辛世煊
(中國石油天然氣股份有限公司石油化工研究院中國石油天然氣集團(tuán)公司合成樹脂重點實驗室,北京100195)
碳化硅(SiC),又稱為莫桑石(Moissanite),在外空間富含C的紅外星球上是非常普通的物種,其天然產(chǎn)物在地球上卻非常罕見,目前純天然的SiC只在少數(shù)隕石中被發(fā)現(xiàn)。自人類在19世紀(jì)初認(rèn)識其特殊的工程技術(shù)價值后,經(jīng)歷了200多年的發(fā)展,SiC已經(jīng)成為航空航天、核能工業(yè)、半導(dǎo)體、特種化工、特殊光學(xué)材料、拋光和切削工具等行業(yè)不可或缺的戰(zhàn)略性工程陶瓷材料。連續(xù)碳化硅長絲纖維是近年來備受材料界關(guān)注的新型高性能非金屬陶瓷纖維,它不但密度小(大約3.2 g/cm3)、比強(qiáng)度大(1.5~4 GPa)、比模量高(100~450 GPa)、線膨脹系數(shù)小(≤10-5),而且具有耐高溫、耐腐蝕、高強(qiáng)度的特點。連續(xù)碳化硅長絲纖維與其他陶瓷、金屬、以及聚合物樹脂等有很好的復(fù)合相容性,是高性能復(fù)合材料的理想增強(qiáng)纖維。連續(xù)碳化硅長絲纖維的增強(qiáng)材料和碳化硅復(fù)合材料已被成功地用于航天(航天飛機(jī)、載人和載物宇宙?zhèn)}),航空(渦輪發(fā)動機(jī)高熱部件),國防(軍用飛機(jī)發(fā)動機(jī)高熱部件、導(dǎo)彈高熱部件),核能工業(yè)(耐高溫耐高劑量輻射部件),以及化學(xué)工業(yè)的高溫腐蝕環(huán)境(低壓高溫腐蝕性液體和氣體輸送泵關(guān)鍵部件)。表1中列出部分非金屬和金屬合金材料與連續(xù)碳化硅長絲纖維材料的物理和機(jī)械性能比較數(shù)據(jù)。
目前制備連續(xù)碳化硅長絲纖維主要包括以下關(guān)鍵工藝路線:從小分子有機(jī)硅化合物合成有機(jī)硅聚合物(化學(xué)轉(zhuǎn)化,聚合化學(xué));有機(jī)硅聚合物的溶液或熔漿紡絲(物理形態(tài)轉(zhuǎn)化);初紡絲的不溶不熔化處理(交聯(lián),化學(xué)轉(zhuǎn)化);有機(jī)硅聚合物到無機(jī)SiC的高溫轉(zhuǎn)化(高溫?zé)峤?,化學(xué)轉(zhuǎn)化)。其中有機(jī)硅聚合物的組成(Si/C比)和支化與交聯(lián)程度直接影響SiC產(chǎn)物的組成、收率和微結(jié)構(gòu),而不溶不熔處理(交聯(lián))工藝的選擇將在很大程度上影響產(chǎn)物SiC材料的純度、組成和微結(jié)構(gòu),從而影響連續(xù)碳化硅長絲纖維的物理機(jī)械性能。
連續(xù)碳化硅長絲纖維的生產(chǎn)可概括為以下4個關(guān)鍵技術(shù):①前驅(qū)體有機(jī)硅聚合物的合成,即將適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)硅單體化學(xué)轉(zhuǎn)化為高分子量的聚硅烷(PS),使其溶液或熔融態(tài)有足夠高的粘度,可進(jìn)行濕法或干法紡絲。②前驅(qū)體有機(jī)聚硅烷的成型——紡絲。根據(jù)有機(jī)聚硅烷的性質(zhì)選擇濕法(可溶性粘溶液)或干法(不溶性聚硅烷在一定溫度下熔融形成高粘度熔漿)紡絲工藝。基于有機(jī)聚硅烷的高度親氧和親水性,紡絲是在惰性氣體環(huán)境(氮?dú)饣驓鍤?中進(jìn)行。根據(jù)聚硅烷的分子量和交聯(lián)程度,以及溶液或熔融態(tài)的粘度特性等,初紡絲的直徑一般在150 μm以下,好的可以小于10 μm左右。③前驅(qū)體成型絲的不溶不熔化處理——PS側(cè)鏈取代基重排與化學(xué)交聯(lián)。不溶不熔化處理是將初紡纖維原絲(熱塑性結(jié)構(gòu))置于一定溫度的介質(zhì)中使纖維分子經(jīng)過橋聯(lián)結(jié)合得更加緊密而成為不溶不熔、且具有一定韌性和可操作性纖維(熱固性結(jié)構(gòu))的過程。干燥的初紡絲無韌性,容易脆裂,形態(tài)無法保持,必須經(jīng)過不溶不熔處理(交聯(lián))才能保持長絲的形態(tài),以保證高溫?zé)峤鈺r長絲不易熔結(jié)并絲。經(jīng)過不熔化處理的纖維的脆性明顯減弱,具備一定的抗拉性和撓曲性,細(xì)絲連續(xù)纖維合股后可承受較大的拉伸負(fù)荷而不發(fā)生斷裂。成熟的交聯(lián)工藝有空氣氧化交聯(lián)、熱交聯(lián)、化學(xué)氣相交聯(lián)和輻射交聯(lián)。④從交聯(lián)有機(jī)硅聚合物到無機(jī)高聚物的轉(zhuǎn)化——高溫?zé)峤?。高溫?zé)峤馐抢w維從交聯(lián)的有機(jī)硅聚合物到無機(jī)β-SiC微晶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)化過程。它包括兩個基本的化學(xué)反應(yīng):①從以硅為主鏈的交聯(lián)聚硅烷向以硅碳交替主鏈結(jié)構(gòu)的交聯(lián)聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)的轉(zhuǎn)化(也有文獻(xiàn)認(rèn)為這一轉(zhuǎn)化在交聯(lián)過程中已經(jīng)開始進(jìn)行),這一轉(zhuǎn)化的溫度一般在200~380℃;②在400~800℃使小分子烷烴和氫分子脫離生成無定形SiC;從1 000~1 600℃,無定形SiC逐漸發(fā)生結(jié)晶化反應(yīng)生成微晶結(jié)構(gòu)的β-SiC,纖維密度增加,纖維的強(qiáng)度和韌性大幅度提高,最終成為連續(xù)碳化硅長絲纖維材料。
