肖霞

新思科技近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱“三星”）已經通過新思科技數(shù)字和定制設計工具和流程實現(xiàn)了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3 nm全環(huán)繞柵極技術用于對功耗、性能和面積要求極高的應用中。此外，新思科技還獲得了三星的“最先進工藝”認證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術的共同客戶將實現(xiàn)功耗降低約50 %，性能提高約30 %，面積縮小30 %左右。

一直以來，新思科技攜手三星持續(xù)創(chuàng)新，推動智能互聯(lián)世界所需要的芯片工藝發(fā)展。三星精簡了3 nm工藝開發(fā)的成本和時間，并根據(jù)PPA設計指標有效地評估了其工藝選項。三星持續(xù)將新思科技DSO.ai技術納入其流程中，利用機器學習能力來大規(guī)模地探索芯片設計工作流程中的選擇，并加快其流程的開發(fā)。

新思科技電子設計自動化（EDA）事業(yè)部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：“新思科技與三星的戰(zhàn)略合作讓我們能夠保持與他們的每一代工藝技術同步發(fā)展。通過提供在先進的三星3 nm技術上認證的業(yè)內領先的EDA設計流程，我們的共同客戶可以極大限度地提高其先進SoC的設計能力，更快地實現(xiàn)成功的流片。"