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        考慮荷電狀態(tài)恢復(fù)的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略

        2022-11-14 06:27:52嚴(yán)干貴王銘岐段雙明李軍徽蔡長(zhǎng)興
        電力系統(tǒng)自動(dòng)化 2022年21期
        關(guān)鍵詞:調(diào)頻出力充放電

        嚴(yán)干貴,王銘岐,段雙明,張 薇,李軍徽,蔡長(zhǎng)興

        (1. 現(xiàn)代電力系統(tǒng)仿真控制與綠色電能新技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(東北電力大學(xué)),吉林省吉林市 132012;2. 國(guó)網(wǎng)江西省電力公司贛州供電公司,江西省贛州市 341000)

        0 引言

        隨著能源系統(tǒng)清潔化轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略的深入推進(jìn),中國(guó)清潔能源占比逐步提高,其中,以風(fēng)能、太陽能為代表的清潔能源正逐步取代傳統(tǒng)化石能源,電力系統(tǒng)逐漸呈現(xiàn)出“高比例可再生能源滲透”的特點(diǎn)[1-3]。然而,清潔能源發(fā)電的隨機(jī)性和波動(dòng)性將導(dǎo)致電源側(cè)功率波動(dòng)加劇,給電網(wǎng)調(diào)頻帶來巨大的挑戰(zhàn)。因此,亟須引入一種新的調(diào)頻手段來緩解傳統(tǒng)調(diào)頻機(jī)組的調(diào)頻壓力[4-5]。電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(battery energy storage system,BESS)作為解決清潔能源并網(wǎng)的有效手段,憑借其精確跟蹤、響應(yīng)速度快、控制精度高、具有雙向調(diào)節(jié)能力等優(yōu)點(diǎn)在一次調(diào)頻領(lǐng)域備受關(guān)注[6-9]。

        國(guó)內(nèi)外學(xué)者已經(jīng)從儲(chǔ)能調(diào)頻模型和儲(chǔ)能控制策略等方面開展了關(guān)于電池儲(chǔ)能系統(tǒng)參與電網(wǎng)一次調(diào)頻的研究。文獻(xiàn)[10]推導(dǎo)出適用于電網(wǎng)一次調(diào)頻的儲(chǔ)能簡(jiǎn)化模型,并驗(yàn)證了儲(chǔ)能調(diào)頻模型的有效性。文獻(xiàn)[11]采用固定的虛擬下垂系數(shù)對(duì)儲(chǔ)能出力進(jìn)行控制(即定K下垂控制),并提出了儲(chǔ)能容量的配置方法。文獻(xiàn)[12]考慮儲(chǔ)能調(diào)頻出力的自適應(yīng)性,將虛擬下垂系數(shù)定義為儲(chǔ)能荷電狀態(tài)(state of charge,SOC)的函數(shù)(即變K下垂控制),有效避免了儲(chǔ)能可能出現(xiàn)的過充、過放現(xiàn)象。文獻(xiàn)[13]在火電機(jī)組的調(diào)頻死區(qū)內(nèi)設(shè)置恰當(dāng)?shù)膬?chǔ)能調(diào)頻死區(qū),有效減少了常規(guī)機(jī)組的動(dòng)作次數(shù),提高了儲(chǔ)能和常規(guī)機(jī)組運(yùn)行的經(jīng)濟(jì)性。文獻(xiàn)[14]提出利用權(quán)重因子調(diào)節(jié)虛擬慣性控制和虛擬下垂控制出力比重的儲(chǔ)能調(diào)頻策略,有效減小了電網(wǎng)頻率波動(dòng)。文獻(xiàn)[15]提出一種分配系數(shù)模型實(shí)現(xiàn)虛擬慣性控制和虛擬下垂控制的平滑切換,有效避免了2 種控制策略直接切換對(duì)電網(wǎng)的二次沖擊。文獻(xiàn)[16]考慮儲(chǔ)能的電量管理,充分利用調(diào)頻死區(qū)并基于SOC 基點(diǎn)提出一種儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)策略,以保證儲(chǔ)能SOC 長(zhǎng)時(shí)間處于良好狀態(tài)。

        上述研究在電池儲(chǔ)能系統(tǒng)參與電網(wǎng)一次調(diào)頻的控制策略方面存在以下不足:當(dāng)前研究主要集中在虛擬慣性控制和虛擬下垂控制的協(xié)調(diào)配合和切換時(shí)機(jī) 方 面[13-15,17-18],實(shí) 現(xiàn) 了2 種 控 制 策 略 的 優(yōu) 勢(shì) 互 補(bǔ),有效改善了調(diào)頻效果,但卻沒有從調(diào)節(jié)系數(shù)方面考慮當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能調(diào)頻功率不足導(dǎo)致調(diào)頻效果不理想的問題。文獻(xiàn)[14]在儲(chǔ)能SOC恢復(fù)階段提出儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)方法,一定程度上解決了此問題,但卻沒有在儲(chǔ)能調(diào)頻階段提出合理的控制策略來解決此問題,同時(shí)所提儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)方法仍有待改善。