表1 部分非金屬和金屬合金材料與連續(xù)碳化硅長絲纖維材料的物理和機(jī)械性能比較Table 1 Comparison of physical and mechanical properties of selected non-metal and metal alloys with continuous SiC filament
前驅(qū)體有機(jī)硅聚合物的合成是從有機(jī)硅小分子單體經(jīng)縮合反應(yīng)得到具有一定分子量和一定交聯(lián)程度的有機(jī)硅聚合物。所得有機(jī)硅聚合物是Si-Si單鍵為主鏈的聚硅烷,含碳有機(jī)基團(tuán)鍵合在硅主鏈上。根據(jù)出發(fā)有機(jī)硅單體的類型,有機(jī)聚硅烷的合成可分為下述5種基本類型。
脫鹵素偶合法是合成有機(jī)硅聚合物研究最早和使用最多的方法之一。類似于有機(jī)化學(xué)中碳鹵鍵與堿金屬之間的伍茲反應(yīng)(Wurtz Reaction)形成C-C單鍵,消除堿金屬鹵化物的反應(yīng),多鹵有機(jī)硅烷單體在堿金屬作用下在一定溫度范圍內(nèi)可同樣生成Si-Si單鍵,消除堿金屬鹵化物。反應(yīng)式(1)是典型的這類反應(yīng),最早被用于合成連續(xù)SiC長絲纖維前驅(qū)體聚合物——聚二甲基硅烷(PDMS),得到數(shù)均分子量Mn=1 500 g/mol的低分子量聚合物[1-2]。
上述得到的聚二甲基硅烷可以熔融紡絲,或用苯的高粘度溶液紡絲。PDMS的初紡絲必須經(jīng)過所謂的Kumada重排反應(yīng)[3-5],生成具有如式(2)所示的 Si-C 交替鍵合主鏈的聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)結(jié)構(gòu)后,其絲才具有適當(dāng)?shù)臋C(jī)械強(qiáng)度,從而在后續(xù)的一系列操作中保持原絲的形態(tài)不變。雖然經(jīng)過Kumada重排之后Si-C交替的PCS主鏈的柔韌性增加,PCS原絲依然是一種低分子量的聚合物,紡絲過程中除了沿PCS分子的長軸排列外,原絲纖維基本上是PCS分子的無序堆積,其強(qiáng)度依然很低,是易溶、易熔的脆性纖維。
以二氯二甲基硅烷為原料脫鹵素偶合制備PDMS作為連續(xù)碳化硅長絲纖維的前驅(qū)體聚合物,具有原料來源廣、價格便宜、制備工藝簡單的特點。其最大的缺陷在于聚合物中C/Si的比例大,因此理論上SiC陶瓷的收率低于69%,而且終燒SiC纖維中,C/Si的比例遠(yuǎn)大于1(以日本碳素的Nicalon纖維為例,C/Si接近1.4)。過量C的存在使連續(xù)碳化硅長絲纖維的高溫物理機(jī)械性能受到相當(dāng)?shù)膿p害。因此,合成C/Si比1∶1的聚硅烷前驅(qū)體來降低終燒纖維中C/Si比例曾經(jīng)吸引了相當(dāng)?shù)淖⒁饬?。美國?lián)合碳化物公司(Union Carbide)[6-9]和麻省理工大學(xué)D.Seyferth[10-11]領(lǐng)導(dǎo)的研究組分別從二氯甲基硅烷(MeSiHCl2)單體出發(fā),用脫鹵素偶合法合成了C/Si比為1的聚甲基硅烷(MeSiH)n(Polymethylsilane,PMS)。但PMS高溫?zé)峤獾腟iC陶瓷收率卻非常低,而且陶瓷中存在過量的硅。由此可見,由反應(yīng)式(2)所代表的Kumada重排反應(yīng),實際上進(jìn)行的很不徹底,殘留在側(cè)鏈的甲基在高溫?zé)峤鈺r容易以自由基的形式脫離而導(dǎo)致陶瓷中過量的Si存在。這一點同樣可以從PDMS熱解制備PCS的反應(yīng)中得到答案,因為終燒SiC纖維中C/Si比為1.4,而 PDMS中的 C/Si比為2,在 Kumada重排反應(yīng)生成PCS的過程中,或者更準(zhǔn)確的說,在高溫?zé)峤膺^程中有60%側(cè)鏈甲基以自由基或其他方式被消除。
開環(huán)聚合(Ring Opening Polymerization,ROP)的前提是原料有機(jī)硅單體必須是具有張力的小環(huán)結(jié)構(gòu)。利用小分子硅碳環(huán)(如1,3-二硅代環(huán)丁烷)的張力,在適當(dāng)?shù)拇呋瘎┳饔孟?,可以直接合成PCS鏈狀聚合物,而無需經(jīng)過效率甚低的Kumada重排反應(yīng)式(2)。ROP合成有機(jī)硅PCS的一般反應(yīng)可用反應(yīng)式(3)代表[12]。ROP法的優(yōu)點是根據(jù)催化劑的用量和反應(yīng)溫度可合成相對高分子量的PCS(Mw>40 kDa),從而得到高粘度的PCS聚合物,易于紡絲。但其單體需要經(jīng)過如反應(yīng)式(4)所示的多步合成,耗時、費(fèi)力、也不經(jīng)濟(jì)。
ROP的另外一個缺陷是,當(dāng)使用多步合成的含鹵素的環(huán)硅烷單體時,所得聚碳硅烷含有與硅等摩爾比的氯需要后續(xù)化學(xué)處理消除,最有效的反應(yīng)是使用能提供活性氫的堿金屬氫化物等。
催化脫氫偶合(CDhC)反應(yīng)制備有機(jī)聚硅烷的前提是單體中必須含有兩個以上的活性Si-H鍵。CDhC法合成有機(jī)硅聚合物,特別是合成C/Si比為1.0的聚甲基硅烷(PMS)是此類反應(yīng)中最典型的反應(yīng)選擇,如反應(yīng)式(5)所示。
