關(guān)鍵詞：反鐵電技術(shù)；專利；全球；發(fā)展態(tài)勢(shì)

中圖分類號(hào)：G306 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2025）08-0132-07

DOI： 10.19968/j.cnki.hnkj.1003-5168.2025.08.025

Abstract： [Purposes] This paper aims to sort out the patent development trend of global antiferroelectric technology，and provide reference forfurther research in this field.[Methods] This paper uses the Incopat database platform to gather patent statistics of global antiferroelectric technology，and analyzes patent application trends，technology source and target countries，major applicants，patent technology fields， and operational status and so on.[Findings] Foreign research and innovation in the field started earlier， with enterprises as the main focus; China started relatively late，mainly led by universities and research institutes，with a focus on antiferroelectric ceramic material technology.[Conclusions] China should continue to strengthen the research of antiferroelectric materials，enhance industry-university-institute cooperation and open licensing conversion，promote industrial applications，and atach importance to overseas patent layout and intellectual property protection.

Keywords：antiferroelectric technology;patent; global;development trend

0 引言

鐵電材料是一類重要的功能材料，近年來(lái)被國(guó)內(nèi)外專家學(xué)者廣泛研究。作為與鐵電材料密切相關(guān)的一類材料，反鐵電材料因具有優(yōu)秀的儲(chǔ)能和應(yīng)變等性能，逐漸成為材料科學(xué)領(lǐng)域研究的前沿和熱點(diǎn)。

反鐵電性概念最早由Kittel于1951年提出，他基于宏觀唯象理論，不僅預(yù)言了反鐵電體的存在，還闡述了反鐵電體應(yīng)具備的基本特征[1]。反鐵電體的判定關(guān)鍵在于其呈現(xiàn)雙電滯回線特性，并且在反鐵電相變-鐵電相變過(guò)程中，會(huì)發(fā)生顯著的應(yīng)變。當(dāng)施加的電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)反鐵電相-鐵電相的轉(zhuǎn)變閥值時(shí)，材料會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)殍F電相；而當(dāng)移除外加電場(chǎng)后，材料又會(huì)恢復(fù)至反鐵電相。相較于線性電介質(zhì)和鐵電材料，反鐵電材料在能量存儲(chǔ)和釋放方面表現(xiàn)出更高的效率[2]，因此被視為高密度儲(chǔ)能電容器的理想材料。此外，反鐵電材料在提高能源利用效率、儲(chǔ)存可再生能源方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，其應(yīng)用潛力巨大，涉及航空航天、太陽(yáng)能利用、工業(yè)余熱回收、家用電器等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)，反鐵電材料在智能傳感和制動(dòng)系統(tǒng)中也扮演著關(guān)鍵角色[3]

專利作為知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的一種形式，是技術(shù)創(chuàng)新的重要標(biāo)志，在很大程度上代表著一個(gè)國(guó)家或地區(qū)的技術(shù)水平和潛在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力[4]。通過(guò)對(duì)專利信息的分析研判，可以洞悉該國(guó)家或地區(qū)的技術(shù)現(xiàn)狀和發(fā)展態(tài)勢(shì)，為該領(lǐng)域的后續(xù)研究提供參考和決策依據(jù)。經(jīng)檢索，國(guó)內(nèi)已有大量學(xué)者從專利角度對(duì)其他材料領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析。例如，夏瑞臨等[5基于國(guó)內(nèi)的專利申請(qǐng)文獻(xiàn)，研究了鐵電薄膜材料領(lǐng)域的專利申請(qǐng)情況、制備方法及其應(yīng)用;徐笑陽(yáng)等基于IncoPat、DI專利數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)全球微晶玻璃專利的申請(qǐng)趨勢(shì)、地域分布、技術(shù)布局和創(chuàng)新主體等情況進(jìn)行深入分析；吳紫平對(duì)國(guó)內(nèi)鈦酸鉍鈉基壓電陶瓷材料的相關(guān)專利技術(shù)進(jìn)行梳理，并對(duì)國(guó)內(nèi)申請(qǐng)量變化趨勢(shì)、申請(qǐng)人排名、申請(qǐng)人類型及相關(guān)重點(diǎn)專利技術(shù)等方面進(jìn)行了分析。但是截至目前，并未發(fā)現(xiàn)有關(guān)反鐵電技術(shù)專利分析的文獻(xiàn)，而基于專利數(shù)據(jù)研究反鐵電技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)對(duì)我國(guó)儲(chǔ)能及新能源技術(shù)等行業(yè)的發(fā)展具有深遠(yuǎn)意義。

