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        由兩件案例淺談專利審查創(chuàng)造性評判中技術(shù)方案的整體性考量

        2017-10-21 21:40:43史衛(wèi)萍董樂
        卷宗 2017年3期
        關(guān)鍵詞:技術(shù)方案創(chuàng)造性

        史衛(wèi)萍 董樂

        摘 要:應(yīng)用“三步法”評判創(chuàng)造性是審查員在審查實(shí)踐中常用的判斷發(fā)明是否具有創(chuàng)造性的方法,其中在進(jìn)行技術(shù)特征對比的過程中,容易將關(guān)注點(diǎn)僅僅放在區(qū)別技術(shù)特征以及與區(qū)別技術(shù)特征相關(guān)的技術(shù)效果上,而忽略技術(shù)方案的整體,忽略其他非區(qū)別技術(shù)特征對技術(shù)方案整體上技術(shù)效果的影響,以及非區(qū)別技術(shù)特征與區(qū)別技術(shù)特征的關(guān)聯(lián),從而導(dǎo)致割裂技術(shù)方案,教條化評述創(chuàng)造性的錯(cuò)誤。本文基于兩個(gè)實(shí)際案例,從正、反兩方面討論了三種情形下技術(shù)方案的整體考量對創(chuàng)造性評判結(jié)論的影響。

        關(guān)鍵詞:創(chuàng)造性;技術(shù)方案;整體考量;技術(shù)啟示;技術(shù)效果

        1 引言

        創(chuàng)造性是一項(xiàng)發(fā)明創(chuàng)造能否被授予專利權(quán)的實(shí)質(zhì)性條件之一,其判斷標(biāo)準(zhǔn)是該發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,是否具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步,即判斷要求保護(hù)的發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見。《專利審查指南》給出的一般性的判斷方法是“三步法”,包括以下三個(gè)步驟:(1)、確定最接近的現(xiàn)有技術(shù);(2)、確定發(fā)明相對于最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征和發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題;(3)、判斷要求保護(hù)的發(fā)明對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是否顯而易見。“三步法”是在審查實(shí)踐中摸索出來的最為標(biāo)準(zhǔn)化、邏輯最為簡單和清晰,最能盡可能地將創(chuàng)造性判斷這種主觀問題客觀化的判斷方法。

        “三步法”第(2)步是確定區(qū)別技術(shù)特征。在審查實(shí)踐中,通常是通過將發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案分解成一個(gè)個(gè)技術(shù)特征,對技術(shù)特征進(jìn)行比對,從而確定區(qū)別技術(shù)特征;在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步確定發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題。但是,無論是本發(fā)明還是現(xiàn)有技術(shù),技術(shù)方案都是由多個(gè)技術(shù)特征有機(jī)地組合在一起,彼此之間具有一定的相關(guān)性,在上述分解技術(shù)特征的過程中,容易導(dǎo)致將技術(shù)特征孤立出來,僅僅考慮該技術(shù)特征在技術(shù)方案中的作用,而忽略技術(shù)方案整體的問題,造成割裂技術(shù)方案的整體性,犯事后諸葛亮和生搬硬套、簡單拼湊的錯(cuò)誤,使創(chuàng)造性評判陷入僵化、教條的誤區(qū),令申請人難以信服。筆者以下就通過兩個(gè)案例,從正反兩方面,分三種情形闡述是否考量技術(shù)方案的整體性對創(chuàng)造性評判結(jié)論的影響。

        2 案例1

        某復(fù)審案,涉及一種手持式工具箱子保持裝置,如圖1所示:

        其權(quán)利要求1為:包括至少一個(gè)充電線圈12a、箱子接收區(qū)域和保持裝置殼體16a,保持裝置殼體具有面朝箱子接收區(qū)域的第一外側(cè)面18a,保持裝置殼體16a具有在至少一個(gè)運(yùn)行狀態(tài)下面朝箱子接收區(qū)域的至少一個(gè)第二外側(cè)面20a,至少一個(gè)第二外側(cè)面20a基本上垂直于第一外側(cè)面18a取向并且在至少一個(gè)第二外側(cè)面20a上布置充電線圈12a;該手持式工具箱子保持裝置還具有保持裝置26a,保持裝置26a用于可松開地固定手持式工具箱子,其特征在于,保持裝置26a具有兩個(gè)保持器件30a和32a,兩個(gè)保持器件30a和32a與第一外側(cè)面18a鄰接地布置在箱子接收區(qū)域的兩個(gè)對置的側(cè)面上。

