楊聲海，吳彥增，孫彥偉，何 靜，唐朝波，楊建廣，陳永明

(中南大學(xué) 冶金與環(huán)境學(xué)院，湖南 長(zhǎng)沙 410083)

濕法煉鉛工藝中，氯鹽體系熔鹽電解過(guò)程溫度較高，PbCl2在陰極還原成金屬鉛，陽(yáng)極產(chǎn)生氯氣。電解過(guò)程中，由于氯化鉛的低熔點(diǎn)、高揮發(fā)性、易潮解的特點(diǎn)[1]，產(chǎn)生的高溫氯氣不易收集，容易引起環(huán)境污染及腐蝕設(shè)備[2]，與空氣接觸形成PbO，阻擋熔鹽電解進(jìn)行等，致使該方法的工業(yè)應(yīng)用受到限制。

硼氟酸體系或硅氟酸體系價(jià)格相對(duì)較低，電積效率高，陰極形貌好，但體系容易水解釋放出氫氟酸(沸點(diǎn)19.54 ℃)。氫氟酸毒性強(qiáng)，腐蝕性強(qiáng)，對(duì)環(huán)境及操作人員有危害。職業(yè)安全與健康標(biāo)準(zhǔn)(OSHA)允許暴露極限為2.5 mg/m3，國(guó)內(nèi)火法煉鉛電解精煉主要采用PbSiF6-H2SiF6體系，電解車(chē)間空氣質(zhì)量很難滿足要求。與酸性溶液相比，堿性溶液體系腐蝕性低、揮發(fā)性低，但加入甘油和糖之后黏度增大，過(guò)濾較難，而且成本較高[2]。

甲基磺酸(簡(jiǎn)稱MSA)，沸點(diǎn)高(167 ℃)、穩(wěn)定性好(不易被氧化分解，一般通過(guò)細(xì)菌降解[3]為硫酸與CO2)、酸性強(qiáng)(pKa=-1.9)、毒性低(LD50(口服,鼠)=1 158 mg/kg)、導(dǎo)電率高(接近同濃度鹽酸或硫酸)、金屬甲基磺酸鹽在水中的溶解度高(如22 ℃下，甲基磺酸鉛溶解度為2.60 mol/L)，近年來(lái)，在電鍍行業(yè)得到廣泛應(yīng)用[4]，如鍍錫[5-6]。國(guó)外最先開(kāi)發(fā)的烷基磺酸鹽電鍍Sn、Pb合金工藝無(wú)毒，體系中烷基磺酸和烷基磺酸鹽均很穩(wěn)定，鍍層質(zhì)量?jī)?yōu)良，后續(xù)廢水處理簡(jiǎn)單[7-8]。甲基磺酸體系有逐漸取代氟硼酸體系的趨勢(shì)。目前，國(guó)內(nèi)外有較多以甲基磺酸鉛溶液為介質(zhì)進(jìn)行電鍍或電沉積鉛的研究[9-10]，如：從甲基磺酸鉛溶液中電沉積二氧化鉛，成功獲得結(jié)晶度高、具有納米結(jié)構(gòu)的三維β-PbO2；用甲基磺酸浸出白鉛礦(PbCO3),獲得浸出液，然后以甲基磺酸鉛溶液為電解液電沉積鉛，所得電積金屬鉛板平整，直流電耗僅為530 kWh/t鉛。

目前，關(guān)于用甲基磺酸體系電沉積鉛的研究中，對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)涉及的相對(duì)較少，尤其是陽(yáng)極二氧化鉛析出使槽電壓升高、電積過(guò)程電壓不穩(wěn)定、磷酸抑制陽(yáng)極上PbO2的析出機(jī)制的研究尚未見(jiàn)有報(bào)道。因此，利用電化學(xué)方法研究了甲基磺酸體系電沉積鉛過(guò)程中陽(yáng)極反應(yīng)及反應(yīng)產(chǎn)物的形貌。

