歐陽(yáng)琪，王文文，郝維昌北京航空航天大學(xué)物理科學(xué)與核能工程學(xué)院，北京100191

透明導(dǎo)電氧化物薄膜的抗伽馬輻照性能研究

歐陽(yáng)琪，王文文＊，郝維昌
北京航空航天大學(xué)物理科學(xué)與核能工程學(xué)院，北京100191

利用射頻磁控濺射法制備出具有良好光電性能的In2O3：W（IWO）薄膜，與購(gòu)置的In2O3：Sn（ITO）薄膜一起，在伽馬射線地面加速模擬試驗(yàn)設(shè)備中進(jìn)行輻照試驗(yàn)。對(duì)輻照前后兩種薄膜樣品的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌、光電性能和元素價(jià)態(tài)進(jìn)行對(duì)比分析，并用正電子湮沒(méi)方法研究輻照前后的缺陷情況。結(jié)果表明，伽馬射線輻照可引起ITO及IWO薄膜樣品中氧空位缺陷的少量增加，且缺陷主要產(chǎn)生于薄膜表層及薄膜與基底界面結(jié)合處。高能伽馬光子作用于透明導(dǎo)電氧化物薄膜，主要通過(guò)破壞其內(nèi)部結(jié)合能較低的化學(xué)鍵，并實(shí)現(xiàn)薄膜系統(tǒng)中元素之間的選擇性重組。ITO與IWO具有良好的抗伽馬輻照性能，IWO相比ITO更適合于抗伽馬輻照相關(guān)應(yīng)用。

In2O3：W薄膜；In2O3：Sn薄膜；伽馬射線；光電性能；正電子湮沒(méi)

透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜具有優(yōu)異的光電特性，在太陽(yáng)能電池、液晶顯示器、電致變色玻璃等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用［1－3］。在航空航天產(chǎn)業(yè)中，In2O3：Sn（ITO）及SnO2（TO）薄膜材料也已經(jīng)運(yùn)用于溫控涂層及抗靜電涂層［4－5］。但I(xiàn)TO材料在等離子體環(huán)境中不穩(wěn)定，且在輻照環(huán)境下易碎［6］；在紅外波段，ITO的透過(guò)率不高，也限制了ITO薄膜材料的進(jìn)一步應(yīng)用。In2O3：W（IWO）作為一種新型TCO薄膜材料，因其摻雜離子W6＋與In3＋離子之間存在較高的價(jià)態(tài)差，使得IWO薄膜同時(shí)具有低電阻率及在可見(jiàn)光區(qū)至近紅外區(qū)域的高透過(guò)性［7］，有望替代ITO薄膜材料，并拓展TCO薄膜在紅外領(lǐng)域的應(yīng)用。

航天器在飛行空間運(yùn)行必然受到各種空間環(huán)境因素的作用，以往飛行案例表明航天器出現(xiàn)的故障與異常很大一部分歸結(jié)于空間環(huán)境效應(yīng)［89］；增強(qiáng)航天器表面材料的抗空間射線輻照性能，是對(duì)航天器正常運(yùn)行的保證。伽馬（γ）射線處于電磁波波譜的高能端，宇宙間最強(qiáng)烈的活動(dòng)能夠產(chǎn)生大量的γ射線。這些γ射線可能來(lái)自雙中子星系統(tǒng)的合并，超新星爆發(fā)，或者大質(zhì)量恒星的塌縮等［10］。在地球的高軌道及宇宙深空環(huán)境中，充斥著大量的高能宇宙射線，他們之間的相互作用，使得更多的大量高能量γ射線均勻分布在整個(gè)太空［11］。γ射線與物質(zhì)相互作用方式主要有光電效應(yīng)、康普頓散射、電子對(duì)效應(yīng)，還有其他的如光致核反應(yīng)、核共振反應(yīng)等。半導(dǎo)體材料及光電器件與γ射線輻照效應(yīng)研究表明，γ射線輻照之下，材料會(huì)出現(xiàn)諸多缺陷，伴隨電學(xué)、光學(xué)等方面的性能退化［1213］。在航空航天領(lǐng)域，γ射線輻射環(huán)境可使表面材料和電子元器件發(fā)生輻照效應(yīng)，導(dǎo)致光學(xué)性能、電學(xué)性能、力學(xué)性能等下降［14－16］；并引起單粒子效應(yīng)，嚴(yán)重影響航天器的正常運(yùn)行［17］。γ射線環(huán)境及γ射線暴已成為航天深空探測(cè)中影響航天器材料正常工作的關(guān)鍵因素，但目前這方面的研究?jī)H見(jiàn)于少量報(bào)道。因此，研究γ射線與航天器表面材料的相互作用顯得非常緊迫。

