí),鋁液和電解質(zhì)溫度適宜,不僅槽幫的厚度以及形狀合適,而且槽膛內(nèi)形穩(wěn)定。當(dāng)熱場(chǎng)分布不合理時(shí),會(huì)出現(xiàn)熔體溫度過高或過低的現(xiàn)象,導(dǎo)致槽膛內(nèi)形不規(guī)整且生產(chǎn)工況不穩(wěn)定,從而使電解鋁的產(chǎn)量受到影響,同時(shí)槽電壓、內(nèi)襯壽命以及電流效率也會(huì)受到影響[2-3]。因此合理的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)

堝發(fā)熱體、氧化鋯熱場(chǎng)；(2)感應(yīng)加熱、銥桶發(fā)熱體、銥坩堝、氧化鋯熱場(chǎng)；(3)感應(yīng)加熱、鎢/鉬坩堝、氧化鋯+石墨碳?xì)只旌?span id="sysms0i" class="hl">熱場(chǎng)；(4)感應(yīng)加熱、鎢桶發(fā)熱體、鎢/鉬坩堝、氧化鋯+石墨碳?xì)只旌?span id="u0000us" class="hl">熱場(chǎng)；(5)電阻加熱、石墨發(fā)熱體、鎢/鉬坩堝、石墨碳?xì)?span id="qewciyw" class="hl">熱場(chǎng)；(6)電阻加熱、石墨發(fā)熱體、鎢/鉬坩堝、雙溫區(qū)石墨碳?xì)?span id="geyyoo0" class="hl">熱場(chǎng)等。并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了藍(lán)寶石系列晶體：同步12～23片108 mm/80 mm寬片、350 mm×700 mm×12 mm大板條、內(nèi)徑0.16 mm微管及其陣

密度要求低，單晶熱場(chǎng)設(shè)計(jì)難度更大。目前，國(guó)外已普遍采用6英寸鍺片制備空間太陽電池，在2006年，Umicore 公司就報(bào)道實(shí)驗(yàn)研制出φ300 mm的低位錯(cuò)(位錯(cuò)密度1 低位錯(cuò)鍺單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)1.1 理論分析單晶生長(zhǎng)需要一定的溫度梯度，晶體內(nèi)部徑向以及軸向溫度梯度的存在將必然產(chǎn)生一定程度的熱應(yīng)力，該熱應(yīng)力一旦超出鍺材料的臨界應(yīng)力，晶體內(nèi)部會(huì)繁殖產(chǎn)生大量的位錯(cuò)，因此位錯(cuò)密度和溫度梯度存在密切關(guān)系。理論上認(rèn)為，在生長(zhǎng)界面附近，單晶位錯(cuò)密度和軸向溫度梯度及徑向

前移。4 嵌入式熱場(chǎng)柔化對(duì)纖維運(yùn)動(dòng)的控制基于夏治剛等［10］提出的加捻三角區(qū)熱場(chǎng)調(diào)控纖維成紗機(jī)理設(shè)計(jì)了自控溫型壓力棒，在后牽伸區(qū)建立熱場(chǎng)，協(xié)同嵌入式多單元分束須條機(jī)制，采用不同后區(qū)單壓力棒進(jìn)行了紡紗試驗(yàn)，以探究牽伸過程中纖維在熱場(chǎng)中模量降低對(duì)其受控能力和形變能力的影響。采用與前文紡制18.3 tex 紗線相同的工藝參數(shù)，所得試驗(yàn)結(jié)果見表3。表3 嵌入式熱場(chǎng)柔化對(duì)成紗條干的影響由表3 可知，與無壓力棒相比，光滑式熱場(chǎng)壓力棒成紗條干降低了9.4%，嵌入式熱場(chǎng)壓

態(tài)下加熱爐內(nèi)部的熱場(chǎng)條件卻是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。因此，有必要針對(duì)鉬隔熱屏表面氧化導(dǎo)致發(fā)射率改變并影響加熱爐內(nèi)部熱場(chǎng)進(jìn)行定量分析。高溫條件下溫度測(cè)量實(shí)驗(yàn)難度較大，同時(shí)也無法通過實(shí)驗(yàn)全面獲得爐體內(nèi)部的溫度分布。相比之下，數(shù)值模擬仿真分析為全面深入認(rèn)識(shí)加熱爐內(nèi)部的熱場(chǎng)分布提供了有效手段。本論文即采用數(shù)值模擬方法，定量研究鉬隔熱屏表面氧化對(duì)加熱爐內(nèi)部溫度分布和功率消耗的影響，為精細(xì)化設(shè)計(jì)爐體內(nèi)部熱場(chǎng)提供理論依據(jù)。圖1 鉬隔熱屏實(shí)物圖1 建立模型1.1 幾何模型本研究針對(duì)某

