劉 巖, 翟玉衛(wèi), 李 灝, 韓 偉, 荊曉冬, 梁法國(guó)
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,河北石家莊050051)
半導(dǎo)體器件的工作溫度與器件的性能和可靠性有著極為密切的聯(lián)系,溫度分布信息對(duì)器件的設(shè)計(jì)、篩選、考核、失效分析等都具有極為重要的意義。顯微熱成像技術(shù)為獲取器件內(nèi)微小細(xì)節(jié)的溫度分布信息提供了有效手段,在半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和應(yīng)用領(lǐng)域都得到了廣泛的引用。隨著半導(dǎo)體器件不斷向小型化和高集成化發(fā)展,對(duì)顯微熱成像技術(shù)的空間分辨力的要求也在持續(xù)提高。
紅外熱成像技術(shù)廣泛用于溫度分布測(cè)量,還可以用于熱阻、熱擴(kuò)散[1,2]等材料熱特性分析。顯微紅外熱像儀是目前應(yīng)用最為廣泛的顯微熱成像技術(shù),其他常見(jiàn)技術(shù)還包括拉曼法、干涉法、熒光法[3,4]等。顯微紅外熱像儀在準(zhǔn)確度、空間分辨力、易用性和效率等方面的綜合優(yōu)勢(shì)突出,更加適合工業(yè)應(yīng)用。然而,受工作波長(zhǎng)限制,顯微紅外熱像儀的空間分辨力的極限在2 μm左右,已無(wú)法完全滿足當(dāng)前的測(cè)試需求;此外,基于紅外熱成像的原理,對(duì)于低發(fā)射率目標(biāo)測(cè)溫準(zhǔn)確度較差[5],而器件表面大量金屬結(jié)構(gòu)發(fā)射率僅有0.2~0.3水平,也限制了測(cè)溫準(zhǔn)確性。
光反射熱成像工作于可見(jiàn)光波段,空間分辨力能夠達(dá)到250 nm,是目前最受關(guān)注的新一代顯微熱成像技術(shù)。光反射測(cè)溫技術(shù)大體可以分為點(diǎn)測(cè)溫和成像測(cè)溫兩類:點(diǎn)測(cè)溫利用激光作為光源,測(cè)量光斑位置溫度,利用鎖相放大等技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)較高的溫度分辨力,但是需要通過(guò)掃描來(lái)獲得溫度分布信息,耗時(shí)長(zhǎng),不適宜工業(yè)應(yīng)用;成像測(cè)溫直接使用相機(jī)獲得目標(biāo)區(qū)域圖像,效率更高。除了與顯微紅外熱像儀相同的穩(wěn)態(tài)溫度測(cè)量之外,目前光反射熱成像還應(yīng)用在其他諸多領(lǐng)域,例如瞬態(tài)熱成像[6],光電子器件熱分布和毀傷分析[7]等。
光反射測(cè)溫主要包括兩個(gè)步驟,即CTR校準(zhǔn)和溫度測(cè)量,兩個(gè)步驟中又包含多個(gè)測(cè)量量以及一些可能影響測(cè)溫結(jié)果的因素。文獻(xiàn)[8]針對(duì)基于相機(jī)的光反射熱成像技術(shù)中最為主流的4-bucket方案,對(duì)CCD相關(guān)的噪聲、量化極限、量化線性誤差等與測(cè)溫結(jié)果的關(guān)系進(jìn)行了深入地統(tǒng)計(jì)學(xué)分析;文獻(xiàn)[9]討論了利用隨機(jī)共振突破相機(jī)量化極限的一些技術(shù)細(xì)節(jié);文獻(xiàn)[10]則通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了包括物鏡倍率、目標(biāo)區(qū)域大小、探測(cè)光強(qiáng)度、相機(jī)像素聚合設(shè)置等可變條件下,測(cè)得數(shù)據(jù)的誤差及標(biāo)準(zhǔn)差與平均幀數(shù)之間的關(guān)系。但是對(duì)于CTR的不準(zhǔn)確對(duì)測(cè)溫結(jié)果的影響,以及CTR校準(zhǔn)過(guò)程中引入的誤差,光源和相機(jī)響應(yīng)度漂移,相機(jī)讀數(shù)固定偏置量的影響都缺少深入分析。
本文針對(duì)基于相機(jī)的光反射顯微熱成像技術(shù),對(duì)測(cè)溫過(guò)程和CTR校準(zhǔn)過(guò)程各個(gè)測(cè)量量,以及相機(jī)讀數(shù)固定偏置量和光源及相機(jī)響應(yīng)度漂移引入的誤差對(duì)測(cè)溫結(jié)果影響開(kāi)展分析,以期對(duì)該類系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、組建和應(yīng)用提供一些有益參考。
光反射測(cè)溫技術(shù)的基本原理是物體的反射率會(huì)隨溫度變化而變化,即:
(1)