CDhC法合成的PMS純度高,聚合物中C/Si比嚴(yán)格等于1.0。特別值得推薦的是加拿大John Harrod實驗室發(fā)明的CDhC聚合體系[13]。當(dāng)使用二甲基金屬茂(Cp'2M Me2,M=Ti,Zr,Cp'=環(huán)戊二烯及其衍生物)作為催化劑前體,添加環(huán)烯烴為混合溶劑時,體系中的金屬茂絡(luò)合物同時又是催化加氫的有效催化劑,將反應(yīng)式(5)生成的分子氫催化加成到環(huán)烯烴的雙鍵上。因此,簡單檢測體系的壓力可監(jiān)測反應(yīng)的進(jìn)行程度。典型反應(yīng)在甲苯和過量的環(huán)烯烴中,使用鈦茂或鋯茂催化劑和壓力為1 MPa的甲基硅烷氣體(MeSiH3),在60℃下進(jìn)行。副產(chǎn)物分子氫同時被催化加成到環(huán)烯烴而消耗。因甲基硅烷氣體在甲苯中的溶解度以及反應(yīng)本身是分步增長聚合反應(yīng),因此一般要達(dá)到90%以上的單體轉(zhuǎn)化需要超過100 h的反應(yīng)時間,得到甲苯/烷烴可溶的PMS溶液。當(dāng)甲基硅烷單體完全消耗后,活性金屬茂催化劑開始催化聚甲基硅烷(PMS)高分子鏈間的脫氫偶合交聯(lián)反應(yīng)。明顯的特征是溶液的粘度逐漸增大,最終達(dá)到膠體狀態(tài)。在高聚物溶液到達(dá)凝膠狀態(tài)之前,高度交聯(lián)的高粘度PMS溶液具有足夠好的流動性,允許有效加工以得到較好的陶瓷收率(≥75%,900℃)和高純度連續(xù)碳化硅長絲纖維[13-14]。
CDhC合成聚甲基硅烷的單體,可以從三氯甲基硅烷(MeSiCl3)或二氯甲基硅烷(MeSiHCl2)與氫化鋰鋁(LiAlH4)反應(yīng)制備,得到的甲基硅烷氣體需要純化和冷卻液化在鋼瓶內(nèi)存儲。甲基硅烷也可以從二甲基硅氧烷(H2MeSiOSiMeH2)或聚甲基硅氧烷(MeHSiO)n催化Si-H和Si-O鍵復(fù)分解岐化反應(yīng)生成聚甲基硅氧烷和甲基硅烷氣體(MeSiH3)。后一種方法制備的甲基硅烷氣體純度高無需純化,可直接使用[15-16]。
硅氫化反應(yīng)(Hydrosilation)制備有機(jī)硅聚合物是利用催化Si-H鍵加成到不飽和有機(jī)基團(tuán)(如C=C雙鍵)上的專一反應(yīng)合成主鏈含Si-C-Si或Si-C-C-Si交替結(jié)構(gòu)的PCS聚合物的一類反應(yīng)[17-19]。以反應(yīng)(6)所示的典型反應(yīng)為例,有機(jī)硅單體必須含有Si-H鍵和有機(jī)不飽和官能團(tuán)(乙烯基)。反應(yīng)中Si-H鍵主要加成到β-位生成以Si-CH2CH2-Si為主的聚碳硅烷線型鏈,而加成到α-位生成支化鏈的幾率不大。
硅氫化反應(yīng)制備有機(jī)硅聚合物時,分子量的大小和聚合物收率與反應(yīng)介質(zhì)有密切關(guān)系。在非極性溶劑中反應(yīng)所得聚合物的分子量和收率相對較低,而在高極性介質(zhì)(如氯苯)中反應(yīng)所得聚合物的分子量和收率都較高。由硅氫化反應(yīng)合成的這些PCS,高溫?zé)峤馑锰沾僧a(chǎn)率也相對高(50% ~70%)。其缺陷是聚碳硅烷中C/Si的比例大,終燒SiC陶瓷中含有過量的C,有的終燒陶瓷中C/Si比竟高達(dá)3.2∶1。再因催化硅氫化反應(yīng)和后續(xù)的復(fù)分解脫鹵素反應(yīng)涉及含O溶劑,加上比較長的合成操作過程,終燒碳化硅陶瓷中不可避免地含有一定量的O。過量的C和O無疑極大地影響陶瓷纖維的高溫物理機(jī)械性能。
Dow-Corning公司研究人員發(fā)現(xiàn)Rochow法合成有機(jī)硅化合物的副產(chǎn)物硅烷二聚體的混合物MeCl2Si-SiCl2Me、Me2ClSi- SiCl2Me、Me2ClSi- SiClMe2,可 以在適當(dāng)條件下進(jìn)行催化岐化反應(yīng),生成高度交聯(lián)的有機(jī)硅聚合物,如反應(yīng)(7)和反應(yīng)(8)[20-22]所示。
岐化反應(yīng)式(7)、式(8)的催化劑使用簡單的季銨鹽或季鏻鹽的鹵化物(如n-Bu4PCl)。上述有機(jī)硅二聚體混合物,主要是 MeCl2Si-SiCl2Me和 Me2ClSi-SiCl2Me,與n-Bu4PCl(1%,質(zhì)量分?jǐn)?shù))共同緩慢地從90℃升溫到250℃,數(shù)小時后可得到大于20%的聚甲基氯硅烷。副產(chǎn)物三氯甲基硅烷和未反應(yīng)的四甲基二氯二硅烷(Me2ClSi-SiClMe2)蒸餾除去,得到的聚硅烷可在甲苯中溶解。通過化學(xué)分析所得聚硅烷,得到其基本組成如經(jīng)驗式(MeSi≡)5.7(Me2Si=)1Cl1.9。從經(jīng)驗式可知上述聚甲基氯硅烷實際上是高度支化或二維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物。聚合物中殘留的Cl可與格氏試劑、LiAlH4、醇類、胺類、硅氧烷等有機(jī)試劑反應(yīng),從而被烷基(芳基)、氫、烷氧基、有機(jī)胺基、有機(jī)硅氧基等取代。
上述岐化和取代合成有機(jī)硅聚合物的有利之處,是使用廉價的有機(jī)硅副產(chǎn)物硅二聚體,工藝簡單。其缺陷是聚合物收率低,聚合物中殘留Cl的取代反應(yīng)費(fèi)時,且有時不完全,高溫?zé)峤馓沾墒章什桓?40%~50%)。
成形紡絲是將高濃度粘溶液或高溫熔漿從模具壓出,粘溶液絲經(jīng)溶劑揮發(fā),高溫熔漿絲經(jīng)冷卻,成為形態(tài)固定的初紡絲(原絲)的過程。根據(jù)成形絲的長度,可分為長絲纖維和短絲纖維。本文僅討論長絲連續(xù)纖維的加工工藝。
基于有機(jī)聚硅烷的高度親氧親水特性(聚甲基硅烷甚至可以在空氣中自發(fā)起火燃燒),紡絲成形必須在干燥的惰性氣氛(氬氣、氮?dú)狻錃獾?中進(jìn)行。
初紡絲(原絲)的質(zhì)量(絲的直徑和均勻度)與紡絲溶液(熔漿)的粘度、進(jìn)而與有機(jī)硅聚合物的分子量、分子量分布、聚硅烷的支化程度有直接的關(guān)系。一般來講,分子量大、分子量分布稍寬、和具有一定支化度的聚合物溶液(或熔漿)具有較好的加工操作性能,容易得到細(xì)而均勻的原絲。這是因為高分子量的溶液(熔漿),大分子之間容易纏結(jié)(Entanglement),分子量分布稍寬的體系中,小分子可作為增塑劑,支化度適當(dāng)?shù)捏w系更容易形成分子鏈之間的纏結(jié)。但分子量分布過寬時,體系中小分子組分含量增高,可揮發(fā)成分增加,影響后續(xù)高溫?zé)峤鈺rSiC的收率和纖維的質(zhì)量(小分子揮發(fā)時形成孔隙)。而支化度過高的體系容易膠化,降低或喪失溶液(熔漿)的紡絲可操作性。因此有機(jī)硅烷聚合物的合成工藝選擇(單體類型,催化劑,聚合體系溫度,溶劑極性,反應(yīng)時間)是得到理想紡絲體系的關(guān)鍵。此外,有機(jī)硅聚合物從PS到PCS的轉(zhuǎn)化、PCS的組成(Si/C比)、結(jié)構(gòu)(支化度,交聯(lián)度),都會在很大程度上影響終燒連續(xù)碳化硅長絲纖維的力學(xué)性能。
