耐日嘎 ，馬 俊 ，王園園，豆亞穩(wěn)，呂海濤，錢莉榮，李翠平

(1.天津理工大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院，天津市薄膜電子與通信器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，天津 300384；2.天津理工大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院，光電器件與通信技術(shù)教育部工程研究中心，天津 300384)

0 引言

聲表面波(SAW)是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ穆暡?，是英國科學(xué)家Lord Rayleigh在研究地震波時(shí)偶然發(fā)現(xiàn)的[1]。SAW器件是指利用SAW來傳輸和處理信號(hào)的器件，基本結(jié)構(gòu)包括壓電基片和叉指換能器(IDT)。

制作高頻、寬帶和大功率SAW器件時(shí)，常采用高聲速和高熱導(dǎo)率的材料作為基底材料。與其他材料相比，金剛石具有最高的聲速(約10 936 m/s)和熱導(dǎo)率(20 (W·cm-1)·K-1)，但是目前生產(chǎn)大面積、高質(zhì)量的金剛石基底較難。SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有較高的聲速[2](約6 832 m/s)和熱導(dǎo)率[3](4.9 (W·cm-1)·K-1)，且其制備工藝日趨成熟，成本低。目前，6英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC基底已經(jīng)量產(chǎn)，8英寸的SiC基底正在研發(fā)。山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)獲得表面粗糙度在1 nm以下的6H-SiC單晶晶片，達(dá)到“開盒即用”的外延片的水平[4]。

金剛石和SiC都不是壓電材料，須與壓電材料結(jié)合才能完成SAW的激勵(lì)。氮化鋁(AlN)作為一種壓電材料，具有高聲速[5](5 560 m/s),高導(dǎo)熱率,低介質(zhì)損耗,溫度穩(wěn)定性好,與CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)[6]。但與其他的壓電材料(如壓電陶瓷和ZnO)相比，其壓電系數(shù)偏低[7](d33=5.5 pC/N)，一定程度上限制了AlN在SAW上的廣泛應(yīng)用[8]。2008年，Morito Akiyama等制備出了一種摻雜Sc元素的AlN(ScAlN)薄膜，其壓電系數(shù)高達(dá)27.6 pC/N，且彈性系數(shù)高、聲速[9]可達(dá)6 000 m/s，Zhang Qiaozhen等使用ScAlN薄膜制作的SAW器件，能夠有效提高器件的機(jī)電耦合系數(shù)(K2)[10]，ScAlN薄膜制作的SAW器件具有很大的應(yīng)用潛力。

本文以6H-SiC作為基底材料，以ScAlN薄膜作為壓電材料，研究了基于ScAlN/6H-SiC的SAW傳播特性。首先，分析了在不同激勵(lì)條件下，壓電材料厚度變化對ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)中SAW的相速度(vp)和K2的影響，并優(yōu)化壓電材料厚度。然后，通過改變電極厚度(hAl)及金屬化率(r)進(jìn)一步提高K2，得出優(yōu)化后的結(jié)構(gòu)。

1 SAW諧振器的建立與仿真

ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)的SAW器件中，SAW的激勵(lì)方式與IDT位置及短路金屬層的放置有關(guān)，不同激勵(lì)方式下，其SAW傳播特性也不同，典型的4種激勵(lì)方式分別為I-F、F-I、I-M和M-I結(jié)構(gòu)，其中I-F和I-M結(jié)構(gòu)稱為表面源結(jié)構(gòu)，F(xiàn)-I和M-I結(jié)構(gòu)稱為界面源結(jié)構(gòu)[11]。

vp與諧振頻率(fr)和波長(λ)有關(guān)[10]，即：

vp=frλ

(1)

由式(1)可見，基底材料的vp越高，器件的fr越高。

K2是衡量壓電材料聲電轉(zhuǎn)換效率的參數(shù)[12]，其表達(dá)式[13]為

(2)

式中far為反諧振頻率。

本文利用有限元法求解ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)中SAW傳播的問題，ScAlN和SiC的材料參數(shù)見文獻(xiàn)[14]。

2 仿真結(jié)果分析

多層膜結(jié)構(gòu)中SAW各模式受襯底、壓電材料及用于電激勵(lì)的IDT結(jié)構(gòu)的影響[15]。本文主要分析這些參數(shù)對SAW傳播特性的影響，并對ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)電極的輸入導(dǎo)納進(jìn)行分析，其典型的導(dǎo)納特性曲線如圖1所示。文中將λ設(shè)定為4.00 μm，叉指電極(Al)厚度為0.01λ，電極寬度為0.25λ， ScAlN厚度(hScAlN)為0.5λ， 6H-SiC厚度為3λ。本文只對M0，M1和M2模式的SAW傳播特性進(jìn)行研究。