        為了解決儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能調(diào)頻能力不足的問題,從而更好地滿足系統(tǒng)調(diào)頻需求,本文提出一種考慮SOC 恢復(fù)的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略。在儲(chǔ)能調(diào)頻階段,儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí)增加儲(chǔ)能充電功率(儲(chǔ)能SOC 偏高時(shí)增加儲(chǔ)能放電功率),使儲(chǔ)能SOC 向理想狀態(tài)恢復(fù),為儲(chǔ)能后續(xù)調(diào)頻提供放電(充電)空間;在儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)階段,合理選取儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)系數(shù),調(diào)整SOC 恢復(fù)速率使其具備較強(qiáng)的雙向調(diào)頻能力。最后,搭建儲(chǔ)能參與電網(wǎng)一次調(diào)頻仿真系統(tǒng),對(duì)所提調(diào)頻策略的有效性進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。

        1 含儲(chǔ)能的電網(wǎng)一次調(diào)頻模型

        基于區(qū)域等效的原理,建立含儲(chǔ)能的電網(wǎng)一次調(diào)頻模型[14],其框圖如圖1 所示。圖中:s為拉普拉斯算子;KG為火電機(jī)組單位調(diào)節(jié)功率;Tg為火電機(jī)組調(diào)速器時(shí)間常數(shù);FHP為汽輪機(jī)再熱器增益;TRH為再熱器時(shí)間常數(shù);TCH為汽輪機(jī)時(shí)間常數(shù);Gg(s)為火電機(jī)組傳遞函數(shù);ΔPG(s)為火電機(jī)組出力;e0(s)為系統(tǒng)一次調(diào)頻分配給儲(chǔ)能的信號(hào);TE為儲(chǔ)能響應(yīng)時(shí)間常數(shù);GE(s)為儲(chǔ)能電池的傳遞函數(shù);Pb為系統(tǒng)一次調(diào)頻分配給儲(chǔ)能的功率,并規(guī)定Pb>0 表示儲(chǔ)能處于放電狀態(tài),Pb<0 表示儲(chǔ)能處于充電狀態(tài);η為電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的充放電效率;Erated為電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的額定容量;Sinitial為電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的初始SOC;ΔPE(s)為電池儲(chǔ)能系統(tǒng)出力;ΔPL(s)為綜合負(fù)荷擾動(dòng);M為電網(wǎng)慣性時(shí)間常數(shù);D為系統(tǒng)阻尼系數(shù);ΔF(s)為系統(tǒng)頻率偏差。

        圖1 含儲(chǔ)能的電網(wǎng)一次調(diào)頻模型框圖Fig.1 Block diagram of primary frequency regulation model for power grid with BESS

        2 考慮SOC 恢復(fù)的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略

        2.1 儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略框架

        儲(chǔ)能的調(diào)頻能力和SOC 密切相關(guān)[19]。當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí),雙向調(diào)頻能力會(huì)受到限制,為了使儲(chǔ)能保持較強(qiáng)的雙向調(diào)頻能力,從而更好地滿足系統(tǒng)調(diào)頻需求,儲(chǔ)能SOC 應(yīng)盡可能維持在良好狀態(tài)。因此,本文以電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的調(diào)頻死區(qū)上下限±Δfdb為界限,將儲(chǔ)能參與電網(wǎng)一次調(diào)頻劃分為儲(chǔ)能調(diào)頻階段(系統(tǒng)頻率偏差在儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)外,即|Δf|>Δfdb)和儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)階段(系統(tǒng)頻率偏差在儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)內(nèi),即|Δf|≤Δfdb)。在儲(chǔ)能調(diào)頻階段,將變K下垂控制(主調(diào)頻控制)與輔調(diào)頻控制的充放電系數(shù)相加作為儲(chǔ)能調(diào)頻系數(shù),進(jìn)而控制儲(chǔ)能調(diào)頻階段的出力,使儲(chǔ)能SOC 更快恢復(fù)到良好狀態(tài)以改善儲(chǔ)能后續(xù)時(shí)段的調(diào)頻能力;在儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)階段,在保證系統(tǒng)頻率偏差不跌出儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)的基礎(chǔ)上,對(duì)儲(chǔ)能SOC 進(jìn)行恢復(fù)?;谏鲜鏊悸罚疚奶岢鲆环N考慮SOC 恢復(fù)的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略,其整體框架如圖2 所示。

        圖2 儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略框架Fig.2 Framework of primary frequency regulation control strategy of BESS

        2.2 儲(chǔ)能調(diào)頻階段出力控制

        為避免儲(chǔ)能SOC 在長(zhǎng)時(shí)間擾動(dòng)中快速消耗殆盡或飽和,本文首先采用變K下垂控制作為主調(diào)頻控制對(duì)電網(wǎng)頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)[12],但變K下垂控制仍然存在一些不足。為解決變K下垂控制在儲(chǔ)能SOC偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能調(diào)頻能力不足的問題,本文提出2.2.2 節(jié)的輔調(diào)頻控制,此控制在儲(chǔ)能調(diào)頻階段與2.2.1 節(jié)的變K下垂控制結(jié)合使用共同對(duì)電網(wǎng)頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。

        本文提出的輔調(diào)頻控制不局限于與變K下垂控制結(jié)合使用,變K慣性控制以及變K下垂控制和變K慣性控制協(xié)調(diào)配合的控制都可以借鑒本文輔調(diào)頻控制的構(gòu)建思路,以解決儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能調(diào)頻能力不足的問題。本文僅以變K下垂控制作為主調(diào)頻控制為例,對(duì)輔調(diào)頻控制的構(gòu)建方法和儲(chǔ)能調(diào)頻系數(shù)的計(jì)算方法進(jìn)行說明。

        2.2.1 變K下垂控制

        儲(chǔ)能通過變K下垂控制參與頻率調(diào)節(jié)。變K下垂控制出力ΔPE1與頻率偏差Δf的關(guān)系為:

        式中:KE1為虛擬下垂系數(shù);Kc1為虛擬下垂充電系數(shù);Kd1為虛擬下垂放電系數(shù)。

        當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí),Kc1設(shè)置為最大值,使得儲(chǔ)能具有良好的調(diào)頻效果,而Kd1設(shè)置較小且隨著儲(chǔ)能SOC 的降低而減小;當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏高時(shí),Kd1設(shè)置為最大值,使得儲(chǔ)能具有良好的調(diào)頻效果,而Kc1設(shè)置較小且隨著儲(chǔ)能SOC 的升高而減小[12]?;谏鲜龇治?,采用S 型函數(shù)對(duì)虛擬下垂充放電系數(shù)進(jìn)行構(gòu)建。S 型函數(shù)的特點(diǎn)是:初始階段近似呈指數(shù)增長(zhǎng),隨著逐漸飽和,增加速度減慢,達(dá)到一定程度時(shí)停止增加,并穩(wěn)定在某一數(shù)值。以儲(chǔ)能SOC 值S為自變量,Kc1和Kd1為因變量,建立虛擬下垂充放電系數(shù)表達(dá)式如式(3)和式(4)所示。

        式 中:KE,max為 虛 擬 下 垂 系 數(shù) 的 最 大 值;Smin、Slow、Shigh、Smax分別為儲(chǔ)能SOC 的最小值、較低值、較高值、最大值;n為曲線的自適應(yīng)系數(shù),其值決定了曲線的變化趨勢(shì)。當(dāng)n取不同值時(shí),虛擬下垂系數(shù)的變化曲線如附錄A 圖A1 所示。

        由附錄A 圖A1 可知,當(dāng)n值較大時(shí),KE1僅在很小的一段范圍內(nèi)跟隨儲(chǔ)能SOC 有較大變化,自適應(yīng)度較弱;而當(dāng)n值較小時(shí),一定程度上影響了儲(chǔ)能的調(diào)頻效果。因此,本文n取中間值15,在保證儲(chǔ)能調(diào)頻效果的同時(shí),也兼顧了KE1隨儲(chǔ)能SOC 變化的自適應(yīng)性。

        2.2.2 輔調(diào)頻控制

        本文設(shè)計(jì)此控制的目的是在儲(chǔ)能SOC 偏低(偏高)時(shí),通過輔調(diào)頻控制使儲(chǔ)能以更大功率進(jìn)行充電(放電),以便儲(chǔ)能SOC 更快地向理想狀態(tài)恢復(fù),改善儲(chǔ)能后續(xù)的放電(充電)調(diào)頻能力。

        輔調(diào)頻控制的動(dòng)作時(shí)機(jī)由系統(tǒng)頻率偏差和儲(chǔ)能SOC 決定。以儲(chǔ)能SOC 值S為橫坐標(biāo),系統(tǒng)頻率偏差為縱坐標(biāo),構(gòu)建輔調(diào)頻控制動(dòng)作時(shí)機(jī)圖,如附錄A圖A2 所示。圖中的4 條虛線中,與橫坐標(biāo)平行的2 條虛線代表儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)的上下限;與縱坐標(biāo)平行的2 條虛線代表儲(chǔ)能SOC 處于理想狀態(tài)的邊界,即Slow≤S≤Shigh時(shí),儲(chǔ)能SOC 為理想狀態(tài)。儲(chǔ)能調(diào)頻階段所在區(qū)域,即|Δf|>Δfdb的區(qū)域,4 條虛線將其分為6 個(gè)區(qū)域。

        區(qū)域Ⅰ的Δf>Δfdb且S<Slow,Δf為正,需要儲(chǔ)能充電調(diào)頻以降低系統(tǒng)頻率,而此時(shí)儲(chǔ)能SOC 處于較低狀態(tài),若此時(shí)進(jìn)行輔調(diào)頻控制(儲(chǔ)能進(jìn)行充電),不僅可以使儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)到較好的狀態(tài)以改善儲(chǔ)能后續(xù)的放電調(diào)頻能力,同時(shí)也提升了儲(chǔ)能當(dāng)前的充電調(diào)頻能力;同理,區(qū)域Ⅵ的Δf<-Δfdb且S>Shigh,Δf為負(fù),需要儲(chǔ)能放電調(diào)頻以提高系統(tǒng)頻率,而此時(shí)儲(chǔ)能SOC 處于較高狀態(tài),若此時(shí)進(jìn)行輔調(diào)頻控制(儲(chǔ)能進(jìn)行放電),不僅可以使儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)到較好的狀態(tài)以改善儲(chǔ)能后續(xù)的充電調(diào)頻能力,同時(shí)也提升了儲(chǔ)能當(dāng)前的放電調(diào)頻能力。因此,在區(qū)域Ⅰ、Ⅵ儲(chǔ)能采用變K下垂控制+輔調(diào)頻控制。

