王志青，陳彬彬，沈 杰，陳 文，劉曰利，龔少康，周 靜

(武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，武漢430070)

大數(shù)據(jù)、云計算和消費電子產(chǎn)品技術(shù)與市場的發(fā)展對非易失性存儲器的性能要求與日劇增［1］.阻變存儲器(Resistive random access memory，RRAM)因其低成本、低能耗和卓越的數(shù)據(jù)存儲特性等而被認(rèn)為是下一代最有前景的非易失性存儲器，受到學(xué)術(shù)領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域的高度重視和廣泛研究［2］.RRAM 的核心為阻變材料，在外電場的作用下，阻變材料的電阻在高阻態(tài)(HRS)和低阻態(tài)(LRS)之間轉(zhuǎn)變，可實現(xiàn)數(shù)據(jù)“0”和“1”的存儲［3］.低維納米阻變材料制備時不需要高溫、高壓或超高真空的極端環(huán)境，能耗較低［4～6］，可以通過簡單有效的方法合成且可實現(xiàn)能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控［7］.同時，基于低維納米材料的RRAM 因具有快的運算速度、極佳的可調(diào)性、較小的元件尺寸以及在納米尺度上優(yōu)異的阻變性能而成為下一代RRAM 的發(fā)展趨勢［8］.

近幾年，零維(0-D)量子點因其卓越的光學(xué)性能和電學(xué)性能受到了研究人員的廣泛關(guān)注，其最顯著的特點是性能的連續(xù)可調(diào)性［9］.研究結(jié)果表明，將0-D 量子點用作RRAM 中的阻變功能層可表現(xiàn)出典型的雙極性阻變特征［10］.在RRAM 中，由于量子點的庫侖阻塞效應(yīng)與量子遂穿效應(yīng)，量子點層可實現(xiàn)對注入電子的自俘獲從而具有阻變性能，且俘獲電子的數(shù)量與量子點的厚度有關(guān)，這使0-D 量子點納米材料用作RRAM 阻變功能材料具有不可替代的優(yōu)勢.石墨烯量子點(G QDs)［11］、二硫化鉬量子點(MoS2QDs)［12］、黑磷量子點(BP QDs)［13］、MXene QDs［14］和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)量子點(如 CsPbBr3QDs)［15］等均被用于RRAM 中，并取得了優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲性能.

將0-D 量子點引入聚合物基體中形成有機-無機復(fù)合材料是制備量子點基RRAM 的有效方法［16］.Han 等［17］將黑磷量子點(BP QDs)與聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)復(fù)合實現(xiàn)了107的高阻變開關(guān)比，達到了目前最高水平，但器件穩(wěn)定性較差，這也是有機-無機RRAM 普遍存在的問題.在有機-無機復(fù)合材料制備過程中，由于無機量子點很難在有機物基體中均勻分散，致使量子點/聚合物層和電極之間的界面不可控，因此器件穩(wěn)定性較差.

為了克服有機-無機RRAM 的缺點，采用全無機量子點作為阻變材料是一種有效的解決方案.全無機鈣鈦礦量子點(CsPbBr3QDs)基RRAM 在持續(xù)工作24 h 后器件性能無明顯退化［18］，且阻變開關(guān)比達到107，可與有機-無機存儲器件的存儲性能相媲美［17］.然而，CsPbBr3QDs 中大量光生載流子的存在以及較強的電荷表面復(fù)合導(dǎo)致器件開關(guān)電壓不穩(wěn)定，不利于商業(yè)化應(yīng)用.使用Ag-In-Zn-S(AIZS)NCs 作為阻變材料的RRAM 表現(xiàn)出雙極性阻變特性，但其阻變開關(guān)比僅為18［19］，與有機-無機存儲器件相比仍處于一個較低的數(shù)據(jù)存儲水平.因此，需要對全無機量子點基RRAM 的阻變開關(guān)特性進行廣泛研究，開發(fā)新的量子點阻變存儲材料，為RRAM 的商業(yè)化提供可行的解決方案.