還需指出的是,除了上述開環(huán)聚合(ROP)和硅氫化反應(yīng)法直接合成聚碳硅烷(PCS)之外,其余方法合成的均為聚硅烷。聚硅烷的成形纖維原絲韌性很低,脆而易斷裂,易溶易熔,在高溫?zé)峤鈺r形態(tài)難以保持。因此纖維原絲必須經(jīng)不溶不熔化處理后纖維才具有一定的拉伸強(qiáng)度,具有一定的可操作性,高溫?zé)峤鈺r才不會熔結(jié)并絲。在實踐上,紡絲工藝是和下一步交聯(lián)工藝連續(xù)進(jìn)行的,即在惰性氣氛下壓出的纖維原絲在相同的惰性氣氛下進(jìn)入交聯(lián)工藝區(qū)進(jìn)行交聯(lián)處理。經(jīng)過交聯(lián)處理的原絲具備相當(dāng)?shù)睦鞆?qiáng)度和撓曲性,可直接卷繞到同心軸上待用,或直接進(jìn)入高溫?zé)峤夤に囘^程。
上文中指出,原絲纖維必須經(jīng)過交聯(lián)處理后才具有可操作性。原絲纖維的脆性是PS和PCS這類熱塑性材料的固有特性。
聚硅烷中一般聚合物的分子量較小(1~10 kDa),特別是由脫鹵素偶合法和岐化取代法合成的聚硅烷,其分子量均在1~5 kDa。從流變學(xué)的角度講,低分子量的聚硅烷鏈很短,分子間纏結(jié)的幾率很低,在應(yīng)力下分子鏈之間的滑移很容易。其次從分子動態(tài)力學(xué)的角度講,聚硅烷分子的剛性較大。盡管Si的共價半徑(0.114 nm)比C(0.07 nm)大40%,但因聚硅烷中Si原子上取代基多,沿Si-Si鍵的自由旋轉(zhuǎn)受阻。因此聚硅烷要達(dá)到有效的聚合物鏈之間纏結(jié)的纏結(jié)分子量(Entanglement Molecular Weight)要比以C為主鏈的聚合物(如聚烯烴)更高。聚硅烷分子鏈的高剛性可由聚硅烷在核磁共振中的馳豫時間來說明。一般C主鏈聚合物(如聚丙烯)的核磁共振馳豫時間為數(shù)秒到數(shù)十秒,而有機(jī)聚硅烷的核磁共振馳豫時間可高達(dá)數(shù)萬秒。除了Si原子磁旋比的主要因素外,還有一部分是由Si-Si鍵之間的有效旋轉(zhuǎn)受阻,分子內(nèi)的運(yùn)動自由度小造成的。
基于上述原因,初紡絲纖維基本上是PS或PCS分子沿纖維拉伸軸向的無序堆積。交聯(lián)過程中,有機(jī)PS首先在溫度200~380℃區(qū)間內(nèi)發(fā)生Kumada重排反應(yīng),側(cè)鏈的甲基插入到主鏈中,形成Si-C-Si-C交替的PCS聚合物。這一重排反應(yīng)分子量不發(fā)生變化,但分子主鏈的長度在理論上卻增加60%,側(cè)鏈取代基減少,主鏈Si-CH2-Si間的自由旋轉(zhuǎn)阻力被大部分消除,分子剛性大幅降低。由于PCS的分子鏈長和分子柔性的雙重增加,PCS分子間的纏結(jié)幾率上升,纖維的脆性明顯降低。此外,由于PCS中Si-H鍵的反應(yīng)性,PCS在這一溫度區(qū)間可以和含不飽和化學(xué)鍵(如丁二烯,對二乙烯苯等)的化合物進(jìn)行加成反應(yīng)(熱交聯(lián)),或與反應(yīng)性氣體(氧,三氯化硼,胺等)進(jìn)行氧化交聯(lián)或化學(xué)氣氛交聯(lián),以及在電磁輻射條件下Si-H鍵之間的脫氫偶合反應(yīng)(輻射交聯(lián))。為了使先驅(qū)體PCS纖維在轉(zhuǎn)化為陶瓷纖維的后續(xù)過程中具有一定的可操作強(qiáng)度,避免在高溫處理時的熔融,熔結(jié)并絲,提高終燒SiC陶瓷的收率,并在燒成過程中能始終保持纖維的初始形狀,最終獲得具有良好力學(xué)性能的陶瓷纖維,交聯(lián)-不溶不熔化處理的工藝選擇是生產(chǎn)連續(xù)碳化硅長絲纖維至關(guān)重要的一環(huán)。
以下就現(xiàn)行商用交聯(lián)方法的利弊加以分析比較。
空氣氧化交聯(lián)(Air Oxidation Curing)是最早制備連續(xù)碳化硅長絲纖維使用的交聯(lián)方法。日本碳素公司首先使用空氣氧化交聯(lián)法生產(chǎn)了第一代商業(yè)名為Nicalon的連續(xù)碳化硅長絲纖維[23-25]。其方法是在干燥的空氣中將PCS原絲纖維按一定的不熔化處理溫度程序升溫,使PCS分子與空氣中的氧發(fā)生交聯(lián)和支化反應(yīng),由熱塑性材料轉(zhuǎn)變?yōu)闊峁绦圆牧?。PCS纖維與空氣的氧反應(yīng)主要是PCS中的Si-H鍵與空氣中氧的氧化生成Si-O-Si鍵的反應(yīng),因而是放熱和增重的反應(yīng)。而且Si-O-Si鍵是在相鄰的PCS高分子鏈間形成的,因此使纖維表面PCS分子間形成高度交聯(lián)的三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),使纖維的形狀得以保持。
空氣氧化交聯(lián)法的特點是經(jīng)濟(jì)、工藝簡單、可操作性好,一般實驗條件下就可實現(xiàn)有效的交聯(lián),適合于制備比表面積高的連續(xù)碳化硅長絲纖維。其最大的缺陷是因大量氧的引入(Nicalon的氧含量約12%),導(dǎo)致纖維的抗拉強(qiáng)度在高溫下(≥1 250℃)迅速喪失。原因是在溫度大于1 200℃時纖維中的O生成氣體CO和SiO,氣體從高密度纖維內(nèi)部生成并向外逃逸時產(chǎn)生巨大的壓力,造成纖維的大量缺陷和空隙。
