廖橋生,張祥金,李豪杰,沈 娜
(南京理工大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院,江蘇 南京 210094)
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軌道炮彈丸所處強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境屏蔽設(shè)計(jì)與仿真
廖橋生,張祥金,李豪杰,沈娜
(南京理工大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院,江蘇 南京210094)
針對(duì)電磁發(fā)射過程中產(chǎn)生的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)發(fā)射包內(nèi)電子器件產(chǎn)生較強(qiáng)干擾問題,采用COMSOL中PDE模塊對(duì)電磁發(fā)射過程中的速度趨膚效應(yīng)進(jìn)行仿真計(jì)算,建立軌道炮的面電流分布模型和脈沖電流模型;采用趨膚效應(yīng)理論分析電磁屏蔽原理,建立了屏蔽效能評(píng)估方法,并設(shè)計(jì)了一種屏蔽體模型。分別采用導(dǎo)電、導(dǎo)磁材料設(shè)計(jì)了單層、多層組合屏蔽體,用COMSOL中磁場(chǎng)模塊計(jì)算離彈底不同距離處的強(qiáng)磁場(chǎng)屏蔽效果,得出在離電樞較近時(shí),導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料的屏蔽效能較低,屏蔽體距離電樞越遠(yuǎn)時(shí),導(dǎo)電材料的屏蔽效能不變,導(dǎo)磁材料的屏蔽效能逐漸提高,距離電樞100 mm時(shí)屏蔽效能達(dá)到34 dB。軌道炮磁場(chǎng)的低頻特性使得導(dǎo)電材料的屏蔽效能較低,高磁通密度使得導(dǎo)磁材料的屏蔽效能較低,得出彈丸內(nèi)智能電子元器件應(yīng)置于遠(yuǎn)離電樞的彈頭。
電磁軌道炮;低頻強(qiáng)磁場(chǎng);趨膚效應(yīng);磁場(chǎng)屏蔽
電磁軌道炮是利用電磁力將發(fā)射包加速到超高速,使電源電能轉(zhuǎn)換為宏觀物體動(dòng)能的新概念武器,可用于摧毀空間低軌衛(wèi)星,攔截來襲導(dǎo)彈,侵徹坦克裝甲以及發(fā)射小型衛(wèi)星等[1]。目前電磁軌道炮的研究主要是用于發(fā)射動(dòng)能彈,但國(guó)內(nèi)外逐漸開始考慮利用電磁軌道炮發(fā)射攜帶含有控制電路的智能彈藥或小型衛(wèi)星等[2]。處于電磁軌道炮有效載荷中的電子器件在膛內(nèi)發(fā)射過程將承受比常規(guī)火炮發(fā)射更惡劣的環(huán)境:除了更高的過載,還有脈沖大電流在導(dǎo)軌與電樞上產(chǎn)生的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng);電樞相對(duì)導(dǎo)軌高速滑動(dòng)摩擦產(chǎn)生的等離子體輻射;出炮口瞬間軌道炮回路磁通突變感應(yīng)產(chǎn)生的瞬態(tài)強(qiáng)電場(chǎng);軌道炮電樞與導(dǎo)軌摩擦產(chǎn)生的高溫度場(chǎng)等。其中軌道炮特有的脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)是電子元器件受到的最主要電磁干擾,脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)的高磁通密度將導(dǎo)致智能彈藥的磁敏感探測(cè)元件及用于彈道修正控制的電機(jī)等部件失靈,而其在出炮口瞬間感應(yīng)產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)則對(duì)絕大多數(shù)電子器件產(chǎn)生致命的破壞[3]。