式中:ΔR為反射率變化;R0為參考溫度下的反射率;ΔT為溫度變化;CTR是一個(gè)與被測(cè)材料以及測(cè)量波長(zhǎng)有關(guān)的系數(shù),典型值在10-3~10-6K-1。在確定CTR的情況下,就可以通過(guò)測(cè)量反射率的變化來(lái)獲取溫度信息:
(2)
式中:Tx為待測(cè)溫度;T0為參考溫度;Rx為待測(cè)溫度下的被測(cè)目標(biāo)的反射率。
注意到實(shí)際上測(cè)量的是反射率的相對(duì)變化,在基于相機(jī)的光反射測(cè)溫裝置中,若忽略光源和相機(jī)響應(yīng)系數(shù)的漂移,則相機(jī)讀數(shù)正比于反射率,反射率的相對(duì)變化可以用相機(jī)讀數(shù)的相對(duì)變化來(lái)替代,即實(shí)際測(cè)量量是參考溫度下和待測(cè)溫度下的相機(jī)讀數(shù)(多幀讀數(shù)平均值)。
(3)
CTR校準(zhǔn)是與溫度測(cè)量獨(dú)立的過(guò)程。由于CTR與被測(cè)表面的材料、探測(cè)光波長(zhǎng)、探測(cè)光入射角度等諸多因素相關(guān),并且被測(cè)表面如果有薄膜結(jié)構(gòu),相應(yīng)的薄膜干涉也會(huì)對(duì)被測(cè)表面的反射特性產(chǎn)生明顯影響,故而CTR通常需要針對(duì)特定的被測(cè)表面單獨(dú)測(cè)量獲得。CTR測(cè)量依據(jù)的基本公式為:
(4)
(5)
(6)
(7)
計(jì)算偏導(dǎo)值,可以得到:
(8)
(9)
(10)
ΔT的相對(duì)誤差下限恰好為CTR的相對(duì)誤差,即ΔT足夠大時(shí)有:
(11)
(12)
即ΔT的絕對(duì)誤差下限由相機(jī)讀數(shù)均值的相對(duì)誤差決定,實(shí)際上就是散粒噪聲限制的量子極限,總光生電子數(shù)決定,對(duì)應(yīng)裝置中直接操作的參數(shù)是光源強(qiáng)度與曝光時(shí)長(zhǎng)的乘積和平均幀數(shù)。
3.2CTR校準(zhǔn)過(guò)程
(13)
(14)
(15)
可以得到:
(16)
又根據(jù)式(9),此處對(duì)ΔT相對(duì)誤差下限的貢獻(xiàn)可以寫(xiě)成:
(17)
T1和T2的準(zhǔn)確度顯然也會(huì)對(duì)CTR校準(zhǔn)以及最終的測(cè)溫結(jié)果產(chǎn)生影響。根據(jù)式(3)和式(4)有:
(18)
(19)
(20)
可以看到,減法會(huì)消除部分系統(tǒng)誤差,剩余部分則會(huì)傳遞到測(cè)溫過(guò)程中,貢獻(xiàn)一個(gè)固定的相對(duì)誤差(固定指在CTR校準(zhǔn)完成后即確定,在溫度測(cè)量過(guò)程中不會(huì)變化)。
可能的來(lái)源包括光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)的雜散光、環(huán)境背景光直接過(guò)著經(jīng)被測(cè)表面反射進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)、相機(jī)的暗電流等。這些影響都可以歸結(jié)為相機(jī)讀數(shù)加上一個(gè)固定的偏置項(xiàng)。這些影響的強(qiáng)度通常很小,故這個(gè)偏置項(xiàng)本身的隨即波動(dòng)引入的噪聲在此忽略。
首先分析CTR校準(zhǔn)時(shí)的影響:
(21)
(22)
下面分析測(cè)溫過(guò)程中影響。同上面類似,有:
(23)
易得
(24)
因此相機(jī)讀數(shù)的固定偏置項(xiàng)也是一個(gè)重要的潛在誤差來(lái)源,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及測(cè)試操作中都應(yīng)給予必要的重視。
由于CTR量值較小,相應(yīng)地對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的信噪比要求較高,受限于CCD相機(jī)的像素電子容量(electron capacity),實(shí)際系統(tǒng)通常需要多幀平均來(lái)抑制散粒噪聲。在這個(gè)過(guò)程中光源和相機(jī)響應(yīng)度的漂移會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生顯著影響,常見(jiàn)的方案是使用同步信號(hào)調(diào)制被測(cè)目標(biāo)的溫度和CCD相機(jī),并借由相干接收將低頻的漂移信號(hào)濾除,典型如4-bucket。但是調(diào)制被測(cè)溫度在T0和Tx之間變化并是不總能實(shí)現(xiàn),對(duì)于無(wú)法實(shí)施調(diào)制的靜態(tài)溫度測(cè)量,漂移是無(wú)法忽略的重要影響。