        對比文件1公開了一種電感性耦合棚架以及貯存箱,如圖2所示,具體公開了如下技術(shù)特征:一種用于貯存手持式工具箱28的電感性耦合棚架單元,該棚架單元具有:至少一個(gè)充電線圈、對接區(qū)26和保持裝置殼體;充電線圈布置在底壁或?qū)訁^(qū)上;所述保持裝置殼體具有面朝對接區(qū)的相互平行豎直的兩側(cè)壁,以及在至少一個(gè)運(yùn)行狀態(tài)下面朝對接區(qū)且承載對接區(qū)的一個(gè)底壁,兩豎直側(cè)壁基本上垂直于底壁;棚架單元通過夾子、鎖定裝置將工具箱28與對接區(qū)26接合固定,該接合允許工具箱28從對接區(qū)26移開以便使用,而在貯存期間將工具箱28保持在適當(dāng)?shù)奈恢?;且工具?8上必然具有至少一個(gè)與棚架單元上的夾子、鎖定裝置相對應(yīng)的保持裝置。充電過程中,棚架單元的對接區(qū)26貼靠在工具箱28的底部上。

        按照“三步法”對該發(fā)明的顯而易見性進(jìn)行判斷。第(1)步,將對比文件1確定為最接近的現(xiàn)有技術(shù)。第(2)步,將該發(fā)明的權(quán)利要求1與對比文件1進(jìn)行特征比對,確定二者的區(qū)別技術(shù)特征在于:保持裝置殼體還具有面朝所述箱子接收區(qū)域的第一外側(cè)面;保持裝置的保持器件為兩個(gè),且兩個(gè)保持器件與第一外側(cè)面鄰接地布置在所述箱子接收區(qū)域的兩個(gè)對置的側(cè)面上;第一外側(cè)面在充電過程中貼靠在手持式工具箱的底部上,并且第二外側(cè)面在充電過程中貼靠在手持式工具箱的端側(cè)面之一上;其作用在于對豎直放置的工具箱的兩側(cè)進(jìn)行保持固定。第(3)步,判斷現(xiàn)有技術(shù)整體上是否存在某種技術(shù)啟示。

        前審在駁回決定中認(rèn)為,將保持器件布置在與第一外側(cè)面鄰接地、在箱子接收區(qū)域的兩個(gè)對置的側(cè)面上是本領(lǐng)域技術(shù)人員對保持器件的安裝位置所作的常規(guī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);此外,根據(jù)實(shí)際的充電或連接需要,將手持式工具箱子的端側(cè)面之一與第二外側(cè)面貼靠、將手持式工具箱子的底部與第一外側(cè)面貼靠是本領(lǐng)域技術(shù)人員對充電位置所作的常規(guī)改變,這樣的結(jié)構(gòu)改變是本領(lǐng)域技術(shù)人員對箱體的哪一側(cè)面充電所作的常規(guī)設(shè)計(jì)。換句話說,前審認(rèn)為,保持器件的設(shè)置位置屬于本領(lǐng)域的常規(guī)設(shè)計(jì);將手持式工具箱豎直放置,將工具箱底部與第一外側(cè)面貼靠是對工具箱上充電線圈位置所作的常規(guī)設(shè)計(jì)。由此得出該發(fā)明相對于對比文件1不具有創(chuàng)造性的結(jié)論。

        上述結(jié)論的得出可見,前審在進(jìn)行創(chuàng)造性第(3)步判斷時(shí),僅僅考慮了發(fā)明相對于對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征本身,即保持器件的設(shè)置位置、手持式工具箱的放置方式在本領(lǐng)域的確屬于常規(guī)設(shè)計(jì)。但是,由于未考慮這些技術(shù)特征與發(fā)明權(quán)利要求中其他技術(shù)特征的聯(lián)系,特別是未考慮區(qū)別特征中保持器件的位置、充電線圈的位置設(shè)計(jì)都是針對豎直放置工具箱的情形下,此時(shí),工具箱底部支撐接觸面小,容易側(cè)翻,設(shè)置在保持裝置第一外側(cè)面兩側(cè)的保持器件對工具箱的兩側(cè)起到了很好的保持固定作用;進(jìn)一步地,前審也未考慮對比文件1中公開的棚架單元不具有后側(cè)面,工具箱是平放在對接區(qū)內(nèi)的。盡管基于對比文件1公開的可以通過夾子、鎖定裝置將工具箱28與對接區(qū)26接合固定的技術(shù)內(nèi)容,本領(lǐng)域技術(shù)人員具體將該夾子、鎖定裝置設(shè)置為兩個(gè)是容易想到的;但是,鑒于對比文件1公開的棚架單元結(jié)構(gòu),以及工具箱在棚架單元中水平放置的貯存方式,特別是棚架單元的兩個(gè)豎直側(cè)壁與工具箱28的兩側(cè)相距一定距離的技術(shù)內(nèi)容,夾子或鎖定裝置與工具箱根本無法接觸,從而無法對工具箱進(jìn)行保持固定。

