梁銳輝 ,鐘 鑫 ,洪 督 ,黃利平 ,吳一鳴 ,趙芳霞 ,牛亞然,張振忠,鄭學(xué)斌
(1.中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所,上海 200050;2.南京工業(yè)大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,南京 211816)
陶瓷基復(fù)合材料(ceramic matrix composites,CMCs)具有優(yōu)異的熱力學(xué)性能和較低的密度,是新一代高推重比航空發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)材料。在高溫干燥氧化環(huán)境中,陶瓷基復(fù)合材料表面能形成SiO2保護(hù)膜來(lái)抵御氧化物質(zhì)的侵蝕[1]。然而,航空發(fā)動(dòng)機(jī)服役環(huán)境中存在高溫水蒸氣、熔鹽等腐蝕性介質(zhì),會(huì)與CMCs 表面上的SiO2保護(hù)層發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致其性能迅速衰退[2]。環(huán)境障涂層(environment barrier coatings,EBCs)可將陶瓷基復(fù)合材料與服役環(huán)境中的腐蝕介質(zhì)隔離開來(lái),實(shí)現(xiàn)保護(hù)基體材料的目的[3]。
稀土硅酸鹽材料具有良好的相穩(wěn)定性、優(yōu)異的耐蝕性能、與基體匹配的熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn),是最具有應(yīng)用潛力的環(huán)境障涂層材料[4],但稀土硅酸鹽涂層在制備過程中易形成孔隙和裂紋等缺陷、分解產(chǎn)生的氧化物第二相會(huì)影響涂層的服役性能[5-8]。為提高EBCs 的耐久性,美國(guó)國(guó)家宇航局的研究人員開發(fā)了稀土硅酸鹽/Si、稀土硅酸鹽/莫來(lái)石/Si 等涂層體系[3]。Richards 等[9]研究了Yb2SiO5/莫來(lái)石/ Si 涂層在1316 ℃水氧腐蝕條件下的失效機(jī)理,發(fā)現(xiàn)腐蝕性物質(zhì)隨面層的貫穿裂紋進(jìn)入內(nèi)部,使硅黏結(jié)層氧化形成組分為β-SiO2的熱生長(zhǎng)氧化 物(thermally grown oxide,TGO),β-SiO2向α-SiO2相轉(zhuǎn)變時(shí)伴隨著較大的體積變化,從而產(chǎn)生大量微裂紋,加速涂層失效。Li 等[10]設(shè)計(jì)的LaMgAl11O19/Yb2SiO5/Si 涂層在1300 ℃水氧腐蝕條件下展現(xiàn)良好的耐蝕性能。Guo 等[11]提出Hf0.84Y0.16O1.92/Yb2SiO5/Si 涂層在1300 ℃空氣環(huán)境中具有良好的穩(wěn)定性。Wu 等[12]采用PS-PVD技術(shù)制備的Yb2Si2O7/Si 涂層則在1300~1450 ℃水蒸氣環(huán)境具有較好的服役性能。本研究團(tuán)隊(duì)采用Yb2Si2O7取代莫來(lái)石,設(shè)計(jì)了Yb2SiO5/Yb2Si2O7/Si 涂層,該涂層具有良好的抗熱震性能和抗裂紋擴(kuò)展性能[13]。雖然通過涂層結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)保護(hù)基體材料在一定時(shí)間內(nèi)免受高溫水氧腐蝕的目標(biāo),但結(jié)合失效分析可以發(fā)現(xiàn)稀土硅酸鹽EBCs 仍存在熱循環(huán)過程中由于涂層與基體之間的熱膨脹系數(shù)失配產(chǎn)生熱應(yīng)力,導(dǎo)致稀土硅酸鹽面層出現(xiàn)貫穿裂紋。
