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        無導(dǎo)線起搏器植入右心室不同部位的研究

        2025-05-28 00:00:00王曉芳魏飛宇范潔
        心血管病學(xué)進(jìn)展 2025年4期

        Study on The Implantation of Leadless Pacemaker in Different Parts of Right Ventricle

        WANG Xiaofang1,WEI Feiyu ,F(xiàn)AN Jie (20 (1.SchoolofMedicine,Kunming UniversityfScienceandTechnology,Kunming 65oo,Yunnan,China;2.Deparmt of Cardiology,The First People's Hospital of Yunnan Province,Kunming 65o1oo,Yunnan,China)

        【Abstract】Theadventofadlesspacemakersrepresentsasigniicantadvancementinardovascularmedicine,fectivelydresing thelimitationsoftaditionaltransvenouspacemakerssuchaspocketifeiosandlad-relatedcomplicatios.Whileeightvrlar septumisurentlycommendedasteprmarymplntationsiteforladlsspacemakesesearchotialdeviceositioinginsan activeareaofivestigatiosticleviestudisoteiplantatioofdsspcemakersinietitesofcle, aiming to evaluate the optimal implantation sites and the incidence of associated complications.

        【KeyWords】Leadess pacemaker;Implantingsites;Rightventricularseptum;Rightventricularapex;Right ventricularoutlowtract

        1959年出現(xiàn)的傳統(tǒng)經(jīng)靜脈起搏器技術(shù)顯著改善了心動(dòng)過緩患者的生存質(zhì)量[1]。傳統(tǒng)的經(jīng)靜脈起搏器是由埋藏于胸壁皮下的脈沖發(fā)生器及導(dǎo)線構(gòu)成,囊袋感染以及起搏器導(dǎo)線植人相關(guān)的并發(fā)癥是傳統(tǒng)起搏器常見的問題。無導(dǎo)線起搏器(leadlesspacemaker,LP)是只有膠囊大小的袖珍起搏器,集電池、電極及脈沖發(fā)生器為一體,它通過導(dǎo)管植入心臟,避免了與起搏導(dǎo)線和皮下囊袋相關(guān)的并發(fā)癥[2-3]。目前國內(nèi)常用的LP為Micra經(jīng)導(dǎo)管起搏系統(tǒng)(Micratranscatheterpacingsystem,MicraTPS)(Medtronic),其安全性已在多個(gè)臨床研究中得到驗(yàn)證。此外,2022年獲得FDA批準(zhǔn)上市的雅培單腔LP(AveirVR)也逐漸進(jìn)人中國市場(chǎng)。

        對(duì)于傳統(tǒng)的經(jīng)靜脈起搏器,由于操作簡(jiǎn)單和相對(duì)安全的位置,右心室心尖部是首選起搏器植入部位[4]。相較于傳統(tǒng)的經(jīng)靜脈起搏器,LP植人右心室心尖部會(huì)增加心包積液、心臟穿孔的發(fā)生率,故目前推薦將其植入右室間隔部5,但對(duì)于LP右心室植入部位的相關(guān)研究仍為熱點(diǎn)之一,本綜述旨在比較LP植入右心室不同部位對(duì)起搏器參數(shù)、心電圖、心臟結(jié)構(gòu)及功能、術(shù)后并發(fā)癥的影響,以期獲得LP植入右心室的最佳位置[6-15] 。

        1右心室解剖與LP植入

        右心室位于胸骨后,標(biāo)志著心臟輪廓的下邊界,解剖學(xué)上,右心室有三個(gè)主要區(qū)域:包繞三尖瓣的右心室流人道、緊鄰肺動(dòng)脈瓣的右心室流出道(rightventricularoutflowtract,RVOT)和心尖部,相鄰部位間無顯著的分隔界限。在先前的研究[16-18]定義中,RVOT界定于三尖瓣及肺動(dòng)脈瓣之間的區(qū)域,可將其分為兩個(gè)主要區(qū)域:間隔部和游離壁;右心室流入道(對(duì)應(yīng)右心室中間水平)與右心室中部室間隔及右心室中部游離壁相鄰;右心室心尖部則為心肌小梁匯聚部位。右心室心肌總體厚度為 3~5mm ,除外肌小梁,心尖大部分的厚度約 1.5mm ,室間隔部具有豐富的肌小梁,而心尖部的室壁相對(duì)較薄,更容易發(fā)生穿孔[19]經(jīng)右心室造影顯示,右心室梳狀肌延伸至RVOT底部,表明在高位間隔中存在可行的植入點(diǎn)[8]