        此外,對比文件1中在對工具箱充電保持時(shí),工具箱被水平放置于棚架單元的一個(gè)單元內(nèi),工具箱28的一個(gè)側(cè)面貼靠在棚架單元的布置有充電線圈的一個(gè)側(cè)壁上,其余各個(gè)側(cè)面與棚架單元的各側(cè)壁均無接觸,且對比文件1中如此放置工具箱,工具箱被保持的已經(jīng)足夠穩(wěn)定,對比文件1客觀上不存在對手持式工具箱進(jìn)行兩側(cè)固定的技術(shù)問題,本領(lǐng)域技術(shù)人員亦無必要縮短棚架單元的兩豎直側(cè)壁與工具箱之間的間隔,使得兩者貼靠。

        因此,從對比文件1技術(shù)方案的整體來看,首先,對比文件1未公開本發(fā)明的第一外側(cè)面、保持器件與第一外側(cè)面的位置關(guān)系、以及工具箱與第一外側(cè)面的位置關(guān)系;其次,對比文件1客觀上也不存在在兩個(gè)豎直側(cè)壁上設(shè)置夾子或鎖定裝置對工具箱進(jìn)行兩側(cè)保持的必要,也即,對比文件1的技術(shù)方案客觀上并非為解決豎直放置工具箱的保持固定問題而設(shè)計(jì),也不存在該技術(shù)缺陷和改進(jìn)任務(wù),甚至排除了這種改進(jìn)的可能性。從而,本領(lǐng)域技術(shù)人員在面對對比文件1時(shí),沒有動(dòng)機(jī)對對比文件1進(jìn)行改進(jìn)以獲得本發(fā)明技術(shù)方案的。因此,該發(fā)明相對于對比文件1是非顯而易見的,具備創(chuàng)造性。

        3 案例2

        某復(fù)審案,涉及一種半導(dǎo)體器件,如圖3所示,其權(quán)利要求1為:一種半導(dǎo)體器件,包括反相器電路和像素,所述反相器電路包括:第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管的源極電連接到第二晶體管的漏極,所述第一晶體管的柵極電連接到第一晶體管的源極;所述第一晶體管和第二晶體管中的至少一個(gè)的溝道形成區(qū)包括:第一氧化物半導(dǎo)體層471和第二氧化物半導(dǎo)體層405,所述第二氧化物半導(dǎo)體層包括In-Sn-Zn-O基半導(dǎo)體,所述第二氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一氧化物半導(dǎo)體層上,以及所述第一氧化物半導(dǎo)體層具有比所述第二氧化物半導(dǎo)體層低的電阻率;所述像素包括第三晶體管,所述第三晶體管的溝道形成區(qū)由第三氧化物半導(dǎo)體層103單層形成。

        現(xiàn)有技術(shù)中存在兩篇對比文件,其中對比文件1公開了一種半導(dǎo)體器,包括像素部分和驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電路具有晶體管,像素部分具有晶體管(相當(dāng)于本發(fā)明的第三晶體管),驅(qū)動(dòng)電路晶體管和像素部分晶體管的溝道形成區(qū)均由氧化物半導(dǎo)體層單層形成。