1專利檢索工具和方法

本研究以北京合享智慧科技有限公司開(kāi)發(fā)的IncoPat專利數(shù)據(jù)庫(kù)平臺(tái)（旗艦版）為檢索工具，經(jīng)與本領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者的交流，選擇“反鐵電\"和“antiferroelectric”作為檢索關(guān)鍵詞，檢索的截止日期為2024年6月30日。通過(guò)檢索，共搜集到2519件專利信息。隨后，對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行了申請(qǐng)?zhí)柡喜⒑腿斯とピ胩幚恚罱K得到1867件與反鐵電領(lǐng)域相關(guān)的專利。

2反鐵電技術(shù)專利統(tǒng)計(jì)分析

2.1專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析

專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析是對(duì)專利申請(qǐng)量隨申請(qǐng)時(shí)間變化而變化的規(guī)律進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。圖1為全球及部分國(guó)家/地區(qū)反鐵電技術(shù)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)。專利申請(qǐng)受理后，實(shí)用新型專利需要大約6＼～12個(gè)月公開(kāi)，而發(fā)明專利如不請(qǐng)求提前公開(kāi)，則需要在申請(qǐng)日起18個(gè)月后才公開(kāi)。由于平臺(tái)無(wú)法檢索到未公開(kāi)的專利數(shù)據(jù)，2023年和2024年的專利申請(qǐng)數(shù)據(jù)較實(shí)際申請(qǐng)量偏少，僅供參考。

從圖1可以看出，全球反鐵電技術(shù)申請(qǐng)量變化可以分為4個(gè)階段。

① 1957—1989年。這一階段的專利申請(qǐng)量很少，每年的申請(qǐng)量在10件及以下。第一件反鐵電技術(shù)專利是由發(fā)明人HeywangDrWalter和Fenner Er-ich提出的德國(guó)專利，申請(qǐng)日為1957年10月22日。

② 1990一1998年。這一階段，由于國(guó)外反鐵電液晶研究的興起和發(fā)展，創(chuàng)新活動(dòng)較為活躍，反鐵電技術(shù)專利申請(qǐng)量達(dá)到了一個(gè)小高峰，其中日本在反鐵電液晶這一技術(shù)領(lǐng)域的申請(qǐng)量遙遙領(lǐng)先。

③ 1999—2005年。反鐵電液晶技術(shù)存在成本高、技術(shù)復(fù)雜等劣勢(shì)，難以在市場(chǎng)普及，隨著20世紀(jì)初有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示技術(shù)的崛起，液晶顯示市場(chǎng)開(kāi)始走低，反鐵電液晶技術(shù)的研究熱度逐漸冷卻，直接導(dǎo)致這一時(shí)期的反鐵電技術(shù)申請(qǐng)總量迅速下滑。

④2 0 0 6 年至今。在這一階段，全球反鐵電技術(shù)申請(qǐng)量逐漸回春。得益于反鐵電陶瓷材料在儲(chǔ)能方面的優(yōu)異性能，反鐵電陶瓷材料的學(xué)術(shù)研究和應(yīng)用增多，這也預(yù)示著反鐵電陶瓷技術(shù)將會(huì)迎來(lái)新一輪的創(chuàng)新浪潮，申請(qǐng)量將會(huì)保持繼續(xù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

反鐵電技術(shù)專利的國(guó)外申請(qǐng)趨勢(shì)與全球申請(qǐng)趨勢(shì)基本一致，尤其是2005年前。圖1還展示了專利申請(qǐng)量排名前4的國(guó)家/地區(qū)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)，分別為中國(guó)大陸、日本、美國(guó)、韓國(guó)。這4個(gè)國(guó)家/地區(qū)的申請(qǐng)總量為1477件，占全球總申請(qǐng)量的 7 9 . 1 1 % ?？梢钥闯觯毡緦?duì)于反鐵電技術(shù)的研究主要集中于20世紀(jì)90年代，當(dāng)時(shí)全球反鐵電技術(shù)的專利申請(qǐng)量也主要來(lái)源于日本。美國(guó)和韓國(guó)反鐵電技術(shù)的創(chuàng)新活動(dòng)則與全球的申請(qǐng)趨勢(shì)較為接近，具有2個(gè)高峰。而中國(guó)對(duì)反鐵電技術(shù)的研究起步相對(duì)較晚，但作為后起之秀，研發(fā)后勁十足，且近幾年已逐漸成為這一領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，彰顯出較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力。