1 試驗(yàn)部分

試驗(yàn)采用三電極系統(tǒng)：工作電極為玻碳電極(直徑4 mm)，輔助電極為鉑電極(10 mm×10 mm)，參比電極為飽和甘汞電極。甲基磺酸鉛由甲基磺酸(MSA)與碳酸鉛反應(yīng)制得，甲基磺酸鉀由氫氧化鉀與甲基磺酸反應(yīng)制得。每次配制溶液300 mL，于400 mL玻璃燒杯中，工作電極與輔助電極極距為50 mm。為避免電解液污染并且消除接界電勢(shì)，參比電極與工作電極通過(guò)魯金毛細(xì)管連通，玻璃杯放入恒溫水浴鍋中保持恒溫。全部試驗(yàn)由CHI660C電化學(xué)工作站通過(guò)電腦控制。試驗(yàn)前通入高純氮?dú)馀懦芤褐械目諝猓Ｌ茧姌O經(jīng)過(guò)一系列400～3500號(hào)的金相砂紙打磨，經(jīng)1∶1硝酸溶液、1∶1乙醇溶液、純水潤(rùn)洗之后放入電解液中備用。在溫度與塔菲爾試驗(yàn)中采用磁力攪拌除去電極表面生成的大量氧氣氣泡，確保反應(yīng)穩(wěn)定。

試驗(yàn)試劑：甲基磺酸、碳酸鉛、木質(zhì)素磺酸鈣、氫氧化鉀、磷酸，均為分析純。

試驗(yàn)設(shè)備：CHI66C電化學(xué)工作站。

分析儀器：X射線衍射分析儀(Rigaku D/max2550)，掃描電子顯微鏡(JEOL JSM-5600LV)。

初期探索試驗(yàn)以甲基酸鉛濃度0.6 mol/L、甲基磺酸(MSA)濃度1.0 mol/L、木質(zhì)素磺酸鈣(CL)質(zhì)量濃度1.0 g/L的溶液在磷酸添加量分別為0、4.0 g/L條件下，測(cè)定40 ℃條件下、0.80～2.30 V電位范圍內(nèi)的陽(yáng)極循環(huán)伏安曲線，掃描速率為10 mV/s，并對(duì)陽(yáng)極固體產(chǎn)物進(jìn)行表征；隨后以鉀離子代替鉛離子測(cè)定不同磷酸添加量條件下的陽(yáng)極極化曲線。條件試驗(yàn)中固定木質(zhì)素磺酸鈣(CL)質(zhì)量濃度1.0 g/L，以5 mV/s掃描速率在磷酸添加量0～4.0 g/L、甲基磺酸濃度(MSA)0.6～1.4 mol/L、甲基磺酸鉛濃度0.4～1.2 mol/L、溫度30～70 ℃范圍內(nèi)分別測(cè)定不同條件下，1.50～2.50 V電位范圍內(nèi)的陽(yáng)極極化曲線。以2 mV/s掃描速率得出甲基酸鉛濃度0.6 mol/L、甲基磺酸(MSA)濃度1.0 mol/L、木質(zhì)素磺酸鈣(CL)質(zhì)量濃度1.0 g/L、磷酸質(zhì)量濃度4.0 g/L溶液的塔菲爾曲線，計(jì)算出不同電壓條件下陽(yáng)極反應(yīng)的活化能。除特殊說(shuō)明外，試驗(yàn)均在40 ℃下進(jìn)行。

2 試驗(yàn)結(jié)果與討論

2.1 探索試驗(yàn)

首先，配制甲基酸鉛濃度0.6 mol/L、甲基磺酸(MSA)濃度1 mol/L、木質(zhì)素磺酸鈣(CL)質(zhì)量濃度1.0 g/L的溶液300 mL，磷酸添加量分別為0、4.0 g/L，40 ℃條件下測(cè)定電位為0.80～2.30 V的陽(yáng)極循環(huán)伏安曲線，掃描速率10 mV/s。結(jié)果如圖1所示。

