申 強(qiáng),趙 磊,劉 磊,曹 鑫
( 中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所, 江蘇南京 210016)
光刻是整個半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中重要的工藝步驟,在整個生產(chǎn)流程中,同一片圓片一般需要經(jīng)過多次曝光工藝,形成多個曝光層,層與層之間必須滿足精確的位置關(guān)系,即套刻精度。光刻工藝的初始階段,會在第一層曝光時留下標(biāo)記,作為后續(xù)曝光層定位的依據(jù)。對準(zhǔn)系統(tǒng)是光刻機(jī)重要組成部分,其決定了所能達(dá)到的套刻精度。NIKON i12D光刻機(jī)圓片對準(zhǔn)分為搜尋對準(zhǔn)(search alignment)和全局對準(zhǔn)(enhanced global alignment),可以理解為前者是粗對準(zhǔn),后者是精對準(zhǔn)。對準(zhǔn)系統(tǒng)的掃描范圍只有數(shù)百微米[1],因此,將圓片精準(zhǔn)地傳送至承片臺上,是圓片進(jìn)行對準(zhǔn)的前提和保障。
NIKON i12D Type3 型光刻機(jī)的Notch 定位分為圓片找中心和圓片Notch 定位兩個步驟。機(jī)械手從片架取出圓片到達(dá)指定位置后,沿著Y 方向,穿過找中心傳感器下方后,將圓片放置于旋轉(zhuǎn)臺上(如圖1 所示)。通過讀取反射回傳感器上的光信號轉(zhuǎn)換成的電信號,機(jī)臺能夠確定當(dāng)前圓片的圓心位置,并進(jìn)行相應(yīng)的位置補(bǔ)償,以確保圓片被放置于旋轉(zhuǎn)臺上時能夠隨其同心旋轉(zhuǎn)。圓片找中心的原理在相關(guān)論文中已有詳細(xì)說明[2],此處不再做過多論述。
圖1 原機(jī) Notch 定位結(jié)構(gòu)
Notch 定位采用的是反射式傳感器,圓片隨旋轉(zhuǎn)臺同心旋轉(zhuǎn)時,上方傳感器發(fā)出的激光打在圓片的表面,沿原路返回,被傳感器接收。在圓片的旋轉(zhuǎn)過程中,當(dāng)圓邊經(jīng)過傳感器時,激光被有效反射,因此信號處理板能夠接收到明顯的光信號,進(jìn)而轉(zhuǎn)換成高電平信號。而當(dāng)Notch 經(jīng)過傳感器時,激光直接穿透,沒有光返回,信號處理板接收不到光信號,形成低電平信號(如圖2 所示)。通過兩個傳感器的共同作用,進(jìn)而有效進(jìn)行Notch 定位。
圖2 Notch 定位原理示意圖及模擬信號
Notch 定位后,圓片被傳送至承片臺上,完成二次預(yù)對準(zhǔn)后進(jìn)行標(biāo)記對準(zhǔn)。對準(zhǔn)分為搜尋對準(zhǔn)和全局對準(zhǔn),前者是后者的前提和保證。一般對稱設(shè)置兩個搜尋對準(zhǔn)標(biāo)記,M1和M2(如圖3 所示),根據(jù)程序內(nèi)編寫的標(biāo)記位置,搜索并確定M1的X1和Y1實(shí)際坐標(biāo),M2的 Y2實(shí)際坐標(biāo)。通過 Y1和 Y2可以計(jì)算出圓片當(dāng)前位置相對于承片臺坐標(biāo)系的旋轉(zhuǎn)角度。根據(jù)X1/Y1/Y2的結(jié)果,機(jī)臺會計(jì)算出當(dāng)前圓片的縮放比例、圓片正交性和圓片旋轉(zhuǎn),若數(shù)值不超限,機(jī)臺會自動修正并進(jìn)行全局對準(zhǔn),若數(shù)值超限,機(jī)臺會報警,要求重新進(jìn)行搜尋對準(zhǔn)。