        對比文件2公開了一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu),如圖4所示,其溝道層22為多層半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu),包括單層或多層的下層氧化物半導(dǎo)體層22a(相當(dāng)于本申請的第一氧化物半導(dǎo)體層)和位于最上層的氧化物半導(dǎo)體層22b(相當(dāng)于本申請的第二氧化物半導(dǎo)體層);半導(dǎo)體氧化物層22a和22b由基于ZnO的材料、如a(In2O3).b(Ga2O3).c(ZnO)形成,其中,a≥0,b≥0,c>0,且位于最上層的氧化物半導(dǎo)體層22b還可以包括SnO,從而在a>0,b=0,c>0且最上層氧化物半導(dǎo)體層22b包括SnO時(shí),最上層氧化物半導(dǎo)體層22b為包括In-Sn-Zn-O基半導(dǎo)體;對比文件2還具體公開了位于最上層的氧化物半導(dǎo)體層22b含有的Zn濃度比下層氧化物半導(dǎo)體層22a小,且位于最上層的氧化物半導(dǎo)體層22b可包括SnO,SnO比ZnO具有相對高的結(jié)合能和更高的穩(wěn)定性,可以減少氧化物中的氧空位。在同等條件下,較小的Zn濃度和減少的氧空位使得位于最上層的氧化物半導(dǎo)體層22b的電阻率必然高于下層氧化物半導(dǎo)體層22a的電阻率。

        按照“三步法”對顯而易見性進(jìn)行判斷。第(1)步,以對比文件1為最接近的現(xiàn)有技術(shù);第(2)步,確定權(quán)利要求1與對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征在于:①驅(qū)動(dòng)電路為反相器電路,包括第一晶體管;第二晶體管;以及所述第一晶體管的源極電連接到第二晶體管的漏極,所述第一晶體管的柵極電連接到第一晶體管的源極;②所述第一晶體管和第二晶體管中的至少一個(gè)的溝道形成區(qū)包括:第一氧化物半導(dǎo)體層和第二氧化物半導(dǎo)體層,所述第二氧化物半導(dǎo)體層包括In-Sn-Zn-O基半導(dǎo)體;所述第二氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一氧化物半導(dǎo)體層上,所述第一氧化物半導(dǎo)體層具有比所述第二氧化物半導(dǎo)體層低的電阻率。基于上述區(qū)別技術(shù)特征所能取得的技術(shù)效果可以確定,權(quán)利要求1實(shí)際所要解決的技術(shù)問題在于,提高驅(qū)動(dòng)電路部分開關(guān)的速度。第(3)步,判斷現(xiàn)有技術(shù)整體上是否存在相應(yīng)的技術(shù)啟示。

        首先,基于對比文件1中所記載的技術(shù)方案的整體來看,對比文件1公開的半導(dǎo)體器件包括像素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分,在本領(lǐng)域,不斷的改進(jìn)驅(qū)動(dòng)電路部分的晶體管以獲取較高的開關(guān)速度是本領(lǐng)域技術(shù)人員一貫的追求,可以確定對比文件1客觀上存在提高驅(qū)動(dòng)電路部分開關(guān)速度的需求;因此,對比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術(shù)合適的。

        其次,判斷后發(fā)現(xiàn),區(qū)別特征①為本領(lǐng)域的慣用技術(shù)手段;區(qū)別特征②被對比文件2公開。但是,基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)和能力,并不能確定區(qū)別特征②在對比文件2中所起的作用為提高驅(qū)動(dòng)電路部分開關(guān)的速度;并且從對比文件2整體上考慮,對比文件2在用于驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管中采用雙溝道層所要解決的技術(shù)問題是由于損傷的溝道層所造成的載流子濃度的增加,這會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓向更高負(fù)值漂移,引起相對大的泄漏電流;而并非要提高驅(qū)動(dòng)電路部分的開關(guān)速度。因此,盡管對比文件2公開了與本發(fā)明驅(qū)動(dòng)器電路部分晶體管結(jié)構(gòu)和材料完全相同的一種晶體管,本領(lǐng)域技術(shù)人員從對比文件2整體上考慮,也不能得到將具有雙溝道層的晶體管用于解決改善開關(guān)速度的技術(shù)問題的技術(shù)教導(dǎo)。因此,在對比文件1的基礎(chǔ)上結(jié)合對比文件2和公知常識(shí)得到權(quán)利要求1是非顯而易見的。

        若以對比文件2為最接近的現(xiàn)有技術(shù),則權(quán)利要求1與對比文件2的區(qū)別技術(shù)特征在于:①驅(qū)動(dòng)電路為反相器電路,包括第一晶體管;第二晶體管;以及所述第一晶體管的源極電連接到第二晶體管的漏極,所述第一晶體管的柵極電連接到第一晶體管的源極;②該半導(dǎo)體器件還包括像素,所述像素包括第三晶體管,所述第三晶體管的溝道形成區(qū)由第三氧化物半導(dǎo)體層單層形成?;谏鲜鰠^(qū)別特征所能取得的技術(shù)效果可以確定,權(quán)利要求1相對于對比文件2實(shí)際所要解決的技術(shù)問題是提供一種可以用于顯示面板的半導(dǎo)體器件。

