王祖銘,曹 鑫,朱玉穎
(西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,綿陽(yáng) 621010)
自1890年,尼古拉·特斯拉進(jìn)行無(wú)線(xiàn)電能傳輸實(shí)驗(yàn),無(wú)線(xiàn)電能傳輸進(jìn)入高速發(fā)展階段,而使用最多的便是磁耦合諧振式無(wú)線(xiàn)充電。磁耦合諧振式無(wú)線(xiàn)充電基本原理是在發(fā)射線(xiàn)圈通入交變勵(lì)磁電流后產(chǎn)生交變磁場(chǎng),完成電能到磁能的轉(zhuǎn)變,再通過(guò)耦合機(jī)構(gòu)使接收線(xiàn)圈收到能量,實(shí)現(xiàn)能量的傳輸。
無(wú)線(xiàn)傳輸耦合機(jī)構(gòu)已有不少學(xué)者進(jìn)行了研究,文獻(xiàn)[1]提出了單發(fā)單收的耦合機(jī)構(gòu),該結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單,為兩平面結(jié)構(gòu)線(xiàn)圈平行對(duì)準(zhǔn)耦合,是線(xiàn)圈耦合傳統(tǒng)用法。隨著兩耦合線(xiàn)圈的成熟,學(xué)者們逐漸開(kāi)始研究多線(xiàn)圈耦合結(jié)構(gòu),文獻(xiàn)[2]中研究了一個(gè)線(xiàn)圈作為中繼線(xiàn)圈進(jìn)行能量傳輸?shù)娜€(xiàn)圈耦合形式,該結(jié)構(gòu)中繼能量過(guò)程會(huì)產(chǎn)生較大能量損耗是很大缺陷。文獻(xiàn)[3]和文獻(xiàn)[5]研究了一發(fā)兩收耦合結(jié)構(gòu),兩個(gè)小線(xiàn)圈作為接收線(xiàn)圈進(jìn)行能量拾取,此結(jié)構(gòu)由于兩個(gè)接收線(xiàn)圈之間存在的互感會(huì)產(chǎn)生較大損耗。文獻(xiàn)[4]、文獻(xiàn)[6]、文獻(xiàn)[7]提出了四線(xiàn)圈耦合結(jié)構(gòu),四個(gè)線(xiàn)圈為同心垂直排布,中間兩個(gè)線(xiàn)圈作為中繼線(xiàn)圈,該結(jié)構(gòu)對(duì)各線(xiàn)圈之間對(duì)準(zhǔn)情況要求較大,缺少對(duì)準(zhǔn)容錯(cuò)率。本設(shè)計(jì)提出五線(xiàn)圈耦合結(jié)構(gòu),由處于同平面的四發(fā)射線(xiàn)圈和位于垂直方向的單接收線(xiàn)圈組合而成。由于四個(gè)線(xiàn)圈的功率將分擔(dān)發(fā)射總功率,這樣可以降低每個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈輸出功率級(jí)別;并且該結(jié)構(gòu)的磁場(chǎng)覆蓋面積更廣,可以獲得更大的充電區(qū)域和對(duì)準(zhǔn)充電容錯(cuò)性。
本文針對(duì)無(wú)人機(jī)無(wú)線(xiàn)充電多發(fā)射單接收耦合機(jī)構(gòu)進(jìn)行損耗分析,得出了損耗的根本原因,提出了兩種減少多個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合、同時(shí)增加發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈間耦合的結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案,并利用ANSYS軟件對(duì)新耦合結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真驗(yàn)證其可行性。
本文以四線(xiàn)圈為例,在補(bǔ)償電路后,四發(fā)射線(xiàn)圈串聯(lián)連接,這樣可以在發(fā)射線(xiàn)圈通過(guò)相同大小的電流,保證每個(gè)線(xiàn)圈產(chǎn)生相同磁場(chǎng)強(qiáng)度的電磁場(chǎng)。為了更加直接地分析發(fā)射線(xiàn)圈之間的互感產(chǎn)生的損耗,利用互感電動(dòng)勢(shì)等效模型繪制出等效電路如圖1所示。
圖1 耦合部分互感電動(dòng)勢(shì)模型等效電路
五個(gè)線(xiàn)圈每?jī)蓛芍g都會(huì)產(chǎn)生耦合,各線(xiàn)圈互感名稱(chēng)詳細(xì)如表1所示。
