穆 童

（南京晶升能源設(shè)備制造有限公司，江蘇 南京210000）

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體晶片的市場需求，從8 英寸（1 英寸=2.54 厘米，下同）逐漸向12 英寸擴(kuò)展，由于單晶硅生長的基本性質(zhì)，晶體頭尾部分難以有效利用，坩堝尺寸在24 寸級以下的半導(dǎo)體級單晶硅長晶爐，由于其坩堝尺寸小，單爐投料量少等原因，生長12 英寸及以上半導(dǎo)體晶棒時，晶棒有效長度非常短，越來越難以適用于大尺寸半導(dǎo)體級單晶硅的生長。因此，大尺寸單晶硅生長，需要坩堝尺寸隨之增大，目前坩堝尺寸已逐漸向28 英寸和32 英寸發(fā)展。

傳統(tǒng)的Cusp 磁場（勾型磁場）通常采用的兩組反向的多層線圈，通入冷卻水進(jìn)行冷卻，但是由于其采用的銅線圈，磁場電流增大時，根據(jù)焦耳定律，將產(chǎn)生大量的熱，造成大量的電能浪費。即便更換超導(dǎo)材料，由于其線圈排布，其磁場強(qiáng)度仍維持在一個很低的水平，通常小于1000GS，難以適用于大尺寸坩堝的長晶需求。而此時，超導(dǎo)橫向磁場，由于其采用超導(dǎo)材料，在低溫下，磁場線圈電阻為0，即使磁場電流增大也不會產(chǎn)生發(fā)熱，能到產(chǎn)生非常強(qiáng)的磁場強(qiáng)度（＞4000GS），能夠有效抑制硅液的縱向流動，對提高長晶的成功率，降低晶體的氧含量，有著顯著的作用。因此，超導(dǎo)橫向磁場，將會是目前大尺寸半導(dǎo)體級單晶硅長晶的最優(yōu)選擇。

1 理論依據(jù)

MCZ 硅單晶生長（Magnetic Field Applied Czochralski Method），是一種在傳統(tǒng)CZ 硅單晶生長基礎(chǔ)上，外加磁場，從而抑制晶體生長中產(chǎn)生的熱對流。在單晶硅長晶過程中，熔液里的熱對流對晶棒的品質(zhì)影響非常大，特別是不穩(wěn)定的熱對流，很容易造成長晶固液界面的不穩(wěn)定和摻雜的微觀偏析現(xiàn)象。由于硅熔體具有導(dǎo)電性，因此在適當(dāng)?shù)拇艌鲋?，可以有效的抑制熔體的自然對流，避免紊流的產(chǎn)生。

在單晶硅生長中，熱場中的熱量主要由側(cè)面加熱器產(chǎn)生，通過石墨坩堝傳遞給石英坩堝，再傳導(dǎo)給熔體，熔體通過液面和晶體向上散熱。通過熱場結(jié)構(gòu)，形成了坩堝內(nèi)部外熱內(nèi)冷，下熱上冷的情況，由于物體熱脹冷縮的基本性質(zhì)，下部溫度高的熔體由于體積膨脹密度小會上浮，上方溫度低的熔體密度大下沉，這種宏觀區(qū)域的下沉上浮造成了熔體的流動現(xiàn)象。在坩堝內(nèi)，熔體的自然對流是沿著熔體沿著坩堝壁向上流動，到了液面開始向中心流動。自然對流的程度可以用無量綱的格拉斯霍夫數(shù)Gr或者瑞利數(shù)Ra 來表示：

在式中α 為熔體的熱膨脹系數(shù)，g 為重力加速度，ΔT 為硅熔體內(nèi)的最大溫差，D 為石英坩堝的內(nèi)徑或熔體高度νk為熔體的粘滯敘述，Ks為熔體的熱傳導(dǎo)系數(shù)。從公式可以看出，當(dāng)坩堝尺寸增大時，自然對流的程度呈三次方的程度向上增長，對于一個D=0．5m，ΔT 為50K 的CZ 系統(tǒng)而言，當(dāng)沒有外加磁場的情況下，Ra值高達(dá)108，遠(yuǎn)高于產(chǎn)生紊流的103。當(dāng)施加磁場時，硅熔體相當(dāng)于一個離子化的導(dǎo)體，根據(jù)洛倫茲力定律，當(dāng)導(dǎo)體運動切割磁感線時，會產(chǎn)生感應(yīng)電流，而感應(yīng)電流有會產(chǎn)生與熔體流動方向相反的洛倫茲力，從而抑制熔體的對流。

目前，當(dāng)坩堝尺寸增加到28～32 英寸時，自然對流呈指數(shù)增大，現(xiàn)有的勾型磁場，由于磁場強(qiáng)度低，無法有效抑制熔體對流。由于晶體中的氧，主要是熔體流動沖刷坩堝造成，無法抑制對流，則晶體中的氧含量根本無法得到有效控制，而超導(dǎo)橫向磁場，由于其使用的超導(dǎo)線圈，在低溫下電阻為0，根本不發(fā)熱，電流可以加到很高，磁場強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)的勾型磁場。本實驗采用的超導(dǎo)橫向磁場，其最大磁場強(qiáng)度超過4000GS，是傳統(tǒng)的勾型磁場無法比擬的。

2 實驗過程

本實驗采用32 英寸石英坩堝，裝料420kg，磁場強(qiáng)度4000GS，拉制12 英寸的半導(dǎo)體級的單晶硅晶棒。

晶體編號 邊緣氧含量E17atom/cc 15,87625．34536．089位置000中心氧含量E17atom/cc 6．4356．7565．349406．8975．767505．7894．676

通過拉速5 根長度2000mm 晶棒，截取其肩部位中間和邊緣的試樣進(jìn)行氧含量檢測，得到實驗數(shù)據(jù)。

3 實驗結(jié)果及討論

通過實驗結(jié)果，根據(jù)ASTMF121-83 太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法，得到以下數(shù)據(jù)：其氧含量完全符合半導(dǎo)體級單晶硅的質(zhì)量要求。根據(jù)結(jié)果，推斷超導(dǎo)橫向磁場抑制氧含量的原因為：①通過外加磁場強(qiáng)度，抑制了熔體對流，減少了石英坩堝的溶解量。②由于橫向磁場僅抑制了熔體的縱向流動，橫向流動并未抑制，由于臨近液面的Marangoni flow 為主要的傳輸機(jī)制，是的SiO 的揮發(fā)速度增加。③抑制了石英坩堝底部的氧向上傳輸。

4 結(jié) 語

采用超導(dǎo)橫向磁場，可以有效抑制大尺寸坩堝中硅熔體的不穩(wěn)定的熱對流，通過超導(dǎo)橫向磁場在大尺寸半導(dǎo)體長晶中的應(yīng)用，可以有效提高長晶成功率，降低晶體內(nèi)的氧含量，從而提高晶體質(zhì)量。隨著晶體尺寸和坩堝尺寸的不斷增大，超導(dǎo)橫向磁場將會起著更大的作用。