        首先,判斷對比文件2作為最接近的現(xiàn)有技術(shù)的合理性,對比文件2記載了其所公開的晶體管可適用于平板顯示,比如LCD、OLED等,其要求基于TFT的開關(guān)和/或驅(qū)動(dòng)元件??梢?,從對比文件2整體上看,其所公開的晶體管是作為驅(qū)動(dòng)部件應(yīng)用于平板顯示等,顯然平板顯示除了驅(qū)動(dòng)部分,必然需要像素部分。因此,從整體上考慮對比文件2的技術(shù)方案,可以確定其對用于顯示面板的半導(dǎo)體器件具有客觀的需求,從而,將對比文件2作為最接近的現(xiàn)有技術(shù)也是合適的。

        同樣的,經(jīng)過判斷發(fā)現(xiàn),區(qū)別特征①是本領(lǐng)域技術(shù)人員的慣用技術(shù)手段,區(qū)別特征②被對比文件1所公開,且對比文件1公開的像素部分包含可以用于顯示面板的半導(dǎo)體器件,給出了相應(yīng)的技術(shù)啟示。因此,在對比文件2的基礎(chǔ)上結(jié)合對比文件1和公知常識(shí)得到權(quán)利要求1是顯而易見的,不具有創(chuàng)造性。

        可見,以不同的對比文件作為最接近的現(xiàn)有技術(shù),得出截然相反的結(jié)論的原因在于,以對比文件1作為最接近現(xiàn)有技術(shù)時(shí),僅僅考慮了區(qū)別技術(shù)特征本身所能帶來的技術(shù)效果,關(guān)注對比文件2公開了區(qū)別技術(shù)特征,并想當(dāng)然地認(rèn)定相同的技術(shù)手段必然能夠起到相同的作用;而忽視了對比文件2技術(shù)方案整體上的關(guān)注點(diǎn),其所要解決的技術(shù)問題,以及區(qū)別技術(shù)特征在對比文件2中實(shí)際所帶來的技術(shù)效果。因而,得到的結(jié)論也難以令申請人信服。

        以對比文件2作為最接近現(xiàn)有技術(shù)時(shí),則在確定區(qū)別技術(shù)特征和實(shí)際所要解決的技術(shù)問題后,除了考慮區(qū)別技術(shù)特征是否被對比文件1公開外,還充分考慮了最接近現(xiàn)有技術(shù)自身整體上是否存在相一致的技術(shù)問題,對比文件1整體技術(shù)方案上是否存在相一致的技術(shù)問題,以及技術(shù)效果,從而得出存在技術(shù)啟示。由此得到的結(jié)論更具有說服力。

        5 結(jié)論

        通過以上兩個(gè)案例,三種情形的分析可見,在利用“三步法”進(jìn)行創(chuàng)造性判斷時(shí),首先,無論是對現(xiàn)有技術(shù)的理解,還是對技術(shù)特征在技術(shù)方案中所起作用的判斷都應(yīng)當(dāng)是基于本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)和能力,并且要將技術(shù)特征放在技術(shù)方案的整體中去理解;不能拋開技術(shù)方案整體,將該技術(shù)特征孤立出來,想當(dāng)然地認(rèn)為相同的技術(shù)手段必然能夠起到相同的作用,而認(rèn)為存在技術(shù)啟示。其次,對所使用的現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案要進(jìn)行整體性考量,這些現(xiàn)有技術(shù)既包括最接近的現(xiàn)有技術(shù),也包括其他的對比文件;對最接近的現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案進(jìn)行整體考量,在進(jìn)行技術(shù)特征比對時(shí),不但要考慮最接近現(xiàn)有技術(shù)中與權(quán)利要求中對應(yīng)的技術(shù)特征,也要考慮其他非對應(yīng)特征對技術(shù)方案整體性的影響,其他非對應(yīng)特征與對應(yīng)特征之間的關(guān)聯(lián),從技術(shù)方案的整體把握該最接近的現(xiàn)有技術(shù)客觀上是否存在與發(fā)明實(shí)際所要解決的技術(shù)問題相一致的技術(shù)缺陷。

        作者簡介

        史衛(wèi)萍(1980-),女,碩士,主任科員,研究方向:電力系統(tǒng)技術(shù)。

        董樂(1980-),女,本科,主任科員,研究方向:計(jì)算機(jī)技術(shù)。

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