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        北京IC產(chǎn)業(yè)面臨高端化發(fā)展新機遇

        2010-12-31 00:00:00張秀杰
        投資北京 2010年9期

        隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能網(wǎng)、新能源、無線技術及其應用等新興市場和低碳概念在全球范圍興起,信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎來了第三次浪潮,集成電路(IC)作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎產(chǎn)業(yè)也迎來了新的發(fā)展機遇。而北京作為我國科技和人才的中心,再加上自身巨大市場的優(yōu)勢,不僅使得全球IC巨頭紛紛布局北京,而且還催生了一批自主創(chuàng)新能力強的本土IC企業(yè),北京IC產(chǎn)業(yè)面臨著高端化發(fā)展的態(tài)勢。

        全球IC產(chǎn)業(yè)呈五大特點

        隨著高新技術產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,IC產(chǎn)業(yè)在全球形成了以美、日、韓三國為代表的三大經(jīng)濟體。近年來,中國臺灣地區(qū)以強大的晶圓代工實力為核心,帶動上下游產(chǎn)業(yè)聯(lián)動,其綜合實力已與韓國不相上下。

        全球IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)如下特點:一是從成本上看,不可逆的價格下降壓力給IC產(chǎn)業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。由于摩爾定律的作用,集成電路單位功能成本平均每年降低25%左右,集成電路價格也逐年下降,其中存儲器電路的價格下降最為明顯。二是從技術發(fā)展趨勢看,集成電路已經(jīng)進入45納米、32納米制程技術和系統(tǒng)級芯片SoC時代,并逐步進入用碳替代硅的后CMOS時代。三是從產(chǎn)品市場看,推動全球半導體市場的動力已經(jīng)從計算機產(chǎn)品向通信及數(shù)字消費類電子產(chǎn)品轉移。四是從IC制造業(yè)全球轉移趨勢看,全球IC制造業(yè)有向亞太地區(qū)特別是中國大陸轉移的趨勢。上世紀80年代,全球芯片制造業(yè)從美國轉移到日本;上世紀90年代,韓國與中國臺灣成為芯片加工制造的主力;目前已有美、歐、日、韓等國家和我國臺灣地區(qū)的封裝測試企業(yè)和生產(chǎn)線落戶我國長三角與環(huán)渤海地區(qū)。五是從全球產(chǎn)業(yè)價值鏈來看,美國及部分歐洲國家處于價值鏈的高端,控制著標準制定、系統(tǒng)集成以及核心產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn);日本處于次高端,是世界消費電子產(chǎn)品的霸主,在微電子、光電子產(chǎn)品及計算機方面僅次于美國;韓國、新加坡以及中國臺灣地區(qū)處于中端,是關鍵元器件的生產(chǎn)基地;我國處于產(chǎn)業(yè)價值鏈的低端,主要從事一般元器件的生產(chǎn)及整機的加工和組裝。

        我國IC業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及隱憂

        受世界金融危機的影響,全球IC產(chǎn)業(yè)一路下滑,遭遇了前所未有的“行業(yè)冬天”,我國IC產(chǎn)業(yè)也受到一定影響。

        從產(chǎn)業(yè)結構來看,2009年我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展是不平衡的。其中芯片制造與封裝測試對外依存度較高,受國際市場的影響較大,出現(xiàn)了較大幅度下降,而IC設計業(yè)在內(nèi)需市場的拉動下逆勢增長。據(jù)半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,去年全年產(chǎn)業(yè)銷售額規(guī)模同比增幅為-11%;制造業(yè)因出口大幅下滑,銷售收入同比下滑13.2%;封裝測試業(yè)受外需萎縮及奇夢達(蘇州)公司破產(chǎn)保護的影響,全年銷售收入同比降幅19.5%;IC設計業(yè),受家電下鄉(xiāng)、3G網(wǎng)絡建沒、基礎設施建設等一系列刺激內(nèi)需政策的拉動,銷售額同比增長率達14.8%。

        從應用領域來看,計算機領域依然是2009年我國最大的集成電路應用市場,市場份額高達45.9%,比2008年提高了3.8個百分點。通信領域在3G建設的帶動下,市場份額也較2008年有所提升。汽車電子領域雖然市場份額較小,但近幾年來市場穩(wěn)定,2009年市場增速達10%,實現(xiàn)逆勢發(fā)展。消費類和工控類受金融危機影響最大,市場增速下降20%左右。

        從政策環(huán)境來看,自2000年,國務院頒布《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(國發(fā)[2000]18號)以來,國家陸續(xù)出臺了一系列支持IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施,2009年,《電子信息產(chǎn)業(yè)調整和振興規(guī)劃》的出臺,“核高基”國家科技重大專項的啟動,工業(yè)和信息化部、財政部電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金的持續(xù)推動,都為IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境。