考慮漂移的多幀平均的相機(jī)讀數(shù)可以表示為:
(25)
式中:n為總幀數(shù);α是光學(xué)系統(tǒng)的整體衰減;L是光源亮度;R是被測(cè)目標(biāo)反射率;η是CCD相機(jī)的響應(yīng)度;τi是第i幀的曝光時(shí)間。
假設(shè)單次測(cè)量過(guò)程中R是固定的,2次測(cè)量之間的光源和相機(jī)響應(yīng)度的漂移可以用1個(gè)系數(shù)表征:
(26)
引入漂移影響后,式(3)修正為:
(27)
這里定義的漂移修正系數(shù)D需要在獲取被測(cè)目標(biāo)圖像的同時(shí)監(jiān)控光源強(qiáng)度和相機(jī)響應(yīng)度的變化情況,實(shí)際上是難以獲得的,通過(guò)各種技術(shù)手段得到D的近似值,例如使用單獨(dú)的探測(cè)器監(jiān)視光源光強(qiáng)變化,根據(jù)CCD溫度對(duì)其響應(yīng)度進(jìn)行修正,在獲取被測(cè)目標(biāo)圖像前后使用相機(jī)直接或間接測(cè)量光源強(qiáng)度來(lái)計(jì)算漂移量等。
下面分析D不準(zhǔn)確引入的影響。首先是CTR校準(zhǔn)過(guò)程,引入D后公式為:
(28)
易得
(29)
(30)
光反射測(cè)溫裝置中通常需要配備控溫臺(tái),一方面用于CTR校準(zhǔn)時(shí)控制目標(biāo)溫度T1、T2,另一方面也在溫度測(cè)量中提供參考溫度T0。T0的準(zhǔn)確與否顯然直接影響待測(cè)溫度Tx,而CTR測(cè)量過(guò)程中由于關(guān)心的是溫度變化量,線性度較準(zhǔn)確度更加重要。此外,前述分析表面在CTR測(cè)量過(guò)程中大溫差有利于提高準(zhǔn)確度,但是實(shí)際系統(tǒng)中會(huì)遇到諸多限制,例如對(duì)于只有加熱功能的控溫臺(tái),T1顯然只能高于室溫,即使能夠制冷,結(jié)露和結(jié)霜也限制了可用的溫度范圍;高溫方面,熱膨脹導(dǎo)致控溫臺(tái)的尺寸變化會(huì)帶動(dòng)其上的樣品發(fā)生水平方向的位移以及豎直方向上失焦,需要采取技術(shù)措施進(jìn)行補(bǔ)償[11,12],空氣的熱對(duì)流也會(huì)使高倍顯微鏡下的成像發(fā)生明顯抖動(dòng),嚴(yán)重影響多幀平均下的成像質(zhì)量。
(31)
以1%的相對(duì)誤差為目標(biāo),CTR取Au在485 nm附近的峰值水平3×10-4K-1,CTR測(cè)量過(guò)程中溫度變化100 K,則
(32)
漂移項(xiàng)方面,常見(jiàn)的使用相機(jī)的光反射測(cè)溫方案中都采用了相干接收或類似手段(鎖相放大,4-bucket,boxcar)來(lái)抑制漂移的影響,而對(duì)于無(wú)法對(duì)被測(cè)溫度進(jìn)行調(diào)制的靜態(tài)溫度測(cè)量,漂移修正的精度要達(dá)到10-4量級(jí)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。
散粒噪聲項(xiàng)方面,N需要達(dá)到108量級(jí),考慮到常規(guī)相機(jī)的像素電子容量在104量級(jí),相應(yīng)的平均幀數(shù)需要104量級(jí),視相機(jī)幀頻大約需要數(shù)分鐘到數(shù)十分鐘完成。
溫度測(cè)量過(guò)程中的相機(jī)讀數(shù)和漂移誤差構(gòu)成了ΔT的絕對(duì)誤差下限,根據(jù)前面的結(jié)果整理可得
(33)
(34)
本文針對(duì)基于相機(jī)的光反射測(cè)溫系統(tǒng)的測(cè)溫原理以及實(shí)際測(cè)溫過(guò)程進(jìn)行了誤差分析,除了測(cè)溫過(guò)程中相機(jī)讀數(shù)的影響外,還分析了CTR測(cè)量誤差的貢獻(xiàn),以及進(jìn)一步的CTR校準(zhǔn)過(guò)程中相機(jī)讀數(shù)和溫度準(zhǔn)確度的貢獻(xiàn),同時(shí)還分析了相機(jī)固定偏置項(xiàng)的影響,以及光源和相機(jī)響應(yīng)度漂移(及漂移修正誤差)對(duì)誤差的貢獻(xiàn)。根據(jù)分析結(jié)果,結(jié)合典型參數(shù)進(jìn)行了估算和討論,可以為基于相機(jī)的光反射測(cè)溫系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、組建和應(yīng)用提供一些有益參考。