聚甲基硅烷本身含有Si-H鍵,而聚二甲基硅烷經(jīng)過Kumada重排之后也產(chǎn)生Si-H鍵,見反應(yīng)式(2)。利用Si-H鍵相對高的化學(xué)反應(yīng)活性,在先驅(qū)體PMS或經(jīng)過重排的PDMS聚合物中引入乙烯基等活性基團(tuán)(如丁二烯,對二乙烯苯,二乙烯基硅烷,三乙烯基硅烷,以及四乙烯基硅烷等),可以進(jìn)行熱交聯(lián)[26]。對PDMS而言,引入含乙烯基的交聯(lián)劑會進(jìn)一步導(dǎo)致纖維中的C含量增加,不利于纖維的耐高溫性能的提高。二乙烯苯(DVB)雖然也參與與PCS鏈上的Si-H鍵的加成反應(yīng),但研究發(fā)現(xiàn),大部分DVB在高熱時發(fā)生由自由基引發(fā)的自聚反應(yīng),即PCS并未被有效交聯(lián),因此不熔化效果并不理想。用過氧化物引發(fā)體系的交聯(lián)反應(yīng),其效率不高,且交聯(lián)產(chǎn)物在熱解過程中容易發(fā)泡。金屬烷氧基化合物(如第Ⅳ族金屬的烷氧基化合物Ti(OR)3、Zr(OR)4,等)與Si-H鍵的反應(yīng)相對容易,反應(yīng)進(jìn)行的溫度比較低,交聯(lián)程度高。但無論使用有機(jī)過氧化物或第Ⅳ族金屬烷氧基化合物,都會對體系引入過量的氧,因而影響纖維的高溫工作性能,因此這些交聯(lián)方法對生產(chǎn)低氧含量或高品質(zhì)連續(xù)碳化硅長絲纖維沒有多大實用價值。
在此基礎(chǔ)上隨后發(fā)展起來的催化熱化學(xué)交聯(lián)技術(shù),綜合使用了熱交聯(lián)和化學(xué)交聯(lián)的技術(shù)。交聯(lián)過程中通過對催化劑和交聯(lián)劑的選擇和交聯(lián)溫度的控制,在惰性氣氛中使PCS纖維在催化劑的作用下發(fā)生整體的有效交聯(lián),從而獲得不溶不熔的熱固性結(jié)構(gòu)的PCS纖維。
催化熱化學(xué)交聯(lián)常用的催化劑有金屬絡(luò)合物,金屬有機(jī)化合物(如第Ⅳ族金屬的茂絡(luò)合物衍生物),有機(jī)引發(fā)劑(如有機(jī)過氧化物)等。催化熱化學(xué)交聯(lián)技術(shù)的優(yōu)點是通過催化劑的熱化學(xué)反應(yīng)使PCS生成三維空間的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),即反應(yīng)是均勻的,而不是局部的(如空氣氧化交聯(lián)反應(yīng)集中在纖維的表面),對設(shè)備的要求并不高,且交聯(lián)后的纖維含氧量低。但由于催化熱化學(xué)交聯(lián)反應(yīng)需要在無水無氧條件下進(jìn)行,所以對反應(yīng)介質(zhì)或環(huán)境的要求比較苛刻,而且對不同的PS(或PCS)聚合物,催化劑的選擇至關(guān)重要,目前只有很少幾個實驗室有能力使用這一技術(shù)。值得推薦的是John Harrod研究室發(fā)明的催化脫氫偶合制備聚甲基硅烷的工藝,其催化劑的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性都很高。在甲基硅烷單體轉(zhuǎn)化完之后,催化劑開始催化PMS鏈之間的脫氫偶合反應(yīng),得到高度交聯(lián)的PMS溶液,有利于直接抽絲成形。在更高的溫度下,催化劑還可以繼續(xù)催化纖維的脫氫偶合反應(yīng)生成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),使纖維達(dá)到不熔化,大大簡化了不熔化處理的工藝。
化學(xué)氣氛交聯(lián)(Chemical Vipor Curing)是將PCS原絲在反應(yīng)性氣氛中,并在控制的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)。美國的Dow-Corning公司使用化學(xué)氣氛交聯(lián)法首先生產(chǎn)出低氧含量的 Sylramic[27-29]商品連續(xù) SiC長絲纖維。其工藝是將PDMS紡絲并經(jīng)Kumada重排轉(zhuǎn)化為PCS,將PCS原絲通過含NO2氣體的反應(yīng)區(qū)域,使PCS原絲發(fā)生交聯(lián)而成為不熔的交聯(lián)纖維,但此纖維的含氧量很高。交聯(lián)的纖維再經(jīng)BCl3氣體處理后,在氬氣氣氛下于1 600℃熱解生成SiC陶瓷。通過對NO2氧化程度的控制,和對BCl3侵入量的控制,Dow-Corning公司首次得到含氧量低于0.1%的高密度含硼的連續(xù)SiC長絲纖維商品Sylramic,其中C/Si的比例接近化學(xué)計量比,其高溫物理機(jī)械性能均遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過日本碳素公司(Nippon Carbon)和宇部興產(chǎn)公司(Ube Industries)的產(chǎn)品Nicalon和Tyranno。Sylramic含硼連續(xù)碳化硅長絲纖維的基本性能見表2。
表2 Dow-Corning公司NO2/BCl3處理的連續(xù)碳化硅長絲纖維的基本性能Table 2 Basic properties of NO2/BCl3treated SiC continuous filament of Dow-Corning Company
僅在NO2氣氛下交聯(lián)的PCS纖維因含氧量高而耐高溫性能差。而引入硼或含硼化合物作為燒結(jié)助劑,高溫脫氧所制備的連續(xù)碳化硅長絲纖維不僅強(qiáng)度和模量高,含氧量大大降低,還可耐1 800℃以上高溫,并對先驅(qū)體和其他原料也無特殊的要求。