表1 耦合互感名稱(chēng)表
由于發(fā)射線(xiàn)圈之間存在耦合,即產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。電路中U1,U2,U3,U4,U5,U6為各發(fā)射線(xiàn)圈之間的互感電動(dòng)勢(shì),等效電動(dòng)勢(shì)計(jì)算如式(1)所示:
Uf為接收線(xiàn)圈的反射電動(dòng)勢(shì):
設(shè)發(fā)射線(xiàn)圈之間產(chǎn)生互感消耗的功率為Ploss,其計(jì)算為:
將式(1)代入式(4)中可得:
根據(jù)式(4)、式(5)可以得出結(jié)論:要想降低發(fā)射線(xiàn)圈耦合造成的損耗,從根本上就是降低各個(gè)線(xiàn)圈之間的互感;又因?yàn)樵跓o(wú)線(xiàn)充電過(guò)程中線(xiàn)圈電感值基本變化不大,即相當(dāng)于降低耦合系數(shù)。
Us1,Us2,Us3,Us4為四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈在接收端產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
接收端產(chǎn)生的總感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)設(shè)為Us:
設(shè)Pm為接收到的功率:
將式(6)代入式(8)得:
根據(jù)上述理論計(jì)算,為了提高無(wú)線(xiàn)充電效率,一方面是減少發(fā)射端線(xiàn)圈之間耦合損耗,另一方面是增大各發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈的能量傳輸。從設(shè)計(jì)耦合機(jī)構(gòu)角度出發(fā),即四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈互相之間的耦合系數(shù)、互感盡量低,四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈與接收線(xiàn)圈之間耦合系數(shù)和互感盡量大。
本文設(shè)計(jì)的線(xiàn)圈材質(zhì)為利茲線(xiàn)600股,直徑3.4mm。鐵氧體為MnZn材料,在85khz工作頻率下磁導(dǎo)率為2700,MnZn鐵氧體可以實(shí)現(xiàn)聚合磁通的作用,既能提高線(xiàn)圈的自感,還能實(shí)現(xiàn)耦合機(jī)構(gòu)周?chē)拇欧雷o(hù)功能[8]。
為了更好地實(shí)現(xiàn)區(qū)域性充電,發(fā)射線(xiàn)圈的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)采用四個(gè)線(xiàn)圈的圓心相連能構(gòu)成正方形的等距處理排布,并且四個(gè)相同尺寸的發(fā)射線(xiàn)圈處于同一平面放置于邊長(zhǎng)為300mm,厚度為10mm鐵氧體塊上方,接收線(xiàn)圈由于是附著于無(wú)人機(jī)上,本著降低負(fù)重的原則設(shè)計(jì)。接收線(xiàn)圈為單線(xiàn)圈,背面貼上厚度為1mm的MnZn鐵氧體薄片,總體耦合結(jié)構(gòu)模型如圖2所示。
圖2 耦合機(jī)構(gòu)模型設(shè)計(jì)圖
1.2.1 線(xiàn)圈形狀設(shè)計(jì)
耦合線(xiàn)圈形狀有很多種,通過(guò)繞線(xiàn)匝數(shù)增加來(lái)提高電感值和區(qū)域范圍內(nèi)磁場(chǎng)分布。本次考慮到兩種線(xiàn)圈繞制形狀,線(xiàn)圈矩形倒圓角繞制法如圖3(a)所示,為正方形四個(gè)角用四分之一圓弧代替,內(nèi)部正方形邊長(zhǎng)為50mm,匝數(shù)為6匝;線(xiàn)圈圓形繞制法如圖3(b)所示,圓形繞制,內(nèi)圓直徑為50mm,匝數(shù)為6匝。兩種形狀線(xiàn)圈繞制方法的電磁場(chǎng)分布圖如圖3所示。線(xiàn)圈矩形倒圓角繞制法磁場(chǎng)分布較均勻,均勻磁場(chǎng)覆蓋面積更大;線(xiàn)圈圓形繞制法磁場(chǎng)主要集中在圓心處,圓心以外區(qū)域磁場(chǎng)較弱。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)充電時(shí)具有一定的偏移容錯(cuò)性,選擇具有磁場(chǎng)分布更均勻,且均勻磁場(chǎng)覆蓋面積更大的線(xiàn)圈矩形倒圓角繞制法。
