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        L波段介質(zhì)型大功率徑向合成器設(shè)計(jì)分析

        2017-04-13 23:18:44閆紹卿
        中國新通信 2017年5期
        關(guān)鍵詞:功率放大

        閆紹卿

        【摘要】 徑向波導(dǎo)的功率合成器因?yàn)榫哂泻铣尚矢邇?yōu)點(diǎn)而得到了廣泛應(yīng)用,同時(shí)也得到了人們的重視。徑向合成器的性能受其設(shè)計(jì)的影響較大,合理的設(shè)計(jì)會(huì)使徑向合成器的性能得到提升,并且在具體應(yīng)用中發(fā)揮更好的作用,因此加強(qiáng)對(duì)其設(shè)計(jì)的分析具有現(xiàn)實(shí)意義。

        【關(guān)鍵詞】 介質(zhì)型 徑向合成器 功率放大

        目前常用的和成功率方法的種類有很多,其中比較常用的方法有二進(jìn)制合成法和徑向合成法。前者在具體實(shí)時(shí)過程中,簡單方便,并且具有安全可靠特點(diǎn),但是該方法在應(yīng)用中有個(gè)致命的缺點(diǎn),隨著合成級(jí)數(shù)的增加,合成效率將會(huì)逐漸降低,這將會(huì)對(duì)其應(yīng)用造成不良影響。而后者則具有功率容量大、合成效率高等缺點(diǎn),但是該方面在具體實(shí)施上,工藝相對(duì)來說更加復(fù)雜,并且穩(wěn)定性也偏低,因此對(duì)其應(yīng)用過程中,需要加強(qiáng)對(duì)相應(yīng)的徑向合成器設(shè)計(jì)的研究。

        一、設(shè)計(jì)徑向合成器的結(jié)構(gòu)

        設(shè)計(jì)的徑向合成器的結(jié)構(gòu)有中心探針、徑向波導(dǎo)、周圍探針三個(gè)部分共同構(gòu)成。中心探針在徑向波導(dǎo)中能夠起到激勵(lì)波的作用。從結(jié)構(gòu)上看,分布子徑向波動(dòng)合成器的內(nèi)外探針都是對(duì)陣的,由于場(chǎng)的波分布是對(duì)稱的,因此分布在外圍各探針的激勵(lì)電磁場(chǎng)也是相同的[1]。

        此外,需要注意,雖然對(duì)稱分布探針列使徑向波動(dòng)內(nèi)部電磁場(chǎng)分布發(fā)生了改變,但是電磁場(chǎng)的整體分布仍然是對(duì)稱分布的。在各個(gè)外圍探針分布著相同的電場(chǎng),這也確保了探針獲取從波導(dǎo)耦合中獲取相同的能量,確保探針列能夠?qū)崿F(xiàn)等功率分配。

        二、構(gòu)建徑向合成器模型

        利用HFSS完成對(duì)徑向合成器模型構(gòu)建,同時(shí)要做好相應(yīng)的仿真計(jì)算。依據(jù)最注重的仿真結(jié)果,完成對(duì)合徑向合成器結(jié)構(gòu)尺寸的合理優(yōu)化,然后依據(jù)最終的優(yōu)化結(jié)果,確定結(jié)構(gòu)尺寸。確定的結(jié)構(gòu)尺寸如下:圓盤高度與半徑分別為41.5mm和76.5mm;中心探針的高度和半徑分別為28.5和8.0mm;周圍探針高度和半徑分別為12.0和12.0mm;周圍探針與中心探針距離為43.0mm。

        通過分析可發(fā)現(xiàn),電場(chǎng)能量在周圍探針上均勻分布,在某端口饋入的信號(hào)的功率大小為10kW,形成的最大場(chǎng)強(qiáng)大小為285kV/m,該數(shù)值與聚四氟乙烯介質(zhì)的擊穿電壓相比,要小很多,因此在具體應(yīng)用中,并不需要擔(dān)心發(fā)生擊穿問題,這也使徑向合成內(nèi)部本身具有不錯(cuò)的高功率容量,提高了其應(yīng)用性能[2]。

