王 彬, 方 芳， 王 偉， 任福繼

(1.合肥工業(yè)大學(xué) 計算機與信息學(xué)院,安徽 合肥 230601; 2.情感計算與先進智能機器安徽省重點實驗室,安徽 合肥 230601)

憶阻器是一種新型的無源元件,它具有納米級尺寸、非線性以及記憶功能等特點,在模型分析、電路設(shè)計、神經(jīng)突觸等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)的電路基本元件包括電阻、電感和電容,憶阻器則成為繼電阻、電容和電感之后的第4種基本電路元件[1]。憶阻器的理論最初由蔡少棠在1971年提出[2],之后很長一段時間仍然停留在理論研究階段,直到2008年惠普實驗室制造出第一個物理憶阻器[3]。隨著進一步研究發(fā)現(xiàn),憶阻器是一種納米級器件,具有獨特的I-V磁滯曲線和開關(guān)機制,并有能力記住其斷電前的狀態(tài),它具有低功率、非易失性和開關(guān)特性,與CMOS電路有良好的兼容性,因此CMOS電路設(shè)計中憶阻器應(yīng)用研究占比不斷攀升。盡管憶阻器潛在的應(yīng)用領(lǐng)域廣闊,但是由于制造納米級器件的成本和技術(shù)阻力,憶阻器尚未在當(dāng)今市場上使用。

本文提出在數(shù)字電路中使用憶阻器并且通過控制施加電壓的時間制備可調(diào)電阻器的設(shè)計方案。方案模型在Simulink平臺上得到驗證,且在平臺上的實驗結(jié)果表明,相比于傳統(tǒng)數(shù)控可編程電阻器,基于憶阻器的可調(diào)電阻器在阻值連續(xù)性、阻值精度等多方面均有明顯改善。

1 相關(guān)研究

惠普實驗室在2008年找到了一種基于金屬氧化物的兩端可逆電阻開關(guān)材料,發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)和1971年蔡少棠提出的憶阻器具有類似的伏安特性曲線,存在明顯的滯回特性。同年5月,惠普實驗室在《自然》雜志上發(fā)表了文章《The Missing Memristor Found》[4],并在憶阻器及憶阻系統(tǒng)研討會上,展示了世界首個3D憶阻器混合芯片。

鑒于憶阻器天然的記憶功能,眾多科研工作者首先想到的是用于非易失性隨機存儲器,這也是惠普實驗室發(fā)現(xiàn)憶阻器材料的初衷;基于憶阻器的存儲器設(shè)計技術(shù),被稱為電阻RAM(RRAM),RRAM利用憶阻器件的電阻效應(yīng)永久性地存儲數(shù)據(jù)。研究表明,憶阻器作為非易失性存儲器工作[5-6]有高密度、高速度特點,與標(biāo)準(zhǔn)存儲器技術(shù)相比,它具有非易失性、良好的可擴展性、有效的無泄漏電流等優(yōu)點。人腦中數(shù)以億計的神經(jīng)元通過神經(jīng)突觸和其他神經(jīng)元連接,傳統(tǒng)電子元器件很難模擬神經(jīng)功能單元。憶阻器的行為機制與大腦里的神經(jīng)突觸非常相似[7],文獻[8]利用憶阻器成功構(gòu)造出簡單神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),一定程度上減輕了使用傳統(tǒng)硬件設(shè)計人腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜度。在Nueromorphic系統(tǒng)中,集成了憶阻器的微單元被用來模擬突觸,使得每個設(shè)備都可以和整個系統(tǒng)中的其他設(shè)備交互[9-10]。此外憶阻器在信號處理、圖像處理、模式識別和算術(shù)運算等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。文獻[11-12]提出了基于憶阻器的新型濾波器設(shè)計；文獻[13]討論了憶阻器在圖像處理上的應(yīng)用。

由于憶阻器尚未商品化,仍處于實驗室階段,目前市場上買不到憶阻器實物,只能通過計算機仿真或搭建實際電路來模擬憶阻器。憶阻器常見模型包括憶阻器實驗室有源模型、憶阻器仿真器、憶阻器Spice模型[14]、憶阻器模擬電路實現(xiàn)等。

