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        C/O與C/H測(cè)井響應(yīng)的數(shù)值模擬對(duì)比研究

        2024-04-29 12:44:20李巽吳文圣董奪
        核技術(shù) 2024年4期
        關(guān)鍵詞:含油井眼飽和度

        李巽 吳文圣 董奪

        (中國(guó)石油大學(xué)(北京) 北京 102249)

        為研究評(píng)價(jià)在生產(chǎn)上有開(kāi)采價(jià)值的油藏飽和度方法,C/O測(cè)井的研究逐步展開(kāi),如今C/O測(cè)井主要應(yīng)用在油藏開(kāi)發(fā)中后期的套管井中,用于確定注水開(kāi)發(fā)油田的剩余油飽和度[1]。我國(guó)C/O測(cè)井技術(shù)發(fā)展較晚,在經(jīng)歷單晶、雙晶、雙探測(cè)器的C/O飽和度測(cè)井儀器發(fā)展后,已經(jīng)較為成熟[2]。但由于井下環(huán)境復(fù)雜,C/O在飽和度計(jì)算方面受很多因素影響。2019年,王瑞剛等[3]就砂巖C/O測(cè)井能譜處理方法開(kāi)展研究,利用中子脈沖期間獲得的混合光譜和中子脈沖后測(cè)量的俘獲光譜進(jìn)行解譜,提高了飽和度計(jì)算的精度;2022年,王振等[4]開(kāi)展了砂泥巖儲(chǔ)層的C/O測(cè)井泥質(zhì)校正方法研究并加以應(yīng)用,結(jié)果顯示,經(jīng)過(guò)泥質(zhì)校正后的剩余油飽和度解釋誤差不超過(guò)10%;2022年,Sudac等[5]開(kāi)發(fā)了配備高溫α粒子探測(cè)器的碳-氧(C/O)中子測(cè)井儀器,降低了井眼環(huán)境的影響,提高了地層分辨率和探頭耐高溫能力。

        C/O測(cè)井作為在低礦化度儲(chǔ)層主流的飽和度測(cè)量方法得到了廣泛的發(fā)展,但它在低孔隙度條件下測(cè)量精度低的問(wèn)題仍然沒(méi)有得到有效解決,這些年陸續(xù)有人在核測(cè)井領(lǐng)域開(kāi)發(fā)新方法來(lái)解決這一問(wèn)題[6],其中最為典型的就是C/H地層流體飽和度測(cè)井(Carbon-Hydrogen fluid saturation log),也稱FCH測(cè)井方法。根據(jù)多年的研究與實(shí)踐成果表明,C/H測(cè)井用于低礦化度套管井飽和度測(cè)量是完全可行的[7-8]。2014年,馬建國(guó)等[9]推出了FCH地層流體飽和度測(cè)井方法,并將該技術(shù)進(jìn)行了實(shí)際應(yīng)用,后又對(duì)該方法加以改進(jìn),進(jìn)一步提高測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確性擴(kuò)大應(yīng)用范圍[9]。C/H測(cè)井的實(shí)現(xiàn)可以為低孔隙度儲(chǔ)層提供更加可靠的飽和度數(shù)據(jù),全定量評(píng)價(jià)儲(chǔ)層的含油飽和度及油層水淹程度,發(fā)現(xiàn)剩余油分布規(guī)律以及邊底水動(dòng)態(tài)[10]。

        本文將借助MCNP,參考Halliburton公司的C/O測(cè)井儀器儲(chǔ)層性能檢測(cè)儀(Reservoir Performance Monitor,RPM)建立數(shù)值模擬模型,研究C/H測(cè)井相較于C/O測(cè)井方法在不同井眼和地層環(huán)境下對(duì)含油飽和度計(jì)算的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)。

        1 理論基礎(chǔ)

        利用脈沖中子源向地層發(fā)射14.1 MeV的高能中子,中子與地層原子首先發(fā)生非彈性散射釋放非彈γ射線,再發(fā)生彈性散射,當(dāng)中子被減速為慢中子時(shí)又與地層原子發(fā)生輻射俘獲反應(yīng),產(chǎn)生俘獲γ射線,從而獲得地層的非彈γ能譜和俘獲γ能譜,通過(guò)分析這些能譜可以確定地層元素含量和含油飽和度[11-14]。

        非彈性散射截面與目標(biāo)原子序數(shù)是密切相關(guān)的,一般來(lái)講,原子序數(shù)越大,發(fā)生非彈性散射的截面越大。在地層中C元素和O元素雖然原子序數(shù)并不高,但含量很高,它們與快中子非彈性散射產(chǎn)生的γ射線是探測(cè)器γ計(jì)數(shù)的主要來(lái)源。同時(shí)由于C和O元素產(chǎn)生γ射線的能量高,可以很容易在能譜中識(shí)別出他們的特征峰。