圖1 不同磷酸添加量條件下的陽(yáng)極極化曲線

甲基磺酸體系電沉積鉛過(guò)程中，陽(yáng)極主反應(yīng)為

E0=1 229 mV(vs.SHE)；

陽(yáng)極副反應(yīng)為

E0=1 445 mV(vs.SHE)。

由圖1看出：在10 mV/s掃描速率下，未加磷酸的溶液，電位在1.82 V左右電流密度開(kāi)始急劇升高，電位在2.00 V左右電流密度達(dá)到峰值；反掃描過(guò)程中，電位在1.80 V左右出現(xiàn)第2個(gè)氧化峰，在1.50 V左右開(kāi)始進(jìn)入還原階段，在1.10 V左右達(dá)到還原峰值。初步判斷：此過(guò)程中有二氧化鉛產(chǎn)生；反掃過(guò)程中出現(xiàn)還原峰，二氧化鉛在此過(guò)程中被還原。加入4.0 g/L磷酸溶液，電位為2.00 V時(shí)掃描，氧化峰已經(jīng)消失，反掃過(guò)程中也沒(méi)有出現(xiàn)第2個(gè)氧化峰，幾乎在同一電位下開(kāi)始進(jìn)入還原階段，與未加磷酸時(shí)相比，還原峰向右偏移了200 mV左右，而且還原峰非常小。因此判斷，未加磷酸時(shí)，電位在1.70～2.00 V范圍內(nèi)及反掃描過(guò)程中，第2個(gè)氧化峰對(duì)應(yīng)的是二氧化鉛的生成。

為進(jìn)一步證明上述判斷，在40 ℃下，對(duì)未加磷酸的溶液(Pb(CH3S3O)2濃度為0.6 mol/L，MSA濃度為1.0 mol/L，CL質(zhì)量濃度為1.0 g/L)，在1.80～2.10 V電位范圍內(nèi)，以10 mV/s掃描速率反復(fù)掃描1 h，圖2、3分別為陽(yáng)極電沉積固體的XRD圖譜和SEM照片。

圖2 陽(yáng)極電沉積固體的XRD圖譜

圖3 陽(yáng)極電沉積固體的SEM照片

由圖2、3看出：陽(yáng)極上的固體沉積物為α、β態(tài)二氧化鉛；二氧化鉛表面很不平整，呈火山形，多孔。而且試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，鍍層很容易呈片層脫落。二氧化鉛在大電流密度下表面趨于粗糙并且出現(xiàn)氣孔，這可能是氧氣析出所致[11-12]。

對(duì)于相同溶液，在MSA濃度1.0 mol/L、CL質(zhì)量濃度1.0 g/L、溫度40 ℃、掃描速率5 mV/s條件下，控制電位在1.50～2.50 V范圍內(nèi)，以鉀離子代替鉛離子，陽(yáng)極極化曲線如圖4所示。

曲線1—Pb(CH3S3O)2(濃度0.6 mol/L)；曲線2—CH3S3OK(濃度1.2 mol/L)+H3PO4(質(zhì)量濃度4.0 g/L)；曲線3—CH3S3OK(濃度1.2 mol/L)；曲線4—Pb(CH3S3O)2(濃度0.6 mol/L)+H3PO4(質(zhì)量濃度4.0 g/L)。

由圖4看出，不加磷酸，陽(yáng)極極化曲線在5 mV/s掃描速率下，二氧化鉛在較低電位下形成，并在1.92 V達(dá)電流峰值。此體系中氧氣析出超電壓很大，約在2.15 V進(jìn)入氧氣析出階段。對(duì)比含鉛溶液加入磷酸前后的陽(yáng)極極化曲線可以看出，磷酸強(qiáng)烈抑制二氧化鉛的生成，二氧化鉛的生成峰幾乎消失。對(duì)比含鉀溶液加入磷酸前后的陽(yáng)極極化曲線可以看出，磷酸對(duì)氧氣的析出有抑制作用。對(duì)于氧氣析出電流密度，含鉛溶液明顯高于含鉀溶液，說(shuō)明二氧化鉛對(duì)氧氣的析出具有促進(jìn)作用。

2.2 磷酸用量對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響

在MSA濃度1 mol/L、CL質(zhì)量濃度1.0 g/L、Pb(CH3S3O)2濃度0.6 mol/L、溫度40 ℃、掃描速率5 mV/s條件下，磷酸添加量對(duì)抑制陽(yáng)極產(chǎn)生二氧化鉛的作用的試驗(yàn)結(jié)果如圖5所示。