Cu12Sb4S13量子點(CAS QDs)是一種典型的p 型半導(dǎo)體，其價帶中存在兩個非占據(jù)態(tài)，可對電子進行自俘獲；且其較高的載流子遷移率和能帶結(jié)構(gòu)可通過量子點尺寸精準(zhǔn)控制［20］，光、熱化學(xué)穩(wěn)定性高，因而具有作為RRAM 阻變功能材料的巨大潛力［21］.但將CAS QDs 用于RRAM 中的研究尚未見報道.我們［22］曾報道了一種綠色、高產(chǎn)率的CAS QDs 合成路線，并實現(xiàn)了CAS QDs 的尺寸、組分和相結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)控制，有望實現(xiàn)CAS QDs 在RRAM 中的實際應(yīng)用.

傳統(tǒng)的存儲技術(shù)只使用單物理量輸入(如電壓)來操作整個存儲設(shè)備，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與擦除.研究發(fā)現(xiàn)，將多個物理量(如光、電場和磁場)與電壓結(jié)合在同一個設(shè)備上來操作整個存儲設(shè)備可有效提升存儲器的數(shù)據(jù)存儲能力［23，24］.

量子點中點缺陷(包括空位、間隙和陽離子取代等)的形成能較低，實驗結(jié)果已經(jīng)證實，其在量子點內(nèi)的遷移更容易受到電場或光照的調(diào)控［25］.CAS QDs 具有比傳統(tǒng)的塊體材料更優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性能，具有超過105cm－1的光吸收系數(shù).在光照射和電場作用下，CAS QDs 內(nèi)的缺陷可發(fā)生定向遷移，形成高濃度的導(dǎo)電通道并使器件的電阻減小.因此，利用CAS QDs 的光學(xué)和電學(xué)特性，可以實現(xiàn)CAS QDs 基RRAM 的高密度數(shù)據(jù)存儲.

本文將阻變功能材料CAS QDs 夾在底部導(dǎo)電玻璃(FTO)與頂部金電極之間組成FTO/CAS QDs/Au三明治結(jié)構(gòu)，研究了光照對CAS QDs 阻變性能的輔助作用.利用CAS QDs 的電流-電壓(I-V)曲線研究了其阻變性能、穩(wěn)定性和耐久性，并根據(jù)I-V數(shù)據(jù)擬合結(jié)果，分析了光輔助CAS QDs 的阻變機理.

1 實驗部分

1.1 試劑與儀器

碘化亞銅(CuI，純度 99%)、油胺(OLA，純度 80%～90%)、二苯醚(C12H10O，純度＞99%)、N，N-二苯基硫脲(C13H12N2S，純度98%)、三氯化銻(SbCl3，純度99%)和己硫醇(C6H14S，純度＞96%)均購自上海阿拉丁生化科技股份有限公司；正己烷(C6H14，A.R.級)和甲醇(CH3OH，A.R.級)購自國藥集團化學(xué)試劑有限公司.

荷蘭 PANalytical 公司 Pert-Pro 型 X 射線衍射儀，CuKα輻射源，掃描范圍 2θ=10°～80°，掃描速率10°/min；日本 JEOL 公司 JEM-2100F 型高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)；德國 Zeiss 公司 Ultra Plus型場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)；日本 Inca 公司 X-Max50 型能譜(EDS)儀；日本精工公司SPA300HV 型原子力顯微鏡(AMF)；日本Shimadzu 公司UV-240 PC 型 UV-Vis 漫反射光譜分析(UVVis DRS)儀，波長掃描范圍為300～800 nm；美國Newport 公司91160 型AM1.5 標(biāo)準(zhǔn)太陽光光度計(300 W×enon lamp)；美國Keithley 公司4200 型半導(dǎo)體分析儀，以“0 V→－2 V→0 V→2 V→0 V”的電壓掃描順序進行測試，穩(wěn)定性測試中讀取電壓為－0.1 V，耐久性測試中寫入和擦除電壓脈沖分別為－0.1 V/ms和0.1 V/ms.

1.2 實驗過程

采用熱注入法制備CAS QDs.將285.6 mg CuI 和30 mL OLA 置于三頸燒瓶中，在氬氣氛圍下升溫至150 ℃，然后加入114 mg SbCl3.在另一個試劑瓶中加入513.70 mg C13H12N2S 和2.25 mL C12H10O，于90 ℃加熱至溶解.將C13H12N2S-C12H10O 溶液快速注入上述三頸燒瓶中，于150 ℃保溫300 s，然后迅速冷卻至室溫.經(jīng)洗滌、離心后獲得純化的CAS QDs.將其分散在正己烷中，并存儲在手套箱中備用.