圖3 兩種線(xiàn)圈磁場(chǎng)分布仿真圖
1.2.2 線(xiàn)圈耦合情況仿真
為了保證接收線(xiàn)圈與發(fā)射側(cè)能有足夠的耦合區(qū)域,又考慮減輕無(wú)人機(jī)負(fù)重,接收線(xiàn)圈尺寸須稍大于發(fā)射線(xiàn)圈。本次設(shè)計(jì)的發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈內(nèi)尺寸一樣,發(fā)射線(xiàn)圈為6匝,發(fā)射線(xiàn)圈為9匝。
耦合機(jī)構(gòu)布局如圖2所示。耦合機(jī)構(gòu)仿真數(shù)據(jù)如表2所示。由仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),由于發(fā)射線(xiàn)圈之間存在較多磁場(chǎng)交疊,造成發(fā)射線(xiàn)圈間存在較多耦合。并且發(fā)射線(xiàn)圈的耦合使更少的磁場(chǎng)到達(dá)接收線(xiàn)圈,導(dǎo)致發(fā)射和接收線(xiàn)圈的耦合不夠大。根據(jù)上文的理論計(jì)算,這樣會(huì)造成較大損耗,大大降低了傳輸效率。為了減少損耗,下面將提出兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案。
表2 線(xiàn)圈耦合系數(shù)表
本設(shè)計(jì)提出兩種耦合結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案,第一種方案是在發(fā)射線(xiàn)圈間加上一定高度的鐵氧體塊分隔開(kāi)發(fā)射線(xiàn)圈,第二種方案是在接收線(xiàn)圈鐵氧體薄片上打孔。
通過(guò)十字形排布的鋅錳鐵氧體分隔開(kāi)四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈,來(lái)減少四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈之間的磁場(chǎng)交疊,模型圖如圖4所示。通過(guò)圖4(a)和圖4(b)的磁場(chǎng)分布對(duì)比,由于鐵氧體的高磁導(dǎo)率,對(duì)發(fā)射線(xiàn)圈平面進(jìn)行磁場(chǎng)分隔??梢悦黠@地看出發(fā)射線(xiàn)圈水平面上基本沒(méi)有磁場(chǎng)交疊部分,各發(fā)射線(xiàn)圈的磁場(chǎng)均在其各自對(duì)應(yīng)的空間。
圖4 發(fā)射側(cè)磁場(chǎng)分布圖
鐵氧體高度設(shè)為25mm進(jìn)行仿真參數(shù)分析,表3為各耦合系數(shù)的數(shù)值。對(duì)比表2和表3的數(shù)據(jù),可以看出發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合系數(shù)大大明顯降低了,說(shuō)明鐵氧體隔開(kāi)發(fā)射線(xiàn)圈平面內(nèi)的磁場(chǎng),可以有效的減少發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合,但是還是存在一定耦合,說(shuō)明在發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈耦合過(guò)程中,部分磁場(chǎng)越過(guò)鐵氧體到達(dá)其他線(xiàn)圈的磁場(chǎng)空間產(chǎn)生耦合。發(fā)射線(xiàn)圈之間的磁場(chǎng)分隔使更多磁場(chǎng)到達(dá)接收線(xiàn)圈,所以各個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈與接收線(xiàn)圈的耦合增強(qiáng)。
表3 鐵氧體隔磁方案耦合系數(shù)表