        區(qū)域Ⅲ的Δf>Δfdb且S>Shigh,Δf為正,需要儲(chǔ)能充電調(diào)頻以降低系統(tǒng)頻率,而此時(shí)儲(chǔ)能SOC 處于較高狀態(tài),若此時(shí)進(jìn)行輔調(diào)頻控制(儲(chǔ)能進(jìn)行放電),會(huì)影響系統(tǒng)頻率的降低,違背了儲(chǔ)能調(diào)頻階段調(diào)頻這一主要目標(biāo);同理,區(qū)域Ⅳ的Δf<-Δfdb且S<Slow,Δf為負(fù),需要儲(chǔ)能放電調(diào)頻以提高系統(tǒng)頻率,而此時(shí)儲(chǔ)能SOC 處于較低狀態(tài),若此時(shí)進(jìn)行輔調(diào)頻控制(儲(chǔ)能進(jìn)行充電),會(huì)影響系統(tǒng)頻率的提高,違背了儲(chǔ)能調(diào)頻階段調(diào)頻這一主要目標(biāo)。因此,在區(qū)域Ⅲ、Ⅳ儲(chǔ)能只采用變K下垂控制。

        區(qū)域Ⅱ、Ⅴ的儲(chǔ)能SOC 處于理想狀態(tài),若此時(shí)進(jìn)行輔調(diào)頻控制,雖然可以提升儲(chǔ)能當(dāng)前的調(diào)頻能力,但儲(chǔ)能SOC 可能會(huì)很快跌出理想狀態(tài)范圍,影響儲(chǔ)能后續(xù)的調(diào)頻能力。因此,在區(qū)域Ⅱ、Ⅴ儲(chǔ)能只采用變K下垂控制。

        綜上,在區(qū)域Ⅰ、Ⅵ儲(chǔ)能采用變K下垂控制+輔調(diào)頻控制,在區(qū)域Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ儲(chǔ)能只采用變K下垂控制。同時(shí),在區(qū)域Ⅰ,輔調(diào)頻控制充電系數(shù)應(yīng)設(shè)置較大且隨著儲(chǔ)能SOC 的升高而減??;在區(qū)域Ⅵ,輔調(diào)頻控制放電系數(shù)應(yīng)設(shè)置較大且隨著儲(chǔ)能SOC 的降低而減小。

        結(jié)合上述分析,采用S 型函數(shù)對(duì)輔調(diào)頻控制充放電系數(shù)進(jìn)行構(gòu)建。以S為自變量,輔調(diào)頻控制充放電系數(shù)為因變量,建立輔調(diào)頻控制充放電系數(shù)表達(dá)式如式(5)和式(6)所示。

        式中:Kc2為輔調(diào)頻控制充電系數(shù);Kd2為輔調(diào)頻控制放電系數(shù);α為調(diào)整系數(shù),用于調(diào)整Kc2和Kd2曲線整體的大小,值得注意的是,α的取值并不唯一,可以根據(jù)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率容量配置進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整;S′0為低中間值,其值決定了Kc2曲線的變化趨勢(shì),0.1 <S′0<0.45;S′1為高中間值,其值決定了Kd2曲線 的 變 化 趨 勢(shì),0.55 <S′1<0.9。S′0取 值 為0.15、0.20、0.25、0.30、0.35、0.40 時(shí)對(duì)應(yīng)的Kc2曲線,以及S′1取值為0.85、0.80、0.75、0.70、0.65、0.60 時(shí)對(duì)應(yīng)的Kd2曲 線 如 附 錄A 圖A3 所 示。圖 中,KE2為 輔 調(diào) 頻控制系數(shù)。

        由附錄A 圖A3 可知,S′0越大、S′1越小,輔調(diào)頻控制的調(diào)頻效果和儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果越好。但S′0太大、S′1太小,可能會(huì)導(dǎo)致儲(chǔ)能SOC 很快跌出理想狀態(tài)范圍,儲(chǔ)能后續(xù)的調(diào)頻能力下降,同時(shí)S′0太小、S′1太大,會(huì)使輔調(diào)頻控制的效果不明顯。因此,S′0和S′1的取值應(yīng)該適當(dāng),本文S′0取0.3,S′1取0.7。

        2.2.3 儲(chǔ)能調(diào)頻階段綜合出力控制

        在儲(chǔ)能調(diào)頻階段,儲(chǔ)能在輔調(diào)頻控制動(dòng)作時(shí)機(jī)圖中的區(qū)域Ⅰ、Ⅵ采用變K下垂控制+輔調(diào)頻控制,在區(qū)域Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ只采用變K下垂控制。由于本文構(gòu)建的輔調(diào)頻控制充放電系數(shù)在區(qū)域Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ取值為0,故輔調(diào)頻控制在區(qū)域Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ出力也為0。因此,儲(chǔ)能調(diào)頻階段的綜合出力只需變K下垂控制出力與輔調(diào)頻控制出力相加即可(虛擬下垂充放電系數(shù)與輔調(diào)頻控制充放電系數(shù)相加即可得到儲(chǔ)能調(diào)頻充放電系數(shù)),而無須判斷系統(tǒng)頻率偏差和儲(chǔ)能SOC 處于輔調(diào)頻控制動(dòng)作時(shí)機(jī)圖中的第幾區(qū)域再?zèng)Q定輔調(diào)頻控制是否可以動(dòng)作。因此,建立儲(chǔ)能調(diào)頻階段的綜合出力ΔPE與Δf的關(guān)系式如式(7)和式(8)所示。

        式中:KE為儲(chǔ)能調(diào)頻系數(shù);Kc為儲(chǔ)能調(diào)頻充電系數(shù);Kd為儲(chǔ)能調(diào)頻放電系數(shù)。