選用FTO 導(dǎo)電玻璃(1 cm×1 cm，15 Ω/□)作為基底.向 1 mL CAS QDs 分散液中加入過量CH3OH，并在 10000 r/min 轉(zhuǎn)速下離心 3min，取沉淀加入 1 mL C6H14S，得到濃度為 20 mg/mL 的CAS QDs 溶液.采用旋涂法，用移液槍量取 40 μL CAS QDs 溶液，在 2000 r/min 轉(zhuǎn)速下旋涂在 FTO 基板上，并在100 ℃退火10 min，得到金黃色CAS QDs 薄膜.采用磁控濺射法制備上層Au 點電極，電極面積為0.015 cm2.將制備好的FTO/CAS QDs/Au 器件保存在手套箱中備用.

2 結(jié)果與討論

2.1 CAS QDs 的表征

反應(yīng)溫度為150 ℃時制備的CAS QDs 的TEM 照片如圖1(A)所示.可見，制備的CAS QDs 具有球狀結(jié)構(gòu)且單分散性良好.圖1(A)插圖為CAS QDs 的粒徑統(tǒng)計直方圖，采用標(biāo)準(zhǔn)正態(tài)分布進行擬合，得到CAS QDs 的平均粒徑為(7.9±0.5) nm，尺寸分布標(biāo)準(zhǔn)差σ=9.1%(在10%內(nèi))，這是單分散量子點的典型特征.圖1(B)為CAS QDs 的局部放大TEM 圖像，圖1(C)為圖1(B)中單個CAS QDS 的HRTEM照片.可見，所制備的量子點具有較高的結(jié)晶度.圖1(C)的選區(qū)電子衍射(SAED)圖像如圖1(D)所示，清晰明亮的衍射環(huán)分別對應(yīng)于 CAS QDs 的(220)，(222)，(400)，(440)和(622)晶面.TEM 測試結(jié)果表明已成功制備了具有球狀結(jié)構(gòu)且單分散性良好的平均粒徑為7.9 nm 的CAS QDs.

Fig.1 TEM，HRTEM images and SAED pattern of CAS QDs

CAS QDS的XRD 譜如圖2(A)所示.其XRD 衍射峰與Cu12Sb4S13標(biāo)準(zhǔn)卡片(JCPDS No.042-0561)相符，表明制備的CAS QDS為純立方結(jié)構(gòu)的黝黑礦相CAS(空間群:I43m).量子點的3 個最強衍射峰位于 29.96°，49.94°和 59.34°處，分別對應(yīng)于 CAS 晶體的(222)，(440)和(622)晶面，這與圖1 測試結(jié)果一致.CAS QDs 的UV-Vis 吸收光譜如圖2(B)所示，圖2(B)中插圖為CAS QDs 特征吸收邊的局部放大圖像.可見，CAS QDs 的特征吸收邊為750 nm，明顯的激子吸收邊表明CAS QDS具有優(yōu)異的光學(xué)性能.

圖3(A)和(B)為FTO 表面旋涂CAS QDs 前后的AFM 圖像，其表面的均方根粗糙度(RMS)分別為18 nm 和3.1 nm.圖3(C)和(D)示出了FTO 表面旋涂CAS QDs 前后的表面三維形貌.FTO 表面起伏較大，旋涂CAS QDs 后表面平坦且起伏較小，說明CAS QDs 已經(jīng)被旋涂在FTO 襯底上.較小的表面粗糙度和起伏證明CAS QDs 在FTO 襯底上形成了平滑且均勻的膜層.

Fig.2 XRD pattern(A) and UV-Vis absorption spectrum(B) of CAS QDs

Fig.3 AFM images(A，B) and 3D AFM images(C，D) of FTO(A，C) and FTO/CAS QDs(B，D)

CAS QDs 基RRAM 的結(jié)構(gòu)示意圖和形貌組成如圖4 所示.器件具有傳統(tǒng)的電極/功能層/電極三明治結(jié)構(gòu)［圖4(A)］，其中FTO 作為下電極，CAS QDs 為阻變功能層，Au 作為上電極.圖4(B)的FESEM照片顯示CAS QDs 層和Au 電極的厚度均為200 nm，CAS QDs 層致密、無明顯孔洞，且與電極結(jié)合良好.