除了Dow-Corning公司的NO2/BCl3反應(yīng)性化學(xué)氣氛交聯(lián)工藝之外,還可以采用不飽和烴(如環(huán)己烯、庚烯、或炔烴氣體等)的蒸氣對PCS纖維進(jìn)行不熔化處理[30-31]。將數(shù)均分子量為2 kDa左右的 PCS在370℃熔融紡絲,然后在特定溫度下通入含有不飽和烴類的蒸氣,在N2氣氛下進(jìn)行不熔化處理。交聯(lián)后的纖維再于N2氣氛中經(jīng)1 300℃熱解制得含O量低于2%的連續(xù)碳化硅長絲纖維。此方法制得的SiC纖維,其抗拉強(qiáng)度在1 400℃時會迅速下降,而其彈性模量直到1 550℃仍然變化不大。而且此法制得的SiC纖維隨熱處理溫度的升高,其β-SiC微晶的晶粒增長的速度大大減緩。再一次說明化學(xué)氣氛交聯(lián)法可以抑制β-SiC晶粒的增長速度,從而有效地提高SiC纖維的高溫力學(xué)性能。
高能輻射交聯(lián)法(Irradiation Curing)根據(jù)使用的輻射源可分為高能粒子輻射(包括電子束輻射、離子束輻射、中子輻射、γ-射線輻射)和電磁波輻射(包括紫外光輻射、激光輻射、微波輻射等),其特征是在無水無氧無交聯(lián)劑的條件下進(jìn)行交聯(lián)。輻射交聯(lián)法可制備含氧量很低的SiC陶瓷纖維。
電子束輻射交聯(lián)(Electron Beam Irradiation Curing)是用在高壓電場加速下產(chǎn)生的電子束能量對PCS纖維原絲進(jìn)行照射而使其發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。由于PCS在電子束輻射下發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的過程比較緩慢,要達(dá)到必要的交聯(lián)程度(例如凝膠含量在80%以上),必須以高劑量輻射率在真空無氧工作狀態(tài)下輻照至少10 MGy以上,是普通超高分子量聚乙烯輻射交聯(lián)劑量的300~400倍,不但給輻照設(shè)備和工藝帶來非??量痰囊?,而且使材料的制造成本大幅度上升。電子束輻射交聯(lián)時電子的貫穿能力高,輻照均勻,交聯(lián)程度高而且可控。但因電子束輻射交聯(lián)法設(shè)備昂貴,工藝復(fù)雜,而且制造成本高,目前只有日本碳素(Nippon Carbon)公司采用電子束輻射交聯(lián)法生產(chǎn)新一代Nicalon連續(xù)碳化硅長絲纖維產(chǎn)品Hi-Nicalon,并于1995年投入工業(yè)化生產(chǎn)。與該公司的初代Nicalon長絲纖維相比,Hi-Nicalon纖維的含氧量低于0.2%,其高溫力學(xué)性能大幅度提高。
離子束輻射交聯(lián)(Ion Beam Irradiation Curing)是將小分子氣體(如氦氣、氬氣、甲烷氣、乙烯氣等)通過離子化源產(chǎn)生氣體離子,氣體離子經(jīng)聚焦形成離子束后對PCS原絲纖維進(jìn)行輻照交聯(lián)。因離子化設(shè)備更為復(fù)雜和昂貴,實現(xiàn)高劑量輻照更為困難,目前尚未實際應(yīng)用在連續(xù)碳化硅長絲纖維的生產(chǎn)。此外還有報道,在單晶硅表面用甲烷或乙烯粒子束輻照加工,產(chǎn)生高純度3C-SiC,而用于高性能電子器件[32-33](高純度3C-SiC具有比單晶硅更優(yōu)越的比電子遷移速率),但只處于研究階段。
中子輻射交聯(lián)(Neutron Irradiation Curing)和γ-射線輻射交聯(lián)(γ-Ray Irradiation Curing)需要高度濃縮的天然放射性元素或高能粒子加速器作為輻射源。輻射源本身非常昂貴,且對工作環(huán)境的要求(輻射源的管理、射線防護(hù)設(shè)備、勞動保護(hù)措施)和特殊設(shè)備等費(fèi)用也非同小可。目前只有為數(shù)極少的幾個特殊研究機(jī)構(gòu)具有長期從事天然放射性元素分離、富集和化學(xué)轉(zhuǎn)化的經(jīng)驗,以及相關(guān)的特殊設(shè)備,有能力從事中子輻射交聯(lián)有關(guān)的研究。而美國國家宇航局(NASA)則有特殊授權(quán)和充足的資金使用高能粒子加速器的γ-射線輻射源窗口。
與高能粒子束輻射交聯(lián)相比,電磁波輻射交聯(lián)所涉及的關(guān)鍵設(shè)備相對價格要低得多,但也存在相應(yīng)的缺陷。紫外輻射交聯(lián)(UV-Irradiation Curing)由于纖維表層對光波的吸收和屏蔽作用,交聯(lián)反應(yīng)僅限于纖維表層,很難形成交聯(lián)度足夠高的空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),且由于纖維中通常富C,表層交聯(lián)的纖維在高溫?zé)峤鈺r難以形成近化學(xué)計量比、高陶瓷產(chǎn)率的SiC纖維材料。與紫外輻射交聯(lián)相反,微波輻射交聯(lián)(Microwave Irradiation Curing)則有可能在纖維內(nèi)部形成溫度梯度,從而使纖維內(nèi)部達(dá)到較高的交聯(lián)度。表面交聯(lián)不完全的纖維在高溫?zé)峤鈺r易互相熔結(jié)并絲,達(dá)不到不熔化處理的主要目的。激光輻射交聯(lián)(Laser Irradiation Curing)可以有效地交聯(lián)多種聚碳硅烷(PCS)先驅(qū)體纖維,但因輻射面積小,生產(chǎn)效率很低。而大功率激光裝置的制造成本又太高,難以實用。因此就電磁波輻射交聯(lián)而言,目前尚無成熟的交聯(lián)處理工藝應(yīng)用于連續(xù)碳化硅長絲纖維的實際生產(chǎn)。
經(jīng)過不溶不熔處理的PCS原絲纖維雖然形成了初步的三維空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),具有一定的機(jī)械強(qiáng)度和可操作性,但PCS鏈基本上是沿著纖維軸向方向的無序堆積。雖然目前沒有確切的測定值,但可以預(yù)見此時的PCS纖維的比強(qiáng)度和比模量與其他典型有機(jī)纖維大致相同。PCS轉(zhuǎn)化為高強(qiáng)度高模量的SiC纖維必須經(jīng)過關(guān)鍵的熱化學(xué)和熱物理轉(zhuǎn)化過程。