        H元素雖然很難與快中子發(fā)生非彈性散射,但發(fā)生俘獲反應(yīng)的截面卻很高,可以通過(guò)中子與原子核發(fā)生俘獲反應(yīng)釋放的俘獲γ射線識(shí)別H元素。

        采取能窗法獲得能譜特征峰區(qū)域的計(jì)數(shù),將C峰計(jì)數(shù)與O峰計(jì)數(shù)做比得到C/O測(cè)井響應(yīng);將C峰計(jì)數(shù)和H峰計(jì)數(shù)做比得到C/H測(cè)井響應(yīng)。由體積模型法計(jì)算得到C/O和C/H與孔隙度和飽和度之間關(guān)系,如下:

        式中:RCO為C/O值;nC和nO分別為單位體積地層中C原子和O原子的摩爾數(shù);φ為地層孔隙度;So為含油飽和度;K1、K2、K3、K4和K5為常數(shù),由地層礦物組成和流體密度等因素決定。由式(1)可知,孔隙度一定時(shí),含油飽和度越大,RCO越大;在地層含油飽和度一定時(shí),孔隙度越大,RCO越大。

        式中:RCH為C/H值;nC和nH單位體積地層中C和H元素原子的摩爾數(shù);L1、L2、L3、L4和L5為常數(shù),由地層礦物組成和流體密度等因素決定,可以很容易得到L5>L1>L4。由式(2)可知,在孔隙度一定時(shí),含油飽和度越大,RCH越大;在含油飽和度一定時(shí),孔隙度越大,RCH越小。

        2 計(jì)算模型

        本文利用MCNP5,使用的截面數(shù)據(jù)庫(kù)為ENDF/B-VII,設(shè)計(jì)的計(jì)算模型如圖1所示??紤]到在套管井中C/O測(cè)井是儀器居中測(cè)量的[15-16],因此建立RPM儀器模型(即儀器結(jié)構(gòu)采用Halliburton公司的C/O測(cè)井儀器RPM)如圖1(a)所示。同時(shí),為了便于對(duì)比,設(shè)置無(wú)井眼環(huán)境影響的球狀模型如圖1(b)所示。

        圖1 MCNP 計(jì)算模型示意圖 (a) RPM儀器模型,(b) 球狀模型Fig.1 Diagram of the MCNP model (a) RPM instrument model, (b) Spherical model

        圖1(a)為RPM儀器模型在X、Z方向上的投影,由外到內(nèi)依次是地層、水泥環(huán)、鋼套管、井內(nèi)流體和儀器,儀器由下至上分別是脈沖中子源、屏蔽體、短源距γ探測(cè)器和長(zhǎng)源距γ探測(cè)器,源距分別為33.02 cm和58.42 cm。圖1(b)為球狀模型在X、Z方向上的投影,建模物質(zhì)僅為地層的礦物和流體,沒(méi)有井眼和儀器的影響,僅在相應(yīng)柵元設(shè)置發(fā)射中子或接收γ的功能。如表1和表2所示,分別是兩種數(shù)值模擬模型共同的地層物質(zhì)組成,和RPM儀器模型特有的井眼及儀器的信息。

        表1 地層物質(zhì)組成Table 1 Formation material composition

        表2 井眼及儀器信息Table 2 Well and instrument information

        在設(shè)計(jì)中子脈沖序列時(shí)(圖2),以100 ms為一個(gè)發(fā)射周期,前40 ms發(fā)射14 MeV的單能快中子,后60 ms不發(fā)射中子。由于非彈性散射發(fā)生時(shí)間非??欤瑤缀跏桥c中子發(fā)射同時(shí)產(chǎn)生同時(shí)結(jié)束,因此在0~40 ms設(shè)置第一個(gè)窗口用于接收非彈γ射線,在45~100 ms設(shè)置第二個(gè)窗口用于記錄俘獲γ射線。

        圖2 中子脈沖序列Fig.2 Neutron-emission pulse sequence

        采用能窗法獲取C和O兩種元素對(duì)應(yīng)特征峰區(qū)域的非彈γ計(jì)數(shù)率和H元素對(duì)應(yīng)特征峰區(qū)域的俘獲γ計(jì)數(shù)率,能窗選擇為:H窗2.16~2.30 MeV,C窗4.40~4.45 MeV,O窗6.050~6.225 MeV。