2 憶阻器的工作原理

惠普二氧化鈦憶阻器模型是一種典型的金屬-氧化物-金屬混合結(jié)構(gòu),它由2塊金屬鉑(Pt)夾著一片二氧化鈦(TiO2)薄膜(約5 nm厚)構(gòu)成,二氧化鈦薄膜分為摻雜區(qū)域和非摻雜區(qū)域,結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 惠普憶阻器等效模型

假設(shè)摻雜區(qū)域的寬度為w,二氧化鈦薄膜的寬度為D(約10 nm)。當(dāng)w=D時,憶阻器阻值最小,規(guī)定其對應(yīng)阻值為Ron;當(dāng)w=0時,二氧化鈦薄膜無摻雜,即憶阻器處于高阻狀態(tài),規(guī)定其對應(yīng)阻值為Roff。整個憶阻器模型可以看成2個可變電阻串聯(lián),整體阻值與分界面的位置w(t)/D相關(guān),憶阻器整體電阻可以表示為:

(1)

盡管(1)式對任意值的Ron、Roff都有效,但實際上摻雜二氧化鈦薄膜的電阻明顯小于非摻雜薄膜,因此有:

ΔR=(Roff-Ron)≈Roff

(2)

對一個有單一憶阻器和單一電壓源的理想電路,根據(jù)基爾霍夫定律有:

(3)

邊界條件q(0)=0,解得:

(4)

(5)

其中,i(t)為t時刻流過憶阻器的電流;q(t)為t時間內(nèi)流經(jīng)憶阻器的總電荷量;Q0=D2/(uDRon),uD為常數(shù)[15];η為常數(shù)[15]。

由等效模型可知,當(dāng)摻雜區(qū)的長度w(t)=0時,M(q)=Ron,此時阻值很低,為低阻態(tài);摻雜區(qū)的長度w(t)=D時,M(q)=Roff,此時阻值很高,為高阻態(tài)。

3 模型設(shè)計

3.1 傳統(tǒng)程控電阻器

生活中常見的可調(diào)電阻主要有變阻器、電阻箱、程控電阻3類。變阻器多用于精度要求不高的場合,最大的詬病是不能方便地確定其具體阻值。電阻箱通過多組高精度電阻的串并聯(lián)得到不同的阻值,使用時需要設(shè)置擋位,操作繁瑣,且阻值連續(xù)性依賴于內(nèi)置電阻數(shù)量,阻值精度又依賴于內(nèi)質(zhì)電阻規(guī)格?？删幊屉娮杈W(wǎng)絡(luò)是程控電阻的常用方案,具有數(shù)字化、可編程、電阻可任意組合等特點,廣泛應(yīng)用于產(chǎn)品老化檢測試驗和汽車儀表的檢驗過程等。

可編程電阻網(wǎng)絡(luò)是程控電阻的關(guān)鍵,組成電阻網(wǎng)絡(luò)的方法很多,可采用8421BCD碼方式,也可以采用二進制權(quán)值網(wǎng)絡(luò),連接方式上可以采用串聯(lián)方式或并聯(lián)方式。典型的電阻網(wǎng)絡(luò)如圖2所示。

可編程電阻網(wǎng)絡(luò)的主控制器一般采用單片機[16]或FPGA[17]控制,本質(zhì)上都是控制J1～JN開關(guān)的閉合與否。用FPGA來控制電阻網(wǎng)絡(luò)即用軟件的方式設(shè)計硬件,設(shè)計過程中可以方便地進行各種仿真驗證。通過外部電路或仿真文件輸入1個預(yù)置值,若輸入的數(shù)值為370 Ω,輸出的阻值大小則可以表示為R=200+100+50+20,即需將這些電阻接入,相應(yīng)的繼電器J6、J7、J8、J9斷開,其余繼電器閉合,對應(yīng)的二進制編碼為0000011110。通過程序控制電阻的接入,維護起來更加方便,但是阻值精度受限于電阻網(wǎng)絡(luò)節(jié)點的數(shù)量。

圖2 串聯(lián)電阻網(wǎng)絡(luò)

3.2 構(gòu)建憶阻器Simulink模型

憶阻器仿真模型包括憶阻器實驗室有源模型、憶阻器仿真器、憶阻器Spice模型和憶阻器模擬電路等。本文構(gòu)建憶阻器Simulink模型,主要是出于簡化模型的考慮(本文涉及的憶阻器模型并不需要考慮流經(jīng)模型的電荷量)。