高溫?zé)峤膺^程是在400~800℃之間脫除交聯(lián)有機(jī)PCS分子中的超過化學(xué)計量的氫和有機(jī)基團(tuán),有機(jī)PCS轉(zhuǎn)化為Si/C復(fù)合物的熱化學(xué)過程。之所以說Si/C復(fù)合物,是因為此時絕大部分Si和C在纖維內(nèi)部還是以雜亂無章的無序結(jié)構(gòu)存在,此時的纖維同樣不具有SiC纖維的高強(qiáng)度和高模量特征,從測量纖維的真密度和結(jié)晶結(jié)構(gòu)可以得到直接的證明。此時纖維的真密度一般在2 g/cm3左右,X射線衍射譜基本上是Si和C的衍射疊加。熱化學(xué)轉(zhuǎn)化過程的溫度和氣氛控制是保證高SiC收率和Si/C比的重要環(huán)節(jié)。深入研究熱化學(xué)轉(zhuǎn)化過程的熱力學(xué)和動力學(xué)機(jī)制,采取程序控溫的方法,可以最大限度保證氫和超過化學(xué)計量的含C基團(tuán)的脫除反應(yīng),得到化學(xué)計量C/Si比最接近1的Si/C復(fù)合物纖維。
熱物理轉(zhuǎn)化過程是將Si/C復(fù)合物纖維在800~1 600℃的溫度范圍內(nèi),在惰性氣氛(或特殊情況下化學(xué)反應(yīng)性氣氛)下進(jìn)行高溫焙燒。在此溫度范圍內(nèi),Si/C復(fù)合物的無序結(jié)構(gòu)逐漸向具有金剛石結(jié)構(gòu)的β-SiC微晶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化,同時化學(xué)轉(zhuǎn)化氣體逃逸時形成的微孔和缺陷逐漸消失,是纖維致密化的關(guān)鍵過程。熱物理轉(zhuǎn)化溫度的選擇與交聯(lián)PCS的組成和結(jié)構(gòu)有關(guān),因此,必然與PCS的前驅(qū)體PS的組成、結(jié)構(gòu)、分子量以及分子量分布和支化度等分子參數(shù)有關(guān)。一般熱物理轉(zhuǎn)化過程的溫度控制在900~1 500℃之間,用程序升溫等控制手段使得終燒SiC纖維的收率、結(jié)晶化程度和致密化程度達(dá)到最大和有效平衡。通常經(jīng)過熱物理轉(zhuǎn)化后的低含O量連續(xù)SiC長絲纖維的真密度2.6~3.2 g/cm3,抗拉強(qiáng)度2.6~3.0 GPa,彈性模量200~450 GPa之間。
最新研究發(fā)現(xiàn),在熱物理轉(zhuǎn)化過程中引入高溫反應(yīng)性氣氛,可以戲劇性地改變終燒SiC纖維的最終性能。Dow-Corning公司的研究人員發(fā)現(xiàn),將含O量高的連續(xù)碳化硅長絲纖維,如纖維Nicalon和Tyranno,在含B(氧化硼B(yǎng)2O3)的氣氛中進(jìn)行高溫(大于1 600℃)處理后,原纖維的含O量都大大降低,且C/Si比接近化學(xué)計量比,而密度和強(qiáng)度,特別是高溫下工作性能得到大幅度提高[34]。TEM和X射線分析表明,纖維中因氣體逃逸形成的空隙和缺陷在硼試劑的作用下,不但消失或明顯減小,而且引入B元素后SiC晶體的尺度被限制在微米或更小的范圍內(nèi),纖維內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為致密均勻。因此,B元素不但是高溫?zé)Y(jié)時有效的SiC陶瓷的致密化試劑,而且可以在高溫下有效地抑制β-SiC晶體的過分增長而導(dǎo)致纖維脆化。
經(jīng)過近40年,連續(xù)碳化硅長絲纖維經(jīng)歷了從高含O量(≥12%)到超低含O量(≤0.2%),從微量元素?fù)诫s到多種元素?fù)诫s復(fù)合材料的發(fā)展歷史。纖維的極限工作溫度突破了1 400℃,纖維的直徑φ≤10 μm,真密度從初期的2.4 g/cm3到今天逼近理論值,纖維的抗拉強(qiáng)度超過3.3 GPa,彈性模量超過450 GPa。連續(xù)碳化硅長絲纖維真正成為現(xiàn)代航空航天、國防以及高端制造業(yè)必備的戰(zhàn)略材料。40年來,不斷發(fā)展了連續(xù)碳化硅長絲纖維制造技術(shù)和工藝,形成了數(shù)量可觀的知識產(chǎn)權(quán),同時也對高品質(zhì)纖維材料的結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系進(jìn)行了大量的研究總結(jié),形成了化學(xué)、聚合物化學(xué)與物理、催化體系、熱化學(xué)和熱物理等方面系統(tǒng)的普適科學(xué)認(rèn)識和理論。
我國連續(xù)碳化硅長絲纖維的發(fā)展,經(jīng)歷了從無到有,取得長足進(jìn)步。國防科技重點實驗室研制的新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料KD-1連續(xù)碳化硅纖維,基本上達(dá)到了日本碳素公司早期產(chǎn)品Nicalon的水平,雖然抗拉強(qiáng)度和彈性模量略低于后者,但含O量低于Nicalon。因此,要突破連續(xù)長絲纖維紡絲技術(shù)和高溫結(jié)晶化致密化的技術(shù)關(guān)鍵,我們還有比較艱巨的任務(wù),我國連續(xù)碳化硅長絲纖維生產(chǎn)技術(shù)真正邁入產(chǎn)業(yè)化道路,依然任重道遠(yuǎn)。β-SiC連續(xù)長絲纖維的市場前景、技術(shù)發(fā)展空間以及新型應(yīng)用領(lǐng)域異常廣闊。
References
[1]Yajima S,Hayashi J,Omori M.Continuous Silicon Carbide Fiber of Tensile Strength[J].Chem Lett.1975,9:931 - 934.