在發(fā)射線(xiàn)圈側(cè)的鐵氧體薄片上進(jìn)行一定形狀的打孔,在發(fā)射線(xiàn)圈附著的鐵氧體上打孔可以誘導(dǎo)磁場(chǎng)的聚集,使其發(fā)射線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)聚集在該發(fā)射線(xiàn)圈垂直方向映射到的接收線(xiàn)圈區(qū)域,減少其進(jìn)入發(fā)射線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)空間發(fā)生耦合。這樣就可以減少發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合。本次采用了四種打孔方式進(jìn)行仿真分析,如圖5所示,在豎直方向正中位置開(kāi)一個(gè)寬180mm、長(zhǎng)5mm的長(zhǎng)方形孔,橫向增加一個(gè)長(zhǎng)寬10mm,180mm的長(zhǎng)方形孔,在四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈映射的接收線(xiàn)圈區(qū)域,增加邊長(zhǎng)為10mm的正方形孔,使其每個(gè)映射區(qū)域呈三角形排布。
圖5 接收線(xiàn)圈側(cè)鐵氧體打孔情況圖
得到的數(shù)據(jù)如表4所示。對(duì)比表2和表4的數(shù)據(jù)可以得出結(jié)論:接收側(cè)鐵氧體打孔解決方案誘導(dǎo)磁場(chǎng)在孔內(nèi)聚集,以降低發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合,但發(fā)射線(xiàn)圈和接收線(xiàn)圈間的耦合影響不大。
表4 四種情況對(duì)應(yīng)耦合系數(shù)表
綜合兩種結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法,得出新的耦合結(jié)構(gòu)。如圖6所示,在四個(gè)發(fā)射線(xiàn)圈之間加入隔離鐵氧體,并在接收線(xiàn)圈側(cè)鐵氧體上進(jìn)行打孔操作。
圖6 耦合機(jī)構(gòu)XOZ面視圖
2.3.1 對(duì)準(zhǔn)情況耦合機(jī)構(gòu)仿真
為了直觀的看出優(yōu)化后的耦合結(jié)構(gòu)的優(yōu)化結(jié)果,表5為優(yōu)化結(jié)構(gòu)仿真結(jié)果將優(yōu)化后的各線(xiàn)圈的耦合系數(shù)。
表5 優(yōu)化結(jié)構(gòu)耦合系數(shù)與優(yōu)化數(shù)據(jù)表
對(duì)比表5和表2的數(shù)據(jù),可以看出新結(jié)構(gòu)能夠大大降低各發(fā)射線(xiàn)圈之間的耦合、還增強(qiáng)了各發(fā)射線(xiàn)圈與接收線(xiàn)圈的耦合。
2.3.2 耦合機(jī)構(gòu)偏移分析
為了模擬線(xiàn)圈從外界進(jìn)入磁場(chǎng)的耦合情況,坐標(biāo)系如圖7所示。先對(duì)X方向產(chǎn)生的耦合系數(shù)變化進(jìn)行偏移仿真分析,設(shè)置初始掃描值-200mm,結(jié)束掃描為0mm,每40mm掃描一次,最后得到6組數(shù)據(jù),繪制出X方向偏移耦合系數(shù)變化曲線(xiàn)如圖7(a)所示。再對(duì)XoZ-45°方向進(jìn)行偏移測(cè)試,進(jìn)行相同的參數(shù)掃描,得到6組數(shù)據(jù),繪制出沿XoZ-45°方向偏移耦合系數(shù)變化曲線(xiàn)圖如圖7(b)所示。
圖7 兩種偏移測(cè)試曲線(xiàn)圖
根據(jù)圖7的兩張曲線(xiàn)圖,可以看出該耦合機(jī)構(gòu)基本能實(shí)現(xiàn)進(jìn)入方形區(qū)域即能夠開(kāi)始充電。且在對(duì)準(zhǔn)充電情況下允許正常充電的偏移量也較大,對(duì)準(zhǔn)容錯(cuò)面積大約在以發(fā)射側(cè)中心為中心,邊長(zhǎng)為50mm的正方形區(qū)域,對(duì)準(zhǔn)容錯(cuò)率較高。
本文分析了無(wú)人機(jī)多線(xiàn)圈發(fā)射單線(xiàn)圈接收的電路模型,設(shè)計(jì)了兩種線(xiàn)圈去耦合的結(jié)構(gòu)。通過(guò)有限元仿真,該結(jié)構(gòu)降低了電路的損耗,提高了能量傳輸效率。同時(shí),該結(jié)構(gòu)對(duì)充電對(duì)準(zhǔn)精度要求不高,具有很高的容錯(cuò)空間。本文所提出的結(jié)構(gòu)能夠應(yīng)用于無(wú)人機(jī)區(qū)域無(wú)線(xiàn)充電領(lǐng)域中。