鑒于發(fā)明專利有效期一般為20年，因此本研究選取2005—2024年共645件全球反鐵電技術(shù)專利的數(shù)據(jù)進(jìn)行以下的所有分析。

2.2反鐵電技術(shù)專利技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)和目標(biāo)國(guó)/地區(qū)分析

屬于同一專利族的多件專利申請(qǐng)可視為同一項(xiàng)技術(shù)，因此對(duì)技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)分析前，可先對(duì)專利進(jìn)行簡(jiǎn)單同族合并。經(jīng)簡(jiǎn)單同族合并后多件專利合并成一項(xiàng)，專利數(shù)量以項(xiàng)計(jì)。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，近20年的645件專利經(jīng)簡(jiǎn)單同族合并后共計(jì)460項(xiàng)專利，對(duì)這460項(xiàng)專利進(jìn)行占比分析，結(jié)果如圖2所示。可以看出，中國(guó)為第一大技術(shù)來(lái)源國(guó)，申請(qǐng)人地區(qū)為中國(guó)大陸的專利數(shù)量占比達(dá)到 5 9 . 3 5 % 。第二梯隊(duì)技術(shù)來(lái)源國(guó)為韓國(guó)、美國(guó)和日本，其對(duì)反鐵電技術(shù)的研究也較為重視。第三梯隊(duì)技術(shù)來(lái)源國(guó)/地區(qū)為中國(guó)臺(tái)灣、德國(guó)、法國(guó)等。

再對(duì)645件專利的公開(kāi)國(guó)/地區(qū)/組織進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，可知全球反鐵電技術(shù)進(jìn)行專利布局的目標(biāo)地，從而發(fā)現(xiàn)申請(qǐng)人意欲在何地取得市場(chǎng)。從圖3可以看出，中國(guó)大陸在反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的專利申請(qǐng)共316件，占總申請(qǐng)量的 4 8 . 9 9 % ，處于領(lǐng)先地位，這反映出申請(qǐng)人較為重視反鐵電技術(shù)專利在中國(guó)的布局，體現(xiàn)出中國(guó)反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展前景良好。排名第2至第5的國(guó)家/組織分別為美國(guó)、韓國(guó)、日本、世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織。

圖2專利申請(qǐng)主要技術(shù)來(lái)源國(guó)占比

中國(guó)大陸在反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的316件專利申請(qǐng)中，中國(guó)本土專利為277件，國(guó)外來(lái)華專利為39件（韓國(guó)22件、美國(guó)6件、日本5件），說(shuō)明中國(guó)反鐵電技術(shù)專利中本土專利占絕大部分，國(guó)外來(lái)華專利布局較少。另外，統(tǒng)計(jì)到中國(guó)大陸沒(méi)有通過(guò)PCT途徑申請(qǐng)反鐵電技術(shù)國(guó)際專利，說(shuō)明這20年間中國(guó)反鐵電技術(shù)基本上僅限于國(guó)內(nèi)研究和應(yīng)用，與國(guó)際交流較少。在中國(guó)本土專利申請(qǐng)中，聯(lián)合申請(qǐng)的專利只有12件，從圖3還可以獲知，本土申請(qǐng)人地區(qū)較為分散，共來(lái)源于24個(gè)?。ㄗ灾螀^(qū)、直轄市），申請(qǐng)量較大的是上海（63件）陜西（38件）廣東（21件）北京（18件）四川（18件）廣西（16件）江蘇（15件）浙江（13件）福建（11件）及內(nèi)蒙古（10件）等10個(gè)省（自治區(qū)、直轄市）。