為解決EBCs 體系服役過程中因面層開裂而加速其失效的問題,采用含硅化物改性涂層設(shè)計(jì),減少裂紋擴(kuò)展,是提高其耐久性的另一種有效途徑。目前,將SiC 和MoSi2等含硅化合物作為自愈合劑應(yīng)用于熱障涂層的研究已受到關(guān)注,但采用含硅化合物改性稀土硅酸鹽環(huán)境障涂層的報(bào)道較少[14]。Chen 等[15]采用TiSi2摻雜Y2Si2O7,并利用漿料法制備了BSAS/TiSi2-Y2Si2O7/復(fù)合涂層。研究發(fā)現(xiàn),TiSi2的氧化產(chǎn)物可以填充涂層的貫穿裂紋,但BSAS 長(zhǎng)時(shí)間服役溫度較低(<1300 ℃),不能滿足目前的EBCs發(fā)展需求[16]。Nguyen 等[17]將10% β-SiC(體積分?jǐn)?shù),下同)引入含有Yb2SiO5相的Yb2Si2O7塊體材料中,經(jīng)1250 ℃空氣環(huán)境熱處理2 h,發(fā)現(xiàn)SiC 氧化形成SiO2,可填充裂紋。Kunz 等[18]則針對(duì)更高溫度(1400 ℃)和更長(zhǎng)時(shí)間(200 h)下硅酸鐿的裂紋自愈合行為進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)摻雜1% SiC 的Yb2Si2O7塊體材料具有最優(yōu)的裂紋自愈和性能。Vu 等[19]研究發(fā)現(xiàn),5% SiC/Y2SiO5塊體材料的裂紋自愈合效果優(yōu)于5% SiC/Y2Si2O7,Y3+擴(kuò)散對(duì)裂紋自愈合具有積極意義。
MoSi2是Mo-Si 體系中Si 含量最高的金屬間化合物,具有高熔點(diǎn)和熱氧化穩(wěn)定性較好的特點(diǎn)[20-21],在高溫下具有優(yōu)異的抗氧化性能[22],已廣泛應(yīng)用于高溫抗氧化涂層。將MoSi2引入稀土硅酸鹽(Yb2SiO5)涂層中,有望改善稀土硅酸鹽EBCs 體系的高溫穩(wěn)定性,但MoSi2摻雜量對(duì)稀土硅酸鹽EBCs 體系抗熱震行為的影響尚無(wú)確切的研究。本工作采用真空等離子噴涂技術(shù),在SiC 基體表面制備以MoSi2改性Yb2SiO5(MoSi2摻雜量為5%、10%)為面層的Yb2SiO5-MoSi2/Yb2Si2O7/Si 新涂層體系,研究其在1350 ℃下的抗水淬熱震行為,并根據(jù)涂層的微觀結(jié)構(gòu)表征結(jié)果探討MoSi2的抗熱震和抗裂紋擴(kuò)展的改性機(jī)理。
以Yb2O3粉體(上海和利稀土集團(tuán)有限公司)和SiO2粉體(國(guó)藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)為原料,采用固相反應(yīng)法制備Yb2SiO5與Yb2Si2O7粉體。將Yb2SiO5和MoSi2粉體按體積比95∶5 和90∶10 的比例充分均勻混合得到適合噴涂的粉體。
實(shí)驗(yàn)選用?25.4 mm×3 mm 的SiC 陶瓷板作為基體。為得到干凈、粗糙的表面,需要在噴涂前先對(duì)基體進(jìn)行噴砂預(yù)處理。采用真空等離子噴涂技術(shù)(VPS,A-2000 )分別將Si 和Yb2Si2O7粉體依次噴涂在基體上,然后分別噴涂Yb2SiO5、Yb2SiO5-5%MoSi2和Yb2SiO5-5%MoSi2。為方便說明,將添加量為5%MoSi2和10%MoSi2的涂層分別記為Y5M 和 Y10M,Yb2SiO5和 Yb2Si2O7分 別 記 為YbMS 和YbDS。最后獲得YbMS/YbDS/Si、Y5M/YbDS/Si 和Y10M/YbDS/Si 三種涂層。
水淬熱震實(shí)驗(yàn)在QGF1600-60 型管式爐進(jìn)行。將涂層樣品置于1350 ℃的管式爐中保溫10 min,隨后將樣品迅速取出并投入至室溫下的去離子水中淬冷,然后將樣品烘干。以上為1 次水淬熱震循環(huán),累計(jì)循環(huán)40 次后或涂層出現(xiàn)剝落后結(jié)束實(shí)驗(yàn)。