圖5 不同磷酸用量下的陽(yáng)極極化曲線

由圖5看出，在此體系中：不加磷酸條件下，二氧化鉛在1.73 V開(kāi)始生成，在1.92 V達(dá)到最高電流密度9.94 mA/cm2，反應(yīng)后期有二氧化鉛固體在陽(yáng)極脫落，氧氣在2.15 V左右開(kāi)始生成，在陽(yáng)極觀察到有氣泡產(chǎn)生；磷酸添加量為0.5 g/L時(shí)，二氧化鉛生成的起始電壓右移了180 mV，同時(shí)生成的二氧化鉛的峰明顯變小，表明磷酸對(duì)陽(yáng)極二氧化鉛的析出有強(qiáng)烈抑制作用；氧氣析出的起始電壓向右略有偏移，析出速度隨之下降；磷酸添加量為1.0 g/L時(shí)，二氧化鉛生成的起始電壓繼續(xù)右移80 mV，同時(shí)二氧化鉛生成峰進(jìn)一步減小，不再是標(biāo)準(zhǔn)的對(duì)稱峰；磷酸添加量進(jìn)一步增大到2.0 g/L，二氧化鉛的生成起始電壓繼續(xù)右移，峰電流密度減小至1.82 mA/cm2，生成峰完全不對(duì)稱，同時(shí)峰電流之后形成一個(gè)小平臺(tái)，隨后開(kāi)始析出氧氣，氧氣生成的電流密度開(kāi)始增大；磷酸加入量為4.0 g/L，二氧化鉛的生成峰已經(jīng)消失，氧氣析出的電流密度進(jìn)一步增大，同時(shí)在1.94～2.10 V電位范圍內(nèi)電流密度增大。

磷酸對(duì)二氧化鉛的抑制作用是磷酸在電極上選擇性吸附的結(jié)果。文獻(xiàn)[13-14]認(rèn)為，形成二氧化鉛的可能機(jī)制是存在PbO2(H+)2，而PbO2(H+)2會(huì)吸附在電極表面；而文獻(xiàn)[15]認(rèn)為，磷酸在陽(yáng)極表面也有很強(qiáng)的吸附活性：因此，二氧化鉛被抑制生成是因?yàn)榱姿犭x子在電極表面的強(qiáng)烈吸附占據(jù)了電極的活性點(diǎn)；而磷酸離子半徑較大，可占據(jù)更大的面積，所以具有更好的吸附效果。試驗(yàn)中，隨磷酸添加量增加，陽(yáng)極電極表面吸附的磷酸離子逐漸增加，二氧化鉛生成的起始電壓逐漸右移，峰電流密度逐漸減少，也證明了這一解釋。

磷酸對(duì)二氧化鉛的生成有抑制作用，隨磷酸添加量增加，陽(yáng)極生成的二氧化鉛減少。磷酸加入量在0～2.0 g/L條件下，生成的二氧化鉛的量及厚度都較大，對(duì)氧氣析出的催化作用較低；磷酸離子更容易吸附在二氧化鉛表面：所以，這2種因素的作用使氧氣的析出速率降低。磷酸添加量為4.0 g/L時(shí)，二氧化鉛生成量已經(jīng)很少，磷酸更多地吸附在電極表面，此時(shí)二氧化鉛對(duì)氧氣析出反應(yīng)的催化作用占主導(dǎo)地位，氧氣析出速率迅速增大。

2.3 甲基磺酸鉛用量對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響

在MSA濃度1 mol/L、CL質(zhì)量濃度1.0 g/L、磷酸添加量4.0 g/L、溫度40 ℃、掃描速率5 mV/s條件下，控制電位在1.50～2.50 V范圍內(nèi)，游離甲基磺酸鉛用量對(duì)陽(yáng)極極化曲線的影響試驗(yàn)結(jié)果如圖6所示。

圖6 不同甲基磺酸鉛用量下的陽(yáng)極極化曲線

由圖6看出：隨甲基磺酸鉛用量增加，陽(yáng)極反應(yīng)電流密度減小，氧氣析出的抑制作用增大；但在2.00～2.25 V電位范圍內(nèi)，曲線并不平滑，且與以后曲線趨勢(shì)不同。此范圍內(nèi)，隨甲基磺酸鉛用量增加，電流密度增大，可以推斷，此段曲線受二氧化鉛的生成與氧氣析出2個(gè)反應(yīng)共同影響。此區(qū)域內(nèi)，隨鉛含量增大，電流密度減小，反應(yīng)主要受氧氣析出反應(yīng)控制；但不平滑區(qū)域范圍增大，說(shuō)明二氧化鉛反應(yīng)電位范圍擴(kuò)大。同時(shí)觀察到，反應(yīng)起始電位也隨甲基磺酸鉛用量增加而開(kāi)始略有右移，這是二氧化鉛生成量增加、磷酸根離子更易于吸附在二氧化鉛表面所致[16]。電位高于2.25 V后，甲基磺酸鉛濃度在0.4～0.8 mol/L范圍內(nèi)對(duì)氧氣的析出速率影響微弱，而甲基磺酸鉛濃度增至0.8 mol以上時(shí)，對(duì)氧氣的生成速率影響變大。因此，在甲基磺酸體系中電沉積鉛時(shí)，甲基磺酸鉛含量不宜過(guò)高。