Simulink是Matlab下的一個組件,用來對動態(tài)系統(tǒng)進行建模、仿真、分析,除了集成數(shù)學(xué)、力學(xué)、電學(xué)、信號處理等多學(xué)科模塊外,還允許用戶自行定制模塊[18]。根據(jù)第2節(jié)對惠普憶阻器的理論基礎(chǔ)和數(shù)學(xué)模型的分析,構(gòu)建憶阻器的Simulink模型,如圖3所示。

圖3 憶阻器Simulink仿真模型

構(gòu)建的憶阻器Simulink仿真模型需要檢驗是否具有憶阻器特性(即獨特的I-V磁滯曲線),只有仿真模型完全符合憶阻器特性才能夠在設(shè)計可變電阻器模型中使用。憶阻器模型的設(shè)置參數(shù)見表1所列。

表1 模型參數(shù)

憶阻器模型在振幅1.0 V、頻率1 Hz信號源下的I-V曲線如圖4所示。

圖4 憶阻器模型I-V曲線

從圖4可以看出,模型表現(xiàn)出獨特的滯后環(huán),表明電壓源反置后模型阻值已呈現(xiàn)出相反變化,符合憶阻器記性特性。因此本文建立的憶阻器模型可以用于進一步的憶阻器行為研究和電路應(yīng)用分析。

3.3 可變電阻器建模

憶阻器的基本特性包括有能力記住其斷電前的狀態(tài),因此憶阻器可以用于設(shè)計精密電阻器。

本文構(gòu)建的憶阻器Simulink設(shè)計可調(diào)電阻器模型存在如下2個問題：

(1) 施加正向電壓還是反向電壓，即根據(jù)目標(biāo)阻值控制施加電壓源的極性。正向電壓導(dǎo)致二氧化鈦薄膜摻雜區(qū)面積減小,電阻偏向Roff;反向電壓增大二氧化鈦薄膜摻雜區(qū)面積,電阻向Ron方向移動。

(2) 判斷憶阻器模型是否到達預(yù)置電阻值(可調(diào)電阻器期望電阻值)并且及時切斷電壓源。

本文提出的解決方法如下:

(1) 從電路角度來說,在納米級憶阻器物理器件中可以通過高頻正弦信號讀取憶阻器電阻值,這也是非易失性存儲器(SPICE模型)的常用方法,然后根據(jù)憶阻器阻值和目標(biāo)憶阻阻值的差別控制選擇器切換施加電壓源的電源極性。從Simulink模型角度來說,憶阻器模型具有記憶性,比較預(yù)置阻值與憶阻器模型當(dāng)前的電阻值(即施加信號V(t)、i(t)的除法器結(jié)果),根據(jù)比較結(jié)果控制轉(zhuǎn)換器切換到正向信號擋位或反向信號擋位,從而實現(xiàn)施加信號極性的控制。

(2) 從電路角度來說,在納米級憶阻器物理器件中,需要反復(fù)使用高配正弦信號讀取憶阻器電阻值,直到等于或一定條件下接近預(yù)置電阻值,再由控制器切斷外部電源。從Simulink模型角度來說,判斷憶阻器模型是否到達目標(biāo)憶阻電阻值,首先通過除法器模塊由施加的電源電壓(信號強度)和流過憶阻器模型的電流(即模型輸出端口對應(yīng)的i(t))得到憶阻模型對應(yīng)的阻值,然后使用比較器模塊比較計算后的模型阻值與目標(biāo)憶阻阻值,最后通過反饋電路控制信號源的連接狀態(tài)。

基于憶阻器的可變電阻器等效電路原理圖如圖5所示，Simulink模型設(shè)計圖如圖6所示。

基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型由Memristor模塊(3.2節(jié)構(gòu)建的憶阻器Simulink模型)和外圍模塊(比較器、切換器、控制器和反饋模塊等)組成。切換器負(fù)責(zé)內(nèi)置閾值(憶阻器模型初始電阻)與接收到的預(yù)置電阻值的比較以及信號源的切換(+1.0 V電壓源或-1.0 V電壓源),對應(yīng)等效電路原理圖的signal電路模塊。除法器模塊計算模型實時阻值,反饋模塊通過比較模型實時阻值和預(yù)置電阻、控制信號源的連接狀態(tài),對應(yīng)等效電路原理圖的res-compare電路模塊。To Workspace1模塊用于將Memristor阻值回傳到Matlab控制臺。