2.3 主要申請(qǐng)人分析

全球反鐵電技術(shù)專利申請(qǐng)的主要申請(qǐng)人如圖4所示。排名前10的機(jī)構(gòu)中，有6所國(guó)內(nèi)高校和科研院所，其他均為國(guó)外企業(yè)。在國(guó)外企業(yè)中，有2家韓國(guó)企業(yè)（三星電子株式會(huì)社和SkHynixInc）和2家美國(guó)企業(yè)（英特爾公司和通用電氣公司）。從專利申請(qǐng)量可以看出，韓國(guó)企業(yè)較為重視反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)，具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，并且國(guó)外申請(qǐng)人主要為企業(yè)，說(shuō)明國(guó)外在反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)應(yīng)用階段。而國(guó)內(nèi)創(chuàng)新主體主要為高校和科研院所，說(shuō)明國(guó)內(nèi)反鐵電技術(shù)的研究還處于基礎(chǔ)研究階段，市場(chǎng)推廣和應(yīng)用還不成熟。

圖5為中國(guó)大陸反鐵電技術(shù)專利主要申請(qǐng)人?？煽闯觯瑒?chuàng)新主體前10名專利申請(qǐng)人中，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所的申請(qǐng)量最大，是反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的引領(lǐng)者。該研究院的信息功能材料與器件研究中心承擔(dān)了反鐵電技術(shù)的相關(guān)研發(fā)工作，主要側(cè)重PZST陶瓷、BNT-BT陶瓷、PLZST陶瓷材料等摻雜改性后提高反鐵電儲(chǔ)能性能方面的研究。其次是一家國(guó)外公司，為三星電子株式會(huì)社，主要研究反鐵電材料層在半導(dǎo)體和電容器中作為介質(zhì)層的性能應(yīng)用。排名第3和第4名的是同濟(jì)大學(xué)和西安交通大學(xué)，其創(chuàng)新活動(dòng)也較為活躍。此外，陜西科技大學(xué)、內(nèi)蒙古科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、桂林電子科技大學(xué)也均有一定的創(chuàng)新成果輸出。

圖6為中國(guó)本土申請(qǐng)人類型分布圖。可以看出，國(guó)內(nèi)反鐵電技術(shù)最大的研究機(jī)構(gòu)是高校，占比6 8 . 9 5 % ;科研院所也占有一席之地，為 2 3 . 4 7 % ；企業(yè)占比較少，為 8 . 6 6 % ；個(gè)人也有少量參與，為2 . 8 9 % 。

2.4專利技術(shù)領(lǐng)域分析

專利國(guó)際分類號(hào)（IPC）是一套國(guó)際通用的專利分類系統(tǒng)，能夠?qū)Πl(fā)明專利和實(shí)用新型專利的技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行分類。表1是按IPC主分類號(hào)進(jìn)行分類統(tǒng)計(jì)的前10名的申請(qǐng)數(shù)量分布表，展示了近20年反鐵電領(lǐng)域的技術(shù)布局。

可以發(fā)現(xiàn)，反鐵電技術(shù)的專利申請(qǐng)主要涉及IPC技術(shù)領(lǐng)域的3個(gè)部，分別C部（化學(xué)；冶金）G部（物理）和H部（電學(xué)），大組排名前10的IPC主分類號(hào)分別為：C04B35、H01L29、H01L27、G02F1、H01G4、H01L21、H10N97、H10B51、H10B53、H10B12。從表1可知，反鐵電技術(shù)重點(diǎn)集中在陶瓷制品和陶瓷組合物及其制備（C04B35）領(lǐng)域，其申請(qǐng)量最高，為164件，占近20年專利申請(qǐng)總量的2 5 . 4 % ；另外，反鐵電的技術(shù)研發(fā)還在半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器件（H01L29、H01L27、H01G4、H01L21、H10N97、H10B51、H10B53、H10B12）領(lǐng)域及液晶電光器件（G02F1）領(lǐng)域也有一定的布局。由此可見(jiàn)，以上技術(shù)領(lǐng)域是反鐵電技術(shù)專利布局的重點(diǎn)和熱點(diǎn)。

