9月24日，英特爾舉行了新晶圓廠建造的奠基儀式，帕特-基爾辛格與當地主要政府官員也將出席這次活動，這是美國亞利桑那州歷史上最大規(guī)模的私營部門投資。預計兩間新晶圓廠最晚會在2024年建成并投入使用，英特爾將其命名為“Fab 52”和“Fab 62”，與Octillo園區(qū)現有的四間晶圓廠的位置非常接近。

帕特-基爾辛格表示該項目投資超過了200億美元，使得英特爾有能力創(chuàng)建下一代EUV生產線，為制造先進芯片技術提供更多動力，以支持英特爾重新獲得“工藝和封裝技術方面的領導地位”。同時兩間晶圓廠將為亞利桑那州創(chuàng)造數千個新工作崗位，并為北美地區(qū)提供超過15 000個間接工作崗位。

據了解，兩間新晶圓廠未來將使用Intel 20A工藝技術，會利用RibbonFET和PowerVia兩項技術。RibbonFET是對Gate All Around晶體管的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。在Intel 20A工藝技術上，英特爾還會與高通進行合作。（來源：超能網）