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        靜電屏蔽效應(yīng)的理論與模擬研究

        2022-07-26 07:16:50黃艷清張定宗王友文伍法美
        大學(xué)物理 2022年7期
        關(guān)鍵詞:常量電勢導(dǎo)體

        黃艷清,張定宗,王友文,伍法美

        (衡陽師范學(xué)院 物理與電子工程學(xué)院,湖南 衡陽 421002)

        在靜電屏蔽效應(yīng)中,當(dāng)導(dǎo)體殼接地,殼內(nèi)電荷不影響殼外電場[3],這是由于導(dǎo)體殼接地,電勢為零,無窮遠(yuǎn)處電勢也為零,因此殼內(nèi)電荷不能在導(dǎo)體殼表面產(chǎn)生感應(yīng)電荷和感應(yīng)電場,從而殼內(nèi)電荷不影響殼外電場,利用唯一性定理也比較容易證明(φ殼=φ無窮遠(yuǎn)=0)[4].此外,無論導(dǎo)體殼是否接地,殼外電場變化不會(huì)影響殼內(nèi)電場[3],雖然由高斯定理在殼內(nèi)任意做高斯面,殼外電荷不影響殼內(nèi)高斯面上的總電場強(qiáng)度通量,但不能判斷殼內(nèi)任意位置的電場都不受殼外電荷的影響.利用唯一性定理的證明方法[1],可以對該結(jié)論進(jìn)行證明.文獻(xiàn)[5]利用理論和數(shù)值方法,計(jì)算了點(diǎn)電荷在接地導(dǎo)體球表面激發(fā)的感應(yīng)電荷,得到靜電屏蔽的實(shí)質(zhì)是源電荷與感應(yīng)電荷在導(dǎo)體球內(nèi)的合電場為零.靜電屏蔽的物理原理與應(yīng)用在文獻(xiàn)[6,7]中展示,但只是進(jìn)行了半定量和定性的分析.

        本文對導(dǎo)體殼的靜電屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了嚴(yán)格的理論推導(dǎo)和證明,并利用數(shù)值模擬方法驗(yàn)證了靜電屏蔽效應(yīng),并計(jì)算了外電場中接地金屬殼感應(yīng)電荷的分布.

        1 物理模型

        (1)

        如計(jì)算區(qū)域沒有電荷,則用拉普拉斯方程描述

        ?2φ=0

        (2)

        如果電場具有面對稱、軸對稱或球?qū)ΨQ,且給定邊界條件和電荷分布,則可用理論方法在直角坐標(biāo)、柱坐標(biāo)或球坐標(biāo)系下求得電勢分布,從而得到靜電場[8,9]. 實(shí)際情形中,電場往往不具有對稱性,但容易獲得邊界條件,因此可用數(shù)值方法解方程式(1)和(2)得到電勢的分布,從而求得電場分布.此外,實(shí)際中也可利用特殊的實(shí)驗(yàn)裝置展示靜電場分布,從而驗(yàn)證靜電場的理論與模擬結(jié)果的正確性[10].

        偏微分方程的通解一般包含無窮多解,需要根據(jù)邊界條件確定特解. 靜電勢的偏微分方程式(1)和(2),可以根據(jù)邊界條件得到不同的特解,但這些特解僅相差一個(gè)常量,從而靜電場唯一確定,這就是靜電場的唯一性定理[1,2].下面利用唯一性定理,證明金屬殼的靜電屏蔽效應(yīng).

        2 唯一性定理證明金屬殼的靜電屏蔽效應(yīng)

        靜電屏蔽可利用高斯定理定性證明,但由電場的疊加原理,并不能直接證明殼內(nèi)任意位置電場都不受殼外電荷的影響.下面利用靜電場的唯一性定理,對接地金屬殼殼內(nèi)電荷不影響殼外電場、殼外電荷不影響殼內(nèi)任意位置電場進(jìn)行證明.

        2.1 接地金屬殼屏蔽殼內(nèi)電場對殼外的影響

        當(dāng)金屬殼接地后,殼內(nèi)電荷或電場變化不影響殼外電場,可以利用唯一性定理證明此結(jié)論[4].當(dāng)金屬殼內(nèi)電荷或電場發(fā)生變化,不會(huì)影響金屬殼的電勢,因?yàn)榻饘贇そ拥仉妱轂榱悖檬?1)和式(2)計(jì)算殼外電勢,以無窮遠(yuǎn)處為外邊界,金屬殼為內(nèi)邊界,則內(nèi)外邊界的電勢都為零,因此根據(jù)唯一性定理,邊界條件確定后,電場也是唯一確定的.即無論殼內(nèi)電荷或電場如何變化,不改變計(jì)算殼外電勢的邊界條件,從而無論殼內(nèi)電荷或電場如何變化,都不影響殼外電場.