本文利用連續(xù)變量熱場(chǎng)糾纏態(tài)表象[12,13]，解析求解了受振幅阻尼和熱噪聲同時(shí)影響的克爾介質(zhì)主方程，并給出了含時(shí)密度算符的無限維克勞斯算符和表示.1 受兩種噪聲影響的克爾介質(zhì)的量子主方程根據(jù)馬爾科夫近似理論，當(dāng)克爾介質(zhì)受振幅阻尼和熱噪聲同時(shí)影響時(shí)，系統(tǒng)的含時(shí)密度算符在相互作用表象中滿足量子主方程[11](1)式中ρt為t時(shí)刻系統(tǒng)的密度算符，a(a?)為系統(tǒng)的湮滅(產(chǎn)生)算符，Γ為振幅阻尼系數(shù)，N=1/(e?-1)為熱庫(kù)的平均光子數(shù)，參數(shù)?,ω,k和T分別為

伏行業(yè)的晶硅制造熱場(chǎng)系統(tǒng)，是一家具有自主研發(fā)能力和持續(xù)創(chuàng)新能力的高新技術(shù)企業(yè)。公司致力于為客戶提供性能卓越、性價(jià)比高的先進(jìn)碳基復(fù)合材料產(chǎn)品和全套解決方案，是2019年唯一一家入選工信部第一批專精特新“小巨人”企業(yè)名單的先進(jìn)碳基復(fù)合材料制造企業(yè)，是隆基股份、中環(huán)股份、晶科能源、晶澳科技等行業(yè)內(nèi)主要公司的供應(yīng)商。近幾年，金博股份營(yíng)業(yè)收入與凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入由2016年的0.84億元，增長(zhǎng)到2019年的2.4億元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)41.9%，而同期凈利潤(rùn)復(fù)

晶體生長(zhǎng)爐的鎢鉬熱場(chǎng)防短路裝置，包括加熱體，所述加熱體上方設(shè)置有熱場(chǎng)，加熱體的一端連接有電源的正極，另一端連接有電源的負(fù)極；所述加熱體兩端還連接有第一電壓表，所述熱場(chǎng)的一端通過第二電壓表與電源的正極相連，另一端通過第三電壓表與電源的負(fù)極相連。本實(shí)用新型能有效地避免內(nèi)部短路事故的發(fā)生，可以避免造成設(shè)備損失和人身安全事故。

度就會(huì)越高，維持熱場(chǎng)系統(tǒng)及整個(gè)晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性越困難。本文采用Φ360 mm×360 mm銥坩堝，構(gòu)建了積木式模塊化大尺寸Yb∶YAG晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)，利用小塊耐火材料之間的縫隙，有效解決傳統(tǒng)一體式熱場(chǎng)不定型耐火材料燒結(jié)硬化與大塊體定型耐火材料開裂、變形對(duì)熱場(chǎng)溫度分布穩(wěn)定性造成的不利影響。同時(shí)，針對(duì)大尺寸YAG晶體熱應(yīng)力大，容易開裂，需在較小的溫度梯度熱場(chǎng)內(nèi)進(jìn)行生長(zhǎng)，而大尺寸晶體生長(zhǎng)單位時(shí)間內(nèi)結(jié)晶潛熱釋放量大，固液界面處需要較大溫度梯度才能維持固液界面形

為環(huán)境溫度較低，熱場(chǎng)散熱較快，當(dāng)拍攝的視場(chǎng)足夠?qū)挄r(shí)，照片邊緣的條紋是由處于室溫狀態(tài)的流體形成. 由于氣流的干擾，干涉條紋會(huì)上下波動(dòng)，但波動(dòng)量通常不會(huì)超過1個(gè)條紋寬度(詳情可見實(shí)驗(yàn)記錄視頻，https://v.youku.com/v_show/id_XMzgwNDYzMjE0NA==.html?spm=a2h0k.11417342.soresults.dtitle). 根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，以電烙鐵作為熱源，當(dāng)加熱溫度高于400 ℃時(shí)，條紋邊緣可能不再處于室溫狀態(tài)(