本文通過(guò)磁控濺射方法制備IWO薄膜材料，并與購(gòu)置的工業(yè)用ITO薄膜材料形成對(duì)比，在地面加速模擬試驗(yàn)設(shè)備中對(duì)樣品進(jìn)行輻照測(cè)試試驗(yàn)，表征了輻照前后的薄膜材料性能改變，分析了材料的抗輻照性能，研究了γ射線與IWO和ITO兩種透明導(dǎo)電氧化物薄膜之間的作用機(jī)理。并用正電子湮沒(méi)的方法研究了輻照引起的缺陷問(wèn)題。

1 試驗(yàn)

1.1 IWO薄膜的制備

采用射頻磁控濺射法制備IWO薄膜，靶材為陶瓷靶（In2O3：W，摻雜鎢質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%），尺寸Φ60×3mm。將石英玻璃基底在濃硫酸和30%H2O2（體積比為3∶2）的混合溶液中煮沸30min，再用去離子水及無(wú)水乙醇各超聲清洗2次，每次10min，之后取出吹干并放入真空鍍膜室內(nèi)。通過(guò)機(jī)械泵和分子泵對(duì)真空室抽真空，至本底真空氣壓1×10－3Pa，通入氬氣及氧氣，調(diào)整氣體流量至合適的氧氬流量比，使工作氣壓至1Pa，開(kāi)始濺射鍍膜。試驗(yàn)用IWO薄膜制備工藝參數(shù)如表1所示，沉積薄膜厚度430nm左右。試驗(yàn)用ITO薄膜石英片從北京中成石英玻璃有限公司購(gòu)置，ITO薄膜厚度200nm，可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率平均在90%以上，電阻率3.27×10－4Ω·cm左右。

表1 IWO薄膜制備參數(shù)列表Table 1 Deposition parameters of IWO films

1.2 伽馬射線地面加速模擬試驗(yàn)

γ射線輻照地面加速模擬試驗(yàn)在北京師范大學(xué)北京市輻射中心進(jìn)行，以60Coγ射線為輻照源，其平均能量1.25MeV，輻照劑量率為120rad（Si）／s。對(duì)IWO及ITO薄膜都分批次進(jìn)行輻照實(shí)驗(yàn)，輻照劑量分別為0，2×104Gy，4×104Gy，6×104Gy，8×104Gy（1Gy＝100rad）。

1.3 薄膜性能測(cè)試表征

薄膜厚度用三維白光干涉儀（MicroXAM，ADE phase－shift，US）進(jìn)行測(cè)試。用X射線衍射儀（XRD，Rigaku D／max 2500pc，Japan）對(duì)輻照前后薄膜微觀結(jié)構(gòu)及結(jié)晶情況進(jìn)行分析，采用小角掠入射的方式掃描，掃描角度10°～90°。用原子力顯微鏡（AFM，Nanoman VS，US）對(duì)薄膜表面形貌進(jìn)行測(cè)定。用X射線光電子能譜儀（XPS，ESCALAB 250Xi，Thermofisher，UK）測(cè)定薄膜表面元素價(jià)態(tài)。用紫外－可見(jiàn)分光光度計(jì)（Jasco V－570，Japan）測(cè)量薄膜的光學(xué)透過(guò)率。使用中科院半導(dǎo)體所自行搭建的霍爾效應(yīng)測(cè)試設(shè)備對(duì)薄膜樣品的載流子濃度、載流子遷移率進(jìn)行測(cè)定。由中科院高能所正電子湮沒(méi)平臺(tái)測(cè)得多普勒展寬能譜，從而分析輻照前后樣品中微觀缺陷變化。