為探明全球反鐵電技術(shù)的研發(fā)趨勢(shì)，圖7展示了IPC大組排名前10的技術(shù)領(lǐng)域隨申請(qǐng)年份變化的分布?xì)馀輬D。通過(guò)氣泡圖可以看出，C04B35領(lǐng)域的專利申請(qǐng)量處于領(lǐng)先地位，且呈上升趨勢(shì)，說(shuō)明反鐵電在這一領(lǐng)域的研究是近20年的重中之重，未來(lái)依然可能是創(chuàng)新成果輸出的重要領(lǐng)域。隨著反鐵電基礎(chǔ)材料及制備技術(shù)的發(fā)展，反鐵電在半導(dǎo)體及儲(chǔ)存器件中應(yīng)用也逐漸被挖掘，H01L29、H01L27、H01G4、H01L21、H10N97、H10B51、H10B53、H10B12等領(lǐng)域的申請(qǐng)量在穩(wěn)步提升，尤其是H10B51、H10B53、H10B12等3個(gè)領(lǐng)域是近幾年才受到重視，未來(lái)仍有上升的空間。而反鐵電技術(shù)在G02F1領(lǐng)域的研發(fā)活動(dòng)因液晶顯示技術(shù)的更新?lián)Q代，已受到限制，甚至將來(lái)可能停滯。

表2顯示了申請(qǐng)量排名前10的國(guó)家/地區(qū)在C04B35等十大重點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)情況?？梢钥闯?，中國(guó)在這10個(gè)領(lǐng)域均有涉獵，但主要集中于CO4B35，即反鐵電材料、薄膜及其制備方法技術(shù)。韓國(guó)和美國(guó)在C04B35領(lǐng)域也有創(chuàng)新活動(dòng)，但申請(qǐng)量?jī)H幾件，這兩個(gè)國(guó)家的研發(fā)主要側(cè)重于H01L29領(lǐng)域。日本沒(méi)有涉足C04B35領(lǐng)域，其主要延續(xù)了20世紀(jì)90年代的反鐵電液晶技術(shù)研究，在G02F1領(lǐng)域相對(duì)較為活躍。另外，除奧地利外，其他幾個(gè)國(guó)家在C04B35領(lǐng)域均無(wú)公開(kāi)的研究成果。由此可知，近20年的反鐵電創(chuàng)新主體主要為中國(guó)，且研究領(lǐng)域?yàn)镃04B35。

2.5運(yùn)營(yíng)信息分析

許可和轉(zhuǎn)讓是專利技術(shù)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化的主要形式，技術(shù)研發(fā)的目的是市場(chǎng)應(yīng)用，推動(dòng)社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展進(jìn)步，因此對(duì)反鐵電技術(shù)專利運(yùn)營(yíng)信息分析顯得尤為重要。圖8為全球及中國(guó)大陸反鐵電專利轉(zhuǎn)讓的年度變化趨勢(shì)。

可以看出，2005—2024年，全球進(jìn)行轉(zhuǎn)讓的反鐵電技術(shù)專利共116件，占總申請(qǐng)量的 1 8 % 。其中，2008年有一個(gè)專利轉(zhuǎn)讓的小高峰，為10件，均為美國(guó)專利；2009—2016年，每年的轉(zhuǎn)讓數(shù)量都為個(gè)位數(shù)，自2017年開(kāi)始，全球轉(zhuǎn)讓的專利數(shù)量逐漸增長(zhǎng)，2022年達(dá)到峰值19件。中國(guó)大陸專利轉(zhuǎn)讓起步較晚，2014年完成第一件反鐵電技術(shù)專利的轉(zhuǎn)讓。截至目前，中國(guó)大陸共有15件專利進(jìn)行了轉(zhuǎn)讓。經(jīng)統(tǒng)計(jì)，全球僅2件專利進(jìn)行了許可，這2件專利為中國(guó)專利，且于2022年以普通許可方式許可，申請(qǐng)人分別為桂林電子科技大學(xué)和桂林理工大學(xué)，受讓人為企業(yè)。

3結(jié)論與建議

3.1結(jié)論

反鐵電材料因具有電場(chǎng)誘導(dǎo)的反鐵電-鐵電相變特性，在當(dāng)代電子技術(shù)領(lǐng)域尤其是儲(chǔ)能領(lǐng)域有著巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值。

從專利申請(qǐng)趨勢(shì)看，反鐵電技術(shù)的專利申請(qǐng)量先經(jīng)歷了起步階段，接著在20世紀(jì)90年代經(jīng)歷了以日本為主要申請(qǐng)國(guó)家的發(fā)展階段，隨后專利申請(qǐng)量持續(xù)下滑，而自2006年后，中國(guó)反鐵電技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)逐漸活躍，專利申請(qǐng)?jiān)鲩L(zhǎng)迅猛，近20年的申請(qǐng)量躍居全球首位，導(dǎo)致這一時(shí)期全球反鐵電技術(shù)專利申請(qǐng)量持續(xù)上升。