        2判斷起搏器植入部位的方法

        X射線及心電圖是術(shù)中常用于判斷起搏器導(dǎo)線植入位置的方法,通過左前斜位、右前斜位透視圖及起搏心電圖導(dǎo)聯(lián)特征性表現(xiàn),導(dǎo)線的植入位置可初步判定。目前判斷起搏器植入位置的研究[20-21]顯示,大多是在X射線左前斜位透視圖上確定起搏器植入間隔部,繼而在右前斜位透視圖心臟輪廓基礎(chǔ)上利用假想網(wǎng)格將位置分為RVOT/高位間隔、中位間隔、心尖部間隔/低位間隔等,具體X射線判斷方法可能存在些許區(qū)別。但無論何種方法,有研究[22通過術(shù)后超聲心動(dòng)圖或CT發(fā)現(xiàn),X射線及心電圖判斷起搏器植人位置僅有中等準(zhǔn)確性。但因?yàn)樯鲜鰞煞N方法的可行性及術(shù)中無菌原則的要求,LP手術(shù)過程中依然沿用上述兩種方法確定植入右心室的位置。

        3LP植入右心室不同部位的影響

        3.1 起搏參數(shù)

        由于LP體積小、電池容量有限,部分患者一生中需更換多個(gè)LP,目前MicraTPS回收及再植入的技術(shù)尚不成熟,故維持良好的電學(xué)參數(shù)、延緩電池耗竭對(duì)患者來說具有重要意義。對(duì)于LP,起搏阻抗及起搏閾值是反映電極性能及穩(wěn)定性的一個(gè)靈敏指標(biāo),起搏阻抗與電壓閾值之間的變化應(yīng)該表現(xiàn)出良好的一致性[5]。據(jù)報(bào)道[23],植入期間的高起搏閾值和低阻抗是長(zhǎng)期隨訪中起搏閾值顯著升高的危險(xiǎn)因素,過高的阻抗提示心臟穿孔,起搏器與心肌接觸不良則可能導(dǎo)致低阻抗。Bongiorni等[6將52例植入MicraTPS的患者手術(shù)時(shí)以非心尖部位置(包括間隔部及RVOT)為植入目標(biāo),最終有31例( 60% )患者的MicraTPS植入非心尖位置,植人時(shí)非心尖部位的起搏阻抗略高于心尖部[ vs (668±112)Ω,P=0.083? ,平均隨訪( 13±9) 個(gè)月后兩組患者的起搏閾值均下降,但無論植入位置如何, 94% 的患者起搏閾值保持良好(心尖部vs非心尖部: 0.50~0.24msVS 0.52V/0.24ms,P= 0.856),表明將MicraTPS植入非心尖部位是可行的,在長(zhǎng)期隨訪中可獲得穩(wěn)定的電學(xué)參數(shù)。Li等[8.14]將15例植入MicraTPS的患者的起搏器植入位置,以圓錐乳頭肌底部水平線為界分為高位室間隔組和低位室間隔組,兩組患者均獲得了滿意的起搏閾值和感知振幅,并且在隨訪過程中參數(shù)保持穩(wěn)定。Sharma等[7]的研究對(duì)35例植人MicraTPS的患者平均隨訪1.4年后發(fā)現(xiàn),植入RVOT、心尖部間隔及中位間隔部的患者起搏閾值、R波振幅和阻抗與植入時(shí)相比無變化,考慮在印度人群中將MicraTPS植入上述3個(gè)位置都可獲得良好的起搏參數(shù)。Garweg等[9]對(duì)133例植入Micra

