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        2納米,三巨頭的最后一戰(zhàn)

        2024-02-21 12:14:54榮智慧
        南風(fēng)窗 2024年4期
        關(guān)鍵詞:臺積電臺積制程

        榮智慧

        2納米是硅芯片的“最后一戰(zhàn)”。

        晶體管越來越小,硅芯片已經(jīng)逼近工藝極限。2納米之后,石墨烯等碳材料可能取而代之。

        先進(jìn)制程,三分天下。臺積電、三星和英特爾,一齊向2納米量產(chǎn)發(fā)動總攻。

        日前,臺積電向兩大客戶蘋果、英偉達(dá)展示了2納米原型芯片測試結(jié)果。三星宣布降價提供2納米原型,挖挖墻角。

        英特爾實(shí)力最弱,口號最響,作為唯一的美國公司,它要在2025年“重回領(lǐng)導(dǎo)地位”,“令美國再次偉大”。

        “追上臺積電,三星電子計劃2025年開始量產(chǎn)2納米芯片”,2023年6月《韓國經(jīng)濟(jì)》報道。

        當(dāng)時,三星正于美國加利福尼亞州硅谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”,不僅公布了2納米半導(dǎo)體量產(chǎn)和應(yīng)用時間表,還宣布2026年將該芯片用在高性能計算產(chǎn)品上,2027年擴(kuò)展到汽車領(lǐng)域。

        “五年趕超臺積電?!?/p>

        這一使命要追溯到2009年。三星最高經(jīng)營決策會議秘密通過一項(xiàng)計劃—“干掉臺灣”(Kill Taiwan),頭號目標(biāo)臺積電。

        靠薪水翻倍的條件,三星挖走臺積電好幾十人,包括技術(shù)骨干梁孟松。

        那一陣子臺積電過得也不好。2006年,研發(fā)副總裁蔣尚義退休。2007年量產(chǎn)45納米后,40納米的良品率始終低位徘徊,加上2008年金融危機(jī),半導(dǎo)體市場大幅萎縮。

        2009年,退休四年的臺積電創(chuàng)始人張忠謀決心重掌臺積電。他請回退休三年的蔣尚義,第一個要求就是“把公司新增的10億美元研發(fā)經(jīng)費(fèi)盡快花出去”。

        張忠謀的心頭大患是干了17年的“老員工”梁孟松,蔣尚義的學(xué)生,曾長期擔(dān)任臺積電先進(jìn)制程處處長。2003年,臺積電以自主技術(shù)130納米“銅工藝”擊敗IBM,梁孟松的功勞僅次于蔣尚義。后來,他們的恩怨延續(xù)到中芯國際。

        梁孟松給三星帶來一大批FinFET(鰭式場效晶體管)人才,三星與臺積電的技術(shù)差距快速縮短;更搶在臺積電之前,率先量產(chǎn)了14納米制程,吸引了蘋果、高通等大客戶。

        張忠謀發(fā)起“夜鶯計劃”,組建了一支300人以上的研發(fā)隊伍,24小時不間斷地攻堅下一代10納米制程。從10納米開始,臺積電又占上風(fēng)。

        2022年6月30日,三星宣布3納米芯片量產(chǎn),全球第一家。而且,它首次采用GAAFET(全環(huán)繞柵極場效晶體管)工藝,取代了主流的FinFET結(jié)構(gòu)—相比后者,GAA結(jié)構(gòu)可以更精確地減少漏電損耗,降低功耗。

        量產(chǎn)3納米的一個多月前,美國總統(tǒng)拜登剛剛參觀過韓國首爾以南70公里外的三星平澤廠。通過向拜登展示3納米芯片,三星亮出了“超越”臺積電的實(shí)力。

        拜登剛走,三星公開巨額投資計劃:未來五年,將在芯片、生物科技領(lǐng)域投資3550億美元,差不多是2.5萬億人民幣。自2014年啟動的中國國家大基金計劃,一二期不到2500億元,三期3000億元,加起來算5500億元,也僅有該計劃的五分之一。

        光拜登參觀的平澤園區(qū)廠,總投資超過240億美元,比國家大基金一期的規(guī)模還大。

        在三星最新的詳細(xì)路線圖中,除了2025年量產(chǎn)2納米外,也計劃把GAA工藝制造的芯片擴(kuò)展到3D封裝。三星已在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門內(nèi)組建先進(jìn)封裝(AVP)業(yè)務(wù)團(tuán)隊。

