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        核電站用高磅級閥體鑄件的全體積射線檢測

        2022-03-16 02:05:44陳曉娟王兆云
        無損檢測 2022年1期
        關(guān)鍵詞:區(qū)域檢測

        朱 鎮(zhèn) ,陳曉娟, 王兆云

        (1.浙江久立特材科技股份有限公司,湖州 313028;2.四川華宇石油鉆采裝備有限公司,瀘州 646100;3.江蘇萬恒鑄業(yè)有限公司, 鹽城 224513)

        核電站用高磅級閥體鑄件長期工作在高溫、高壓、強(qiáng)輻射、腐蝕、潮濕等惡劣環(huán)境中,因此通常要求對其進(jìn)行全體積射線檢測,而閥體壁厚變化大,且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,難以實現(xiàn)鑄造缺陷(夾渣、氣孔、縮松和裂紋等)的全體積射線檢測。X射線數(shù)字平板成像技術(shù)[1]和X射線計算機(jī)斷層掃描技術(shù)[2]可以適當(dāng)改善檢測效果,但由于核電行業(yè)的特殊性,引入的新技術(shù)需要經(jīng)過反復(fù)的工藝試驗后才能應(yīng)用,因此業(yè)內(nèi)仍然采用傳統(tǒng)膠片射線檢測技術(shù)對高磅級閥體鑄件進(jìn)行全體積檢測。

        1 射線檢測工藝的制定

        由于核電站用高磅級閥體鑄件(以下簡稱為試件)各個區(qū)域的結(jié)構(gòu)和壁厚不同,因此需要分別制定檢測工藝。試件直徑為6 inch(1 inch=25.4 mm),承載質(zhì)量為1 500 lb(1 lb=0.45 kg),材料為CF8M,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。該試件的厚度為40160 mm,筆者分別從檢測區(qū)域的劃分和標(biāo)識、透照方式、一次透照長度、雙膠片技術(shù)的應(yīng)用、厚度補(bǔ)償塊的應(yīng)用等方面來對檢測工藝進(jìn)行優(yōu)化。

        圖1 高磅級閥體鑄件結(jié)構(gòu)示意

        1.1 檢測區(qū)域的劃分

        通常閥體為三通形狀,分別由左右焊端、左右流道、密封圈、法蘭等組成,各部位的厚度差較大。為確保射線檢測能全體積覆蓋試件,可用彩色筆在閥體上標(biāo)識后,分區(qū)域進(jìn)行射線檢測。試件的檢測區(qū)域劃分方法如圖2所示,根據(jù)結(jié)構(gòu)和壁厚的變化,左流道和左焊端標(biāo)識為A區(qū),右流道和右焊端標(biāo)識為B區(qū),中間法蘭下面通道標(biāo)識為C區(qū),再下面的部位標(biāo)識為D區(qū),密封圈位置標(biāo)識為E區(qū),中法蘭標(biāo)識為F區(qū),如果存在左右法蘭可分別標(biāo)識為G、H區(qū),以此類推。

        圖2 試件的檢測區(qū)域劃分方法示意

        1.2 檢測區(qū)域的標(biāo)識

        一般檢測焊縫時,只需要在焊縫方向的左右兩端搭接位置放置2個位置標(biāo)識即可,而鑄件閥體的射線檢測時通常需要在四周放置4個標(biāo)識,形成一個四邊形的檢測區(qū)域。若邊緣區(qū)域在底片上可以形成明顯的邊界線,則邊界線一邊可以不放置標(biāo)識。在圖2中:A區(qū)和B區(qū)的3,4號片放置的3,4和兩個箭頭標(biāo)識,與端部邊界組成檢測區(qū)域;C區(qū)4,5號片放置的4,5和兩個箭頭標(biāo)識,與法蘭邊界組成檢測區(qū)域;D區(qū)1,2號片放置的1,2和4個箭頭標(biāo)識組成檢測區(qū)域;E區(qū)1,2號片放置的1,2和4個位置標(biāo)識組成檢測區(qū)域;F區(qū)的5,6號片放置的5,6與上下法蘭邊界組成檢測區(qū)域,其他位置也是依此類推。

        位置標(biāo)識箭頭“→”表示指向固定的方向,如水流方向、下一張布片流水號方向或順時針方向等,該標(biāo)識應(yīng)放置在檢測區(qū)域邊界交叉線的中央,片號數(shù)字應(yīng)和產(chǎn)品上的標(biāo)記號重疊,這樣有助于發(fā)現(xiàn)缺陷后對其進(jìn)行定位返修。

