丁 沖, 徐 帥, 王利華*, 呂笑笑
(1.中南民族大學(xué) 化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院 催化材料科學(xué)湖北省暨國家民委-教育部共建重點實驗室,湖北武漢 430074;2.湖南大學(xué)環(huán)境科學(xué)與化學(xué)學(xué)院,湖南長沙 410082)
指紋,即人體手部皮膚的花紋,包括手掌面的乳突花紋(指頭紋、指節(jié)紋和掌紋)、屈肌褶紋、皺紋及傷疤等[1]?;诜肿涌茖W(xué)基本原理的指紋示蹤技術(shù)在社會綜合治理、金融體系安全建設(shè)、國防工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[2 - 5]。汗?jié)撝讣y作為指紋示蹤技術(shù)中的一種常見的目標物,由于其自身所含有的氨基酸含量較低[6],因此傳統(tǒng)的茚三酮示蹤體系效果不佳。同時采用硝酸銀、凝膠等新型示蹤體系都存在著分析結(jié)果重現(xiàn)性差、靈敏度低、示蹤體系不穩(wěn)定等缺陷[7 - 9]。
熒光素作為一種常見的酸性染料,由于其自身所發(fā)散出的熒光效應(yīng)而使其廣泛應(yīng)用于分子示蹤技術(shù)。常見的熒光猝滅體系通常至少包含A和B兩類物質(zhì),物質(zhì)A吸收入射光由基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)后成為能量供體,常見的下轉(zhuǎn)換熒光的形成即源于分子由激發(fā)態(tài)回到基態(tài)所釋放出的發(fā)送光,但是在熒光猝滅體系中存在能量受體物質(zhì)B將A釋放的能量奪走故整個體系的熒光消失。目前存在動態(tài)轉(zhuǎn)移猝滅、靜態(tài)轉(zhuǎn)移猝滅、動態(tài)和靜態(tài)聯(lián)合猝滅、光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移(PET)、熒光共振能量轉(zhuǎn)移(FRET)和表面能量轉(zhuǎn)移(SET)等多種熒光猝滅體系。納米金具有化學(xué)穩(wěn)定性好、生物相容性好、制作工藝簡單等優(yōu)點[10]。本文將熒光素與納米金在合適的條件下混合,形成穩(wěn)定的納米金-熒光素猝滅體系,然后利用汗?jié)撝讣y中的Cl-通過與納米金化學(xué)鍵合作用使熒光重現(xiàn)的現(xiàn)象,構(gòu)建了一種新型的基于納米金熒光猝滅體系的汗?jié)撝讣y示蹤體系。目前該體系還未見國內(nèi)外文獻報道。
FA2004電子分析天平(上海舜宇恒平科學(xué)儀器有限公司);STP55-13F警眼(氙燈波段源);手持式多波段光源(北京龍昊警用器材有限公司);BT-90納米激光粒度分布儀(丹東百特儀器有限公司);PE LS55熒光/磷光分光光度計;FEI Tecnai G20透射電子顯微鏡。
實驗合成及表征試劑皆購于國藥集團化學(xué)試劑公司;示蹤基底材料皆為普通市售日用品。
首先稱取0.4620 g氯金酸,蒸餾水溶解,轉(zhuǎn)至100 mL容量瓶,蒸餾水定容,制得黃色氯金酸溶液。然后稱取0.5169 g檸檬酸三鈉,蒸餾水溶解,轉(zhuǎn)至100 mL容量瓶,蒸餾水定容,制得檸檬酸三鈉溶液。之后稱取0.4101 g聚乙烯吡咯烷酮,蒸餾水溶解,轉(zhuǎn)至100 mL容量瓶,蒸餾水定容,制得保護劑PVP溶液。最后取5 mL檸檬酸三鈉溶液和5 mL PVP溶液,于100 mL圓底燒瓶中,在70 ℃下加入50 mL氯金酸溶液反應(yīng)10 min,冷卻至室溫,制得酒紅色納米金溶膠。
取一定濃度的熒光素于燒杯中,以465 nm為激發(fā)波長,透過490 nm濾光片觀察,可看到熒光素發(fā)出的亮綠色熒光。往熒光素溶液中逐滴滴加納米金溶膠,體系熒光強度迅速耗散,從而制成納米金-熒光素猝滅體系。
在各種非滲透性材料的物體表面連續(xù)制備自然指紋試樣,使用鉛筆或者記號筆做出標記。將適量納米金-熒光素猝滅體系涂到指紋處,在自制指紋體系示蹤儀中以465 nm為激發(fā)波長,透過490 nm濾光片觀察指紋示蹤過程;待輪廓充分顯現(xiàn)后將處理好的汗?jié)撝讣y試樣用佳能相機手動調(diào)焦拍照,自動模式下拍照應(yīng)采用微距、不閃光且對準圖下標記文字。
洗手后戴上手套10 min,在各種材料的物體表面連續(xù)按下指印,分泌旺盛的提供者第一枚指紋較濃,甚至導(dǎo)致指紋的紋路被模糊,而第二枚指紋不會出現(xiàn)紋路被模糊的情況。使用鉛筆或者記號筆做出標記。將納米金-熒光素猝滅體系涂到指紋處,選465 nm為激發(fā)波長,透過490 nm濾光片觀察指紋輪廓;同時將處理好的指紋平放在黑色的照相機固定架底座上,用手持式多波段光源照射指紋,然后用高倍顯像儀原位撲捉指紋輪廓顯現(xiàn)過程。