圖3 圓片搜尋對準(zhǔn)標(biāo)記示意圖
圓片完成所有的工藝步驟后,需要通過劃片將完整的圓片切割成單個芯片,應(yīng)用較為廣泛的是砂輪劃片機(jī)和激光劃片機(jī)。一般來說,圓片的晶向會與芯片的排布方向近乎平行,那么劃片過程中只需沿著平行和垂直晶向的方向切割,劃片完好率高。但由于購買的一批次150 mm Notch GaN圓片,晶向與Notch 定義的圓片坐標(biāo)系存在大約45°的夾角(如圖4 所示),即劃片槽與晶向之間存在45°夾角。實(shí)踐證明,此類圓片進(jìn)行劃片工藝時,崩邊問題明顯,部分芯片管芯被破壞,劃片完好率明顯下降。為解決此問題,需要在NIKON i12D光刻機(jī)上進(jìn)行光刻工藝時,將圓片旋轉(zhuǎn)45°,使曝光Cell 與晶向平行。
圖4 圓片晶向及劃片方向示意圖
圓片Notch 定位取決于兩個Notch 定位傳感器,原機(jī)的兩個傳感器位于機(jī)臺的正前方(見圖1),考慮將該傳感器以旋轉(zhuǎn)臺圓心為中心,逆時針旋轉(zhuǎn)135°左右放置,那么Notch 就會處于工藝需求的位置。為了保證光刻機(jī)良好的工作狀態(tài),需要定期對機(jī)臺做測試,為了減少圓片差異對測試結(jié)果的影響,一般會選出幾片狀態(tài)較好的圓片,稱之為參考片。但由于參考片長期反復(fù)的使用,表面活性變差,容易產(chǎn)生掉膠現(xiàn)象,嚴(yán)重影響測試結(jié)果??梢酝ㄟ^在圓片表面長一層100 nm 的SiN 介質(zhì),有效解決掉膠問題。但由于該層介質(zhì)為墨藍(lán)色,嚴(yán)重降低了圓片表面的反光性,Notch 定位傳感器從上方發(fā)光打在圓片表面后,只能接收到較少的反射光,即使將傳感器放大器的閾值降到很低,其工作的重復(fù)性也較差。同時,將Notch 定位傳感器改制于135°位置處,其模塊會與側(cè)邊的傳輸手臂產(chǎn)生干涉,因此采用圓片背面Notch 定位的方法(如圖5 所示)。
圖5 改造后Notch 定位結(jié)構(gòu)
將Notch 定位模塊安置于原機(jī)平臺上,位置必須準(zhǔn)確。工作時,圓片與旋轉(zhuǎn)臺同心,并隨之旋轉(zhuǎn),我們所需要的Notch 135°實(shí)際上就是以坐標(biāo)系的X 正向?yàn)榛鶞?zhǔn),旋轉(zhuǎn)臺的圓心為參考,逆時針旋轉(zhuǎn)45°,那么Notch 實(shí)際上就旋轉(zhuǎn)了135°(見圖5)。150 mm 的圓片,半徑是75 mm,所設(shè)計(jì)加工的各模塊也有一定的寬度,因此將偏移量設(shè)為60 mm。預(yù)留的兩個螺紋孔用于固定角度調(diào)節(jié)塊,角度調(diào)節(jié)塊設(shè)計(jì)成U 型槽,方便于Notch 旋轉(zhuǎn)角度的細(xì)調(diào),暫且將角度方向的偏移量設(shè)為17 mm(如圖6 所示)。
圖6 原機(jī)平臺改制示意圖
圓片Notch 定位傳感器采用的是KEYENCE雙數(shù)顯光纖發(fā)光器FU-21R,理論焦距范圍為15 mm±2 mm,連接了KEYENCE FS-V21R 放大器。實(shí)踐證明,對不同材質(zhì)的圓片,Si 和GaN,采用背面Notch 定位的方式,當(dāng)焦平面處于15 mm左右時,能夠從放大器上看見明顯的反射信號。焦距調(diào)節(jié)塊如圖 7 所示,U 型槽 2 用于 Notch 定位傳感器高度的調(diào)節(jié),以確保工作時圓片背面處于最佳焦平面。