目前,國(guó)外對(duì)軌道炮發(fā)射過程中膛內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境的研究較多,但國(guó)內(nèi)寥寥無幾。基于此,筆者建立了考慮速度趨膚效應(yīng)的軌道炮面電流模型,結(jié)合近似于電容放電的雙指數(shù)脈沖放電方式,分析膛內(nèi)脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)空間分布規(guī)律與頻譜特性;然后分別采用導(dǎo)電、導(dǎo)磁材料設(shè)計(jì)了單層、多層組合屏蔽體,用COMSOL中磁場(chǎng)模塊計(jì)算離彈底不同距離處的強(qiáng)磁場(chǎng)屏蔽效果;最后考慮增加屏蔽體厚度以及多種材料組合等情況下,考察屏蔽體的效能是否提高。
1.1導(dǎo)軌與電樞上的速度趨膚效應(yīng)分析
電磁軌道炮發(fā)射過程中,電樞相對(duì)于導(dǎo)軌的高速運(yùn)動(dòng)會(huì)導(dǎo)致膛內(nèi)電樞后側(cè)的磁場(chǎng)快速變化,根據(jù)楞次定律會(huì)在導(dǎo)軌和電樞中產(chǎn)生反向電流,而且越靠近導(dǎo)軌外側(cè)和電樞前方反向電流越大,從而使得磁場(chǎng)與電流集中在導(dǎo)軌內(nèi)側(cè)邊緣與電樞后邊緣,引起速度趨膚效應(yīng)[4]。而且電樞與導(dǎo)軌的相對(duì)速度越大,趨膚效應(yīng)越明顯,導(dǎo)致電流更加在導(dǎo)軌內(nèi)側(cè)邊緣和電樞后邊緣集中。筆者基于文獻(xiàn)[5]的軌道炮磁擴(kuò)散理論,參考文獻(xiàn)[6]所設(shè)計(jì)的40 mm口徑軌道炮和試驗(yàn)用U形鋁電樞,建立軌道炮電樞運(yùn)動(dòng)速度趨膚模型并進(jìn)行有限元分析。仿真得到電樞與導(dǎo)軌相對(duì)速度分別為500、1 000、1 500 m/s時(shí)的電流流線分布,其中,t=0.5ms時(shí)刻的電流流線分布如圖1所示。
通過分析速度趨膚效應(yīng)對(duì)電流分布的影響,可以發(fā)現(xiàn)電樞與導(dǎo)軌相對(duì)速度越大,電流越集中于導(dǎo)軌內(nèi)邊緣和電樞后邊緣。以1 000 m/s的速度趨膚效應(yīng)為參考,建立電磁軌道炮的面電流分布模型。根據(jù)文獻(xiàn)[7]的軌道炮尺寸,建立了口徑40 mm,長(zhǎng)度200 mm,導(dǎo)軌厚度30 mm的面電流模型。如圖2所示,其中導(dǎo)軌長(zhǎng)度200 mm,滿足4倍口徑原則[4]。
1.2軌道炮脈沖電流模型
目前試驗(yàn)用的軌道炮電源主要采用高儲(chǔ)能電容器組模塊組成脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(Pulse Forming Net-work,PFN),通過控制各模塊的放電時(shí)序得到不同的脈沖電流,其中,單個(gè)電容器放電模型近似于雙指數(shù)脈沖分布模型。由于仿真條件所限,采用雙指數(shù)脈沖分布模擬軌道炮脈沖電流,可表示為
I=A[e-a(t-t0)-e-b(t-t0)]
(1)
式中:a、b分別為波尾、波前時(shí)間常數(shù)的倒數(shù);A為幅值系數(shù);t0為擬合后波形的原點(diǎn)。
以文獻(xiàn)[7]的雙指數(shù)脈沖電流模型作為軌道炮脈沖電流,取脈沖電流峰值1MA,峰值時(shí)刻在0.51ms,從而求得A為1.449×e6,a為504s-1,b為4 862s-1,得到如圖3所示的軌道炮脈沖電流模型。
2.1軌道炮膛內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境分析
結(jié)合面電流模型與脈沖電流模型,采用COMSOL 4.3b軟件進(jìn)行仿真,仿真布局如圖4所示,其中電樞剩余寬度5 mm,絕緣體厚度10 mm,虛線方框?yàn)榭疾烀鍿,各考察點(diǎn)相距10 mm,考察點(diǎn)A距離絕緣層10 mm。仿真得到各考察點(diǎn)的磁通密度曲線如圖5所示。
對(duì)考察點(diǎn)A處的磁場(chǎng)進(jìn)行快速傅立葉變換,得到如圖6所示A點(diǎn)處的脈沖磁場(chǎng)幅頻特性曲線,主要頻率成分集中在2 kHz以下的低頻段。
2.2軌道炮低頻強(qiáng)磁場(chǎng)的屏蔽機(jī)理