范圍內(nèi)的陸地表面熱場(chǎng)分布圖。分別對(duì)多期影像進(jìn)行陸地表面溫度反演，得到的這幾期影像研究區(qū)域范圍內(nèi)的陸地表面熱場(chǎng)分布圖。二、樂山市地表溫度的空間分布與熱島強(qiáng)度的變化特征分析結(jié)合GIS 平臺(tái)，將原本的黑白圖像拉伸，生成有利于分辨的彩圖。對(duì)生成的樂山市及其周邊地區(qū)溫度分布圖進(jìn)行直觀的分析，查看出城市熱島效應(yīng)對(duì)其的影響，將樂山市市中區(qū)、沙灣區(qū)、五通橋區(qū)的居民分布點(diǎn)狀況與草地、林地分布區(qū)域分別和樂山市地表溫度分布圖進(jìn)行疊加分析。找出城市熱島效應(yīng)與居民聚集點(diǎn)的關(guān)系和以植

電子槍的類型分為熱場(chǎng)發(fā)射和冷場(chǎng)發(fā)射兩類，可實(shí)現(xiàn)的功能基本相同，在材料的表征用途上各有側(cè)重。目前，熱場(chǎng)掃描電鏡與電制冷硅漂移探測(cè)器(SDD)能譜聯(lián)用系統(tǒng)因其所具備的高束流、高能量分辨率、高計(jì)數(shù)率等諸多優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于材料的微觀表面形貌、元素成分及分布、晶體學(xué)參數(shù)均可進(jìn)行分析表征，在材料分析領(lǐng)域備受青睞。但是由于受到掃描電鏡傳統(tǒng)分析方法載樣結(jié)構(gòu)的影響，使入射電子與樣品的相互作用區(qū)很大[1]，所產(chǎn)生的X射線能量高，出射深度大，加之熱場(chǎng)電鏡束流高，使能譜的空間分辨率降低

李國(guó)慶?安吉縣域熱場(chǎng)、植被變化與生態(tài)建設(shè)對(duì)策研究盧佶1蔡茂1尹準(zhǔn)生1孫慶來1李國(guó)慶2（1國(guó)家林業(yè)局華東林業(yè)調(diào)查規(guī)劃設(shè)計(jì)院 浙江杭州 310019；2浙江省安吉縣林業(yè)局 313300）以安吉縣為例，利用2005年和2015年夏季二期TM衛(wèi)星影像數(shù)據(jù)，通過相關(guān)的熱場(chǎng)和植被信息的定量遙感反演，探究安吉縣域熱場(chǎng)與植被的空間變化特點(diǎn)與過程，了解生態(tài)現(xiàn)狀，明確今后生態(tài)建設(shè)中的區(qū)域重點(diǎn)，并提出重視區(qū)域分異、分區(qū)引導(dǎo)施策，從“水、田、村”入手、拓展生態(tài)用地空間，劃定城市“

尖叫，業(yè)內(nèi)稱為“熱場(chǎng)”?！?span id="gkqsi00" class="hl">熱場(chǎng)”時(shí)錄制的觀眾鏡頭會(huì)在后期剪輯時(shí)穿插到節(jié)目當(dāng)中，業(yè)內(nèi)稱為“貼鏡頭”。這是大部分電視綜藝節(jié)目的必選動(dòng)作?！坝械墓?jié)目錄一期幾十萬，如果觀眾鏡頭不事先錄好，節(jié)目中該笑的地方?jīng)]人笑，風(fēng)險(xiǎn)就大了?！?span id="8q0ogue" class="hl">熱場(chǎng)時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)導(dǎo)演各顯神通。我錄過的某中部省級(jí)衛(wèi)視綜藝節(jié)目，熱場(chǎng)方式十分簡(jiǎn)單粗暴——節(jié)目還沒開始，明星也沒出現(xiàn)，現(xiàn)場(chǎng)導(dǎo)演一上臺(tái)就讓觀眾們沖著鏡頭鼓掌歡呼，并且不斷要求大家“再熱情一點(diǎn)”。“堅(jiān)持一下就好了。”身后一位女觀眾鼓勵(lì)同伴。為了看明星，她

晝夜的熱島強(qiáng)度、熱場(chǎng)強(qiáng)度與剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，探明近年來南寧熱島的四季及晝夜變化特征，為城市管理部門做好城市生態(tài)文明規(guī)劃與建設(shè)決策提供科學(xué)理論依據(jù)。1 研究區(qū)域及數(shù)據(jù)1.1 研究區(qū)域范圍南寧市在地貌分區(qū)上屬?gòu)V西盆地西南部之間的桂西南丘陵區(qū)，地貌分為平地、低山、石山、丘陵和臺(tái)地，其中平地所占面積最大。南寧市建城區(qū)及城郊，位于北回歸線南側(cè)， 范圍為北緯 22°13′-23°33′，東經(jīng) 107°45′-108°52′，面積約為 22112km2，城市建成區(qū)面積