        在具體設(shè)計(jì)中,選用7/16型連接器,通過大量的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),可以確定該連接其承受的電功率容量大小約為 1.48kW,N型連接器在具體應(yīng)用中能夠承受的功率容量大小約為0.28kW,由此可以判斷徑向合成的功率容量可以達(dá)到千瓦量級(jí),在應(yīng)用中能夠發(fā)揮出不錯(cuò)的效果。

        通過試驗(yàn)可以判斷,頻段在處于1-2GHz階段時(shí),每個(gè)支路的振幅大小都相同,反射系數(shù)不會(huì)超過-15.4dB,插損數(shù)也不會(huì)超過0.16dB。通過觀測(cè)相位的具體情況也可以發(fā)現(xiàn),不同支路的相位都處于一致,各個(gè)支路相位差不會(huì)超過0.5°,因此相位差對(duì)該系統(tǒng)合成效率也不會(huì)造成較大影響。通過各項(xiàng)仿真結(jié)果來看,徑向波動(dòng)合成器理論效率可以超過97.5%,因此在應(yīng)用中可以發(fā)揮不錯(cuò)的效果。

        三、徑向合成器組裝與測(cè)試

        介質(zhì)型徑向功率合成器部件其組裝過程如下:金屬腔體結(jié)構(gòu)、腔體內(nèi)包含聚四氟乙烯截介質(zhì)塊、將介質(zhì)放入到金屬腔體內(nèi)。

        測(cè)試合成器,主要是針對(duì)測(cè)試無源系統(tǒng)的傳輸系統(tǒng)數(shù)和發(fā)射系數(shù)進(jìn)行測(cè)試。在測(cè)試過程中需要應(yīng)用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,具體測(cè)試的頻率大小集中在1GHz-2GHz范圍內(nèi),在測(cè)試時(shí),六個(gè)輸入端口中的一個(gè)端口與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀器進(jìn)行連接,其余五個(gè)端口在標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載端口相連。

        通過具體測(cè)試能后獲取到徑向功率合成器的反射系數(shù)和傳輸系數(shù),由試驗(yàn)結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),整體上來說,徑向功率合成器傳輸系數(shù)相對(duì)來說比較平緩,其波動(dòng)主要集中在-7.85到 -8.05dB之間,而插入損耗則為0.28-0.32dB之間;1GHz頻點(diǎn)周圍,徑向功合成反射系數(shù)的最大值為-11.92dB,總的來說,實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)與仿真結(jié)果之間的吻合度很高,因此各項(xiàng)內(nèi)容都能夠滿足設(shè)計(jì)中的具體要求,最終設(shè)計(jì)的徑向功率能夠發(fā)揮出應(yīng)有的作用[3]。在具體測(cè)試過程中,涉及到的六個(gè)端口,每個(gè)端口的傳輸系數(shù)的相位都保持一致。測(cè)試中也可以發(fā)現(xiàn)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)要與仿真結(jié)果相比略小,并且會(huì)存在一定波動(dòng),實(shí)測(cè)與相對(duì)發(fā)展結(jié)果來說插損較大,但是考慮到加工和裝配都存在誤差,因此具有一定的誤差還是可以接受的。

        四、結(jié)束語

        徑向合成器的應(yīng)用越來越廣泛,其在具體應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)各種各樣的問題,因此在應(yīng)用之前,要對(duì)其設(shè)計(jì)進(jìn)行合理分析,使其更加合理,從而發(fā)揮出更好的性能。

        參 考 文 獻(xiàn)

        [1]張園,奚松濤. 一種3路徑向高功率合成器的設(shè)計(jì)[J]. 現(xiàn)代雷達(dá),2016,(02):62-65.

        [2]邵美婷,寧曰民,劉祖深. 一種新型的漸變脊徑向波導(dǎo)空間功率合成器設(shè)計(jì)[J]. 計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制,2014,(11):3787-3789.

        [3]王海龍,廖秋平,楊光. 寬帶徑向功率合成器設(shè)計(jì)[J]. 電子信息對(duì)抗技術(shù),2011,(04):64-68.

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