根據(jù)條件的不同,電磁屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽3種情況。靜電屏蔽利用封閉導(dǎo)體殼內(nèi)電場(chǎng)不受殼外電荷或電場(chǎng)的影響,采用導(dǎo)電率較高的材料;靜磁屏蔽利用磁路的原理,采用導(dǎo)磁率較高的材料;電磁屏蔽的原理是利用電磁場(chǎng)在導(dǎo)體中的趨膚效應(yīng)[8]。
對(duì)于軌道炮來說,主要的干擾環(huán)境包括脈沖電流在導(dǎo)軌上形成的低頻強(qiáng)磁場(chǎng);強(qiáng)脈沖電流回路突然斷路引起的瞬態(tài)強(qiáng)電場(chǎng);以及由脈沖電源閉合與等離子體形成所產(chǎn)生的瞬態(tài)強(qiáng)電磁輻射。其中,瞬態(tài)強(qiáng)電場(chǎng)和強(qiáng)電磁輻射都是高頻電磁場(chǎng),應(yīng)該采用良導(dǎo)體作為屏蔽材料;低頻強(qiáng)磁場(chǎng)由于頻率非常低,需采用導(dǎo)磁材料。由于導(dǎo)磁材料具有磁飽和現(xiàn)象,磁場(chǎng)強(qiáng)度大于一定值時(shí)將無法屏蔽,所以低頻強(qiáng)磁場(chǎng)是軌道炮電磁場(chǎng)屏蔽的瓶頸。
組合屏蔽交替使用多層導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料,由于導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料的波阻抗相差大,交替組合可以增加磁場(chǎng)在層間反射損耗[9]。同時(shí),導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料交替布置可降低進(jìn)入導(dǎo)磁材料內(nèi)的磁通,保證低頻磁場(chǎng)下的導(dǎo)磁材料的磁通分流機(jī)理有效。
2.3屏蔽效能評(píng)估模型
屏蔽效能定義為在屏蔽前與屏蔽后2種情況下,給定位置處的磁通密度絕對(duì)值之比,以dB表示[10]。對(duì)于軌道炮發(fā)射時(shí)域過程,屏蔽前后的膛內(nèi)磁通密度峰值時(shí)刻不一致,定義屏蔽后求解面上平均屏蔽效能為
(2)
式中,Bwo_avg與Bw_avg分別為屏蔽前后求解面上平均磁通密度的峰值。
3.1屏蔽方案設(shè)計(jì)
[7]軌道炮方型炮膛口徑、智能彈藥外形及電子元器件的布局,參考文獻(xiàn)[10]中屏蔽體外形設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案,以及考慮30 mm智能彈藥的尺寸限制,設(shè)計(jì)了一種圓筒形屏蔽體,并加蓋密封,屏蔽體外徑φ26 mm,高30 mm,側(cè)壁厚度均暫取2 mm,如圖7所示。計(jì)算面M位于屏蔽體正中間,將其中心點(diǎn)b分別置于圖4中B、C、D、E、F、G、H、I、J考察點(diǎn)處,觀察各考察點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
3.2導(dǎo)電材料屏蔽仿真
采用導(dǎo)電材料銅作為屏蔽體材料,考察其對(duì)軌道炮膛內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)的屏蔽效果。
利用COMSOL AC/DC磁場(chǎng)模塊建立如圖7所示的屏蔽體,屏蔽體中心點(diǎn)位于不同考察點(diǎn)時(shí),考察屏蔽體中心點(diǎn)和面平均屏蔽效能情況,得到圖8所示屏蔽后不同位置屏蔽體中心點(diǎn)的磁通密度時(shí)域曲線,導(dǎo)體中的磁擴(kuò)散效應(yīng)使得各考察點(diǎn)的磁場(chǎng)峰值時(shí)刻出現(xiàn)了不同程度延遲。
參考銅屏蔽體的屏蔽效能所示數(shù)據(jù),對(duì)比發(fā)現(xiàn)不同位置處的屏蔽效能相差不大,且與面平均效果一致,這是因?yàn)閷?dǎo)電材料的相對(duì)磁導(dǎo)率為1,不存在磁飽和現(xiàn)象所致。由于軌道炮膛內(nèi)磁場(chǎng)的低頻特性限制,導(dǎo)電材料渦流消除機(jī)理的屏蔽效果較差。
3.3導(dǎo)磁材料屏蔽仿真