圖1 ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)導(dǎo)納特性曲線

2.1 壓電材料厚度的影響

圖2為4種激勵(lì)方式下，M0，M1，M2模式的vp隨著hScAlN/λ變化的曲線。對于M0，M1，M2模式SAW，vp均隨hScAlN/λ的增加而降低。同時(shí)，4種激勵(lì)方式的vp變化趨勢基本相似，說明電極位置變化或添加短路金屬對vp的影響很小。

圖2 4種激勵(lì)方式下3種模式的vp特性

基于ScAlN/6H-SiC的多層膜結(jié)構(gòu)雖然可以激發(fā)出多種模式的SAW，但激勵(lì)強(qiáng)度各不相同，可以用K2來表征。圖3為4種激勵(lì)方式下隨著hScAlN/λ增大時(shí)3種模式的K2變化曲線。由圖可知，添加短路金屬能夠適當(dāng)?shù)靥岣逰2的峰值。

圖3 4種激勵(lì)方式下，3種模式的K2特性

在多層薄膜結(jié)構(gòu)中傳播的SAW具有頻散性，即波的傳播特性跟hScAlN/λ有關(guān)[16]，在K2和vp較大的前提下，還應(yīng)盡量減小頻散。對于M0模式，從圖3可看出，I-F和I-M結(jié)構(gòu)下的K2很小(<2%)，且K2最大值出現(xiàn)的hScAlN/λ對應(yīng)圖2中的vp也很低(<4 km/s)，應(yīng)用于實(shí)際器件時(shí)性能較差；而在F-I和M-I結(jié)構(gòu)下可以選擇0.4

2.2 金屬化率和電極厚度的影響

從圖3可看出，I-F、I-M和M-I結(jié)構(gòu)下，M1模式是最佳工作模式，而在F-I 結(jié)構(gòu)下，M0模式是ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)的最佳工作模式。本節(jié)分析在最佳hScAlN/λ下,r與hAl變化對SAW各傳播特性產(chǎn)生的影響。r為電極寬度與器件周期之比。

圖4為4種激勵(lì)方式下hAl增加時(shí)，不同r所對應(yīng)的vp變化曲線。4種激勵(lì)條件下，當(dāng)hAl一定時(shí)，vp隨r的增加而減小。當(dāng)r一定時(shí)，vp隨hAl的增加呈線性下降。r越大，vp隨hAl的減少而下降越快，說明r在一定程度上影響了SAW器件的諧振頻率。

圖4 r和hAl變化時(shí),4種激勵(lì)方式下的vp特性

圖5為4種激勵(lì)方式下hAl增加時(shí)，不同r所對應(yīng)的K2變化曲線。對于I-F結(jié)構(gòu)，K2隨著hAl的增加而增大，r=0.5時(shí)K2值較大。對于F-I結(jié)構(gòu)，hAl<0.04 μm時(shí)，r=0.6的K2較大;0.04 μm0.07 μm時(shí),r=0.8的K2較大;hAl=0.1 μm時(shí)，r=0.8的K2達(dá)到11.71%。對于I-M結(jié)構(gòu)，hAl<0.06 μm時(shí)，r=0.5的K2較大；hAl>0.06 μm時(shí)，r=0.7的K2較大。對于M-I結(jié)構(gòu)，hAl<0.03 μm時(shí)，r=0.5的K2較大；0.03 μm0.06 μm時(shí)，r=0.7的K2較大；hAl=0.1 μm時(shí)，r=0.7的K2達(dá)到15.78%。

圖5 金屬化率和電極厚度變化時(shí)4種結(jié)構(gòu)的機(jī)電耦合系數(shù)特性

根據(jù)圖2～5的研究結(jié)果，在保證K2最大的同時(shí)優(yōu)化不同結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)，如表1所示。

表1 優(yōu)化后的ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)參數(shù)和SAW傳播特性參數(shù)

3 結(jié)論

本文對ScAlN/6H-SiC結(jié)構(gòu)中SAW各傳播特性進(jìn)行了研究，并分析了在4種激勵(lì)條件下，壓電材料厚度、電極厚度及金屬化率對各SAW傳播特性參數(shù)產(chǎn)生的影響。結(jié)果表明：

1) 短路金屬的添加或電極位置的變化對SAW相速度的改變很小，但對機(jī)電耦合系數(shù)的影響較大。

2) 在4種激勵(lì)方式中只有F-I結(jié)構(gòu)的機(jī)電耦合系數(shù)最大值出現(xiàn)在M0模式，其他3種結(jié)構(gòu)下機(jī)電耦合系數(shù)的最大值均出現(xiàn)在M1模式，且在M-I結(jié)構(gòu)下機(jī)電耦合系數(shù)的最大值高達(dá)15.78%。