        到2027年,三星將如期量產(chǎn)1.4納米。

        臺積電的市場份額接近六成,一向不喜歡評論對手。

        同樣是2023年6月,臺積電也放出風(fēng)聲:旗下2納米技術(shù)進(jìn)度比預(yù)期好,能實(shí)現(xiàn)2024年試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)的目標(biāo)。消息人士透露,臺積電將召集千人以上的研發(fā)團(tuán)隊,在臺灣竹科寶山晶圓20廠率先量產(chǎn)2納米。

        2納米芯片,一片報價逼近2.5萬美元,比3納米不到2萬美元的單價上漲超30%—先進(jìn)制程領(lǐng)域,臺積電擁有“天價”定價權(quán)和超40%的高昂凈利潤率。只有主打成熟制程的美國德州儀器,凈利潤率與之接近。

        天價也是真金白銀砸出來的。臺積電2022年研發(fā)費(fèi)用達(dá)到54.72億美元,10年間增長約4倍,投資現(xiàn)金流達(dá)399億美元,增長也超過4倍。

        雖然三星搶先量產(chǎn)了基于GAA的3納米芯片,但低良率也成了它趕超臺積電的高昂代價。量產(chǎn)初期,三星3納米良率只有20%。持續(xù)改進(jìn)后,良率也僅在60%上下徘徊。

        新手要冒險,“老大”要穩(wěn)健。

        臺積電在2納米制程才引入GAA晶體管、背面供電和超高性能電容器等多項(xiàng)新技術(shù)。

        “挑大梁”的GAA,是2納米以下制程必須采用的結(jié)構(gòu)。

        過去晶體管是長的,采用平面結(jié)構(gòu)。過去10年,也就是自英特爾在22納米上采用FinFET以來,像魚鰭一樣的3D結(jié)構(gòu)就成了主流。臺積電的3納米也不例外。

        通電時打開、不通電時關(guān)閉—半導(dǎo)體靠這種方式進(jìn)行計算,由柵極的調(diào)節(jié)閥控制是否通電。FinFET結(jié)構(gòu)是在電流通道的四個側(cè)面中,柵極堵住三個方向。

        半導(dǎo)體越來越小,柵極也變得特別小,控制能力就減弱了。一旦小于2納米,沒有柵極的地方漏電增加,導(dǎo)致電力浪費(fèi),性能難以提高。GAA就是把過去豎著像魚鰭的器件橫過來,四個方向都有柵極圍住,還能多并置幾個。

        當(dāng)然,GAA的技術(shù)難度也相應(yīng)增大。由于EUV光刻機(jī)的限制,只能做到每小時90片晶圓,而業(yè)內(nèi)期望速度至少每小時125片,當(dāng)下很難達(dá)到良品率和效率并存的效果。

        目前,對外公開結(jié)構(gòu)、2納米節(jié)點(diǎn)迭代而造成密度與性能變化等信息,臺積電是唯一一家。

        2022年技術(shù)研討會上,臺積電提到,和上一代工藝相比,在相同功耗、相同晶體管數(shù)量的情況下,2納米工藝能夠帶來性能方面10%—15%的提升;或者同頻率與復(fù)雜度下功耗25%—30%的下降;晶體管密度提升1.1倍。

        一顆典型芯片,包含50%的邏輯電路、30%的SRAM單元,以及20%的模擬電路。而晶體管密度提升,特指邏輯電路。不同工藝節(jié)點(diǎn)之間,模擬和存儲電路的器件尺寸微縮速度,一般總是慢于邏輯電路的。單看邏輯電路的數(shù)據(jù),1.1倍不算很理想。

        2023年研討會上,該數(shù)字更新為大于1.15倍,證明工藝還在持續(xù)改進(jìn)之中。

        相比之下,三星和英特爾都沒有公布什么詳細(xì)的信息。三星說其2納米芯片性能提高了12%,功率提高了25%,面積減少了5%。英特爾只是說Intel 20A相比Intel 3有15%的每瓦性能提升。