由于軌道炮脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)的低頻特性特點(diǎn),導(dǎo)電材料的屏蔽效能有限,本節(jié)選擇飽和磁通密度較高的導(dǎo)磁材料低碳鋼AISI 1008 Steel和高磁導(dǎo)率的坡莫合金Mumetal,忽略渦流損耗與磁滯行為,考察屏蔽體中心點(diǎn)分別置于圖4中各考察點(diǎn)處時(shí),屏蔽體對(duì)軌道炮膛內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)的屏蔽效果。
導(dǎo)磁材料與導(dǎo)電材料的區(qū)別在于其相對(duì)磁導(dǎo)率較高,但是相對(duì)磁導(dǎo)率隨著外部磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化,當(dāng)大于材料飽和磁通密度Br時(shí),材料的微分磁導(dǎo)率μdiff滿足μdiff=dB/dH=1,本文以磁場(chǎng)強(qiáng)度H與磁通密度B的非線性關(guān)系描述導(dǎo)磁材料的磁本構(gòu)關(guān)系。由于磁場(chǎng)計(jì)算自變量為磁矢勢(shì)A,磁通密度B為磁矢勢(shì)A的散度,為避免計(jì)算中定義循環(huán)變量,將導(dǎo)磁介質(zhì)中的磁場(chǎng)強(qiáng)度H表示成磁通密度B的函數(shù)形式H=f(|B|)。圖9為插值得到的低碳鋼AISI 1008 Steel和坡莫合金Mumetal的H-B曲線,內(nèi)插與外推方式均為線性。
利用COMSOL AC/DC磁場(chǎng)模塊計(jì)算不同材料組成的屏蔽體中心點(diǎn)在不同考察點(diǎn)處時(shí)的屏蔽效能,得到屏蔽體中心點(diǎn)和面平均屏蔽效能,如表1所示。
表1 電流峰值時(shí)刻屏蔽體在不同位置處的屏蔽效能
對(duì)比表1中AISI 1008、Mumetal和銅3種屏蔽材料的屏蔽效能,發(fā)現(xiàn)在屏蔽體中心位于B、C處時(shí),由于軌道炮磁場(chǎng)的高磁通密度使得導(dǎo)磁材料飽和,使得導(dǎo)磁材料的相對(duì)磁導(dǎo)率接近于1,由于其導(dǎo)電性不如導(dǎo)電材料,所以導(dǎo)磁材料的屏蔽性能反而比導(dǎo)電材料更低,銅的屏蔽效能最好;屏蔽體中心位于D、E、F、G、H、I、J考察點(diǎn)時(shí),磁飽和度較高的AISI 1008未達(dá)到磁飽和,其屏蔽效能最好;在各個(gè)位置,由于Mumetal的飽和磁通密度較低,一直處于磁飽和狀態(tài),導(dǎo)致 Mumetal的高磁導(dǎo)率未能轉(zhuǎn)化為高屏蔽效能。
3.4屏蔽體內(nèi)部不同位置處的屏蔽效能比較
依據(jù)圖9所設(shè)計(jì)的屏蔽體形狀,當(dāng)屏蔽體中心點(diǎn)b位于考察面S的B點(diǎn)時(shí),屏蔽體內(nèi)a點(diǎn)和c與考察面S的A點(diǎn)和C點(diǎn)重合,從而可以計(jì)算得到屏蔽體內(nèi)部不同位置對(duì)同一考察點(diǎn)的屏蔽效能,如表2所示。
表2 電流峰值時(shí)刻屏蔽體內(nèi)不同位置處的屏蔽效能
仿真結(jié)果表明,當(dāng)同一考察點(diǎn)分別位于屏蔽體a、b、c點(diǎn)時(shí),AISI 1008屏蔽體的屏蔽效能依次減弱,而銅屏蔽體的屏蔽效能依次增強(qiáng)。對(duì)比可知,屏蔽體的組成材料的不同,屏蔽體內(nèi)部不同位置處的屏蔽效能不同,這為多層組合屏蔽的設(shè)計(jì)提供了參考。
3.5多層組合屏蔽
受軌道炮膛內(nèi)磁場(chǎng)低頻特性與高磁通密度影響,單層導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料屏蔽體對(duì)軌道炮磁場(chǎng)防護(hù)效果有限。在此基礎(chǔ)上考慮多層組合屏蔽,組合屏蔽體交替使用多層導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料,增加磁場(chǎng)在層間反射損耗[10]。依據(jù)圖7屏蔽體的形狀,初步考察3層組合屏蔽,采用“銅-AISI 1008”、“AISI 1008-銅”、“銅-AISI 1008-銅”及“AISI 1008-銅-AISI 1008”4種方案。屏蔽體總厚度2mm,各層厚度一樣。將屏蔽體中心點(diǎn)分別置于考察點(diǎn)B、J處,得到4種組合屏蔽體在磁飽和和未飽與條件下的屏蔽性能,如表3所示。