近20年，反鐵電技術(shù)來(lái)源國(guó)主要為中國(guó)、韓國(guó)、美國(guó)和日本，中國(guó)雖起步較晚，但后來(lái)居上，專利技術(shù)產(chǎn)出處于領(lǐng)先地位。技術(shù)目標(biāo)國(guó)也集中在中國(guó)、美國(guó)、韓國(guó)、日本等國(guó)家，中國(guó)專利申請(qǐng)中，國(guó)外來(lái)華有一定專利布局，但是中國(guó)僅限于國(guó)內(nèi)研究和交流，幾乎沒(méi)有在海外進(jìn)行專利布局。

從申請(qǐng)人分析看，全球排名前10的機(jī)構(gòu)中，有6所國(guó)內(nèi)高校和研究院，其他為國(guó)外企業(yè)。國(guó)外企業(yè)中，有2家韓國(guó)企業(yè)（三星電子株式會(huì)社和SkHy-nixInc）和2家美國(guó)企業(yè)（英特爾公司和通用電氣公司）。中國(guó)本土的申請(qǐng)人中，高校和科研院所占比9 2 . 4 2 % ，少量申請(qǐng)人為企業(yè)和個(gè)人，并且聯(lián)合申請(qǐng)數(shù)量少，申請(qǐng)省市較為分散。

從專利技術(shù)領(lǐng)域看，近20年的反鐵電技術(shù)在陶瓷制品和陶瓷組合物及其制備、半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器件、液晶電光器件等方向均有專利申請(qǐng)。中國(guó)在這幾個(gè)領(lǐng)域的研究均有涉及，尤其偏重陶瓷制品和陶瓷組合物及其制備領(lǐng)域，而美國(guó)和韓國(guó)注重半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器件領(lǐng)域，日本則更青睞液晶電光器件領(lǐng)域

從專利運(yùn)營(yíng)情況看，近20年，全球進(jìn)行轉(zhuǎn)讓的反鐵電技術(shù)專利共116件，其中中國(guó)大陸共15件。

全球僅2件專利進(jìn)行了許可，均為中國(guó)專利。

3.2 建議

通過(guò)以上結(jié)論，本研究為我國(guó)反鐵電技術(shù)未來(lái)發(fā)展提出如下建議。

第一，繼續(xù)加強(qiáng)反鐵電材料的研發(fā)。材料是社會(huì)進(jìn)步的物質(zhì)基礎(chǔ)，性能優(yōu)異的材料是場(chǎng)景應(yīng)用推廣的前提，材料技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展關(guān)系到我國(guó)在全球經(jīng)濟(jì)和科技競(jìng)爭(zhēng)的地位，因此現(xiàn)階段還應(yīng)繼續(xù)加強(qiáng)關(guān)鍵基礎(chǔ)材料的研發(fā)力度，為科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供重要支撐。反鐵電材料是一類關(guān)鍵基礎(chǔ)性功能材料，新型反鐵電材料的開(kāi)發(fā)仍然是未來(lái)活躍的研究領(lǐng)域。從本研究分析可知，全球反鐵電基礎(chǔ)材料的研究主要集中在中國(guó)，而中國(guó)的反鐵電技術(shù)創(chuàng)新活動(dòng)側(cè)重于C04B35領(lǐng)域，即反鐵電陶瓷材料的摻雜改性和制備，建議未來(lái)除繼續(xù)深入研究傳統(tǒng)的反鐵電陶瓷材料體系外，還可以尋求新型反鐵電材料體系的開(kāi)發(fā)和突破，如單晶、微晶玻璃等，旨在探索更高性能的反鐵電材料以滿足不同的應(yīng)用需求。