2 結(jié)果與討論

2.1 結(jié)晶性能分析

圖1是輻照前后ITO及IWO薄膜樣品的XRD譜圖?？梢钥闯?，ITO及IWO薄膜XRD圖譜中衍射峰均對(duì)應(yīng)著In2O3晶體的體心立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，沒(méi)有顯示出雜質(zhì)的衍射峰位，這表明鎢元素及錫元素的摻雜并沒(méi)有改變氧化銦多晶的基本結(jié)構(gòu)。圖譜中衍射峰的強(qiáng)度及半高寬不同，反映不同的結(jié)晶程度。圖1（a）表明，輻照劑量在較低范圍內(nèi)，ITO結(jié)晶性能受影響較小，當(dāng)輻照劑量增大至8×104Gy時(shí)，ITO結(jié)晶性能受到明顯抑制；由謝樂(lè)公式Dhkl＝Kλ／βhklcosθ，式中βhkl為衍射峰的半高寬，Dhkl為晶粒尺寸，結(jié)合表2中ITO薄膜半高寬變化可知，晶粒在輻照后期有變小的趨勢(shì)。從圖1（b）可知，初始制備的IWO薄膜結(jié)晶狀況不佳，低劑量γ射線有利于IWO薄膜的結(jié)晶；但從表2中IWO半高寬的變化可以得知大劑量γ射線輻照下IWO晶粒縮小。由此可知，γ射線可以在大劑量下抑制ITO及IWO薄膜的結(jié)晶。

圖1 不同γ射線輻照劑量下ITO和IWO薄膜的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of ITO and IWO films under different gamma flux

表2 不同輻照劑量下薄膜半高寬Table 2 FWHMs of ITO and IWO films under different gamma flux

2.2 表面形貌分析

表3為ITO及IWO輻照前后表面形貌圖表，從中可以看出輻照前后ITO及IWO薄膜樣品表面形貌幾乎沒(méi)有變化，大劑量下薄膜表面顆粒均有變小的趨勢(shì)。這與XRD分析的晶粒大小的變化相符。由此可以看出，γ射線對(duì)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的表面形貌影響并不明顯。

2.3 光學(xué)性能分析

圖2是ITO及IWO薄膜輻照前后樣品透過(guò)率的圖譜。由圖2（a）可知，經(jīng)γ射線輻照后的ITO薄膜，隨著輻照劑量的增加，平均透過(guò)率先下降后回升但均低于輻照前的ITO薄膜透過(guò)率；圖2（b）表明γ輻照后，IWO薄膜平均透過(guò)率未見(jiàn)明顯變化。綜合以上分析，γ射線對(duì)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的光學(xué)性能影響較小，但I(xiàn)TO相比于IWO更容易受γ射線影響。

2.4 電學(xué)性能分析

圖3給出了ITO和IWO薄膜輻照前后電學(xué)性能的變化圖譜。圖3（a）中ITO在輻照之后電阻率增加，載流子濃度下降，可能是由于γ射線在薄膜層產(chǎn)生了晶格缺陷或者界面陷阱，可作為載流子復(fù)合中心［18－19］；遷移率在大劑量γ輻照下有小幅增加，這可能是高能γ射線的退火作用激發(fā)出陷入空位的電子導(dǎo)致的［13，20］。從圖3（b）中可以看出，在誤差棒范圍內(nèi)，IWO電阻率稍有增加，載流子濃度稍有下降，遷移率基本維持穩(wěn)定?？傮w分析，γ射線對(duì)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的電學(xué)性能影響較小，且ITO相比于IWO更容易受到γ射線的影響。

表3 ITO及IWO樣品輻照前后AFM表面形貌Table 3 AFM images of films under different gamma flux

圖2 不同γ輻照劑量下ITO及IWO光學(xué)透過(guò)曲線Fig.2 Transmittance of ITO and IWO films under different gamma flux

圖3 ITO及IWO電學(xué)參數(shù)變化Fig.3 Electrical properties of ITO and IWO films under different gamma flux

2.5 表面元素價(jià)態(tài)分析

圖4和圖5給出了ITO和IWO中O1s光電子能譜的變化趨勢(shì)?？梢钥闯?，ITO和IWO系統(tǒng)中氧元素以O(shè)1s的形態(tài)存在，且均存在2種或者3種結(jié)合能，表明氧與不同的物質(zhì)結(jié)合或者氧所處化學(xué)環(huán)境有差異。結(jié)合能較高一端來(lái)源于薄膜表面松散結(jié)合的氧，如吸附氧；結(jié)合能較低的一端來(lái)源于晶格氧，如SnxOy，InxOy及WxOy等氧化物。