        2.2 金屬殼屏蔽殼外電場對殼內(nèi)的影響

        圖1 導(dǎo)體殼(實(shí)線之間表示導(dǎo)體殼,q表示殼內(nèi)電荷,q′表示殼外電荷,S′表示導(dǎo)體殼的內(nèi)壁)

        為了計(jì)算殼內(nèi)電場,在導(dǎo)體殼里做虛線的閉合曲面S,曲面S以內(nèi)區(qū)域?yàn)閂,如圖1所示.導(dǎo)體殼內(nèi)表面S′和V′區(qū)域帶電荷量分別為-q和q,這兩個(gè)區(qū)域的靜電勢滿足泊松方程[式(1)],V內(nèi)其他區(qū)域的靜電勢滿足拉普拉斯方程[式(2)].靜電場中導(dǎo)體殼為等勢體,曲面S上的電勢為常量,即

        φ|S=常量

        (3)

        當(dāng)外電荷q′或外電場發(fā)生變化時(shí),這個(gè)常量也會(huì)發(fā)生變化,但這個(gè)常量變化不影響殼內(nèi)電場,下面利用證明唯一性定理的方法進(jìn)行證明[1,2].

        假設(shè)外電場發(fā)生變化時(shí),V內(nèi)電勢存在兩個(gè)解φ′和φ″,這兩個(gè)解在存在電荷的區(qū)域(S′和V′)滿足

        (4)

        (5)

        在V內(nèi)沒有電荷的區(qū)域滿足拉普拉斯方程:

        ?2φ′=0,?2φ″=0

        (6)

        φ0=φ′-φ″

        (7)

        根據(jù)式(4)、式(5)、式(6)和式(7),φ0在V內(nèi)滿足

        ?2φ0=0

        (8)

        導(dǎo)體殼為等勢體,φ′和φ″在導(dǎo)體殼上相差一個(gè)常量,因此

        φ0|S=常量

        (9)

        式(9)中的常量不一定為零.根據(jù)式(8)和式(9)計(jì)算如下積分:

        (10)

        在導(dǎo)體殼中S面上φ0|S不一定為零,但導(dǎo)體殼為等勢體,導(dǎo)體殼內(nèi)電勢處處相等,因此導(dǎo)體殼內(nèi)電勢的梯度為零?φ0|S=0,因此式(10)左邊為0.另外根據(jù)式(8),在V內(nèi)?2φ0=0,所以在式(10)中右邊第1項(xiàng)滿足

        ?φ0=0

        (11)

        式(11)意味著兩個(gè)解φ′和φ″僅相差一個(gè)常量,即

        φ′-φ″=常量

        (12)

        從而可得兩種情形下電場不變(E=-?φ′=-?φ″),即殼外電場改變不影響殼內(nèi)任意位置的電場,金屬殼的靜電屏蔽效應(yīng)得證.

        3 數(shù)值模擬金屬殼的靜電屏蔽效應(yīng)

        靜電屏蔽也可以利用數(shù)值模擬驗(yàn)證.理論證明靜電屏蔽效應(yīng),利用了無窮遠(yuǎn)處電勢為零的邊界條件,但數(shù)值模擬不能取無窮遠(yuǎn)為邊界,只能取有限邊界處的電勢為零.可以認(rèn)為該邊界為接地導(dǎo)體,不影響用數(shù)值方法驗(yàn)證靜電屏蔽效應(yīng).

        模擬中取較長(z方向)的均勻帶電體和金屬殼,使電勢、電場與軸向(z方向)近似無關(guān),從而數(shù)值計(jì)算電勢與電場只需要取一個(gè)橫截面(兩端附近除外),均勻帶電體的橫截面如圖2(a)的F2和F4區(qū)域,其中電荷體密度為ρ0=1.91×10-8C/m3.F1和F3表示真空區(qū)域,F(xiàn)3邊界表示導(dǎo)體殼,導(dǎo)體殼為等勢體,因此F3邊界的電勢為常量.F1邊界近似為無窮遠(yuǎn)處,或者表示接地金屬殼,電勢為零.另外,帶電體F4所示的圓形區(qū)域半徑5 cm,F(xiàn)1矩形區(qū)長為3 m,寬為2 m.

