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        共基板小型化微帶天線陣去耦技術(shù)研究

        2017-04-13 05:44:08朱艷玲廖林魏景輝
        中國新通信 2017年5期
        關(guān)鍵詞:小型化

        朱艷玲+廖林+魏景輝

        【摘要】 本文研究了共基板小型化微帶天線陣去耦技術(shù),用以增加微帶天線陣元間的隔離度,從而提升天線陣性能。通過應(yīng)用調(diào)整陣元間距、天線陣元排布方向和采用微波光子晶體結(jié)構(gòu)等三種去耦技術(shù),能夠使天線陣元隔離度提高3dB以上,在小型化衛(wèi)星接收設(shè)備研制方面具有可觀的應(yīng)用前景。

        【關(guān)鍵詞】 共基板天線陣列 去耦 微波光子晶體結(jié)構(gòu) 小型化

        一、引言

        多陣元微帶天線陣列作為衛(wèi)星導(dǎo)航抗干擾終端設(shè)備的最前端, 其性能與接收效果直接相關(guān)。目前導(dǎo)航設(shè)備逐漸向集成化、小型化發(fā)展,天線陣列體積相應(yīng)減小,隨之帶來耦合增大、增益降低的問題,無可避免地降低了天線的輻射效率[1]。當(dāng)天線陣元間距小于四分之一波長時,陣元之間的互耦就會變得特別劇烈,并隨著陣元間距的進一步減小而急劇增大。因此,在布陣面積受限的天線陣設(shè)計中,如何降低天線之間的耦合成為一個研究的熱點。

        二、去耦關(guān)鍵技術(shù)

        2.1 增大陣元間距

        天線陣元間距直接影響陣元隔離度。增大陣元間距,能使天線隔離度在寬頻段得到整體改善。同一個北斗二號B3頻點微帶天線陣列,當(dāng)陣元間距分別為、、和時,隔離度數(shù)值如表1所示,可以得出結(jié)論,陣元間距越大,隔離度越好。

        在陣列地板尺寸固定的情況下,只能通過采用天線陣元小型化設(shè)計的方法來增大陣元間距:如采用共高介電常數(shù)介質(zhì)基片設(shè)計[2];在貼片上開槽,增加電流路徑;短路銷釘或器件加載[3]等。

        2.2調(diào)整天線陣元排布方向

        如圖1左圖所示,天線陣元分布為方陣,陣元之間是平移關(guān)系。因此相鄰的貼片輻射邊平行正對,陣元中心的連線與輻射邊垂直,易使微帶天線在工作頻段產(chǎn)生較強的表面波耦合,使隔離度變差。

        如圖2右圖所示,天線陣形分布為圓陣,陣元之間是旋轉(zhuǎn)關(guān)系,相鄰陣元中心的連線與輻射邊呈45°角,卻能使輻射邊耦合到的TM模表面波能量減小。

        這兩種情況下的隔離度曲線如圖2所示??梢缘贸鼋Y(jié)論,圓陣分布的天線陣元耦合更小,隔離更好,因此小型天線陣優(yōu)選圓陣分布陣列。

        2.3微波光子晶體結(jié)構(gòu)

        在共基板小型化天線陣結(jié)構(gòu)中,基板的大小和厚度已定,因此電感量固定不變。而電容主要由小貼片間縫隙電容大小來決定 [4]。針對此特定的天線結(jié)構(gòu),結(jié)合工程實際,采用高阻抗面微波光子晶體結(jié)構(gòu)[5],如圖3所示:

        在天線陣元間排列5行40列周期性排列的方形小金屬貼片組成的高阻抗面微波光子晶體結(jié)構(gòu),此小貼片陣列與微帶天線共面,每一個貼片中心都有一個短路通孔,與大接地板相連,如圖4所示。

        在光子晶體等效電路中,當(dāng)小貼片單元間距約為時,帶隙中心頻率的可調(diào)整自由度達(dá)到最高,能在相應(yīng)頻帶出現(xiàn)較顯著的帶隙效應(yīng)[6]。故能很好地抑制基板上的表面波,改善天線間的隔離度。

        三、計算機仿真與分析

        HFSS仿真模型如圖 4 所示:先創(chuàng)建一個共基片的小型化微帶天線陣列,基板直徑設(shè)置為190mm,厚度6mm,相對介電常數(shù) 6。四個B3貼片天線諧振在1268.52MHz,其貼片邊長為30mm,饋點位置偏移中心4mm,陣元間距為68mm()。

        然后設(shè)置微波光子晶體結(jié)構(gòu)各項參數(shù):加入5行40列的小貼片正方形,其邊長為3mm,過孔半徑為0.5mm。單元與單元之間的間隙寬度是0.4mm,過孔與過孔之間的距離為4mm。

        在不影響天線駐波比和仰角增益的情況下,通過數(shù)值算法反復(fù)優(yōu)化,調(diào)整各個參數(shù)變量,使隔離度達(dá)到最優(yōu)。最終仿真結(jié)果如圖5所示:加入高阻型微波光子晶體的基板呈現(xiàn)出顯著的帶隙特性,在1.23~1.30GHz出現(xiàn)了明顯頻率禁帶,有力抑制了落入此帶范圍內(nèi)的表面波,使其比普通基板隔離度在指定頻段改善了3dB以上。

        四、結(jié)論

        通過研究小型化天線陣去耦技術(shù),分析了針對共基板小型化微帶天線陣的隔離措施。得出以下結(jié)論:增大天線間距,能使天線隔離度在寬頻段得到整體改善;固定天線間距,將共基板微帶天線陣元呈圓陣分布,其隔離度較佳;應(yīng)用高阻型光子晶體結(jié)構(gòu),在采用以上兩種措施的基礎(chǔ)上,能進一步能使天線工作頻段的隔離度提高3dB以上,因此具有可觀的應(yīng)用前景。

        參 考 文 獻

        [1] 謝處方.近代天線理論.成都:成都電訊工程學(xué)院出版社,1987,208~220

        [2] 趙菲,董平,柴舜連,毛鈞杰。共基板微帶天線隔離技術(shù)研究。微波學(xué)報,2008,24(4):46~48

        [3] 鐘順時.微帶天線理論與應(yīng)用.西安:西安電子科技大學(xué)出版社,1998,21~25

        [4] Yablonovitch E. Inhibited spontaneous emission in solidstate physics and electronics[J]. Phys Rev Lett,1987, 58: 2059~2062

        [5] 林寶勤, 袁乃昌。微波光子晶體電磁特性研究。 國防科技大學(xué)研究生院。2006。

        [6] 閆敦豹, 張國華, 高 強, 袁乃昌等. EBG 結(jié)構(gòu)在微帶天線陣中的應(yīng)用[J]. 微波學(xué)報, 2005,21(增刊): 75~78

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