        1.3 透照方式和一次透照長度的選擇

        單壁透照的靈敏度明顯高于雙壁透照的靈敏度,在兩種方式都能使用的情況下無疑應(yīng)優(yōu)先選擇前者;較小的透照厚度差和橫向裂紋檢出角有利于提高底片質(zhì)量和裂紋檢出率。在焦距和一次透照長度相同的情況下,源在內(nèi)透照法比源在外透照法具有更小的透照厚度差和橫向裂紋檢出角,因此在條件允許的情況下,應(yīng)盡量選擇源在內(nèi)透照法[3],然而大部分情況下,由于焦距無法滿足幾何不清晰度的要求,只能選用源在外透照法。

        一次透照長度對檢測質(zhì)量和工作效率有影響,選擇較大的一次透照長度可以提高檢測效率,但在大多數(shù)情況下,透照厚度比和橫向裂紋檢出角隨一次透照長度的增大而增大,這對射線檢測質(zhì)量是不利的。

        實際工作中一次透照長度的選取受兩個因素的限制,一個是射線源有效照射場的范圍(一次透照長度不能大于有效照射場的尺寸);另一個是射線檢測標(biāo)準(zhǔn)對于透照厚度比K值或者黑度范圍公差的規(guī)定(該規(guī)定間接限制了一次透照長度)。

        對于規(guī)定K值的情況,可以按照相應(yīng)透照方式的公式進(jìn)行一次透照長度的計算或根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的透照圖進(jìn)行選擇。

        對于未規(guī)定K值的情況,如ASME(美國機(jī)械工程師協(xié)會)標(biāo)準(zhǔn)通常只規(guī)定黑度范圍的公差,其要求檢測區(qū)域任何地方的黑度與指定線型像質(zhì)計基本線附件或孔型像質(zhì)計上的黑度相比,變化不大于-15%和+30%。

        試件的透照方式為:A區(qū)和B區(qū)圓周透照16次,采用源在外單壁透照技術(shù);C區(qū)圓周透照17次,采用源在外單壁透照技術(shù);D區(qū)和E區(qū)圓周透照12次,D1凸臺采用源在內(nèi)偏心透照技術(shù),其余區(qū)域采用源在外單壁透照技術(shù);F區(qū)圓周透照20次,采用源在外單壁透照技術(shù)。另外,一些壁厚變化較大的凸臺部位和遮擋部位則單獨補(bǔ)充透照,因此透照次數(shù)略有變化。對于A區(qū)和B區(qū),其焊端和流道壁厚相差數(shù)個毫米,為確保黑度變化在-15%或+30%范圍內(nèi),可以分別在焊端和流道各放置一個像質(zhì)計。

        1.4 雙膠片技術(shù)的應(yīng)用

        閥體各部位過渡區(qū)域的厚度差較大,可以采用雙膠片技術(shù)進(jìn)行透照。暗盒里一般放置感光度不同的兩種膠片(異速雙膠片法),其中感光度較大的膠片適用于透照厚度較大部位,感光度較小的膠片適用于透照厚度較小部位。也可在暗盒中放置感光速度相同的兩種膠片(同速雙膠片法),觀片方法是:對于黑度較小部位,將雙片重疊進(jìn)行觀察評定;對于黑度較大部位,用單片觀察評定。選擇感光度不同的兩種膠片時,應(yīng)注意在有效黑度范圍內(nèi),兩種膠片的曝光量應(yīng)有足夠重疊。

        試件尺寸為:A區(qū)壁厚為45 mm,D區(qū)壁厚為40 mm,E區(qū)壁厚為85 mm;A區(qū)到E區(qū)的壁厚變化緩慢,邊界并不是太明顯;E區(qū)到D區(qū)的壁厚變化是一個突變,邊界較明顯。在檢測E區(qū)時,應(yīng)采用雙膠片技術(shù),同時像質(zhì)計應(yīng)橫跨壁厚過渡區(qū)域。

        1.5 厚度補(bǔ)償塊的應(yīng)用

        可用補(bǔ)償塊、補(bǔ)償粉、補(bǔ)償液等填補(bǔ)工件的較薄部分,使透照厚度差減小。通常在檢測閥體法蘭的時候,如果壁厚變化極大,可使用厚度補(bǔ)償塊來減小厚度差,減少邊緣的散射。當(dāng)檢測部位極小,像質(zhì)計的標(biāo)識和拍片標(biāo)識無法放置時,可在檢測部位放置相似厚度的補(bǔ)償塊,然后將識別標(biāo)識放置在補(bǔ)償塊上。

        中部法蘭外觀如圖3所示,由于其壁厚差變化極大,如不增加補(bǔ)償塊,最終底片顯示的檢測區(qū)域?qū)挾葧葘嶋H檢測的寬度小很多,因此在拍法蘭的時候,應(yīng)在法蘭上下兩側(cè)增加補(bǔ)償塊或屏蔽物,以減小壁厚差,減少邊蝕散射。