圖1 納米金-熒光素猝滅體系的汗?jié)撝讣y示蹤過程Fig.1 The process of latent fingerprint detection
從圖1中可以清晰觀測到基于納米金-熒光素猝滅體系的汗?jié)撝讣y的示蹤全過程。反應(yīng)初始時熒光素溶液在自然狀態(tài)下發(fā)出綠色熒光,與納米金顆粒混合后其熒光迅速衰減至肉眼無法識別,最后當再此加入Cl-后體系恢復(fù)熒光,呈現(xiàn)出較好的分子“turn-on”與“turn-off”性能。其主要歷程推測為:熒光素發(fā)出熒光的基本原理基于分子激發(fā)態(tài)回到分子基態(tài)的躍遷過程,而加入納米金顆粒后其奪取處于激發(fā)態(tài)的熒光素分子所具有的能量使其以非輻射躍遷的方式回到基態(tài)進而造成體系熒光猝滅,之后Cl-的加入使其吸附與納米金顆粒表面使其失去能量受體的作用,從而體系恢復(fù)熒光[11 - 14]。
為了全面的考察納米金-熒光素猝滅體系的汗?jié)撝讣y示蹤效果,我們分別在非滲透性材料、滲透性材料、高分子材料上進行指紋示蹤。從圖2、圖3和圖4可以看出在三種不同類型材料上均有較清晰的指紋示蹤效果,其示蹤所需時間分別為1 h、0.4 h、1.5 h。我們認為其主要原因由于三種材料的滲透性不同造成的汗?jié)撝讣y濃度呈現(xiàn)一定的差異進而示蹤時間有所差異。同時,在-5 ℃放置一段時間后, 三種材料上的示蹤熒光均呈現(xiàn)不同程度的衰減現(xiàn)象,其中滲透性材料中的示蹤熒光衰減程度較為突出。與此同時極性溶劑的揮發(fā)對滲透性材料中的示蹤效果也會有一定影響。
圖2 非滲透性材料上的汗?jié)撝讣y示蹤圖Fig.2 Photograph of latent fingerprint on the non-permeable material
圖3 滲透性材料上的汗?jié)撝讣y示蹤圖Fig.3 Photograph of latent fingerprint on the permeable material
圖4 高分子材料上的汗?jié)撝讣y示蹤圖Fig.4 Photograph of latent fingerprint on the polymer material
圖5 283 K、303 K和333 K時基于非滲透性材料的汗?jié)撝讣y示蹤圖Fig.5 Photographs of latent fingerprint at 283 K,303 K and 333 K with non-permeable material,respectively
溫度環(huán)境對指紋示蹤有著重要影響[15 - 16]。為了檢測溫度對納米金-熒光素猝滅體系穩(wěn)定性的影響,我們分別在溫度273~363 K范圍內(nèi)進行指紋示蹤實驗,以在日常分析工作中指紋分析應(yīng)用最為廣泛的非滲透性材料[17]為基底。發(fā)現(xiàn)在338 K條件下指紋試樣的基底材料燃燒自毀,故對于所選非滲透性材料A4紙來說納米金-熒光素猝滅體系的工作溫度極限為338 K,基本滿足日常分析工作需要。我們選取示差明顯的283 K、303 K、333 K進行對比分析,其示蹤效果如圖5所示。可以發(fā)現(xiàn)在283 K時其指紋輪廓最為明顯,隨著溫度的升高指紋示蹤效果逐漸下降,其原因可能是由于溫度上升加速納米金顆粒團聚聚沉,增加其體系對熒光的背景吸收,造成指紋示蹤效果下降。
圖6 原始猝滅體系納米金顆粒的透射電鏡(TEM)圖(A、C);加入NaCl后體系的納米金顆粒TEM圖(B、D)Fig.6 TEM images of gold nanoparticles-fluorescence quenching system of AuNPs(A,C);TEM images of gold nanoparticles-fluorescence quenching system of AuNPs after adding NaCl(B,D)
圖7 加入NaCl前后的體系金顆粒分布Fig.7 The corresponding particle size distribution graphA:gold nanoparticles-fluorescence quenching system;B:gold nanoparticles-fluorescence quenching system after adding NaCl.
本研究基于納米金-熒光素猝滅體系設(shè)計出一種靈敏的汗?jié)撝讣y示蹤體系,該體系在日常分析工作環(huán)境下具有較為靈敏的指紋示蹤性能同時也具有靈敏度高、生物毒性低、可多次循環(huán)利用的特點。未來可通過改變體系溶劑、富集體系中金粒子濃度的手段來進一步提高體系的穩(wěn)定性與檢測性能。