        IPS 時(shí)忠有平均隨訪( 13±11 )個(gè)月友現(xiàn),與植入石心室中位間隔和心尖部間隔的患者相比,植人RVOT的患者在植入時(shí)的起搏阻抗明顯較高[( 946±292)Ω vs(792±260)Ω vs (739±240)Ω , ,在隨訪期間3個(gè)位置的患者起搏阻抗持續(xù)下降,但差異保持穩(wěn)定,除了2例患者在隨訪期間出現(xiàn)了明顯的起搏閾值升高外,其余患者在起搏閾值及R波振幅方面無明顯差異,總體表明與右心室中位室間隔和心尖部間隔位置相比,將MicraTPS植入RVOT不會(huì)影響起搏器的術(shù)后首次及長(zhǎng)期參數(shù)。Li等°通過術(shù)后CT確定MicraTPS 植入室間隔位置的研究發(fā)現(xiàn),相較于中位和低位間隔部,MicraTPS植入高位間隔部的患者起搏閾值較高[ (0.62±0.19)V/0.24ms vs (0.48±0.16)V/0.24m svs ,但3個(gè)位置之間的差異無明顯統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。Arai等[I]對(duì)67例同樣術(shù)后經(jīng)CT確定MicraTPS植入位置的研究發(fā)現(xiàn),與將MicraTPS植入間隔部的患者相比,39例植入非間隔位置的患者術(shù)后R波振幅明顯較高 ?(9.7±3.9)mV vs ,起搏閾值較低[ (0.63± 0.45)V/0.24ms vs 1. 00±0. 94)V/0. 24ms,P= 0.02],起搏阻抗較高[ (712.8±181.3)Ω vs ( 615.0± ,將Micra TPS 植入非間隔位置得到更為滿意的起搏參數(shù)。研究者考慮為植入間隔部時(shí)MicraTPS大多與室間隔平行,裝置與心內(nèi)膜形成的夾角較小,MicraTPS與心肌的接觸不夠充分,裝置不夠穩(wěn)定,從而起搏參數(shù)較差,除了植入游離壁的裝置外,其余植入非間隔組部位(右心室心尖部)的患者M(jìn)icraTPS周圍被心肌包圍,MicraTPS電極與心肌之間的接觸面積更大,裝置更具穩(wěn)定性。EIRefai等[12]對(duì)84 例分別在心尖部、右心室流人道、RVOT、中位間隔部植人Micra TPS的患者研究發(fā)現(xiàn),植人右心室心尖部的患者R波振幅明顯高于植入室間隔部的患者L (12.90±6.10)mV Vs ,隨訪期間差異保持穩(wěn)定[ ?(15.97±5.35)mV vs ( 11.52± ,而起搏阻抗及閾值在不同位置之間差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義,考慮MicraTPS植人位置對(duì)起搏器的電學(xué)參數(shù)無明顯影響??偟膩碚f,目前的研究表明,就起搏參數(shù)而言,將MicraTPS植入右心室大部分位置都可以獲得滿意的電學(xué)參數(shù),并且隨著時(shí)間的推移參數(shù)保持穩(wěn)定。值得一提的是,目前進(jìn)人中國市場(chǎng)的AveirVR是一款具有獨(dú)特固定前標(biāo)測(cè)的能力,可以在放置前評(píng)估正確定位,也是一款可回收的 LP 。目前的研究[24]發(fā)現(xiàn)約 92.6% 的 AveirVR植人右心室低位間隔部,剩下的植人右心室中位間隔部,在真實(shí)世界研究[25]其植入前后的起搏器參數(shù)均表現(xiàn)良好,且在隨訪過程中起搏閾值持續(xù)改善,R波感知增加,阻抗下降。