圖4 ITO薄膜中O1s光電子能譜Fig.4 O1shigh resolution XPS spectra of ITO films under different gamma flux

從圖4中ITO的O1s變化圖譜可以看出，輻照前后氧元素的價(jià)態(tài)沒(méi)有變化，但隨著輻照劑量的增加，結(jié)合能低的峰位先減少后增加（見(jiàn)表4），即晶格氧的比例先減小后增大，說(shuō)明薄膜系統(tǒng)在γ射線作用下發(fā)生了不同種類元素與氧之間結(jié)合的轉(zhuǎn)換。而結(jié)合能在530eV附近對(duì)應(yīng)的是In－O的結(jié)合能，531eV附近與Sn－O的結(jié)合能相近，所以在γ射線環(huán)境下，高能γ光子首先破壞結(jié)合能低的In－O鍵，之后實(shí)現(xiàn)不同元素（In／Sn等）與氧之間的重組。而IWO薄膜中，隨著輻照劑量的增加，結(jié)合能較高的峰位比例一直增加，如圖5及表4所示；說(shuō)明γ射線的輻照引起IWO薄膜表面吸附氧的增加，晶格氧的比例有所下降。推測(cè)IWO薄膜系統(tǒng)在伽馬射線輻照下相對(duì)穩(wěn)定，化學(xué)鍵的斷裂重組沒(méi)有ITO系統(tǒng)中劇烈，表現(xiàn)為游離的吸附氧比例較大。根據(jù)XPS的分析結(jié)果可以推測(cè)γ射線作用于TCO薄膜的機(jī)理，可能是能量極高的γ光子破壞系統(tǒng)中結(jié)合能較低的化學(xué)鍵，并在該化學(xué)環(huán)境下實(shí)現(xiàn)元素之間的選擇性重組，同時(shí)伴隨氧空位的產(chǎn)生。γ射線作用下造成化學(xué)鍵斷裂及重組也曾見(jiàn)于部分文獻(xiàn)研究［21－22］。

圖5 IWO薄膜中O1s光電子能譜Fig.5 O1shigh resolution XPS spectra of IWO films under different gamma flux

表4 ITO及IWO中O1s高結(jié)合能端占比隨輻照劑量變化Table 4 Proportion of higher binding energy oxides in ITO and IWO films under different gamma flux

2.6 樣品缺陷分析

采用22Na放射源作為正電子源，入射到樣品的慢正電子能量為0.03～20.03keV連續(xù)可調(diào)。正電子入射深度根據(jù)公式R＝（40／ρ）E1.6計(jì)算，式中R為入射深度（單位nm），ρ為材料密度（單位g／cm3），E為入射正電子能量（單位keV）。多普勒展寬譜通過(guò)高純鍺探測(cè)器探測(cè)正電子湮沒(méi)產(chǎn)生的γ光子，使用S和W兩個(gè)參數(shù)來(lái)表征湮沒(méi)性質(zhì)。采集到γ能譜總的峰值能量范圍是501.00～521.00keV，S參數(shù)定義為能量范圍在510.24～511.76keV內(nèi)的計(jì)數(shù)與總的峰值（501.00～521.00keV）計(jì)數(shù)之間的比率，對(duì)應(yīng)動(dòng)量較低的價(jià)電子湮沒(méi)機(jī)率；W參數(shù)定義為能量范圍在513.6～516.9keV和505.10～508.40keV內(nèi)的計(jì)數(shù)與總的峰值（501.00～521.00keV）計(jì)數(shù)之間的比率，對(duì)應(yīng)動(dòng)量較高的核心電子湮沒(méi)機(jī)率。空位型缺陷處，原子的缺失造成核心電子密度降低，價(jià)電子密度相對(duì)增高，S參數(shù)相對(duì)無(wú)缺陷材料要增大，而W參數(shù)減小。