用光學(xué)顯微鏡(OM,E3CMOS)觀察樣品熱震實(shí)驗(yàn)前后的宏觀形貌。采用場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)分析涂層的表面和截面微觀形貌。分析截面的樣品測(cè)試前需進(jìn)行金相拋光處理,然后使用無(wú)水乙醇清洗并烘干。
圖1(a)~(c)是YbMS/YbDS/Si、Y5M/YbDS/Si和Y10M/YbDS/Si 三種噴涂態(tài)EBCs 涂層的SEM截面形貌??梢钥闯?,三種涂層體系均包含稀土單硅酸鹽面層、焦硅酸鹽中間層和硅黏結(jié)層三層結(jié)構(gòu),各層涂層均存在少量的氣孔和微裂紋等缺陷,涂層各層之間的界面結(jié)合良好,界面處幾乎無(wú)氣孔和裂紋等缺陷。圖1(d)是Y5M 面層摻雜MoSi2區(qū)域的高倍形貌,結(jié)合EDS 分析結(jié)果可知,灰色襯度區(qū)域(點(diǎn)2)為Yb2SiO5,黑色襯度區(qū)域?yàn)镸oSi2(點(diǎn)1),含Mo 區(qū)域成分均一,且與Yb2SiO5區(qū)域結(jié)合良好。
圖2 是經(jīng)1350 ℃水淬熱震前后的宏觀形貌??梢钥闯觯?jīng)20 次熱震后,SiC 基體出現(xiàn)破碎現(xiàn)象,Y5M/YbDS/Si 和Y10M/YbDS/Si 兩種涂層體系完整性較好,但YbMS/YbDS/Si 涂層體系在破碎邊緣處出現(xiàn)輕微剝落現(xiàn)象。經(jīng)40 次熱震后,Y5M/YbDS/Si 和Y10M/YbDS/Si 涂層仍保持完整,但YbMS/YbDS/Si 涂層剝落面積沒有明顯增加,這說明涂層的剝落可能是基體開裂導(dǎo)致。
圖2 不同的EBCs 涂層品經(jīng)熱震前后的宏觀形貌Fig.2 Macroscopic morphologies of different EBCs before and after thermal shock
圖3 是三種涂層體系經(jīng)1350 ℃水淬熱震40 次后的表面形貌??梢?,三種涂層體系表面均存在裂紋,未摻雜MoSi2的YbMS/YbDS/Si 涂層表面裂紋較多。
圖3 三種涂層體系經(jīng)40 次熱震后的SEM 表面形貌(a)YbMS/YbDS/Si;(b)Y5M/YbDS/Si;(c)Y10M/YbDS/SiFig.3 SEM surface morphologies of three EBCs after thermal shock for 40 cycles(a)YbMS/YbDS/Si;(b)Y5M/YbDS/Si;(c)Y10M/YbDS/Si
圖4 是YbMS/YbDS/Si 涂層體系經(jīng)1350 ℃水淬熱震20 次和40 次的截面形貌。由圖4 可知,涂層各層之間以及與基體之間的結(jié)合良好,各層之間未發(fā)生開裂現(xiàn)象。Yb2SiO5面層由縱向裂紋產(chǎn)生,但裂紋未貫穿整個(gè)涂層,而是終止于Yb2Si2O7中間層。在20 次熱震后的YbDS/Si 界面處能觀察到厚度約400 nm 的SiO2TGO 層,TGO 層內(nèi)部無(wú)裂紋。經(jīng)40 次熱震,Yb2SiO5面層縱向裂紋數(shù)量增加,YbDS/Si 界面處TGO 層厚度約為900 nm。
Y5M/YbDS/Si 涂層體系經(jīng)1350 ℃水淬熱震20 次和40 次的SEM 截面形貌如圖5 所示??梢?,涂層與基體之間、涂層各層之間結(jié)合良好。熱震20 次后,Y5M 面層中產(chǎn)生貫穿裂紋并終止于Y5M/YbDS 界面處(圖5(a)),在YbDS/Si 界面處能觀察到約150 nm 厚的TGO 層形成,TGO 層內(nèi)未觀察到明顯裂紋,結(jié)構(gòu)完整,與Yb2Si2O7和Si 結(jié)合良好(圖5(b))。熱震至40 次后,Y5M 層中縱向裂紋仍終止于Y5M/YbDS 界面處,并發(fā)生偏轉(zhuǎn)(圖5(c)),TGO 層厚度無(wú)明顯增加(TGO 層厚度仍為150 nm)(圖5(d))。