表3 電流峰值時(shí)刻不同組合屏蔽體的面屏蔽效能 dB
仿真結(jié)果表明:在考察點(diǎn)B,4種組合屏蔽體都處于磁飽和狀態(tài),峰值時(shí)刻的面屏蔽效能都低于單層銅的屏蔽效能,高于單層AISI 1008的屏蔽效能;在考察點(diǎn)J,4種組合屏蔽體都未處于磁飽和狀態(tài),峰值時(shí)刻的面屏蔽性能都高于單層銅的屏蔽效能,低于單層AISI 1008的屏蔽效能;對(duì)于雙層屏蔽體,“銅-AISI 1008”比“AISI 1008-銅”的屏蔽效能要好;對(duì)于3層屏蔽體,“銅-AISI 1008-銅”組合的屏蔽效果與“AISI 1008-銅-AISI 1008”組合各有優(yōu)勢(shì)。
對(duì)比表3中各組數(shù)據(jù),組合屏蔽雖未能顯著提高屏蔽效能,但是綜合了導(dǎo)電材料和導(dǎo)磁材料的特性,綜合性能提高,在處于磁飽和情況下,屏蔽效能高于單層AISI 1008的屏蔽效能,在未處于磁飽和情況下,屏蔽效能高于單層銅的屏蔽效能。
3.6增加屏蔽體厚度
分別采用導(dǎo)電材料和導(dǎo)磁材料作為屏蔽體材料,導(dǎo)電材料選用銅,導(dǎo)磁材料選用低碳鋼AISI 1008,考察屏蔽體厚度分別為2、3、4 mm。將屏蔽體中心點(diǎn)分別置于考察點(diǎn)B、J處,考察屏蔽體的面平均屏蔽效能,得到同一材料不同厚度屏蔽體在飽和與未飽和條件下的屏蔽性能,如表4所示。
表4 電流峰值時(shí)刻不同屏蔽體厚度的面平均效能 dB
仿真結(jié)果表明,增加屏蔽厚度后,銅和AISI 1008的屏蔽效果都顯著提高,在4 mm厚度下,AISI 1008屏蔽體在距離電樞100 mm的J點(diǎn)屏蔽效能達(dá)到34 dB。從而得到無論是導(dǎo)電材料還是導(dǎo)磁材料,增加屏蔽體厚度能夠快速提高屏蔽效能,但是智能彈藥對(duì)質(zhì)量和體積的要求限制了屏蔽體的厚度,因此在達(dá)到所要求的屏蔽效能后,屏蔽體厚度應(yīng)該越輕薄越好。
筆者通過對(duì)軌道炮彈丸所處強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境屏蔽設(shè)計(jì)與仿真分析,對(duì)不同屏蔽材料、屏蔽體位于電樞前方不同距離、屏蔽體內(nèi)部不同位置等情況下的屏蔽效果進(jìn)行了研究,得出如下結(jié)論:
1)仿真計(jì)算的結(jié)果顯示,在離電樞較近時(shí),導(dǎo)電材料與導(dǎo)磁材料的屏蔽效能較低,屏蔽體距離電樞越遠(yuǎn)時(shí),導(dǎo)電材料的屏蔽效能不變,導(dǎo)磁材料的屏蔽效能逐漸提高。在導(dǎo)磁材料沒有飽和的情況下,4 mm厚度單層AISI 1008屏蔽體在距離電樞100 mm時(shí)屏蔽效能達(dá)到34 dB。因此,彈丸內(nèi)智能電子元器件應(yīng)置于遠(yuǎn)離電樞的彈頭。
2)通過研究屏蔽體內(nèi)不同位置處的屏蔽效能,得出屏蔽體內(nèi)各考察點(diǎn)距離電樞越遠(yuǎn),導(dǎo)磁材料的屏蔽效能逐漸降低,而導(dǎo)電材料的屏蔽效能逐漸提高。
3)在原屏蔽體厚度不變情況下,分別計(jì)算“銅-AISI 1008”、“AISI 1008-銅”、“銅-AISI 1008-銅”及“AISI 1008-銅-AISI 1008”4種多層組合屏蔽的面平均屏蔽效能,結(jié)果表明多層組合屏蔽雖未能顯著提高屏蔽效能,但綜合了導(dǎo)電材料和導(dǎo)磁材料的特性,綜合性能提高。
4)在屏蔽體材料和內(nèi)部形狀不變的情況下,增加屏蔽體厚度能夠顯著提高屏蔽效能,但智能彈藥對(duì)質(zhì)量和體積的限制,使得屏蔽體厚度只能在一定的范圍之內(nèi)。
仿真計(jì)算表明,有效屏蔽軌道炮發(fā)射過程中產(chǎn)生的膛內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)是可行的,以上結(jié)論可為未來軌道炮智能彈藥屏蔽設(shè)計(jì)者提供參考。
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Simulation of In-bore High Magnetic Shielding for Railgun Projectile