Fig.4 Schematic diagram(A) and cross-sectional FESEM image(B) of the FTO/CAS QDs/Au memory device

圖5(A)和(B)為FTO 旋涂量子點前后表面FESEM 照片.對比旋涂前后表面形貌變化可以看出，旋涂在FTO 上的量子點層光滑且均勻.對圖5(B)中區(qū)域進行EDS 分析，結(jié)果如圖5(C ～F)所示.EDS元素mapping 圖譜顯示Cu，Sb 和S 元素均勻分布在量子點層中.分析3 種元素的比例，如圖S1(見本文支持信息)所示，Cu，Sb 和S 3 種元素的摩爾分?jǐn)?shù)分別為40.06%，15.21%和44.73%，即Cu/Sb/S原子比為 12 ∶4.2 ∶13.1，符合 CAS QDs 的標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)計量比，證明 CAS QDs 已經(jīng)均勻旋涂到 FTO 表面.

Fig.5 Top view SEM images of FTO(A) and FTO/CAS QDs(B) and element mapping images of Cu(C)，Sb(D)，S(E) of the region in (B)

2.2 CAS QDs 的光照增強阻變性能

首先采用直流掃描電壓法研究了FTO/CAS QDs/Au 器件的室溫I-V特性.所有的電壓或電流激勵均施加于上電極(Au)，下電極(FTO)始終保持接地.在測試期間，規(guī)定從上電極到下電極為電流正方向，阻變存儲器件的I-V特性曲線如圖6(A)所示.

僅對FTO/CAS QDs/Au 器件施加電壓，當(dāng)電壓從0 V 緩慢增加時，電流值也隨之增加(過程1)，當(dāng)反向電壓增加到－0.46 V 時，電流從約10－6A 迅速增加到10－2A 左右(過程2).說明在不施加電壓(或低電壓)狀態(tài)時，F(xiàn)TO/CAS QDs/Au 器件表現(xiàn)出很高的絕緣性，器件處于高電阻狀態(tài)(HRS)，稱為OFF 狀態(tài).當(dāng)施加電壓達到一定值(0.46 V)時，器件從HRS 過渡到低電阻狀態(tài)(LRS)，稱為ON 狀態(tài).HRS 到LRS 的轉(zhuǎn)變等效于數(shù)字存儲設(shè)備中的寫入過程，OFF 狀態(tài)到ON 狀態(tài)的轉(zhuǎn)變被稱為“SET”過程，閾值電壓－0.46 V 被稱為RRAM 的寫入電壓(SET Voltage).此時，進一步增加施加電壓值，處于LRS 態(tài)的器件不論是在負(fù)向電壓掃描(過程3，4)還是正向電壓掃描(過程5)中均表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性.隨后，當(dāng)掃描電壓從正向高電壓逐漸減小到0.51 V 附近時，電流從大約10－2A 突然減小到10－6A(過程7).LRS 到HRS 的轉(zhuǎn)變相當(dāng)于存儲器件的擦除過程，ON 狀態(tài)到OFF 狀態(tài)的轉(zhuǎn)變被稱為“RESET”過程，對應(yīng)的電壓被稱為復(fù)位電壓(RESET Voltage).器件高、低阻態(tài)電阻的比值稱為阻變開關(guān)比.在不施加光照情況下，CAS QDs 的阻變開關(guān)比為104.此外，從過程3，4 和5，6 可以看出，數(shù)據(jù)寫入之后，施加一定大小的正、負(fù)偏壓或關(guān)閉電源，存儲器始終維持在LRS 狀態(tài)，說明了CAS QDs 基阻變存儲器具有非易失性特性.