第二，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作和開(kāi)放許可轉(zhuǎn)化，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。我國(guó)反鐵電技術(shù)專利申請(qǐng)人中，高校和科研院所占絕大多數(shù)，其中中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所、同濟(jì)大學(xué)、西安交通大學(xué)等創(chuàng)新主體在反鐵電材料技術(shù)領(lǐng)域具有較強(qiáng)的研究能力，但企業(yè)申請(qǐng)人占比很少，聯(lián)合申請(qǐng)更是鳳毛麟角。本研究建議鼓勵(lì)高校、科研院所和企業(yè)加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，同時(shí)積極推動(dòng)專利成果轉(zhuǎn)化，進(jìn)行市場(chǎng)應(yīng)用以實(shí)現(xiàn)專利的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值。通過(guò)企業(yè)與高校、科研院所之間的合作，發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)，優(yōu)化資源配置，協(xié)同創(chuàng)新，從而加快掌握和突破反鐵電材料和器件中的核心和關(guān)鍵技術(shù)，完善我國(guó)在反鐵電領(lǐng)域的專利和產(chǎn)業(yè)布局。近年來(lái)，中國(guó)反鐵電專利轉(zhuǎn)讓數(shù)量雖有一定幅度的增長(zhǎng)，但整體仍較少，進(jìn)行許可實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化的數(shù)量更是屈指可數(shù)，只有2件中國(guó)專利在2022年以普通許可方式許可。本研究建議，為持續(xù)推進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化，未來(lái)應(yīng)從多方面推進(jìn)專利開(kāi)放許可制度實(shí)施工作。專利開(kāi)放許可制度是2020年《中華人民共和國(guó)專利法》第4次修改創(chuàng)設(shè)的新制度，是簡(jiǎn)便快捷的“一對(duì)多”的許可方式，不僅為許可人和被許可人搭建起信息溝通的橋梁，而且降低了交易成本，提高了許可效率。2024年是實(shí)施專利轉(zhuǎn)化運(yùn)用專項(xiàng)行動(dòng)方案的關(guān)鍵一年，隨著今年專利法實(shí)施細(xì)則的修改落地，專利開(kāi)放許可制度也全面實(shí)施，靈活利用這一制度，可以加快專利許可轉(zhuǎn)化，充分發(fā)揮專利的應(yīng)用價(jià)值。

第三，打開(kāi)格局，加強(qiáng)海外專利布局，重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。專利具有地域性，經(jīng)一國(guó)法律保護(hù)的某項(xiàng)權(quán)利只在該國(guó)范圍內(nèi)產(chǎn)生法律效力。我國(guó)本土的反鐵電技術(shù)專利申請(qǐng)幾乎沒(méi)有在海外布局，這就意味著我國(guó)反鐵電技術(shù)一旦走出國(guó)門(mén)則不受保護(hù)，任何人都可以實(shí)施該項(xiàng)技術(shù)，這非常不利于國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品走向國(guó)際市場(chǎng)。專利申請(qǐng)不只是評(píng)職稱、申項(xiàng)目、拿獎(jiǎng)項(xiàng)的重要途徑，更是推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的重要力量。因此，應(yīng)重視海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，提高企業(yè)進(jìn)行國(guó)際專利布局的意識(shí)，強(qiáng)化專利國(guó)際化戰(zhàn)略，積極搶占全球市場(chǎng)，進(jìn)而提升我國(guó)在反鐵電技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

參考文獻(xiàn)：

[1]KITTELC.Theoryofantiferroelectric crystals[J].PhysicalReview，1951，82（5）：729-732.

[2]劉暄，趙瑩瑩.反鐵電儲(chǔ)能陶瓷的研究進(jìn)展[J].電子元件與材料，2020，39（11）：55-61，66.

[3]王瑤，鄧元.鈣鈦礦型Pb基反鐵電儲(chǔ)能材料研究進(jìn)展[J].中國(guó)材料進(jìn)展，2011，30（9）：51-56.

[4]劉樹(shù).專利發(fā)展戰(zhàn)略研究[M].保定：河北大學(xué)出版社，2009.

[5]夏瑞臨，吳倩.鐵電薄膜材料領(lǐng)域的研究及專利分析[J].法制與經(jīng)濟(jì)，2016（3）：145-146，149.

[6]徐笑陽(yáng)，勞新斌.微晶玻璃技術(shù)全球?qū)＠閳?bào)分析[J].中國(guó)陶瓷，2019，55（10）：17-23.

[7]吳紫平.鈦酸鉍鈉基壓電陶瓷材料專利技術(shù)現(xiàn)狀分析[J].中國(guó)高新科技，2022（6）：147-148.

（欄目編輯：文雯）