        以S為自變量,建立Kc、Kd的關(guān)系式如式(9)和式(10)所示。儲(chǔ)能調(diào)頻充放電系數(shù)隨S變化曲線如圖3 所示。

        圖3 儲(chǔ)能調(diào)頻系數(shù)Fig.3 Frequency regulation coefficient of BESS

        2.3 儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)階段出力控制

        當(dāng)電網(wǎng)調(diào)頻需求不大時(shí),即系統(tǒng)頻率偏差在儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)內(nèi)時(shí),為應(yīng)對(duì)未來調(diào)頻需求,對(duì)儲(chǔ)能進(jìn)行SOC 恢復(fù)控制,以保證儲(chǔ)能SOC 處于或接近理想狀態(tài)[20-21]。

        從電池儲(chǔ)能系統(tǒng)SOC 恢復(fù)的需求出發(fā),對(duì)儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)進(jìn)行建模。儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)構(gòu)建方法如下:當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí),儲(chǔ)能放電恢復(fù)需求系數(shù)Kd3設(shè)置為0,以免儲(chǔ)能電量快速殆盡,而儲(chǔ)能充電恢復(fù)需求系數(shù)Kc3設(shè)置得較大且隨著儲(chǔ)能SOC 的升高而減小;當(dāng)儲(chǔ)能SOC 偏高時(shí),Kc3設(shè)置為0,以免儲(chǔ)能電量快速飽和,而Kd3設(shè)置得較大且隨著儲(chǔ)能SOC 的降低而減?。?4]。

        以S為自變量,儲(chǔ)能充放電恢復(fù)需求系數(shù)為因變量,采用S 型函數(shù)建立儲(chǔ)能充放電恢復(fù)需求系數(shù)的表達(dá)式如式(11)和式(12)所示。

        式中:S0和S1分別為儲(chǔ)能SOC 的偏低值和偏高值。當(dāng)曲線的自適應(yīng)系數(shù)n取不同值時(shí),儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)的變化曲線如附錄A 圖A4 所示。圖中,KE3為儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)。

        由附錄A 圖A4 可知,當(dāng)n值較大時(shí),KE3僅在很小的一段范圍內(nèi)跟隨儲(chǔ)能SOC 有較大變化,自適應(yīng)度較弱;而當(dāng)n值較小時(shí),一定程度上影響了儲(chǔ)能SOC 的恢復(fù)效果。因此,本文n取中間值15,在保證儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果的同時(shí),也兼顧了KE3隨儲(chǔ)能SOC 變化的自適應(yīng)性。

        電池儲(chǔ)能系統(tǒng)在考慮SOC 恢復(fù)需求的同時(shí),還要保證系統(tǒng)頻率偏差不能跌出儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū),因此必須對(duì)儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)加以約束。

        儲(chǔ)能恢復(fù)系數(shù)約束構(gòu)建方法如下:當(dāng)Δfmin≤Δf<Δf0時(shí)(其中Δfmin和Δf0分別為頻率偏差的最小值和偏小值),系統(tǒng)頻率偏差接近死區(qū)下限,若此時(shí)儲(chǔ)能有充電恢復(fù)需求,只能從電網(wǎng)中吸收電能,如果儲(chǔ)能充電恢復(fù)系數(shù)約束Kc4設(shè)置得較大,則儲(chǔ)能會(huì)吸收大量電能導(dǎo)致系統(tǒng)頻率偏差跌出死區(qū)下限,故Kc4應(yīng)設(shè)置得較小且隨著Δf的減小而減小,若此時(shí)儲(chǔ)能有放電恢復(fù)需求,由于系統(tǒng)頻率偏差遠(yuǎn)離死區(qū)上限,儲(chǔ)能即使大量放電也不會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)頻率偏差超過死區(qū)上限,故儲(chǔ)能放電恢復(fù)系數(shù)約束Kd4應(yīng)設(shè)置得較大;當(dāng)Δf0≤Δf<Δflow時(shí)(其中Δflow為頻率偏差的較小值),系統(tǒng)頻率偏差仍然距離死區(qū)下限較近,故Kc4不應(yīng)設(shè)置得過大且隨著Δf的減小而減小,而此時(shí)系統(tǒng)頻率偏差仍然遠(yuǎn)離死區(qū)上限,故Kd4仍可設(shè)置得較大;當(dāng)Δflow≤Δf<Δfhigh時(shí)(其中Δfhigh為頻率偏差的較大值),系統(tǒng)頻率偏差距離死區(qū)上下限都較遠(yuǎn),故儲(chǔ)能充放電恢復(fù)系數(shù)約束均可設(shè)置得較大;當(dāng)Δfhigh≤Δf<Δf1時(shí)(其中Δf1為頻率偏差的偏大值),與Δf0≤Δf<Δflow同理,Kd4不應(yīng)設(shè)置得過大且隨著Δf的增大而減小,而Kc4可設(shè)置得較大;當(dāng)Δf1≤Δf<Δfmax時(shí)(其中Δfmax為頻率偏差的最大值),與Δfmin≤Δf<Δf0同理,Kd4應(yīng)設(shè)置得較小且隨著Δf的增大而減小,Kc4應(yīng)設(shè)置得較大[14]。

        以Δf為自變量,儲(chǔ)能充放電恢復(fù)系數(shù)約束為因變量,采用S 型函數(shù)建立儲(chǔ)能充放電恢復(fù)系數(shù)約束的表達(dá)式如式(13)和式(14)所示。

        當(dāng)n取不同值時(shí),儲(chǔ)能恢復(fù)系數(shù)約束的變化曲線如附錄A 圖A5 所示。圖中,KE4為儲(chǔ)能恢復(fù)系數(shù)約束。