性能，在光伏設(shè)備熱場(chǎng)中取得一席之地。本文介紹了C/C復(fù)合材料的加工工藝流程、性能特點(diǎn)、在光伏行業(yè)的應(yīng)用現(xiàn)狀以及今后的發(fā)展趨勢(shì)。C/C復(fù)合材料為何物C/C復(fù)合材料是以碳纖維及其織物或碳?xì)衷鰪?qiáng)的碳基體復(fù)合材料，其制備工藝主要有兩種方法：化學(xué)氣相法（CVD或CVI）和液相浸漬-碳化法。前者是以有機(jī)低分子氣體為前驅(qū)體，后者是以熱塑性樹脂 （石油瀝青、煤瀝青、中間相瀝青）或熱固性樹脂（呋喃、糠醛、酚醛樹脂）為基體前驅(qū)體，這些原料在高溫下發(fā)生一系列復(fù)雜化學(xué)變化而轉(zhuǎn)化為

t遙感影像的城市熱場(chǎng)空間格局研究韓善銳1,韋 勝2,周 文2,張明娟3,陶婷婷1,邱 廉1,劉茂松1,徐 馳1,*1 南京大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院,南京 210023 2 江蘇省城市規(guī)劃設(shè)計(jì)研究院,南京 210036 3 南京農(nóng)業(yè)大學(xué)園藝學(xué)院,南京 210095地圖用戶興趣點(diǎn)(POI)數(shù)據(jù)能夠反映微觀尺度上城市系統(tǒng)中的人類活動(dòng)。利用2015年夏季Landsat 8遙感影像提取了南京市地表溫度和主要土地覆蓋類型,利用空間與非空間多元回歸模型在2、5、10 km 3個(gè)

子注入機(jī)的離子源熱場(chǎng)研究彭立波，張 賽，易文杰，羅才旺，孫雪平(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所，湖南 長(zhǎng)沙 410111)高溫高能離子注入機(jī)是寬禁帶半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備，離子源直接影響整機(jī)的性能指標(biāo)。為保證離子源的長(zhǎng)壽命和大束流，針對(duì)SiC高溫高能離子注入機(jī)中的離子源熱場(chǎng)問題，采用仿真軟件對(duì)燈絲、陰極帽和AlX罩的熱場(chǎng)、熱變形進(jìn)行了研究，提出了離子源運(yùn)用過程中的注意事項(xiàng)及改進(jìn)設(shè)計(jì)。碳化硅（SiC）；離子注入機(jī)；離子源SiC（碳化硅）作為一種寬禁帶

訓(xùn)練?！娟P(guān)鍵詞】熱場(chǎng)；引導(dǎo)；自學(xué)；自主；思維訓(xùn)練羅素說：“數(shù)學(xué)是符號(hào)加邏輯”，克萊因說：“數(shù)學(xué)是一種理性的精神，使人類的思維得以運(yùn)用到最完善的程度”，這告訴我們：數(shù)學(xué)是人類思維訓(xùn)練的主要工具，使人類進(jìn)步。面對(duì)學(xué)生懶于思考、被動(dòng)思考的現(xiàn)狀，怎樣才能促進(jìn)學(xué)生自主開展思維訓(xùn)練，因此發(fā)揮出數(shù)學(xué)思維訓(xùn)練的作用，使學(xué)生養(yǎng)成數(shù)學(xué)抽象、邏輯推理等核心素養(yǎng)呢？以下是幾點(diǎn)思考與實(shí)踐。一、趣味熱場(chǎng)，使學(xué)生大腦興奮、進(jìn)入學(xué)習(xí)狀態(tài)魏坤琳，《最強(qiáng)大腦》節(jié)目的科學(xué)評(píng)審，主要研究人腦的工

相繼開展針對(duì)城市熱場(chǎng)的景觀格局分析．如陳云浩等運(yùn)用景觀生態(tài)學(xué)的相關(guān)方法，提出了“熱力景觀分析法”用以研究城市熱島景觀格局[4]；孟丹等以北京市為研究區(qū)域，運(yùn)用了ASTER遙感影像，分析熱力景觀格局及其尺度變化的效應(yīng)[5]；黃聚聰?shù)纫詮B門市為例，利用1987—2007年之間的5景Landsat TM/ETM/8數(shù)據(jù)反演地表溫度，并使用景觀格局指數(shù)分析了廈門城市熱場(chǎng)景觀格局歷年來的演變趨勢(shì)[6]．對(duì)于上海地區(qū)的熱島效應(yīng)問題，在較早的研究階段中一些學(xué)者分別利用歷