圖5 Y5M/YbDS/Si 涂層的SEM 截面形貌(a)~(b)熱震20 次;(c)~(d)熱震40 次Fig.5 SEM cross-sectional morphologies of Y5M/YbDS/Si EBCs(a)-(b)thermal shock for 20 cycles;(c)-(d)thermal shock for 40 cycles
圖6 為Y10M/YbDS/Si 涂層經(jīng)1350 ℃水淬熱震20 次和40 次后的SEM 截面形貌??梢钥闯?,熱震20 次后,Y10M 面層中幾乎無(wú)縱向裂紋產(chǎn)生(圖6(a)),在YbDS/Si 界面處能觀察到厚度約100 nm 厚的TGO 層(圖6(b))。熱震40 次后,Y10M 面層中出現(xiàn)縱向裂紋且終止于Yb2Si2O7層(圖6(c)),TGO層厚度約為100 nm,與Yb2Si2O7和Si 結(jié)合良好(圖6(d))。
圖6 Y10M/YbDS/Si 涂層的SEM 截面形貌(a)~(b)熱震20 次;(c)~(d)熱震40 次Fig.6 SEM cross-sectional morphologies of Y10M/YbDS/Si EBCs(a)-(b)thermal shock for 20 cycles;(c)-(d)thermal shock for 40 cycles
圖7 是摻雜MoSi2涂層體系經(jīng)1350 ℃熱震前后的SEM 截面形貌和相關(guān)EDS 分析結(jié)果。可以看出,經(jīng)20 次熱震后,MoSi2發(fā)生轉(zhuǎn)變并呈現(xiàn)出多種襯度。結(jié)合圖7(a)和EDS(表1)分析可知,表面富Mo 區(qū)域周圍出現(xiàn)的黑色襯度成分為SiO2(點(diǎn)3),富Mo 區(qū)域內(nèi)部存在未氧化的MoSi2(點(diǎn)6),和被氧化后產(chǎn)生的Mo5Si3(點(diǎn)4、5)。這說明MoSi2在熱震過程中出現(xiàn)輕微氧化。富Mo 區(qū)域內(nèi)部MoSi2與Mo5Si3結(jié)合良好(圖7(b))。Y5M 和Y10M 面層因熱應(yīng)力產(chǎn)生的微裂紋在富Mo 區(qū)域附近發(fā)生偏轉(zhuǎn)(圖7(c)和(d))。該現(xiàn)象可延長(zhǎng)裂紋在Y5M 和Y10M 涂層內(nèi)部的擴(kuò)展路徑,使其在擴(kuò)展時(shí)消耗更多的斷裂能,從而使得裂紋難以貫穿整個(gè)面層,但裂紋內(nèi)部未觀察到SiO2存在,可能與氧化時(shí)間較短、SiO2含量較少有關(guān)。
圖7 不同熱震次數(shù)后Y5M 和Y10M 面層的SEM 截面形貌(a)Y5M 面層熱震20 次及EDS 元素分布圖;(b)Y10M 面層熱震20 次;(c)Y5M 面層熱震40 次;(d)Y10M 面層熱震40 次Fig.7 SEM cross-sectional morphologies of Y5M and Y10M top layer after different thermal shock with cycles(a)Y5M top layer thermal shock for 20 cycles and EDS results;(b)Y10M top layer thermal shock for 20 cycles;(c)Y5M top layer thermal shock for 40 cycles;(d)Y10M top layer thermal shock for 40 cycles