        3.2 心電圖

        對(duì)于傳統(tǒng)有導(dǎo)線起搏器,起搏QRS時(shí)限由導(dǎo)線植入右心室的位置決定,將起搏導(dǎo)線植入非心尖位置趨于獲得更窄的起搏QRS波群,非心尖部的起搏似乎減少了由于心尖部起搏帶來的心臟不同步激動(dòng)對(duì)心臟功能的長(zhǎng)期有害影響[26-28]。Li等[10]對(duì)108 例植入LP的患者研究發(fā)現(xiàn),相較于植入低位間隔、高位間隔部的患者,將MicraTPS植人中位間隔部患者的起搏QRS時(shí)限更短[( 123. 89±18. 57 )ms vs( 132.37± 10.46)ms vs ( ,左心室激動(dòng)時(shí)間較短[( 91.79±15.51 )ms vs (98. 12±22.99 ms vs ,但三者之間的差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。Bongiorni等[6發(fā)現(xiàn)Micra TPS植入非心尖位置與心尖位置相比起搏QRS時(shí)限較短,但未對(duì)非心尖位置之間進(jìn)行比較。Li等[8,14]則發(fā)現(xiàn)與植入低位室間隔的患者相比,MicraTPS植入高位間隔部患者的起搏QTc間期縮短( Vs 520ms Plt;0.05 ),且起搏QRS時(shí)限對(duì)比植入低位間隔部患者較短[ (140±40) msvs ,考慮MicraTPS植入高位間隔部的患者起搏狀態(tài)下的心室除級(jí)與復(fù)極順序可能優(yōu)于低位間隔部,或能獲得更好的心室同步性。Garweg等[9]側(cè)重于將 Micra TPS 植人RVOT 的研究發(fā)現(xiàn),與將 Micra TPS植人中位間隔和心尖部間隔相比,植入RVOT的患者觀察到最短的起搏QRS時(shí)限( 142ms vs159 ms vs 181ms Plt;0.001 ),且植入心尖位置的患者起搏QRS時(shí)限明顯長(zhǎng)于非心尖位置( ),表明可將RVOT作為MicraTPS植入的首選部位以降低左心室功能惡化的風(fēng)險(xiǎn)。Sharma等[7]對(duì)印度35例植入MicraTPS的患者根據(jù)植入位置分為RVOT組、中位間隔組、心尖部間隔組,發(fā)現(xiàn)相較于RVOT組和心尖部間隔組,中位間隔組患者起搏QRS時(shí)限最短[( 139.00± 5.53) ms vs ( 151.14±5.76)ms vs( ,而心尖部間隔組擁有最長(zhǎng)的起搏QRS時(shí)限,考慮右心室中位室間隔部是印度人群最佳的MicraTPS植入部位。部分研究[29]表明,高位心室間隔起搏可以選擇性或非選擇性地捕獲心臟的特定傳導(dǎo)系統(tǒng),右心室心尖部起搏減緩了通過心肌的傳導(dǎo),導(dǎo)致體表心電圖的起搏QRS 波群增寬。將Micra TPS植入非心尖位置趨于獲得更短的起搏QRS時(shí)限,而非心尖位置中RVOT間隔部(高位間隔)起搏QRS時(shí)限較短,或可獲得更好的室間同步性。

