【摘 要】本文提出了一種基于電流模取樣數(shù)據(jù)技術(shù)的可重構(gòu)模擬電路，可以與CMOS工藝實現(xiàn)兼容兼容，對細(xì)粒度開關(guān)電流型可重構(gòu)模擬模塊提出了設(shè)計方案。

一、開關(guān)電流的基礎(chǔ)理論

二、可重構(gòu)模擬單元

可重構(gòu)模擬電路的基本功能單元是可重構(gòu)模擬單元CAB.在兼顧電路功能及靈活性要求的同時，應(yīng)盡可能的使 CAB電路小規(guī)模。

（一）CAB結(jié)構(gòu)設(shè)計

CAB中M1和M2組成了電流反相器，可以實現(xiàn)對兩個采樣輸入信號的分離；M4和M5的作用是改進(jìn)型開關(guān)電流的存儲單元；M3、M6、M4、M5構(gòu)成的反饋回路對輸出電流信號起到了引入衰減作用；輸出電流按照能夠按照一定的比例是由于M7和M8組成了電流鏡。

S 1～ S3與M 1、M2構(gòu)成電流反相器為CAB輸入級是CAB中可編程開關(guān)的作用，M3、M6分別與S4、S8組成反饋通路，存儲模塊是由M4、M5與S5、S7組成的，兩個基本存儲管的連接是通過S6完成的 ，CAB輸出級是S9、S10、S 12，并構(gòu)成電流鏡（與M7、M8），S11作為控制開關(guān)作用于反饋輸出端.

（二）CAB的參數(shù)

1.通過控制字實現(xiàn)對MOS開關(guān)進(jìn)行編程，設(shè)定MOS開關(guān)狀態(tài)是通過寫寄存器進(jìn)行。

三、結(jié)論

提出了一類開關(guān)電流型可重構(gòu)模擬電路，完成了細(xì)粒度可重構(gòu)模擬單元的開關(guān)電流技術(shù)設(shè)計。開關(guān)電流型可重構(gòu)模擬電路應(yīng)用廣泛，具有很好的綜合性，具有良好的發(fā)展前景。

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