LIAO Qiaosheng, ZHANG Xiangjin, LI Haojie,SHEN Na
(School of Mechanical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing210094, Jiangsu China)
The pulsed high magnetic field during electromagnetic launching will have a significant impact on electronic components in projectile. Simulated is PDE module simulating the speed skin effect during railgun launching in COMSOL with a surface current distribution model and pulse current model of the railgun built. The skin effect theory is used to analyze the electromagnetic shielding principle with the shielding effectiveness evaluation method established and a kind of shield model designed. The high conductivity material and high permeability material were used respectively to design single-layer, multi-layer composite shield with magnetic field module in COMSOL used to simulate the shielding effect at different distances from the bottom of projectile. When the shielding is near the armature, the shielding effectiveness of high conductivity material and high permeability material are all poor; or when the shielding is farther away from the armature, the shielding effectiveness of the high conductivity material is invariant with the shielding effectiveness of the high permeability material gra-dually improved with the shielding effectiveness being over 34dB within 100mm from the armature. The low frequency feature and high magnetic flux density characteristics limit the shielding effectiveness of high conductivity material and high permeability material, so the electronic components in projectile should be placed in warhead away from the armature.
electromagnetic railgun; low frequency high magnetic field; skin effect; magnetic field shielding
10.19323/j.issn.1673-6524.2016.02.014
2015-08-24
裝備預(yù)研基金(9140C300106150C30001)
廖橋生(1991—),男,碩士研究生,主要從事探測(cè)制導(dǎo)與控制技術(shù)研究。E-mail:l_q_s@qq.com
TM153.5
A
1673-6524(2016)02-0067-06
火炮發(fā)射與控制學(xué)報(bào)2016年2期