        3.3心臟損傷的并發(fā)癥

        LP的并發(fā)癥有股靜脈穿刺相關(guān)并發(fā)癥、血栓栓塞、空氣栓塞、心臟損傷、LP移位等,其中心臟損傷的并發(fā)癥為L(zhǎng)P植入過程中最常見的急性期并發(fā)癥,發(fā)生率為 。LP 植入期間心臟穿孔和心包積液的發(fā)生率與患者的臨床狀況(高齡、女性、低體重、慢性阻塞性肺疾病病史等)及植入部位有一定關(guān)聯(lián)。Micra CED研究[30-31]在5746例植人Micra TPS的患者中發(fā)現(xiàn),在6個(gè)月的隨訪期內(nèi),心臟穿孔是最常見的并發(fā)癥。Sharma等的研究表明,在隨訪期間無患者出現(xiàn)裝置移位、栓塞或心臟穿孔,但有1例(204 (0.9%) )在心尖部間隔植入MicraTPS的患者出現(xiàn)間歇性膈肌起搏,在減少起搏輸出的情況下膈肌起搏的情況改善;1例在RVOT處植人MicraTPS的患者術(shù)后出現(xiàn)少量心包積液,在保守治療2d后好轉(zhuǎn),表明MicraTPS植入心尖部間隔、中位間隔及RVOT處均是安全可行的。Garweg 等[9將Micra TPS植人同樣的3個(gè)位置,術(shù)后30d內(nèi)無患者出現(xiàn)心包積液、心臟穿孔,同樣安全可行。Arai等[1]的研究在4例植人Micra TPS的患者中觀察到了心臟損傷并發(fā)癥,其植入位置均位于非間隔部,其中1例患者出現(xiàn)大量心包積液造成心臟壓塞并進(jìn)行了心包穿刺術(shù),1例患者出現(xiàn)無癥狀的心尖血腫,2例患者出現(xiàn)無癥狀的少量心包積液,考慮在間隔部植入MicraTPS更為安全。Hai等[15對(duì)51例具有高危因素(高齡、消瘦、腎功能不全等)的患者以間隔部為目標(biāo)位置植人MicraTPS,1例 2% )患者術(shù)中在注射對(duì)比劑時(shí)出現(xiàn)需要心包穿刺引流的心包積液及心臟穿孔,術(shù)中血壓進(jìn)行性下降,后通過左前斜位透視圖驗(yàn)證該患者起搏裝置指向右心室的游離壁區(qū)域,通過液體復(fù)蘇及持續(xù)心包穿刺引流后患者病情穩(wěn)定,后將MicraTPS重新定位于室間隔后。根據(jù)目前研究來看,將MicraTPS植入右心室心尖部、右心室游離壁位置心臟穿孔、心包積液等并發(fā)癥的發(fā)生率增加,所以右室間隔部是其較為安全的植入部位。不同于MicraTPS固定于心肌的方式,AveirVR采用主動(dòng)螺旋電極固定于心肌。LEADLESSⅡ-Phase 2(PrimaryResult)及隨訪1年后的研究[32-33]發(fā)現(xiàn),植入AveirVR的患者心肌損傷的發(fā)生率分別為 1.5% 和1.9% 。而在目前真實(shí)世界的研究中,為 的患者術(shù)后出現(xiàn)了心肌損傷。

        3.4 心臟結(jié)構(gòu)及功能

        Shantha等[13]的研究根據(jù)起搏器植入位置以X射線下室間隔的中點(diǎn)線為界分為兩組,分別有109例( 34% )患者M(jìn)icraTPS植入心尖部間隔和249例( 66% )患者植入中/高位間隔,將起搏誘導(dǎo)性心肌病定義為左室射血分?jǐn)?shù)下降 gt;10% ,平均隨訪( 18±8 個(gè)月后發(fā)現(xiàn),28例 (7.80% )患者出現(xiàn)了起搏器誘發(fā)的心肌病,其中中/高位間隔部10例 (4.0%) ,心尖部間隔部18例( 16.5% ( P=0.002 ),表明與中/高位間隔部相比,將LP植入心尖部間隔部與較高的起搏器誘發(fā)的心肌病風(fēng)險(xiǎn)相關(guān)。除此之外,或許是隨訪時(shí)間較短的原因,大部分關(guān)于LP的研究并未觀察到LP植入位置對(duì)心臟結(jié)構(gòu)及功能的影響,可能需要更為大型、隨訪時(shí)間更長(zhǎng)的研究來進(jìn)一步驗(yàn)證。

        4結(jié)論

        對(duì)于目前國內(nèi)常用的MicraTPS而言,右心室中位間隔部可能是其最佳的植入部位,相較于植入右心室心尖部及游離壁,心臟穿孔、心包積液等心臟損傷并發(fā)癥發(fā)生率低;相較于心尖部間隔/低位間隔可獲得較窄的起搏QRS波群。RVOT/高位間隔部可能是獲得最窄起搏QRS波群的部位,但手術(shù)時(shí)難以到達(dá),可能需要設(shè)計(jì)特殊的輸送鞘管。但目前的研究顯示,確定MicraTPS植入位置的方法多為心電圖及X射線,這可能對(duì)植入位置錯(cuò)誤判斷,從而影響研究結(jié)果,期待未來可尋找到一種準(zhǔn)確性更高的判斷植入位置的方法。而對(duì)于AveirVR植入位置目前尚無更多研究,隨著其應(yīng)用增多相關(guān)研究可能進(jìn)一步增多。

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