2.4 甲基磺酸用量對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響

在Pb(CH3S3O)2濃度0.6 mol/L、CL質(zhì)量濃度1.0 g/L、磷酸添加量4.0 g/L、溫度40 ℃、掃描速率5 mV/s條件下，控制電位在1.50～2.50 V范圍內(nèi)，游離甲基磺酸用量對(duì)陽(yáng)極極化曲線的影響試驗(yàn)結(jié)果如圖7所示。

圖7 不同甲基磺酸用量下的陽(yáng)極極化曲線

甲基磺酸對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的抑制作用主要受H+的影響。試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，游離甲基磺酸濃度對(duì)陽(yáng)極析氧反應(yīng)的影響在0.6～1.4 mol范圍內(nèi)的規(guī)律并不一致，這與文獻(xiàn)[17]二氧化鉛鍍層上氧氣析出的過(guò)程相似。經(jīng)過(guò)重復(fù)試驗(yàn)，甲基磺酸濃度為0.6 mol/L溶液中，氧氣析出速率很高；但0.8 mol/L溶液中，析氧速率大幅下降；1.0 mol/L溶液中，析氧速率又開(kāi)始升高，并在1.0 mol/L以后隨甲基磺酸濃度增大不斷減小；進(jìn)一步試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，甲基磺酸濃度增大至3.0 mol/L時(shí)，此規(guī)律依然存在；但甲基磺酸濃度對(duì)陰極鉛的影響很大，當(dāng)其濃度達(dá)到2.0 mol/L時(shí)，陰極鉛反溶，取出時(shí)剩余量已很少；在甲基磺酸濃度達(dá)3.0 mol/L時(shí)，陰極開(kāi)始有氣泡生成。

2.5 溫度對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響

試驗(yàn)條件：甲基磺酸濃度1.0 mol/L，CL質(zhì)量濃度1.0 g/L，甲基磺酸鉛濃度0.6 mol/L，磷酸質(zhì)量濃度4.0 g/L，電位掃描速度5 mV/s?？刂茰囟仍?0～70 ℃之間，測(cè)定1.50～2.50 V電位范圍內(nèi)的陽(yáng)極極化曲線，結(jié)果如圖8所示。溫度升高極大促進(jìn)氧氣的生成，因此試驗(yàn)中采用磁力攪拌以除去電極表面的氣泡。

圖8 不同溫度下的陽(yáng)極極化曲線

由圖8看出，陽(yáng)極電流密度隨溫度升高迅速增大：在溫度為30 ℃、電位為2.50 V條件下，電流密度僅為8.65 mA/cm2；溫度升至70 ℃時(shí)，2.50 V下電流密度已達(dá)38.72 mA/cm2。溫度升高極大促進(jìn)了氧氣生成速率；同時(shí)，隨溫度升至50 ℃，原本已經(jīng)消失的二氧化鉛生成峰在2.05 V時(shí)重新出現(xiàn)，并且隨溫度升高逐漸向左移動(dòng)，溫度升至60 ℃，向左移動(dòng)0.12 V，在70 ℃ 時(shí)移動(dòng)1.90 V。這可以解釋為，溫度升高能促進(jìn)反應(yīng)物擴(kuò)散和遷移，同時(shí)增加電極表面活性點(diǎn)，降低了二氧化鉛的反應(yīng)電壓。

為測(cè)定不同電壓條件下的反應(yīng)活化能，在甲基磺酸濃度1.0 mol/L、CL質(zhì)量濃度1.0 g/L、甲基磺酸鉛濃度0.6 mol/L、磷酸質(zhì)量濃度4.0 g/L條件下，以2 mV/s掃描速度測(cè)定不同溫度下的塔菲爾曲線，結(jié)果如圖9所示。