        3 測(cè)井響應(yīng)對(duì)比分析

        基于上述能窗選擇和脈沖中子序列,分別使用球狀模型和RPM儀器模型進(jìn)行MCNP數(shù)值模擬,得到C、O和H元素的能窗計(jì)數(shù),利用能窗計(jì)數(shù)得到不同巖性、孔隙度和飽和度條件下C/O和C/H與地層飽和度和孔隙度的響應(yīng)關(guān)系,以及他們對(duì)飽和度的靈敏度。油水靈敏度計(jì)算公式如下:

        式中:Dsen為C/O或C/H對(duì)飽和度的靈敏度;Yo為儲(chǔ)層純含油時(shí)C/O或C/H的值;Yw為儲(chǔ)層純含水時(shí)C/O或C/H的值。

        3.1 球狀模型

        忽略井眼影響,采用球狀模型進(jìn)行數(shù)值模擬得到不同巖性地層下C和O兩種元素對(duì)應(yīng)能窗的非彈γ計(jì)數(shù)率,改變截?cái)鄷r(shí)間和能窗范圍得到H元素對(duì)應(yīng)能窗的俘獲γ計(jì)數(shù)率,各元素對(duì)應(yīng)能窗計(jì)數(shù)做比得到C/O和C/H的值,繪制不同孔隙度和飽和度條件下C/O和C/H值與飽和度和孔隙度的關(guān)系曲線,以及它們對(duì)飽和度的靈敏度曲線,如圖3和圖4所示。

        圖3 球狀模型下不同地層中碳氧比與孔隙度和含油飽和度的關(guān)系及對(duì)飽和度靈敏度Fig.3 Relationship between C/O ratio and porosity, saturation, along with its sensitivity to saturation in different strata under the spherical model

        圖4 球狀模型下不同地層中碳?xì)浔扰c孔隙度和含油飽和度的關(guān)系及對(duì)飽和度靈敏度Fig.4 Relationship between C/H ratio and porosity, saturation, along with its sensitivity to saturation in different strata under the spherical model

        從圖3和圖4可以看出,在砂巖和石灰?guī)r地層中忽略井眼環(huán)境的影響,C/O和C/H關(guān)于孔隙度的走勢(shì)是相反的。C/O隨孔隙度增大,隨飽和度增大,且C/O對(duì)飽和度的靈敏度也隨孔隙度而增大;C/H隨孔隙度增大而減小,隨飽和度增大,且C/H對(duì)飽和度的靈敏度也隨孔隙度增大。

        同時(shí),在圖3和圖4中還可以看出,在砂巖地層中沒(méi)有井眼環(huán)境的影響下,C/H對(duì)飽和度的靈敏度要整體好于C/O,也就是說(shuō)在砂巖地層中低孔隙的狀況下C/H對(duì)飽和度的靈敏度也高于C/O的靈敏度。這表明C/H可以在低孔隙度條件下更好反映地層含油飽和度狀況。然而,一個(gè)更明顯的趨勢(shì)是C/O和C/H對(duì)砂巖的靈敏度都要高于石灰?guī)r,尤其是C/H對(duì)兩種巖性的靈敏度差異幾乎是兩個(gè)數(shù)量級(jí),這表明骨架中的C元素會(huì)影響C/O和C/H的響應(yīng)靈敏度,而C/H對(duì)飽和度的響應(yīng)關(guān)系并沒(méi)有C/O穩(wěn)定。

        3.2 RPM儀器模型

        將球狀模型替換為簡(jiǎn)化過(guò)的RPM儀器模型,此時(shí)得到的石灰?guī)r和砂巖地層中的數(shù)據(jù)都考慮了井眼和環(huán)境的影響,更加貼近生產(chǎn)實(shí)際。繪制的不同孔隙度和飽和度條件下的C/O和C/H與飽和度和孔隙度的關(guān)系曲線,以及它們對(duì)飽和度的靈敏度曲線,如圖5和圖6所示。

        圖5 RPM儀器模型下不同地層中碳氧比與孔隙度和含油飽和度的關(guān)系及對(duì)飽和度靈敏度Fig.5 Relationship between C/O ratio and porosity, saturation, along with its sensitivity to saturation in different strata under the RPM instrument model

        圖6 RPM儀器模型下不同地層中碳?xì)浔扰c孔隙度和含油飽和度的關(guān)系及對(duì)飽和度靈敏度Fig.6 Relationship between C/H ratio and porosity, saturation, along with its sensitivity to saturation in different strata under theRPM instrument model