        從IC設計企業(yè)發(fā)展路徑來看,一些有實力的IC設計企業(yè)已開始擺脫同質化競爭,實施差異化策略。同類IC產(chǎn)品靠性能、質量、價格和服務等綜合能力進行競爭,產(chǎn)品由原來的通用芯片向“芯片+軟件+解決方案”轉變,IC設計企業(yè)逐步形成自己獨特的“應用專利”。

        總體上看,我國IC產(chǎn)業(yè)還處于產(chǎn)業(yè)鏈的低端環(huán)節(jié),還處于發(fā)展的初級階段。具體來說有以下幾個問題:

        處于全球產(chǎn)業(yè)價值鏈低端的低附加值部分更加邊緣化。我國IC產(chǎn)業(yè)主要以制造環(huán)節(jié)“被動”嵌入全球產(chǎn)業(yè)價值鏈中。由于處于價值鏈高端的國家,將價值鏈低端的低附加值部分外包,導致我國只能依靠廉價勞動力從事低端加工制造,獲取低額利潤,也就難以積聚IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展所需的巨額連續(xù)投資,難以實現(xiàn)技術突破和產(chǎn)業(yè)升級。

        核心技術受制于人,導致RD過程“路徑依賴”。目前我國芯片技術創(chuàng)新能力主要來源于IC領域的跨國公司,本土IC企業(yè)尚未形成核心價值和可持續(xù)性優(yōu)勢,產(chǎn)品創(chuàng)新仍有賴于引進國外高端技術。而處于產(chǎn)業(yè)主導地位的國家,為保持技術壟斷和國際競爭力,嚴格控制技術和設備的出口,導致我國IC技術發(fā)展過程中形成明顯的“路徑依賴”,并在國際技術標準上受制于人。

        產(chǎn)業(yè)格局不夠優(yōu)化。從上下游產(chǎn)業(yè)格局來看,國際公認的黃金比例是設計、制造和封裝3:4:3,目前在國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)鏈中,封裝測試業(yè)所占比重最高,制造業(yè)次之,設計業(yè)所占比重最小,且多處于初創(chuàng)期。

        風險投資對我國IC產(chǎn)業(yè)的關注度減弱。2004-2006年,風險投資對“中國芯”的關注一度高漲,但近年來,由于眾多投資案例的失敗,使VC失去了信心,對IC產(chǎn)業(yè)的關注度減弱。目前我國天使投資、風險投資不發(fā)達,信用擔保體系不健全,許多高新技術企業(yè)融資渠道單一。

        北京lC產(chǎn)業(yè)的新機遇

        當前全球半導體產(chǎn)業(yè)正在進行新一輪調整,全球芯片設計企業(yè)巨頭、代工廠紛紛進軍北京市場,北京芯片市場的重要地位日益突顯,IC產(chǎn)業(yè)迎帶來了前所未有的發(fā)展機遇。

        巨大的市場潛力為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供新的RD空間。在3G手機、平板電視、便攜式數(shù)碼產(chǎn)品、汽車電子等電子市場持續(xù)增長的帶動下,北京IC市場需求大幅增長。一是安全產(chǎn)品市場,近年來用于數(shù)字認證系統(tǒng)的安全產(chǎn)品市場巨大,包括增值稅發(fā)票認證系統(tǒng)、金融數(shù)據(jù)密碼機、智能IC卡及密鑰、加密傳真機等,二是以節(jié)能減排為代表的綠色集成電路市場,目前除了LED市場外,在太陽能、風力發(fā)電等領域,我國集成電路設計企業(yè)尚未涉足。三是汽車電子市場,汽車電子領域的綜合信息平臺有巨大的市場空間,已取得一定成效的比亞迪曾提出“One Car One Wafer(芯片基材)”的口號。四是智能卡市場,雖然IC產(chǎn)業(yè)在城市的智能卡市場進入“紅?!睍r代,但農(nóng)村市場尚未涉足,農(nóng)村市場對智能卡的功耗、安全和成本提出了新的需求。

        低碳生活和物聯(lián)網(wǎng)等新興市場的發(fā)展為IC設計業(yè)提供有利契機。低碳技術和物聯(lián)網(wǎng)為嵌入式芯片技術及其產(chǎn)品的發(fā)展提供了前所未有的應用載體。嵌入式芯片是“物”的身份識別,是信息的采集、傳輸、監(jiān)控以及“物與物”之間通信、整合、互聯(lián)互通、集中管理的核心技術。要充分利用嵌入式芯片現(xiàn)實和潛在的市場,著重于新一代技術的推進和產(chǎn)品的研發(fā),使北京IC設計業(yè)做大做強。此外3C融合的潮流與3G時代的到來也為IC設計業(yè)提供了新的發(fā)展機遇。