        圖3 中部法蘭外觀

        另外射線源為γ源和高能X射線時,在工件和膠片暗盒之間應(yīng)增加濾板屏蔽前散射,暗盒背面使用鉛板屏蔽背散射。

        1.6 補(bǔ)充檢測區(qū)域

        對于各個劃分的檢測區(qū)域,還應(yīng)注意其內(nèi)部壁厚是否有變化。為防止漏檢,壁厚突變的區(qū)域需要單獨進(jìn)行射線檢測,因此可以在區(qū)域標(biāo)識后面加數(shù)字進(jìn)行區(qū)分,凸臺補(bǔ)充檢測位置如圖4-7所示。

        圖4 C區(qū)凸臺內(nèi)壁

        圖5 C區(qū)凸臺外壁

        圖6 C區(qū)凸臺內(nèi)壁

        圖7 D區(qū)凸臺外壁

        另外還需注意有些部位的遮擋導(dǎo)致無法一次性檢測完整個區(qū)域,從而發(fā)生漏檢。如中部法蘭遮擋A區(qū)和B區(qū),需要把源傾斜一定角度對被遮擋的部位進(jìn)行補(bǔ)充檢測。補(bǔ)充檢測位置如圖8,9所示。

        圖8 A區(qū)補(bǔ)充檢測位置

        圖9 B區(qū)補(bǔ)充檢測位置

        1.7 預(yù)曝光技術(shù)的應(yīng)用

        射線檢測閥體時,需要放置很多標(biāo)識,如公司名稱、產(chǎn)品名稱、閥體規(guī)格、材料、爐號、序列號、拍片日期等。為了節(jié)省拍片時布置標(biāo)識的時間,同時也節(jié)約膠片,可以采用預(yù)曝光技術(shù),即在底片上的固定角落位置使用標(biāo)識器進(jìn)行預(yù)曝光。在拍片時,膠片上預(yù)曝光的區(qū)域應(yīng)盡量放置在檢驗區(qū)域以外的較厚部位,這樣洗片后有利于識別預(yù)曝光標(biāo)識(見圖10)。

        圖10 預(yù)曝光標(biāo)識

        2 射線檢測工藝的實施

        根據(jù)制定的布片圖和射線檢測工藝表,對該止回閥共透照105次,透照時邊界擺放相應(yīng)位置的標(biāo)記,確保盡可能全體積覆蓋檢測。各圓周體應(yīng)利用公式計算或透照圖確保透照次數(shù)符合K值或黑度公差的要求。下面列舉了部分透照工藝的實施情況,如對A區(qū)和B區(qū)進(jìn)行了傾斜透照,盡可能增加檢測區(qū)域(見圖11,12);C區(qū)和D區(qū)凸臺的厚度差較大,進(jìn)行了補(bǔ)充拍片,確保黑度滿足要求(見圖13,14);E區(qū)采用雙膠片技術(shù)進(jìn)行透照,確保了黑度和靈敏度滿足要求(見圖15);F區(qū)利用厚度補(bǔ)償塊技術(shù)進(jìn)行透照,減小了厚度差,從而減少了邊蝕散射,可確保底片上的影像寬度與實際寬度基本一致(見圖16)。

        圖11 A區(qū)遮擋部位的補(bǔ)充檢測結(jié)果

        圖12 B區(qū)遮擋部位的補(bǔ)充檢測結(jié)果

        圖13 C區(qū)凸臺部位的補(bǔ)充檢測結(jié)果

        圖14 D區(qū)凸臺部位的補(bǔ)充檢測結(jié)果

        圖15 E區(qū)的雙膠片技術(shù)檢測結(jié)果

        圖16 采用厚度補(bǔ)償塊技術(shù)后F區(qū)的檢測結(jié)果

        C區(qū)與A,B區(qū)連接轉(zhuǎn)角部位存在約150°圓弧范圍無法檢測。ASME核電規(guī)范中明確提出該區(qū)域可以不進(jìn)行射線檢測,但應(yīng)在報告中注明該未檢測區(qū)域。未檢測區(qū)域如圖17所示(方框內(nèi)為未檢測區(qū))。

        圖17 連接轉(zhuǎn)角處未檢測區(qū)示意

        3 射線檢測的局限性

        射線檢測容易檢出那些存在局部厚度差的缺陷,對鑄件中氣孔和疏松類的缺陷有很高的檢出率,對裂紋類缺陷的檢出率則受到透照角度的影響。為保證產(chǎn)品的質(zhì)量,對鑄件內(nèi)外表面可能存在的開口型細(xì)小缺陷宜再補(bǔ)充滲透檢測。如對于法蘭、焊端等機(jī)加工部位,在機(jī)加工后宜再補(bǔ)充滲透檢測和超聲檢測。

        4 結(jié)語

        經(jīng)試驗驗證,嚴(yán)格按照文章提出的射線檢測工藝實施檢測,可以確保典型產(chǎn)品止回閥的全體積檢測,檢測效果良好,K值、黑度和靈敏度都符合要求。射線檢測中所采取的措施和注意事項,對于其他類似鑄件閥體的射線檢測具有參考價值。

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