[2]Yajima S,Okamura K,Hayashi.Structural Analysis in Continuous Silicon Carbide Fiber of High Tensile Strength[J].Chem Lett,1975,4:1 029 -1 212.
[3]Shina K,Kumada M.Notes-Thermal Rearrangement of Hexamethldisilane to Trimethyl Silane[J].J Org Chem,1958,23:139.
[4]Sakurai H,Hosomi A,Kumada M.Thermolysis of Hexamethyldisilane[J].Chem Commun,1968,930.
[5]Sakurai H,Koh R,Hosomi A,et al.The Pyrolysis of Organodisilanes[J].Bull Chem Soc Jpn,1966,39:2 050 -2 051.
[6]Schilling Jr C L,Williams T C.Polymetric Routes to Silicon Carbide:Polycarbosilanes,Polysilahydrocarbons and Vinylic Polysilanes[J].Am Chem Soc Polym Prepr,1984,25:1.
[7]Schilling Jr C L.Polymeric Routes to Silicon-Carbide[J].Brit Polym J,1986,18(6):355-358.
[8]Schilling Jr C L,Wesson J P,Williams T C.Polycarbosilane Precursors for Silicon Carbide[J].Am Ceram Soc Bull,1983,62:912-915.
[9]Schilling Jr C L.Hydrosilyl-Modified Polycarbosilane Precursors for Silicon Carbide:USA,US4472591[P],1988.
[10]Seyferth D,Sobon C A,Borm J.A New Procedure for‘Up-Grading’the Nicalon Polycarbosilane and Related Si-H Containing Organosilicon Polymers[J].New J Chem,1989,14:545-547.
[11]Seyferth D,Yu Y F.Method for Forming New Preceramic Polymers Containing Silicon:USA,US4639501[P].1987.
[12]Smith T L.Process for the Production of Silicon Carbide by the Pyrolysis of a Polycarbosilane Polymer:USA,US4631179[P].1986.
[13]Mu Y,Harrod J F.Synthesis of Poly(methylsilylene)by Catalytic Dehydrocoupling with Cp2MMe2(M=Ti,Zr)Catalysts.Inorganic and Organometallic Oligomers and Polymers,1991:23-35.
[14]Zhang Z F,Babonneau F,Laine R M,et al.Poly(Methylsilane)-A High Ceramic Yield Precursor to Silicon Carbide[J].J Am Ceram Soc,1991,74:670-673.
[15]Xin S X,Aitken C,Harrod J F,et al.Redistribution Reactions of Alkoxy-and Siloxysilanes,Catalyzed by Dimethyltitanocene[J].Can J Chem,1990,68:471 -476.
[16]Zhang Z F,Laine R M.Processing Stoichiometric Silicon Carbide Fibers from Polymethylsilane[J].J Mat Chem,1998,8:2 715-2 723.
[17]Boury B,Carpetier L,Corriu R J P.A New Way to Sic Ceramic Precursors by Catalytic Preparation of Preparation Polymers[J].Angew Chem Int Ed Engl,1990,29,785 -787.
[18]Boury B,Corriu R J P,Leclercq D,et al.Poly(Vinylsilane):A Precursor to Silicon Carbide Preparation and Characterization[J].Organometallics,1991,10:1 457-1 461.
[19]Boury B,Corriu R J P,Douglas W E.Poly(carbosilane)Precursors of Silicon[J].Chem Mater,1991,3:487 -489.
[20]Beney R H,Gaul J H,Hilty T K.Two Bioactive Pentacyclic Triterpene Esters[J].Organometallics,1983,2:859 - 862.
[21]Beney R H,Gaul J H.Process and Apparatus for Heat Laminating Film to a Substrate:USA,US4289559[P],1981.
[22]Beney R H,Gaul J H.High Yield Silicon Carbide Pre-Ceramic Polymers:USA,US4298558[P],1981.
[23]Yajima S,Okamura K,Hayashi J,et al.Synthesis of Continuous SiC Fiber with High Tensile Strength[J].J Am Ceram Soc,1976,59:324-328.
[24]Yajima S,Hayashi J,Omori M,et al.Development of SiC Fibre with High Tensile Strength[J].Nature,1976,261:683-685.
[25]Yajima S,Shishido T,Kayano H.Development of High Tensile Strength Silicon Carbide Fibre Using an Organosilicon Polymer[J].Nature,1978,273:525.
[26]Schmidt W R.Novel Precursor Approaches for CMC Derived by Polymer Pyrolysis[J].Chem Mater.1991,3,257 - 267.
[27]Rabe J A,Lipowitz J,Lu P P.Curing Preceramic Polymers by Exposure to Nitrogen Dioxide:USA,US5051215[P].1991.
[28]Deleeuw D C,Lipowitz J,Lu P P.Preparation of Substantially Crystalline Silicon Carbide Fibers from Polycarbosilane:USA,US5071600[P],1990.
[29]Lipowitz J,Rabe J A,Zank G A.Polycrystalline SiC Fibers from Organosilicon Polymers[J].Ceram Eng Sic Proc,1991,12:1 819-1 831.
[30]Hasegawa Y.New Curing Method for Polycarbosilane with Unsaturated Hydrocarbons and Application to Thermally Stable Sic Fibre[J].Comp Sci Techn,1994,51:161.
[31]Tadao N.Ultra-High-Strength Refractory Silicon Carbide Fiber and Process for Producing Same:USA,US5322822[P],1994.
[32]Tsubouchi N,Chayahara A,Mokuno Y,et al.3C-SiC Thin Epilayer Formation at Low Temperature Using Ion Beams[J].Applied Surface Science,2003,212:920-925.
[33]Daini M,Simon L,Kubler L,et al.Crystal Growth of 3C-SiC Polytype on 6h-SiC(0001)Substrate[J].Crystal Growth,2002,235:95-102.
[34]Lipowitz J,Rabe J A.Polycrystalline Silicon Carbide Fibers:USA,US5366943[P].1993.