        由附錄A 圖A5 可知,當(dāng)n值較大時(shí),KE4僅在很小的一段范圍內(nèi)跟隨Δf有較大變化,自適應(yīng)度較弱;而當(dāng)n值較小時(shí),可能會(huì)使系統(tǒng)頻率偏差跌出儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)。因此,本文n取中間值15,在保證系統(tǒng)頻率偏差在儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)內(nèi)的同時(shí),也兼顧了KE4隨Δf變化的自適應(yīng)性。

        同時(shí)兼顧儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)需求以及電網(wǎng)運(yùn)行狀態(tài)的限制(系統(tǒng)頻率偏差不能跌出儲(chǔ)能調(diào)頻死區(qū)),取儲(chǔ)能恢復(fù)需求系數(shù)和儲(chǔ)能恢復(fù)系數(shù)約束的較小值作為儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)系數(shù)KR,如式(15)所示。儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)系數(shù)曲線如圖4 所示。

        圖4 儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)系數(shù)Fig.4 SOC recovery coefficient of BESS

        綜上所述,儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力ΔPR的表達(dá)式如式(16)所示。

        2.4 儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略

        結(jié)合2.2 節(jié)的儲(chǔ)能調(diào)頻階段出力控制和2.3 節(jié)的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)階段出力控制,提出儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略。儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略流程圖如附錄A圖A6 所示。

        2.5 控制策略評(píng)價(jià)指標(biāo)

        為了定量評(píng)估和對(duì)比本文控制策略的調(diào)頻效果和儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果,根據(jù)負(fù)荷擾動(dòng)類型分別提出2 類評(píng)價(jià)指標(biāo)。

        針對(duì)階躍負(fù)荷擾動(dòng),提出最大頻率偏差Δfm和頻率下降速度Vm作為評(píng)價(jià)指標(biāo)。Δfm的值越小,系統(tǒng)頻率變化幅度就越小,相對(duì)應(yīng)策略的調(diào)頻效果就越好;Vm的值越小,系統(tǒng)頻率變化就越緩慢,相對(duì)應(yīng)策略的調(diào)頻效果就越好。

        針對(duì)連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng),提出頻率偏差的均方根值Δfrms和SOC 偏差的均方根值ΔSrms作為評(píng)價(jià)指標(biāo),其中,Δfrms反映控制策略的調(diào)頻效果,ΔSrms反映控制策略的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。表達(dá)式具體如下:

        式中:Δfi為采樣點(diǎn)i的系統(tǒng)頻率偏差;Si為采樣點(diǎn)i的儲(chǔ)能SOC 值;Sn為本文設(shè)定的儲(chǔ)能SOC 理想值,取值為0.5;N為總采樣點(diǎn)的個(gè)數(shù)。Δfrms的值越小,電網(wǎng)頻率波動(dòng)就越小,相對(duì)應(yīng)策略的調(diào)頻效果就越好;ΔSrms的值越小,儲(chǔ)能SOC 的值就越接近儲(chǔ)能SOC 理想值,相對(duì)應(yīng)策略的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果就越好。

        3 仿真分析

        3.1 仿真系統(tǒng)參數(shù)

        本文以MATLAB/Simulink 為仿真環(huán)境,搭建如圖1 所示的仿真系統(tǒng)。其中,火電機(jī)組額定容量為1 000 MW,電池儲(chǔ)能系統(tǒng)參數(shù)為15 MW/2 MW·h,火電機(jī)組一次調(diào)頻的死區(qū)上下限為±0.033 Hz(標(biāo)幺值為0.000 66),電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的調(diào)頻死區(qū)上下限為火電機(jī)組一次調(diào)頻死區(qū)上下限的60%[13](標(biāo)幺值為0.000 4)。其余仿真系統(tǒng)參數(shù)按火電機(jī)組額定容量和電網(wǎng)額定頻率50 Hz 為基準(zhǔn)值進(jìn)行標(biāo)幺化,仿真系統(tǒng)參數(shù)(標(biāo)幺值)如附錄A 表A1 所示,控制策略的相關(guān)參數(shù)(標(biāo)幺值)如附錄A 表A2 所示。

        3.2 控制策略對(duì)比仿真分析

        在2 種典型工況(階躍負(fù)荷擾動(dòng)工況、連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)工況)下,采用控制變量法將本文所提控制策略(2.2.3 節(jié)+2.3 節(jié))與無儲(chǔ)能和變K下垂[12]+SOC 恢復(fù)控制策略(2.2.1 節(jié)+2.3 節(jié))進(jìn)行對(duì)比仿真,來驗(yàn)證本文所提控制策略的有效性和優(yōu)越性。

        3.2.1 階躍負(fù)荷擾動(dòng)工況仿真分析

        在仿真模型中的3 s 時(shí)刻加入幅值標(biāo)幺值為0.02 的階躍負(fù)荷擾動(dòng),電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的初始SOC 設(shè)置為0.8,仿真時(shí)長(zhǎng)設(shè)置為60 s。階躍負(fù)荷擾動(dòng)下的頻率偏差變化曲線、儲(chǔ)能出力曲線和SOC 變化曲線如圖5 所示,相應(yīng)評(píng)價(jià)指標(biāo)如表1 所示。