Fig.6 Resistive switching performance of FTO/CAS QDs/Au memory device

由圖2(B)可知CAS QDs 的特征吸收邊為750 nm，對器件施加波長小于750 nm 的光源時，光源產(chǎn)生的光子均能被CAS QDs 吸收并影響其阻變性能.施加光照時，如圖6(A)所示，CAS QDs 表現(xiàn)出與未施加光照時相似的電阻開關(guān)行為，仍保留著非易失存儲特性.但是CAS QDs 的寫入電壓和復(fù)位電壓數(shù)值明顯降低，其阻變開關(guān)比也增大至105，是未施加光照時的10 倍.對施加光照時100 個存儲單元的“SET/RESET”電壓進行統(tǒng)計，如圖6(B)所示，施加光照時 CAS QDs 的“SET”電壓為－0.38 V，“RESET”電壓為0.42 V，可見，施加光照明顯降低了器件的開關(guān)電壓.

為進一步證明CAS QDs 用于非易失存儲器件的可行性，對FTO/CAS QDs/Au 器件的穩(wěn)定性和耐久性進行了研究.如圖6(C)所示，數(shù)據(jù)寫入之后，器件在以讀取電壓為－0.1 V 時連續(xù)工作1.4×106s后仍然能保持非常穩(wěn)定的LRS 狀態(tài)；數(shù)據(jù)擦除之后，器件連續(xù)工作1.4×106s 后仍然穩(wěn)定地保持在HRS 狀態(tài)，并且開/關(guān)比穩(wěn)定在105以上，這說明FTO/CAS QDs/Au 阻變存儲器具有非常好的存儲穩(wěn)定性.

圖6(D)所示為經(jīng)過104次反復(fù)寫入和擦除之后器件的阻值變化，采用矩形脈沖波對器件交替施加正向和負(fù)向電壓，寫入和擦除電壓脈沖分別為－0.1 V/1 ms 和0.1 V/1 ms.可以看出，經(jīng)過104次的重復(fù)擦除和寫入之后，器件的開/關(guān)比始終保持在105左右.穩(wěn)定性與耐久性測試中器件高、低阻態(tài)變化率均小于0.1%，說明FTO/CAS QDs/Au 具有良好的數(shù)據(jù)寫入與讀取穩(wěn)定性.本文制備的器件與同類型器件阻變性能的對比如表1 所示.

Table 1 Comparison of resistance switching properties with those in literatures

2.3 0-D CAS QDs 的阻變機理

研究人員雖然提出了一些阻變模型來解釋材料的阻變機理，如導(dǎo)電細絲模型［26］、空間電荷限制電流(SCLC)模型［27］和界面勢壘調(diào)節(jié)模型［28］等，但至今仍未有統(tǒng)一的理論能有效解釋材料的阻變現(xiàn)象，材料阻變機理至今仍存在較大爭議.

為了研究光照下FTO/CAS QDs/Au 的電流傳導(dǎo)機制，將光照下SET 過程和RESET 過程的電壓和電流取對數(shù)，得到圖7 所示的雙對數(shù)曲線.

圖7(A)顯示了FTO/CAS QDs/Au 在整個負(fù)向偏壓下的SET 過程.當(dāng)器件處于HRS 時，其I-V雙對數(shù)曲線分為 3 部分: (1) 當(dāng)電壓從 0 V 到－0.15 V 掃描時，I-V曲線的斜率為 1.02，接近于 1，符合線性歐姆關(guān)系；(2) 當(dāng)電壓在－0.15 V 到－0.24 V 之間掃描時，I-V曲線的斜率為1.42；(3) 當(dāng)電壓在－0.24 V 到－0.38 V 之間掃描時，I-V曲線斜率為2.12，此過程屬于典型的空間電荷限制電流(SCLC)傳導(dǎo)機制.之后進入LRS 狀態(tài).在LRS 中，擬合斜率約為1.00，說明在LRS 時由歐姆導(dǎo)電機制主導(dǎo).

Fig.7 lgI-lgV plots of the FTO/CAS QDS/Au device during the SET process in a negative voltage sweep(A) and RESET process in a positive voltage sweep(B)

圖7(B)所示為RESET 部分的雙對數(shù)曲線.可以看出，LRS 狀態(tài)的I-V曲線斜率為1.00，符合歐姆導(dǎo)電機制.器件在HRS 狀態(tài)的I-V曲線同樣分為3 部分: (1) 當(dāng)電壓從0.42 V 到0.27 V 之間掃描時，I-V曲線的斜率為2.21，此過程為典型SCLC 區(qū)域；(2) 當(dāng)電壓在0.27 V 到0.14 V 之間掃描時，I-V曲線的斜率為1.52；(3) 當(dāng)電壓在0.14 V 到0 V 之間掃描時，I-V曲線的斜率為1.08，符合歐姆導(dǎo)電機制.各段擬合公式如下:

歐姆導(dǎo)電機制:

SCLC 機制:

式中:I(A)為電流；V(V)為電壓；T(K)為溫度；K(1.380649×10－23J/K)為波爾茲曼常數(shù)；εi(C·V－1·cm－1)為動態(tài)介電常數(shù)；ΔEae(kJ/mol) 為電子的活化能；d(cm) 為半導(dǎo)體厚度；μ(cm2·V－1·s－1)為載流子遷移率.