于高品質(zhì)發(fā)動(dòng)機(jī)的熱場(chǎng)集成模擬方法為了提高發(fā)動(dòng)機(jī)的品質(zhì)，同時(shí)保證發(fā)動(dòng)機(jī)的可靠性，需要確定發(fā)動(dòng)機(jī)的熱場(chǎng)。目前，采用的熱場(chǎng)模擬方法可分為兩大類：唯象方法和計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)方法。其中，唯象方法根據(jù)試驗(yàn)現(xiàn)象對(duì)熱場(chǎng)進(jìn)行模擬，不去解釋熱場(chǎng)形成的內(nèi)在原因；而計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)方法通過建立理論模型對(duì)熱場(chǎng)進(jìn)行模擬，忽略真實(shí)試驗(yàn)反映出的規(guī)律。對(duì)此，研究將這兩種方法進(jìn)行結(jié)合，給出一種對(duì)高品質(zhì)發(fā)動(dòng)機(jī)熱場(chǎng)進(jìn)行集成模擬的方法。所設(shè)計(jì)的發(fā)動(dòng)機(jī)熱場(chǎng)集成模擬方法主要采用了共軛傳熱仿真和三維計(jì)算流體

優(yōu)化，開發(fā)出一套熱場(chǎng)分布合理、工藝穩(wěn)定的適合直拉硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及工藝?！娟P(guān)鍵詞】<110>，直拉硅單晶，熱場(chǎng)，大直徑1.引言隨著原油儲(chǔ)備的耗盡，油價(jià)、電價(jià)的持續(xù)上升，以及石油燃料引起的氣候問題，使人們對(duì)可持續(xù)能源的需求變得十分緊迫，太陽能開發(fā)利用技術(shù)的快慢已經(jīng)影響到人類未來生存方式的改變，而如何提高太陽能電池組件的轉(zhuǎn)換效率，降低成本，成為光伏領(lǐng)域的主要研究和發(fā)展方向。不言而喻，硅材料作為光伏的主體材料而備受關(guān)注，如何制備特殊結(jié)構(gòu)的硅材料，如何從基礎(chǔ)材

光熱捕獲裝置的熱場(chǎng)1.1 光熱捕獲裝置的制備采用熱熔拉錐法制備微納光纖. 第一步，將普通SiO2單模光纖通過光纖夾板固定在2個(gè)水平位移臺(tái)上； 第二步，利用精細(xì)的步進(jìn)儀控制位移臺(tái)的速度； 第三步，待氣壓穩(wěn)定后，將酒精燈火焰的外焰靠近光纖，同時(shí)位移臺(tái)勻速拉伸光纖，在火焰部分形成微納光纖.利用液滴法制備光熱捕獲裝置. 在注射器的針尖上吸附乙醇分散的GO膠體，微調(diào)調(diào)整架使微納光纖頭接觸膠體[12]. 一段時(shí)間后，當(dāng)微納光纖撤離膠體時(shí)，在微納光纖的表面即可包裹GO

晶向直拉硅單晶的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)及工藝優(yōu)化李立偉①賀祥生②婁中士①/ ①天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司 ②天津森川模具有限公司目前所應(yīng)用于各類半導(dǎo)體光電器件和高效太陽能電池的直拉硅單晶多為＜111＞及＜100＞晶向，但是特殊晶向的＜110＞硅單晶可制備出光電轉(zhuǎn)換效率更高、材料成本更低的太陽能電池，但這種特殊晶向硅材料的制備存在著較大的困難，本文通過數(shù)值模擬與實(shí)際試驗(yàn)相結(jié)合進(jìn)行熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)及工藝的優(yōu)化，開發(fā)出一套熱場(chǎng)分布合理、工藝穩(wěn)定的適合＜110＞直拉硅單晶生長(zhǎng)的

靜壓石墨材料制作熱場(chǎng)，隨著單晶硅生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大和所用熱場(chǎng)日漸大型化，應(yīng)用新型的碳/碳復(fù)合材料制作單晶爐熱場(chǎng)成為必然趨勢(shì).碳/碳復(fù)合材料適合于制作大尺寸耐高溫熱場(chǎng)，并且使用壽命長(zhǎng)、穩(wěn)定性高、節(jié)能效果好.碳/碳復(fù)合材料單晶爐熱場(chǎng)1　研發(fā)背景當(dāng)前，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，已成為為數(shù)不多的中國(guó)在國(guó)際上保持優(yōu)勢(shì)地位的制造業(yè)之一.晶硅電池產(chǎn)業(yè)鏈分為硅原料制備、單晶硅棒多晶硅錠制備、硅片多線切割、電池片生產(chǎn)、組件生產(chǎn)、終端發(fā)電系統(tǒng)應(yīng)用6個(gè)主要環(huán)節(jié).在單晶硅棒生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，為