        由圖5(a)可知,在3 s 加入階躍擾動(dòng)后,3 種調(diào)頻控制策略所對(duì)應(yīng)的頻率偏差都快速下降,其中,無儲(chǔ)能控制方式的頻率偏差下降最快,最大頻率偏差也最大。由表1 可知,本文策略的最大頻率偏差Δfm比無儲(chǔ)能小58.84%,頻率下降速度Vm比無儲(chǔ)能小62.73%,可見引入儲(chǔ)能可以有效改善頻率響應(yīng)效果。同時(shí),從圖5(a)的局部放大圖中可以看出,本文策略的最大頻率偏差比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的小,并且到達(dá)最大頻率偏差的時(shí)刻也更晚,表明本文策略的調(diào)頻效果更優(yōu)。本文策略在儲(chǔ)能SOC偏高時(shí)具有更大的儲(chǔ)能調(diào)頻放電系數(shù),故本文策略的儲(chǔ)能出力比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的儲(chǔ)能出力更大,但由于儲(chǔ)能受額定功率的限制,導(dǎo)致儲(chǔ)能無法提供更多的調(diào)頻出力,故本文策略與變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的最大頻率偏差相差不大。

        圖5 階躍負(fù)荷擾動(dòng)下的頻率偏差變化、儲(chǔ)能出力、SOC 變化曲線Fig.5 Curves of frequency deviation variation,output power of BESS and SOC variation with step load disturbance

        表1 階躍負(fù)荷擾動(dòng)下的調(diào)頻評(píng)價(jià)指標(biāo)Table 1 Evaluation index of frequency regulation with step load disturbance

        由圖5(b)可知,2 種策略的儲(chǔ)能出力在階躍擾動(dòng)發(fā)生后都快速由0 上升到儲(chǔ)能的最大出力15 MW,充分體現(xiàn)了儲(chǔ)能調(diào)頻的快速響應(yīng)特性。同時(shí),從圖5(b)的局部放大圖中可以看出,從3.11~3.34 s 這一階段,本文策略的儲(chǔ)能出力一直大于變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的儲(chǔ)能出力,且本文策略的儲(chǔ)能出力更快到達(dá)最大值,故本文策略的最大頻率偏差更小,并且頻率下降速度也更慢。

        由表1 可知,本文策略的Δfm比變K下垂+SOC恢復(fù)策略小0.44%,Vm比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略小13.73%,可見,本文策略的調(diào)頻效果略好于對(duì)比策 略。由 圖5(c)可 知,2 種 策 略 的 儲(chǔ) 能SOC 消 耗相同。

        綜上所述,在階躍負(fù)荷擾動(dòng)工況下,本文策略能夠有效改善頻率響應(yīng)效果,并且調(diào)頻效果略好于變K下 垂+SOC 恢 復(fù) 策 略。

        3.2.2 連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)工況仿真分析

        在仿真模型中加入幅值標(biāo)幺值為0.025 的連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng),即連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)在(-0.025,0.025)內(nèi)波動(dòng),電池儲(chǔ)能系統(tǒng)的初始SOC 設(shè)置為0.15,仿真時(shí)長(zhǎng)設(shè)置為10 min。連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)下的頻率偏差變化曲線、SOC 變化曲線和儲(chǔ)能出力曲線如圖6 所示,相應(yīng)評(píng)價(jià)指標(biāo)如表2 所示。

        由圖6(a)和表2 可知,無儲(chǔ)能的頻率偏差波動(dòng)幅度最大且本文策略的頻率偏差的均方根值Δfrms比無儲(chǔ)能小64.97%,充分說明了儲(chǔ)能可以有效減小頻率波動(dòng)。將圖6(a)的頻率偏差分為正頻率偏差和負(fù)頻率偏差(正頻率偏差對(duì)應(yīng)儲(chǔ)能充電出力和儲(chǔ)能充電調(diào)頻效果,負(fù)頻率偏差對(duì)應(yīng)儲(chǔ)能放電出力和儲(chǔ)能放電調(diào)頻效果)??梢钥闯觯疚牟呗院妥僈下垂+SOC 恢復(fù)策略的正頻率偏差均小于無儲(chǔ)能的正頻率偏差,且本文策略的正頻率偏差更小,說明本文策略在儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí),提升了儲(chǔ)能的充電調(diào)頻效果;而本文策略和變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的負(fù)頻率偏差與無儲(chǔ)能的負(fù)頻率偏差相差并沒有像正頻率偏差相差得那么大,且在前半段時(shí)間內(nèi),本文策略與變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的負(fù)頻率偏差幾乎相同,但在后半段時(shí)間內(nèi),本文策略的負(fù)頻率偏差更小。由此可見,本文策略改善了儲(chǔ)能的放電調(diào)頻效果,在一定程度上解決了儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí)儲(chǔ)能放電調(diào)頻能力不足的問題。

        表2 連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)下的調(diào)頻評(píng)價(jià)指標(biāo)Table 2 Evaluation index of frequency regulation with continuous load disturbance

        圖6 連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)下的頻率偏差變化、SOC 變化、儲(chǔ)能出力曲線Fig.6 Curves of frequency deviation variation,SOC variation and output power of BESS with continuous load disturbance

        由圖6(b)可知,本文策略的儲(chǔ)能SOC 比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略恢復(fù)更快,表明本文策略在儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí),可以使儲(chǔ)能SOC 更快地恢復(fù)到較好的狀態(tài)。