圖6～10為ITO及IWO薄膜樣品經(jīng)過(guò)正電子湮沒(méi)測(cè)試之后的譜圖。S－E曲線、W－E曲線、S－W曲線均可以反映出薄膜基底系統(tǒng)的4個(gè)部分：淺表面層，薄膜本身，膜基結(jié)合過(guò)渡層，基底。ITO及IWO薄膜厚度分別為200nm和430nm，通過(guò)公式R＝（40／ρ）E1.6推算，ITO及IWO薄膜與基底的結(jié)合處對(duì)應(yīng)入射正電子能量分別為10keV和15keV。透明導(dǎo)電氧化物薄膜的導(dǎo)電機(jī)理，是通過(guò)在薄膜中引入缺陷，包括氧空位、間隙原子或者外來(lái)雜質(zhì)等，在禁帶中形成缺陷能級(jí)，從而改變氧化物薄膜的導(dǎo)電性能，形成透明導(dǎo)電氧化物。ITO和IWO作為N型透明導(dǎo)電氧化物，氧空位缺陷和摻雜替位是其導(dǎo)電的原因，載流子為負(fù)電型。從圖8中發(fā)現(xiàn)，輻照之后各區(qū)間段S－W曲線的斜率沒(méi)有改變，說(shuō)明在各層中缺陷和輻照之前的類型一樣，并沒(méi)有新的缺陷類型產(chǎn)生。從圖6與圖7中可以看出，ITO薄膜輻照前后S及W參數(shù)沒(méi)有明顯變化，說(shuō)明空位型缺陷并沒(méi)有明顯增多，結(jié)合XPS中結(jié)果，結(jié)合能較低的峰位先減少后增加，推測(cè)在γ光子作用下，結(jié)合能低的In－O鍵被破壞并實(shí)現(xiàn)不同元素與氧之間的重組。而對(duì)于IWO薄膜，從圖6發(fā)現(xiàn)，隨著輻照劑量的增加，S參數(shù)在薄膜與基底結(jié)合附近（約15keV處）有少量增加，S參數(shù)的增加說(shuō)明與正電子湮沒(méi)的動(dòng)量較低的價(jià)電子增加；同時(shí)從圖7發(fā)現(xiàn)，W參數(shù)在薄膜與基底界面處有下降，說(shuō)明與正電子湮沒(méi)的動(dòng)量較高的核心電子減少；S參數(shù)與W參數(shù)的以上變化表明薄膜中空位缺陷增多，結(jié)合圖5中XPS結(jié)果，推測(cè)是產(chǎn)生了氧空位。從圖9和圖10中ITO及IWO的ΔS／S－E曲線可以發(fā)現(xiàn)dS／S基本在2%以內(nèi)，可以認(rèn)為缺陷濃度變化較小。同時(shí)從曲線中得出，薄膜的淺表面層和膜基界面處受到γ射線的影響更多些，而薄膜本身受到的影響相對(duì)較小。IWO在ΔS／S－E曲線中薄膜層的變化比ITO在相應(yīng)區(qū)間的變化稍明顯，在XPS

在云南，北進(jìn)長(zhǎng)江、南下珠江、溝通兩洋（太平洋、印度洋）、連接三亞（東亞、東南亞、南亞）的水運(yùn)通道正在建設(shè)，干支相通、江海直達(dá)，與其他交通運(yùn)輸方式“無(wú)縫”銜接、協(xié)調(diào)發(fā)展的水路交通運(yùn)輸體系正在形成。

圖6 ITO及IWO樣品S－E曲線Fig.6 S－Ecurve of ITO and IWO films in PAT tests

圖7 ITO及IWO樣品W－E曲線Fig.7 W－Ecurve of ITO and IWO films in PAT tests

圖8 ITO及IWO樣品S－W參數(shù)曲線

圖9 ITO樣品ΔS／S－E曲線Fig.9 ΔS／S－E curve of ITO films in PAT tests

Fig.8 S－Wcurve of ITO and IWO films in PAT tests圖譜中表現(xiàn)為高結(jié)合能端游離態(tài)吸附氧的比例增加。從以上分析可以推測(cè)，γ射線輻照可以破壞結(jié)合能較低的化學(xué)鍵，并在薄膜中實(shí)現(xiàn)不同元素與氧之間的重組，同時(shí)引起氧空位的少量增加。

圖10 IWO樣品ΔS／S－E曲線Fig.10 ΔS／S－E curve of IWO films in PAT tests

3 結(jié)束語(yǔ)