組件；焊接工藝；熱場(chǎng)；從太陽能電池片到電池組件，需要將單片的電池片聯(lián)接起來使之形成一個(gè)整體，焊接是其中最主要的工序。焊接過程中的碎片率、虛焊、電池偏移等問題不僅影響到了組件的生產(chǎn)成本，更影響到光伏組件的質(zhì)量。晶體硅太陽能電池焊接工藝的研究對(duì)組件生產(chǎn)質(zhì)量提升尤為重要。1　晶體硅太陽能電池組件焊接原理及技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r目前，晶體硅電池焊接有人工焊接和機(jī)器焊接；人工焊接主要包括單焊和串焊兩環(huán)節(jié)，機(jī)器焊接將單焊和串焊整合到一起整體完成；單焊將長(zhǎng)度約電池邊長(zhǎng)2倍的鍍錫銅

方面的問題：鑄錠熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、長(zhǎng)晶工藝、硅錠退火以及切片工藝。多晶硅鑄錠熱場(chǎng)是多晶鑄錠爐的核心，設(shè)計(jì)合理的多晶硅鑄錠熱場(chǎng)將有利于提高多晶硅片的轉(zhuǎn)換效率，降低能耗及生產(chǎn)成本。熱場(chǎng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是：盡可能減小熱場(chǎng)的橫向溫度梯度，確保熱流沿垂直方向傳導(dǎo)；長(zhǎng)晶工藝的要點(diǎn)是：為了降低隨機(jī)晶界，在鑄錠爐底部鋪設(shè)一層失配度較低的形核源，以提高晶相的一致性；退火工藝主要是解決硅錠的熱應(yīng)力問題，實(shí)踐表明，優(yōu)良的退火工藝不但可以避免硅錠破裂，而且還能有效降低位錯(cuò)密度；切片工藝則要求硅

15年北京市冬季熱場(chǎng)分布周雪瑩，孫 林*，韋 晶，夾尚豐，田信鵬，吳 桐山東科技大學(xué)測(cè)繪科學(xué)與工程學(xué)院，山東 青島 266590由于北京城市中心區(qū)冬季供暖、汽車尾氣、工業(yè)生產(chǎn)等因素的影響，以及冬季植被覆蓋減少導(dǎo)致地表熱慣量降低，致使北京市冬季地表熱場(chǎng)與其他季節(jié)差異明顯。冬季城市熱場(chǎng)分布直接影響冬季大氣顆粒物等污染物的擴(kuò)散速度，因此，研究熱場(chǎng)分布對(duì)了解城市熱場(chǎng)在大氣顆粒物污染中的貢獻(xiàn)具有重要的意義。首先利用MODTRAN大氣輻射傳輸模型計(jì)算大氣透過率、大氣上

?斷層亞失穩(wěn)階段熱場(chǎng)演化的實(shí)驗(yàn)研究及野外應(yīng)用探索任雅瓊(中國(guó)地震局地質(zhì)研究所，北京100029)亞失穩(wěn)階段位于應(yīng)力時(shí)間曲線上峰值時(shí)刻O與失穩(wěn)時(shí)刻B之間。亞失穩(wěn)前期的準(zhǔn)靜態(tài)應(yīng)力釋放在后期轉(zhuǎn)為準(zhǔn)動(dòng)態(tài)釋放，以時(shí)刻A作為轉(zhuǎn)折點(diǎn)。亞失穩(wěn)階段的識(shí)別對(duì)于地震時(shí)間預(yù)測(cè)具有重要意義。根據(jù)以往研究，構(gòu)造變形中引起溫度變化主要有兩種機(jī)理：由應(yīng)力積累和釋放引起的升溫和降溫以及由摩擦引起的升溫。亞失穩(wěn)階段是上述兩種溫度變化機(jī)制并存的階段，它們?cè)趤喪Х€(wěn)階段的演化特點(diǎn)可能成為識(shí)別亞失穩(wěn)

砂種植模式對(duì)地表熱場(chǎng)景觀格局的影響候靜1，杜靈通1，張學(xué)儉2(1.寧夏大學(xué) 西北土地退化與生態(tài)恢復(fù)省部共建國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地/西北退化生態(tài)系統(tǒng)恢復(fù)與重建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室， 寧夏 銀川 750021； 2.寧夏農(nóng)林科學(xué)院， 寧夏 銀川 750021)摘要：基于Landsat ETM+數(shù)據(jù)，反演了寧夏環(huán)香山地區(qū)的地表溫度，計(jì)算熱場(chǎng)指數(shù)差異，運(yùn)用景觀指數(shù)對(duì)壓砂地熱場(chǎng)景觀格局動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行分析。研究表明：在寧夏環(huán)香山地區(qū)各土地利用類型中，壓砂地的地表溫度及熱場(chǎng)變