        從圖5和圖6可以看出,在砂巖和石灰?guī)r地層中考慮井眼環(huán)境的影響,C/O和C/H的測(cè)井響應(yīng)都隨孔隙度而增大,隨飽和度而增大,且他們對(duì)飽和度的靈敏度也隨孔隙度而增大。對(duì)比C/H與C/O測(cè)井響應(yīng)對(duì)飽和度的靈敏度發(fā)現(xiàn),C/H對(duì)飽和度的靈敏度略低于C/O的靈敏度,這說(shuō)明C/H與C/O同樣適合兩種巖性套管井的飽和度估計(jì),但C/H無(wú)法解決C/O在低孔隙度條件下飽和度估算準(zhǔn)確度低的問(wèn)題。

        然而,從圖4和圖6中可以發(fā)現(xiàn),在是否消除井眼影響的兩組模型中C/H對(duì)孔隙度的響應(yīng)效果是完全相反的。在忽略井眼影響的球狀模型中(圖4),C/H隨孔隙度的增大而減小;在考慮井眼影響的RPM儀器模型中(圖6)C/H隨孔隙度而增大。這里考慮本底C能窗計(jì)數(shù)率和H能窗計(jì)數(shù)率的影響。利用體積模型法計(jì)算C/H與孔隙度的理論關(guān)系如式(2)所示。式中:C元素來(lái)自于孔隙流體和骨架,H元素來(lái)自于孔隙流體。在這里由于不考慮飽和度的影響,對(duì)式(2)進(jìn)行簡(jiǎn)化如下:

        式中:A、B和C為與孔隙度無(wú)關(guān)的常數(shù)。

        然而,在進(jìn)行蒙特卡羅數(shù)值模擬時(shí),由于能譜法本身的不準(zhǔn)確性,C元素和H元素能窗內(nèi)的計(jì)數(shù)率可能還由Si和O元素貢獻(xiàn),且在RPM儀器模型中由于井內(nèi)流體是水,模擬得到的H元素的計(jì)數(shù)率要遠(yuǎn)大于實(shí)際H元素的計(jì)數(shù)率。這里把由于以上兩種情況而產(chǎn)生的C和H元素的計(jì)數(shù)稱為本底計(jì)數(shù)。在公式中加入本底的C計(jì)數(shù)nCbg和H計(jì)數(shù)nHbg得到如下:

        對(duì)式(5)求導(dǎo):

        在球狀模型下,可以近似使nCbg=nHbg;根據(jù)體積模型法很容易可以計(jì)算出,無(wú)論在砂巖還是石灰?guī)r中C>A恒成立,從而得到(RCH)′<0,這就對(duì)應(yīng)了球狀模型下C/H隨著孔隙度的增大而減小。

        在RPM模型下,由于井內(nèi)流體為水,因此本底H元素的計(jì)數(shù)會(huì)很大,可以近似使nHbg?nCbg,從而得到(RCH)′>0,這就對(duì)應(yīng)了RPM模型下C/H隨著孔隙度而增大。

        因此,在是否考慮井眼影響的不同模型中進(jìn)行數(shù)值模擬得到C/H與孔隙度關(guān)系完全相反并不是因?yàn)閿?shù)值模擬出現(xiàn)錯(cuò)誤,而是受井眼環(huán)境影響所致的必然結(jié)果。在實(shí)際應(yīng)用中,考慮井眼環(huán)境影響的RPM模型更有現(xiàn)實(shí)意義。換一種角度,井眼條件改變了C/H與孔隙度的關(guān)系卻沒(méi)有改變它與飽和度的關(guān)系,進(jìn)一步說(shuō)明C/H與飽和度關(guān)系比它與孔隙度的關(guān)系更穩(wěn)定。

        4 結(jié)語(yǔ)

        1) 在忽略井眼環(huán)境影響且孔隙度較高時(shí),C/H和C/O對(duì)地層流體飽和度都具有較高的靈敏度,可用于估算地層飽和度。在砂巖地層中C/H的靈敏度要高于C/O,理論上可以用來(lái)解決C/O在低孔隙度條件下飽和度估算靈敏度低的問(wèn)題。

        2) 在考慮井眼環(huán)境影響時(shí),C/O對(duì)飽和度的靈敏度更大,更適合用于套管井飽和度估計(jì)。

        3) C/H測(cè)井響應(yīng)與C/O相比,受井眼環(huán)境影響更大,對(duì)飽和度的靈敏度不穩(wěn)定,不適合在復(fù)雜井眼環(huán)境中應(yīng)用;C/H和C/O都受骨架中C元素含量影響,當(dāng)骨架C含量過(guò)高時(shí),地層流體飽和度估算結(jié)果精度將變低。

        作者貢獻(xiàn)聲明李巽負(fù)責(zé)數(shù)值模擬及論文編寫(xiě)修改工作;吳文圣負(fù)責(zé)文章思路的提出指導(dǎo)及框架的把控;董奪負(fù)責(zé)數(shù)值模擬方案的指導(dǎo)。

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