        首先,模擬金屬殼(F3邊界)接地,殼內(nèi)電荷或電場的變化不影響殼外電場.計(jì)算殼外電場,其靜電勢滿足的方程:

        (13)

        ?2φ=0,F1區(qū)域

        (14)

        模擬基于國際單位制,ε0為真空中的介電常量,國際單位制下其數(shù)值為8.85×10-12F/m.此外,殼外電場的模擬,不包括殼內(nèi)區(qū)域(F3).模擬結(jié)果如圖2(b)所示,無論殼內(nèi)電荷如何變化,殼(F3邊界)由于接地電勢總為零,即圖2(b)中的內(nèi)邊界條件不變,因此殼外電勢不因殼內(nèi)電場變化而變化.

        模擬中均勻帶電體(F2和F4)、金屬殼(F3邊界)和真空區(qū)的分布

        為金屬殼接地后殼外電勢的分布

        其次,金屬殼(F3邊界)不接地,數(shù)值證明殼內(nèi)電場不受殼外電場的影響.當(dāng)計(jì)算殼內(nèi)電場時(shí),金屬殼作為邊界,計(jì)算區(qū)域?yàn)镕3.外電場改變,金屬殼電勢會(huì)發(fā)生變化,但金屬殼為等勢體,電勢改變只相差一個(gè)常量.電勢在均勻帶電區(qū)域(F4)滿足式(13),非帶電區(qū)域用式(14)模擬,模擬結(jié)果如圖3所示.圖3(a)金屬殼(F3邊界)電勢為零,即邊界電勢為零,圖3(b)金屬殼電勢為100 V.由于邊界條件改變,情形2的電勢整體高于情形1,但是電場不發(fā)生變化,如圖3(c)所示.因此,殼外電場發(fā)生變化,使殼邊界電勢改變一個(gè)常量,導(dǎo)致殼內(nèi)電勢整體發(fā)生變化,但殼內(nèi)電場不變.

        圖3 (a)和(b)為F3邊界電勢分別為0 V和100 V的模擬結(jié)果,(c)為這2種情形在y=0的電場

        4 靜電屏蔽中金屬殼的感應(yīng)電荷分布

        為了研究靜電屏蔽中金屬殼對電場的影響,以及接地金屬殼感應(yīng)電荷的分布,數(shù)值計(jì)算金屬殼外的電勢和電場分布,模擬結(jié)果如圖4所示.其中帶電體仍然為圖2(a)中的F2區(qū)域,該區(qū)域電荷分布均勻且電荷體密度仍為ρ0=1.91×10-8C/m3,金屬殼接地電勢為零,外邊界近似為無窮遠(yuǎn)處,電勢也為零.為了研究接地金屬殼對電場的影響,添加未加金屬殼的情形,如圖4(a)所示.

        均勻帶電體的總電場E分布,邊界電勢為零

        6 總結(jié)

        本文利用唯一性定理,以及證明唯一性定理的方法,對靜電屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了嚴(yán)格的理論證明,尤其是殼外電荷(無論金屬殼是否接地)對殼內(nèi)局域電場沒有影響的證明. 此外,利用數(shù)值模擬對靜電屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了驗(yàn)證:1) 金屬殼接地,殼外電場由殼外電荷、金屬殼電勢和無窮遠(yuǎn)處電勢決定,無論殼內(nèi)電荷如何變化,金屬殼接地電勢始終為零,從而不影響殼外電場;2) 無論金屬殼是否接地,殼外電荷的變化,可能會(huì)改變金屬殼的電勢,但不會(huì)改變金屬殼殼內(nèi)任意位置的電場.

        此外,數(shù)值模擬清晰的展示金屬殼尖端靠近帶電體時(shí),會(huì)形成很強(qiáng)的局域電場,靠的越近,該局域電場越大,且比原電場大很多. 另外金屬殼表面電場垂直金屬表面,金屬殼表面的感應(yīng)電荷可通過該感應(yīng)電場得到(En=σ/ε0),感應(yīng)電場越強(qiáng),感應(yīng)電荷越多,因此靠近帶電體的金屬尖端會(huì)聚集大量的感應(yīng)電荷.

        總之,本文得到的數(shù)值模擬結(jié)果與理論一致,為深入理解靜電場性質(zhì)、唯一性定理和靜電屏蔽效應(yīng)提供參考.

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