，改變了單晶爐的熱場(chǎng)溫度分布。通過有限元模擬分析軟件對(duì)減薄型加熱器進(jìn)行模擬分析，模擬結(jié)果指出減薄型加熱器對(duì)提升單晶拉速、降低單晶爐功耗具有促進(jìn)作用。通過對(duì)比兩種加熱器裝料量，并進(jìn)行單晶生長(zhǎng)對(duì)比實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)指出，減薄型加熱器在引晶、等徑、收尾階段均降低了功耗，提升了拉速。最后，數(shù)據(jù)分析指出減薄型加熱器的經(jīng)濟(jì)性比原加熱器有一定提升。減薄型加熱器；數(shù)值模擬；對(duì)比性實(shí)驗(yàn)；經(jīng)濟(jì)性分析直拉法作為單晶硅生長(zhǎng)的重要方法，具有生長(zhǎng)單晶質(zhì)量大、直徑大、成本低廉、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)

發(fā)射裝置電-磁-熱場(chǎng)分布的分析與仿真*楊玉東1，2，薛 文2（1.淮陰工學(xué)院，江蘇 淮安 223001；2.南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院，南京 210094）為探討電磁發(fā)射過程中出現(xiàn)的熱燒蝕現(xiàn)象，構(gòu)建了電磁發(fā)射及電接觸層接觸電阻的模型，推導(dǎo)出電-磁-熱場(chǎng)耦合方程，采用有限元數(shù)值計(jì)算方法得到了在脈沖電流激勵(lì)下，軌道和電樞間電流密度、磁感應(yīng)強(qiáng)度及溫度的分布圖。計(jì)算過程表明：電磁發(fā)射過程實(shí)際是電-磁-熱場(chǎng)的耦合過程，接觸電阻是造成電磁發(fā)射熱損耗的主要原因之

生長(zhǎng)試驗(yàn)。通過對(duì)熱場(chǎng)和生長(zhǎng)工藝進(jìn)行優(yōu)化，抑制了重?fù)脚鸸鑶尉Ю七^程中的嚴(yán)重組分過冷，成功拉制出了電阻率1.5×10-3Ω·cm以下的無位錯(cuò)重?fù)脚鸸鑶尉?，并?duì)單晶拉制過程中的一些工藝參數(shù)設(shè)定進(jìn)行了分析和探討，提高了該類硅單晶生長(zhǎng)的效率和成品率。大直徑重?fù)脚鸸鑶尉В?span id="kogycco" class="hl">熱場(chǎng)改造；工藝參數(shù)改進(jìn)；組分過冷隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，作為外延襯底的重?fù)焦璨牧显絹碓降玫綇V泛的應(yīng)用。這種N/N+，P/P+外延結(jié)構(gòu)與IC工藝相結(jié)合，能夠大大提高動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器RAM的記憶保持時(shí)間，

0 mm的硅單晶熱場(chǎng)進(jìn)行了模擬。后繼加熱器提高了晶體生長(zhǎng)界面中心高度，對(duì)熔體溫度梯度基本沒有影響；熱屏能改善晶體生長(zhǎng)界面形狀，使界面更加平滑，降低界面中心高度，并能降低熔體縱向溫度梯度，得到更好的溫度分布。數(shù)值模擬；單層熱屏；加強(qiáng)型熱屏；后繼加熱器半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料，已有50～60年的歷史，隨著IC集成度的提高，給硅片質(zhì)量提出了更高的要求，這就要求半導(dǎo)體材料行業(yè)能夠提供直徑更大、質(zhì)量更好的單晶硅[1]。而完全通過實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行單晶硅生長(zhǎng)的研究，

要更大型的直拉爐熱場(chǎng)，而大型的熱場(chǎng)必然導(dǎo)致熔體對(duì)流、氬氣氣流、固/ 液界面形態(tài)等影響硅單晶質(zhì)量的關(guān)鍵因數(shù)變得更加復(fù)雜，直拉生長(zhǎng)硅單晶也就更加難以控制。生長(zhǎng)硅單晶時(shí)，直拉爐的溫度很高，各項(xiàng)測(cè)試較為困難，無法直接獲得熱場(chǎng)中的各個(gè)參數(shù)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)均為間接數(shù)據(jù)。此外，由于大直徑硅生長(zhǎng)所需電能和硅料較多，實(shí)驗(yàn)成本較高。因此，國(guó)內(nèi)外學(xué)者普遍采用數(shù)值模擬的方式來研究直拉硅單晶生長(zhǎng)過程。STR 公司的CGSim 軟件是國(guó)際上專門用于熔體中晶體生長(zhǎng)過程仿真和優(yōu)化的數(shù)值模擬軟件