        由圖6(c)可知,本文策略的儲(chǔ)能充電出力(儲(chǔ)能出力小于0 表示儲(chǔ)能充電)比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的儲(chǔ)能充電出力大,這是由于儲(chǔ)能SOC 偏低時(shí),輔調(diào)頻控制發(fā)揮作用,使得本文策略的儲(chǔ)能調(diào)頻充電系數(shù)更大,故儲(chǔ)能充電出力更大,進(jìn)而導(dǎo)致本文策略的正頻率偏差更小,儲(chǔ)能充電更快,儲(chǔ)能SOC恢復(fù)得也更快。同時(shí),為了防止儲(chǔ)能SOC 快速殆盡而影響儲(chǔ)能循環(huán)壽命,在儲(chǔ)能開始調(diào)頻時(shí),2 種策略的儲(chǔ)能放電出力都接近于0,隨著儲(chǔ)能SOC 的恢復(fù),2 種策略的儲(chǔ)能放電出力開始慢慢增大,由于本文策略的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)更快,儲(chǔ)能調(diào)頻放電系數(shù)也更大,故本文策略的儲(chǔ)能放電出力逐漸大于變K下垂+SOC 恢復(fù)策略的儲(chǔ)能放電出力,使得本文策略在儲(chǔ)能調(diào)頻后半段時(shí)間內(nèi)的負(fù)頻率偏差更小。

        由表2 可知,本文策略的頻率偏差均方根值Δfrms比變K下垂+SOC 恢復(fù) 策略小3.37%,SOC 偏差的均方根值ΔSrms比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略小2.54%??梢姡疚牟呗跃哂懈玫恼{(diào)頻效果以及儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。

        為驗(yàn)證本文采用的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力控制的有效性和優(yōu)越性,將本文所提控制策略(2.2.3 節(jié)+2.3 節(jié))與僅有調(diào)頻控制無儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)(2.2.3 節(jié))和調(diào)頻控制+SOC 恢復(fù)控制策略[14](2.2.3 節(jié)+文獻(xiàn)[14]采用的SOC 恢復(fù)控制策略)進(jìn)行對(duì)比仿真。3 種策略下的SOC 變化曲線如附錄A 圖A7 所示。

        由附錄A 圖A7 可知,本文策略的SOC 變化曲線比調(diào)頻控制無SOC 恢復(fù)與調(diào)頻控制+SOC 恢復(fù)[14]的曲線更接近SOC 的理想狀態(tài),說明本文采用的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力控制能夠有效調(diào)整儲(chǔ)能SOC,使得SOC 變化曲線向理想狀態(tài)偏移,并且可以使儲(chǔ)能SOC 更快恢復(fù)。經(jīng)計(jì)算,本文采用的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力控制使儲(chǔ)能恢復(fù)0.108 MW·h 的電量,恢復(fù)電量十分可觀,這部分電量在一定程度上可以使儲(chǔ)能SOC 更接近理想狀態(tài),以更好地應(yīng)對(duì)下一階段的調(diào)頻任務(wù);而文獻(xiàn)[14]采用的SOC 恢復(fù)控制策略僅使儲(chǔ)能恢復(fù)0.038 MW·h 的電量,說明本文采用的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力控制具有更好的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。

        綜上所述,在連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)工況下,本文策略可以有效減小電網(wǎng)頻率波動(dòng),并能使儲(chǔ)能SOC 更快地恢復(fù)到較好的狀態(tài),在一定程度上解決了儲(chǔ)能SOC偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能充放電調(diào)頻能力不足的問題,并且能有效調(diào)整儲(chǔ)能SOC,使儲(chǔ)能SOC 更接近理想狀態(tài)。同時(shí),與對(duì)比策略相比,還具有更好的調(diào)頻效果以及儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。

        4 結(jié)語

        本文針對(duì)儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能充放電調(diào)頻能力不足的問題,提出一種考慮SOC 恢復(fù)的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略。仿真結(jié)果表明,本文提出的儲(chǔ)能一次調(diào)頻控制策略具有以下優(yōu)勢(shì):

        1)在階躍負(fù)荷擾動(dòng)工況下,本文策略能夠有效改善頻率響應(yīng)效果,最大頻率偏差Δfm與頻率下降速度Vm分別比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略小0.44%和13.73%,調(diào)頻效果略好于對(duì)比策略。

        2)在連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)工況下,本文策略能夠有效減小頻率波動(dòng),并能使儲(chǔ)能SOC 更快地恢復(fù)到較好的狀態(tài),在一定程度上解決了儲(chǔ)能SOC 偏低或偏高時(shí)儲(chǔ)能充放電調(diào)頻能力不足的問題,頻率偏差的均方根值Δfrms與SOC 偏差的均方根值ΔSrms分別比變K下垂+SOC 恢復(fù)策略小3.37%和2.54%,具有更好的調(diào)頻效果以及儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。

        3)在連續(xù)負(fù)荷擾動(dòng)工況下,本文采用的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)出力控制可以有效對(duì)儲(chǔ)能SOC 進(jìn)行恢復(fù),使儲(chǔ)能SOC 更接近理想狀態(tài),以提高儲(chǔ)能下一階段的調(diào)頻能力,同時(shí)與對(duì)比策略相比,還具有更好的儲(chǔ)能SOC 恢復(fù)效果。

        電池儲(chǔ)能系統(tǒng)不僅可以輔助電網(wǎng)調(diào)頻,還可以輔助電網(wǎng)進(jìn)行削峰填谷,如何充分利用電池儲(chǔ)能系統(tǒng),設(shè)計(jì)合理的儲(chǔ)能調(diào)頻/調(diào)峰策略以保證電池儲(chǔ)能系統(tǒng)調(diào)頻和調(diào)峰的協(xié)調(diào)配合還有待進(jìn)一步研究。

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