圖9 不同溫度條件下的塔菲爾曲線

由圖9看出，隨溫度升高電流密度不斷增大。圖9中塔菲爾曲線可分為2部分：2.00 V以下為析出二氧化鉛以及過(guò)渡區(qū)域，2.00 V以上為氧氣析出區(qū)域，呈直線，為塔菲爾區(qū)域。電化學(xué)反應(yīng)為控制步驟時(shí)，電流密度與表觀活化能的關(guān)系滿足Arrhenius公式：

式中：Ea為反應(yīng)表觀活化能，J/mol；R為氣體常數(shù)，8.314 J/(K·mol)；T為熱力學(xué)溫度，K;J為電流密度，mA/cm2；A為前因子。

試驗(yàn)條件：甲基磺酸濃度1.0 mol/L，CL質(zhì)量濃度1.0 g/L，甲基磺酸鉛濃度0.6 mol/L，磷酸質(zhì)量濃度4.0 g/L，電位掃描速度2 mV/s。對(duì)lgJ與1/T作圖，擬合得到不同電壓條件下的直線，如圖10所示，根據(jù)直線斜率可以得出表觀活化能。經(jīng)計(jì)算，電壓在2.00 V以上條件下的反應(yīng)表觀活化能見(jiàn)表1。

圖10 不同電壓條件下lgJ與1/T之間的關(guān)系

表1 不同電壓條件下的反應(yīng)表觀活化能

由表1看出：反應(yīng)表觀活化能隨電壓增大逐漸減小，在2.40～2.50 V時(shí)趨于穩(wěn)定；電壓在2.00～2.20 V范圍內(nèi)，表觀活化能較大，反應(yīng)為電化學(xué)控制；電壓在2.45～2.50 V范圍內(nèi)，表觀活化能較小，反應(yīng)幾乎進(jìn)入擴(kuò)散控制。其他酸性體系中，氧氣析出活化能在不同電壓下并無(wú)規(guī)律[20]，這可能是因?yàn)槎趸U反應(yīng)和磷酸等添加劑的加入使氧氣單獨(dú)生成時(shí)的電位很高，反應(yīng)速度加快，逐漸脫離了電化學(xué)控制區(qū)域。

3 結(jié)論

在甲基磺酸體系電沉積鉛過(guò)程中，借助循環(huán)伏安法，線性電勢(shì)掃描法，通過(guò)測(cè)定塔菲爾曲線確定了陽(yáng)極反應(yīng)的主要反應(yīng)步驟、產(chǎn)物成分及不同因素對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響。

1)陽(yáng)極反應(yīng)在低電壓條件下析出二氧化鉛，不加入磷酸時(shí)二氧化鉛大量生成，40 ℃下生成的二氧化鉛以α、β態(tài)存在，且形貌很不平整，呈火山形，存在氣孔，氧氣生成時(shí)引起二氧化鉛呈片狀脫落。

2) 磷酸的加入可以抑制二氧化鉛析出。磷酸能夠吸附在陽(yáng)極表面，占據(jù)電極表面活性位點(diǎn)，促進(jìn)二氧化鉛起始電位向右移動(dòng)，抑制二氧化鉛生成，使二氧化鉛生成與氧氣生成在相近電位下發(fā)生；添加量為4.0 g/L時(shí)，二氧化鉛的生成受到強(qiáng)烈抑制，生成峰幾乎消失。

3) 隨甲基磺酸鉛濃度增大，二氧化鉛生成的起始電壓向右有小幅移動(dòng)，陽(yáng)極氧氣的析出速率逐漸減小。甲基磺酸鉛濃度在0.4～0.8 mol/L范圍內(nèi)較為合適。游離甲基磺酸濃度在0.6～1.4 mol/L范圍內(nèi)對(duì)陽(yáng)極反應(yīng)的影響似乎沒(méi)有明確規(guī)律性。

4) 溫度能夠促進(jìn)體系中陽(yáng)極反應(yīng)發(fā)生，二氧化鉛和氧氣的生成速率都有很大提高。通過(guò)塔菲爾曲線計(jì)算得到不同電壓條件下的表觀活化能，電壓在2.00 V條件下，反應(yīng)表觀活化能高達(dá)53.32 kJ/mol，但隨電壓升高，反應(yīng)活化能不斷降低，2.50 V時(shí)已減小至17.51 kJ/mol。