為500 mm 熱場(chǎng)的示意圖），主要適于進(jìn)行150 mm 及以上太陽能級(jí)硅單晶的生長(zhǎng)。而目前國(guó)內(nèi)對(duì)于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶的需求主要以75 ～150 mm 為主，因此JRDL-900 型單晶爐若想適應(yīng)半導(dǎo)體級(jí)硅單晶的生長(zhǎng)需求，就需要重新設(shè)計(jì)使用適合于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶生長(zhǎng)的熱系統(tǒng)。圖1 JRDL-900 型單晶爐原500 mm 熱場(chǎng)示意圖在通過測(cè)量獲取了JRDL-900 型單晶爐詳細(xì)的爐體參數(shù)后，通過CAD 設(shè)計(jì)軟件，我們依據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)，繪制了JRDL-900 型單晶爐

該方案不受腔損和熱場(chǎng)的影響．腔QED；糾纏態(tài)；隱形傳態(tài)量子隱形傳態(tài)在遠(yuǎn)程量子計(jì)算[1]、遠(yuǎn)程量子克隆[2]以及遠(yuǎn)程量子控制[3]等許多量子信息處理方案中都有重要的應(yīng)用．自從1993年Bennett[4]等人首次提出隱形傳態(tài)方案以來，人們又提出了很多關(guān)于實(shí)現(xiàn)量子態(tài)傳送的理論和實(shí)驗(yàn)方案[5-13]，如文獻(xiàn)[7-10]利用腔QED系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了未知原子態(tài)的傳送，文獻(xiàn)[11]利用原子和腔的共振相互作用實(shí)現(xiàn)了未知原子態(tài)的傳送，由于腔損和熱場(chǎng)的影響，成功傳送的概率是0.2

動(dòng)等變化都會(huì)使得熱場(chǎng)溫度測(cè)量值存在周期性低頻干擾，較高精度的溫度控制變得較為困難。因此，如何在存在多個(gè)周期性低頻干擾的情況下，對(duì)單晶爐熱場(chǎng)溫度測(cè)量值中的干擾實(shí)現(xiàn)抑制以達(dá)到熱場(chǎng)溫度控制系統(tǒng)的需求，就顯得極為關(guān)鍵了。目前，國(guó)內(nèi)外大部分單晶爐采用紅外傳感器檢測(cè)熱場(chǎng)溫度，然后運(yùn)用中值濾波、均值濾波等工程方法進(jìn)行處理，這些方法雖對(duì)溫度測(cè)量值中的干擾具有一定抑制作用，但要滿足高精度的控制仍存在不足，檢測(cè)精度偏低，結(jié)果仍具有一定弱周期性。近年來，國(guó)內(nèi)學(xué)者對(duì)單晶爐熱場(chǎng)溫度

.1 引言“巖漿熱場(chǎng)”指的是由巖漿引發(fā)的瞬間熱場(chǎng)，這不是一個(gè)新概念。巖漿熱場(chǎng)實(shí)際上指的就是巖漿對(duì)圍巖的熱效應(yīng)，這個(gè)問題早在20世紀(jì)初就引起了國(guó)外學(xué)者的廣泛重視。尤其是20世紀(jì)60年代Jaeger的成果發(fā)表以來(Jaeger, 1961, 1964)，巖漿的熱效應(yīng)問題已成為地學(xué)界重要的科學(xué)問題。國(guó)外很早就開始嘗試用數(shù)學(xué)計(jì)算對(duì)侵入體周圍的熱傳導(dǎo)和熱液活動(dòng)過程進(jìn)行模擬計(jì)算(Carslaw and Jaeger, 1959; Feoktistov, 1972; F

體生長(zhǎng)爐中進(jìn)行，熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)如圖1，由一個(gè)直立的雙層水冷不銹鋼爐殼、鎢加熱棒、鎢/鉬隔熱屏、籽晶及其夾頭組件、鎢坩堝和坩堝支撐體構(gòu)成.真空系統(tǒng)由機(jī)械泵、羅茨泵和擴(kuò)散泵組成，極限真空度為6.66×10-4Pa.晶體生長(zhǎng)流程為: 前期準(zhǔn)備→裝料→抽真空→化料→煲料調(diào)溫→引晶→擴(kuò)肩→等徑生長(zhǎng)→收尾→退火降溫→取晶.1.2 試驗(yàn)方法圖1 KLD-85泡生爐熱場(chǎng)示意圖Fig.1 Diagrammatic sketch of the KLD-85 Kyropoulos f