        創(chuàng)業(yè)板為中小IC設計企業(yè)開啟上市融資大門。2009年創(chuàng)業(yè)板的推出降低了初創(chuàng)期IC設計企業(yè)上市融資的門檻,同時也增強了VC和PE等投資機構和投資人前期投人中小集成電路企業(yè)的信心,拓寬了IC設計業(yè)的融資渠道。

        北京IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑

        北京如何利用科技、人才、市場的優(yōu)勢,加快IC業(yè)高端化發(fā)展的進程,這是需要我們重點研究的問題。建議如下:

        突出重點領域,把發(fā)展IC設計業(yè)作為IC產(chǎn)業(yè)升級的突破口。IC設計業(yè)作為整個IC產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭與核心,以其知識原創(chuàng)性凸顯了創(chuàng)新的潛質及在迎合市場需求方面的巨大活力。以IC設計業(yè)為核心,帶動上下游產(chǎn)業(yè)聯(lián)動,是推動北京IC產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢。一是發(fā)展IC設計業(yè)符合首都的功能定位。相對產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)來看,芯片設計業(yè)對自然資源的要求不高,資金投入較低,利潤率較高,對優(yōu)化北京產(chǎn)業(yè)結構有積極的影響。二是北京有得天獨厚的智力資源優(yōu)勢。有大規(guī)模的高等院校和科研院所,有吸納高素質人才的首都優(yōu)勢,有創(chuàng)新技術的政策環(huán)境,很適于IC設計業(yè)的發(fā)展。三是有良好的產(chǎn)業(yè)基礎。經(jīng)過多年的發(fā)展,北京芯片設計業(yè)涌現(xiàn)出了華大、大唐、中星微電子、中芯微系統(tǒng)、威盛等一批極具實力的設計公司,產(chǎn)品檔次處于國內(nèi)領先地位。

        注重產(chǎn)業(yè)規(guī)劃,把握“十二五”發(fā)展規(guī)劃預研和制定的關鍵時期。把與低碳和物聯(lián)網(wǎng)應用相關的嵌入式芯片及其關鍵技術內(nèi)容納入北京市信息產(chǎn)業(yè)和半導體產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃中。

        培育產(chǎn)業(yè)高地,打造和諧共贏的產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟鏈。一是打造IC產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。著力加強產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的集中度,加強已有或新建的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和公共技術平臺建設,真正營造起“創(chuàng)新要素向企業(yè)集聚”,“以企業(yè)為主體、市場為導向、產(chǎn)學研結合”的創(chuàng)新機制,促進各環(huán)節(jié)的合作,推動上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展,擴大經(jīng)濟規(guī)模。二是打造垂直一體化企業(yè),將芯片設計、制造(含封測)、應用、分銷、系統(tǒng)整合為一個整體,目前華潤集團、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司和葉,國電子科技集團公司均已在戰(zhàn)略規(guī)劃和資本層面提出產(chǎn)業(yè)鏈資源整合。

        制定產(chǎn)業(yè)標準,IT產(chǎn)業(yè)標準是推動IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略選擇。IT產(chǎn)業(yè)標準是推動信息社會互聯(lián)互通的動力,是電子系統(tǒng)設計、IC設計及整機應用等產(chǎn)業(yè)結合的紐帶。一是轉變觀念,要從戰(zhàn)略的高度認識標準的重要性。二是培養(yǎng)和聚集標準化人才。三是發(fā)揮行業(yè)協(xié)會作用,由IT相關行業(yè)協(xié)會共同組成聯(lián)盟,組織制定IT產(chǎn)業(yè)標準,適時納入國家標準并融入國際標準。四是鼓勵電子整機業(yè)與IC設計業(yè)結成聯(lián)盟,積極參與國際標準的制定。

        拓寬創(chuàng)新空間,挖掘產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的RD潛能。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天,不斷表現(xiàn)出新的趨勢和特征,雖然部分核心技術已被一些國家和地區(qū)壟斷,但整個產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)仍有廣闊的創(chuàng)新空間,例如在封裝環(huán)節(jié),采用3D封裝技術提高集成度,有效地避開45納米、32納米等新的制程技術的局限;制造環(huán)節(jié),采用石墨烯技術,實現(xiàn)CMOS技術的替代或互補等。

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