本文研究了兩種透明導(dǎo)電氧化物ITO及IWO薄膜在γ射線輻射環(huán)境下的行為及性質(zhì)改變。研究結(jié)果表明，γ射線輻照之后，ITO及IWO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能稍有變差，ITO薄膜更易受到γ射線的影響；γ射線對(duì)透明導(dǎo)電氧化物薄膜的表面形貌影響很小，但大劑量γ射線能抑制ITO及IWO薄膜的結(jié)晶。ITO及IWO薄膜在γ射線作用下各元素價(jià)態(tài)均沒(méi)有變化，但兩種薄膜中O1s均包含不同種類的氧，γ輻照條件下會(huì)發(fā)生重組。同時(shí)，ITO及IWO薄膜樣品中的氧空位缺陷稍有增加。本文提出，γ射線輻照環(huán)境下，能量極高的伽馬光子可以破壞系統(tǒng)中結(jié)合能較低的化學(xué)鍵，并在該化學(xué)環(huán)境下實(shí)現(xiàn)元素之間的選擇性重組，同時(shí)伴隨著氧空位的產(chǎn)生。γ射線對(duì)薄膜的影響主要集中在薄膜淺表面層及薄膜與基底的界面處。試驗(yàn)結(jié)果表明ITO及IWO薄膜具有良好的抗伽馬射線輻照性能，IWO比ITO性能更穩(wěn)定。該結(jié)果可以為深空探測(cè)環(huán)境下航天器涂層的材料選擇與設(shè)計(jì)提供一定參考。

鑒于設(shè)備的局限性，在γ射線地面模擬試驗(yàn)中，對(duì)于深空探測(cè)中出現(xiàn)的γ射線暴的模擬仍有不足，在后續(xù)科學(xué)研究中有待進(jìn)一步改進(jìn)。

致謝 感謝中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所在正電子湮沒(méi)試驗(yàn)測(cè)試和結(jié)果分析中的協(xié)助。

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（編輯：高珍）

Research on gamma rays irradiation resistance properties of transparent conductive oxide thin films

OUYANG Qi，WANG Wenwen＊，HAO Weichang
School of Physics and Nuclear Energy Engineering，Beihang University，Beijing 100191，China

Tungsten－doped indium oxide thin films（In2O3：W，IWO）with good optical and electrical properties were prepared on glass substrates by radio frequency（RF）reactive magnetron sputtering method.Tin－doped indium oxide thin films（In2O3：Sn，ITO）were purchased industrial production.All these films were irradiated by gamma rays with different amount of flux in a ground－based simulation system close to the environment of deep space.Changes in characteristics including microstructure，surface morphology，chemical states，optical and electrical properties were compared between IWO and ITO films after irradiation.The variations of defects in films before and after irradiation were measured by positronannihilation technique（PAT）.As a result，oxygen vacancy defects were emerged in ITO and IWO films after irradiation especially in the surfaces and interfaces.It is indicated that gamma rays have influence on transparent conductive oxide thin films by knocking chemical bonds with lower binding energy and producing oxygen vacancies.Recombination between different elements and oxygen may be selective while chemical states keep constant.Both ITO and IWO films possess suitable anti－gamma rays irradiation properties.And IWO films are more appropriate as anti－gamma rays protective coatings in deep space exploration than ITO films.Key words：tungsten－doped indium oxide thin films；tin－doped indium oxide thin films；gamma rays；optical and electrical properties；positron annihilation technique

V254.2

A

10.16708／j.cnki.1000－758X.2017.0065

2016－12－29；

2017－02－19；錄用日期：2017－06－29；網(wǎng)絡(luò)出版時(shí)間：2017－08－11 10：31：08

http：∥kns.cnki.net／kcms／detail／11.1859.V.20170811.1031.004.html

國(guó)家自然科學(xué)基金（50902006）；航空科學(xué)基金（2012ZF51006）

歐陽(yáng)琪（1992－），男，碩士研究生，ooyyqqbh＠163.com，研究方向?yàn)橥该鲗?dǎo)電氧化物薄膜的抗輻照性能

＊通訊作者：王文文（1980－），女，副教授，08569＠buaa.edu.cn，研究方向?yàn)橥该鲗?dǎo)電氧化物薄膜的設(shè)計(jì)、制備及在太陽(yáng)能電池、紅外隱身和光催化領(lǐng)域的應(yīng)用

歐陽(yáng)琪，王文文，郝維昌.透明導(dǎo)電氧化物薄膜的抗伽馬輻照性能研究［J］.中國(guó)空間科學(xué)技術(shù)，2017，37（4）：

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