由以上分析可以看出，器件處于SET 和RESET 過程的HRS 狀態(tài)時，由歐姆導(dǎo)電機制和SCLC 傳導(dǎo)機制主導(dǎo)；處于LRS 狀態(tài)時，由歐姆導(dǎo)電機制主導(dǎo).器件在SET 和RESET 過程中具有相同的導(dǎo)電機制，同樣說明光照下FTO/CAS QDs/Au 薄膜具有很好的穩(wěn)定性.

材料制備過程中的缺陷、空位和摻雜等均會影響其阻變性能.在基于CAS QDs 的RRAM 制備過程中可以形成大量的Cu 空位、Sb 空位和S 空位.在光照和電場作用下，不同類型的離子定向遷移導(dǎo)致相應(yīng)的空位在CAS QDs 層中重新分布.這些空位可以沿著線缺陷聚集并形成局部導(dǎo)電通道［29，30］.在電場下，當(dāng)局部導(dǎo)電通道相互連接直至貫穿整個CAS QDs 層時，器件從HRS 過渡到LRS.此外，空位的聚集也降低了FTO 電極與CAS QDs 界面處的肖特基勢壘高度.

由于CAS QDs 的S 空位的形成能最低［31］，導(dǎo)電細絲最有可能是由 S 空位形成.零偏壓時，如Scheme 1(A)所示，大量S 空位分布在CAS QDs 層中，此時導(dǎo)電通道還未形成，所以器件處于HRS.同時FTO 電極和CAS QDs 層之間較高的肖特基勢壘也使器件難以導(dǎo)電.當(dāng)施加負(fù)電壓時，在電場作用下，S 空位定向遷移至Au 上電極，這一過程將在CAS QDs 層中產(chǎn)生了大量的S 空位并聚集在FTO 下電極附近.持續(xù)增加的電壓使S 空位富集區(qū)朝Au 上電極延伸，最終形成連接兩個電極的導(dǎo)電通道，此時空位的聚集也會降低FTO/CAS QDs 界面肖特基勢壘的高度.因此，電子可在S 空位之間跳躍遷移，使器件處于LRS，如Scheme 1(B)所示.當(dāng)施加反向電壓時，S 空位形成的導(dǎo)電通道將由于S2－的回遷而破壞，器件將重新恢復(fù)HRS.

Scheme 1 Schematic diagrams for the vacancies and Schottky barrier at the interface between the FTO electrode and CAS QDs laye

3 結(jié) 論

采用熱注入法制備了平均粒徑為7.9 nm 的CAS QDs，并通過簡單的旋涂方法制備了結(jié)構(gòu)為FTO/CAS QDs/Au 的阻變存儲器件.在光照下，該阻變存儲器件呈現(xiàn)典型的雙極性阻變開關(guān)特征，且具有－0.38 V/0.42 V 的低工作電壓和105的高阻變開關(guān)比.器件在持續(xù)工作1.4×106s 和經(jīng)過104次快速讀取后性能退化低于0.1%，顯示出良好的穩(wěn)定性.在光照和電場共同作用下，S2－導(dǎo)電通道的形成與破壞和FTO/CAS QDs 界面肖特基勢壘高度的調(diào)制是FTO/CAS QDs/Au 在高阻態(tài)與低阻態(tài)轉(zhuǎn)變的原因.本文工作有助于理解具有廣闊應(yīng)用前景的CAS QDs 基RRAM 器件的阻變開關(guān)特性，為開發(fā)下一代非易失性存儲器提供了新的備選方案.

支持信息見http：/ /www.cjcu.jlu.edu.cn/CN/10.7503/cjcu20200166.