上 述 研 究 表 明,YbMS/YbDS/Si 和 YxM/YbDS/Si 涂層體系均具有良好的抗熱震性能。經(jīng)40 次熱震,涂層體系保持完整,面層產(chǎn)生貫穿裂紋,但終止于Yb2Si2O7中間層,這與Yb2Si2O7涂層較低的熱膨脹系數(shù)、較小的彈性模量以及良好的塑性變形能力密切相關(guān)[23-24]。圖8 為三種涂層經(jīng)不同熱震次數(shù)后的TGO 層厚度相比。可見,與YbMS/YbDS/Si 涂層體系中TGO 厚度相比,YxM/YbDS/Si 涂層體系的TGO 厚度較小,說明摻雜MoSi2改性的涂層體系可有效減緩氧化性物質(zhì)的滲透。熱震過程中,摻雜改性面層中的MoSi2發(fā)生氧化并轉(zhuǎn)化為MoSi2和Mo5Si3的混合相。同時(shí)在富Mo 區(qū)邊緣處能觀察到SiO2物相,面層中也出現(xiàn)了Yb2Si2O7物相。
圖8 三種EBCs 涂層經(jīng)不同熱震次數(shù)后的TGO 層厚度對(duì)比Fig.8 TGO layer thickness comparison of three EBCs after different numbers of thermal shock
結(jié)合上述結(jié)果,可以推斷熱震過程中MoSi2發(fā)生如下反應(yīng)[25]:
在高溫氧化環(huán)境,面層中的MoSi2發(fā)生上述氧化反應(yīng),減緩了氧化性物質(zhì)對(duì)黏結(jié)層的侵蝕。隨著MoSi2摻雜量增加,涂層體系的抗氧化性能提高。
微裂紋在富Mo 區(qū)附近發(fā)生偏轉(zhuǎn),改變了縱向裂紋擴(kuò)展路徑,使得裂紋不能直接貫穿YxM 涂層,這與MoSi2良好的損傷容限有關(guān)。陶瓷材料的損傷容限可通過定量計(jì)算進(jìn)行比較。脆性指數(shù)(B)[26]和損傷容限參數(shù)(Dt)[27]是常用定量指標(biāo),較低的B和較高的Dt意味著材料具有良好的損傷容限。其計(jì)算方式如下:
式中:Hv為材料的維氏硬度;KIC為材料的斷裂韌度;E為材料的楊氏模量;σ為材料的彎曲強(qiáng)度。
MoSi2塊 體 材 料 的Hv為10.6 GPa,KIC為4.5 MPa?m1/2,σ為560 MPa,E為430 GPa。可計(jì)算出,MoSi2的B值 為2.36 μm1/2,低 于Yb2Si2O7(2.78 μm1/2)和Yb2SiO5(3.40 μm1/2),Dt值 為0.33 m1/2,介 于Yb2Si2O7(0.38 m1/2)和Yb2SiO5(0.25 m1/2)之間[28],因此該材料較Yb2SiO5材料具有更好的損傷容限,可阻止微觀裂紋向其內(nèi)部的擴(kuò)散。氧化過程中SiO2多按發(fā)生反應(yīng)2 直接與Yb2SiO5發(fā)生反應(yīng)??梢酝茢嚯S著在高溫中時(shí)間增加,富Mo 區(qū)邊緣處會(huì)出現(xiàn)更多的Yb2Si2O7。Yb2SiO5涂層的熱膨脹系數(shù)((6.9~7.6)×10?6K?1)要高于Yb2Si2O7涂層((3.3~5.2)×10?6K?1)。與Yb2SiO5涂層相比,Yb2Si2O7涂層的彈性模量較低。涂層具有較高的熱膨脹系數(shù)和彈性模量,在熱震過程中所受熱應(yīng)力較大[29]。因此,Yb2Si2O7的形成有利于降低熱震過程中的熱應(yīng)力?;谝陨戏治?,MoSi2在面層中具有如下改性作用:(1)MoSi2具有良好的損傷容限,可有效阻止裂紋向其內(nèi)部的擴(kuò)散;(2)MoSi2可消耗氧化劑,降低涂層內(nèi)部氧化劑的濃度。
(1)YbMS/YbDS/Si、Y5M/YbDS/Si 和Y10M/YbDS/Si 三種涂層體系結(jié)構(gòu)致密,各層之間結(jié)合良好。MoSi2摻雜量為5 %和10%時(shí),涂層體系均具有良好的抗熱震性能。
(2)摻雜MoSi2可改善YxM 涂層的損傷容限,氧化反應(yīng)形成的Yb2Si2O7具有較低的熱膨脹系數(shù)和彈性模量,有利于提高其抗熱震性能。
(3)YxM/YbDS/Si 涂層體系中TGO 層厚度相較于YbMS/YbDS/Si 涂層體系分別降低約83%和88%,摻雜MoSi2較多的Y10M/ YbDS/Si 涂層體系的TGO 層厚度最小。MoSi2的氧化可消耗氧化性介質(zhì),減少其向涂層體系內(nèi)部的擴(kuò)散,有利于減緩粘結(jié)層的氧化。