        量產(chǎn)3納米,僅有臺積電和三星。英特爾和它們還有幾代的差距。

        假如只看晶體管密度,臺積電和三星在絕對值上“遙遙領(lǐng)先”。這也說明了英特爾的20A為何最先于2024年量產(chǎn)—靠“命名”實(shí)現(xiàn)錯位競爭。根據(jù)IC Knowledge的數(shù)據(jù),20A晶體管密度小,也就更好制作。

        自從7納米與5納米時代被臺積電和三星趕超,英特爾就改變了迭代策略,閉口不談“幾納米”。2023年2月,英特爾在戰(zhàn)略媒體溝通會再度確認(rèn)20A“測試芯片已流片”。目前愛立信已宣布采用其1.8納米制程工藝來定制5G芯片。

        各家Foundry的工藝名稱都不一樣,英特爾20A,臺積電N2,三星2GAP,怎么稱呼都有,也不代表晶體管或器件的實(shí)際物理尺寸。

        關(guān)鍵是,三家的2納米,都沒有特別具體的定義曝光,我們也不能認(rèn)為這三者一定是同代工藝。

        先進(jìn)制程拼的,只在“毫厘之間”。

        一臺EUV光刻機(jī)價格高達(dá)1.5億歐元,有錢也不一定買得到。除了三巨頭,其他廠商很難承受如此巨大的成本—幾乎不存在制造2納米的可能性了。

        誰先量產(chǎn),誰就有先進(jìn)芯片市場的定價權(quán),誰就有更豐厚的利潤空間和更大的競爭優(yōu)勢,以及更廣闊的發(fā)展空間。

        二十年來,倒在晶體管上的企業(yè)如過江之鯽。截至2002年/2003年,當(dāng)時制造最先進(jìn)130納米的半導(dǎo)體企業(yè),共有26家,包括10家日企。等到2010—2012年,涉足28—32納米的企業(yè)總數(shù)減少至10家,沒有一家日企。

        日本不甘心掉隊,去年組建了半官半民的半導(dǎo)體公司Rapidus,直接沖擊2納米,找回“失去的十年”。

        Rapidus由豐田、索尼、NTT、NEC、軟銀、電裝、鎧俠、三菱UFJ這8家日企出資73億日元(約3.76億人民幣)設(shè)立,日本政府也提供700億日元(約36.05 億元人民幣)補(bǔ)助,作為研發(fā)預(yù)算。

        Rapidus的目標(biāo)是,2027年量產(chǎn)2納米。今年以來,它已經(jīng)和美國IBM、荷蘭阿斯麥、加拿大初創(chuàng)企業(yè)Tenstorrent達(dá)成深度合作。

        日本忽然發(fā)力,借了美國《芯片法案》的東風(fēng),據(jù)悉“有錢也買不到”的EUV光刻機(jī)已經(jīng)到手。

        而《芯片法案》能給日本帶來多少實(shí)惠,很難說。一年半過去了,第一個拿到補(bǔ)貼的是美國國防承包商BAE Systems,金額約3500萬美元—它是給F-15和F-35戰(zhàn)斗機(jī)以及衛(wèi)星、其他防御系統(tǒng)造芯片的。其他公司可沒有這么硬的來頭,還得排隊等。

        至于《通脹削減法案》里關(guān)于電動車的補(bǔ)貼,最近也是小道消息滿天飛。據(jù)說特斯拉可能拿不到每輛7500美元的補(bǔ)貼。

        還是回到錢上。

        日本業(yè)界估算,2納米的背后大約需要2萬億日元,籌備量產(chǎn)線還需要3萬億日元。招聘半導(dǎo)體人才上,又需要一大筆資金?,F(xiàn)在投資的773億日元(還沒有到位),和砸硬件所需的5萬億差得實(shí)在太多。

        為什么要搶先進(jìn)制程?不光因?yàn)榧夹g(shù)強(qiáng),更因?yàn)橹靛X。

        Omdia預(yù)測,以2026年為基準(zhǔn),整個晶圓代工市場將達(dá)1879億美元,而5納米以下市場將達(dá)645億美元,占比34%。

        2納米主要應(yīng)用在PC服務(wù)器、GPU(圖形處理器)和手機(jī)SoC(系統(tǒng)級芯片)上。誰先量產(chǎn),誰就有先進(jìn)芯片市場的定價權(quán),誰就有更豐厚的利潤空間和更大的競爭優(yōu)勢,以及更廣闊的發(fā)展空間。

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