綜上可知,基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型由信號源選擇模塊、憶阻器模塊、憶阻器電阻計算與閾值比較模塊、反饋控制模塊組成,通過對外部信號(電源)施加時間的持續(xù)性控制,實現(xiàn)憶阻器阻值指向性的增加或減少直到到達預(yù)置電阻值或無限接近預(yù)置電阻值。

圖5 基于憶阻器的可調(diào)電阻器等效電路原理

圖6 基于憶阻器的可變電阻器模型

4 實 驗

數(shù)控可編程電阻器主控制器一般采用單片機或FPGA實現(xiàn)。FPGA采用軟件的方式設(shè)計硬件,方便仿真和參數(shù)對比,因此本文采用FPGA實現(xiàn)數(shù)控可編程電阻器,進而與基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型進行精度對比。FPGA端主控制器程序基于ISE14.7集成軟件環(huán)境,Verilog語言實現(xiàn),ISIM仿真環(huán)境。憶阻器模型和基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型設(shè)計均在MatlabR2014a平臺和Simulink8.3工具箱完成。

由3.1節(jié)的分析可知,FPGA在程控電阻器中主要是控制可編程電阻網(wǎng)絡(luò),相關(guān)信號的波形圖如圖7所示。

圖7 ISIM仿真結(jié)果

圖7包括時鐘信號、控制信號、電阻阻值權(quán)重、輸出有效信號、預(yù)置電阻值和實際電阻值,其中預(yù)置電阻值設(shè)為410 Ω,valid信號有效后,控制信號為0000011111。實際得到的電阻值等于控制信號與電阻阻值權(quán)重的乘積和,即380 Ω。

ISIM仿真實驗進一步說明了采用單片機或FPGA控制器的傳統(tǒng)可編程電阻網(wǎng)絡(luò)具有數(shù)字化、可編程、電阻可任意組合的特點,但是阻值連續(xù)性和阻值精度嚴(yán)重依賴電阻網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模。如本文實驗使用的電阻網(wǎng)絡(luò)權(quán)重分別為10 000、5 000、2 000、1 000、500、200、100、50、20、10,既不能精確到小數(shù)級阻值精度,阻值連續(xù)性也很差。

本文在基于憶阻器的可變電阻器Simulink模型中添加To Workspace組件,能夠?qū)涀杵鲄?shù)導(dǎo)出到Matlab工作區(qū),實現(xiàn)了憶阻器阻值的實時記錄,方便記錄憶阻器阻值調(diào)整后的最終狀態(tài)。不同預(yù)置電阻值下,采用FPGA主控制器的程控電阻網(wǎng)絡(luò)有效阻值與可調(diào)電阻器阻值見表2所列。

表2 實驗方案阻值精度對比 Ω

雖然表2基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型阻值誤差均為0,但這并不意味著基于憶阻器的可調(diào)電阻器模型不存在阻值誤差。出現(xiàn)這個問題的主要原因是本文采用的程控電阻網(wǎng)絡(luò)規(guī)模太小,阻值誤差本身很大,與基于憶阻器的可調(diào)電阻器不在一個量級,無法直觀地對比。如預(yù)置電阻值1.780 1 Ω,模型有效值1.780 099 Ω,精度誤差大約在0.000 001 Ω。

基于憶阻器的可調(diào)電阻器實時計算模型阻值和目標(biāo)阻值，并通過反饋電路控制信號源的狀態(tài),從物理實現(xiàn)的角度來說，這本身就存在一定的系統(tǒng)誤差,受到模型阻值的計算速度和切斷輸入源的操作時間制約。

5 結(jié) 論

本文提出了可以在數(shù)字電路中加入憶阻器并且通過控制施加電壓的時間得到一種可調(diào)電阻器的設(shè)計方案,并給出憶阻器Simulink模型和基于憶阻器的可調(diào)電阻器Simulink模型設(shè)計圖以及模型對應(yīng)的等效電路原理圖。實驗數(shù)據(jù)表明,與傳統(tǒng)程控可編程電阻器相比,本文提出的模型在靈活性、阻值連續(xù)性和阻值精度上均有顯著改善。

基于憶阻器的可變電阻器建模旨在說明該模型的可行性和在高頻、射頻電路中潛在的應(yīng)用價值。