圖7 焦距調(diào)節(jié)塊示意圖
兩個Notch 定位傳感器之間的距離對Notch定位結(jié)果有很大影響。實(shí)踐證明,即使將兩個傳感器按照原機(jī)的間距定位,也未必能夠?qū)崿F(xiàn)Notch 的正確定位。在新的模塊上,必須要保證兩個傳感器之間的間距可以調(diào)節(jié),因此設(shè)計(jì)了U 型槽4(如圖8 所示),傳感器從下往上插入后,從側(cè)邊用頂絲固定。圓片隨旋轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)時,Notch 定位傳感器的最佳位置是,所發(fā)出的激光打在圓片背面時,近乎與圓邊相切。因此,這就對傳感器相對于圓片的徑向位置提出了較高的要求。原機(jī)平臺改制的60 mm只是粗略的位置,還必須微調(diào)U 型槽1 達(dá)到要求的理想位置(如圖9 所示)。
圖8 傳感器間距調(diào)節(jié)塊示意
圖9 徑向調(diào)節(jié)塊示意圖
150 mm GaN 圓片的曝光工藝,標(biāo)記是在某型號掃描光刻機(jī)上曝光完成的[3]。該機(jī)臺較先進(jìn),能夠在參數(shù)內(nèi)設(shè)置Notch 旋轉(zhuǎn)的角度。因此,一層標(biāo)記曝光完成后,相對于Notch,標(biāo)記能夠精準(zhǔn)地沿著圓片的圓心旋轉(zhuǎn)135°。在i12D 機(jī)臺上執(zhí)行后續(xù)的曝光工藝時,Notch 必須同樣精準(zhǔn)地旋轉(zhuǎn)135°,一方面是在執(zhí)行Y1的搜尋對準(zhǔn)時,能夠在ITV 內(nèi)直接看見標(biāo)記,或者只需要手動移動較少的距離就能看見標(biāo)記;另一方面,執(zhí)行Y2對準(zhǔn)時,由于機(jī)臺旋轉(zhuǎn)電動機(jī)的能力只有±15 000 μrad 左右,若Notch 角度偏轉(zhuǎn)較大,即使通過手動干預(yù)在ITV上看見了Y2的標(biāo)記,也會因?yàn)樾D(zhuǎn)電動機(jī)超限導(dǎo)致報錯。如圖10 所示,角度調(diào)節(jié)塊上預(yù)留了用于旋轉(zhuǎn)角度調(diào)節(jié)的U 型槽3。
圖10 角度調(diào)節(jié)塊示意圖
Si 和GaN 圓片處于焦平面時,可以觀察到從Si/GaN 圓片背面反射回的信號可高達(dá)300 左右,為保留較大的冗余量,將放大器閾值設(shè)定為80。將4 個模塊進(jìn)行組裝(如圖11 所示),固定于原機(jī)平臺上。選用帶有標(biāo)記的圓片傳片找標(biāo)記,首先根據(jù)Notch 定位效果,對兩傳感器之間的距離、傳感器相對于圓片的徑向位置進(jìn)行調(diào)節(jié),確保能夠完成Notch 定位。再根據(jù)ITV 內(nèi)標(biāo)記的位置狀態(tài),調(diào)節(jié)角度調(diào)節(jié)塊,直至圓片傳送至承片臺上進(jìn)行搜尋對準(zhǔn)時,在ITV 上標(biāo)記可直接看見,并且標(biāo)記橫平豎直,Y2標(biāo)記對準(zhǔn)時不超限。
圖11 Notch 定位模塊示意圖
為了驗(yàn)證改造后的成功率與穩(wěn)定性,對執(zhí)行圓片傳輸進(jìn)行重復(fù)性測試。選用一片已有標(biāo)記的150 mm GaN 圓片,測試次數(shù)設(shè)置為20 次,執(zhí)行測試后得圖12 所示的數(shù)據(jù)。i12D 要求的測試指標(biāo)是:離散(X)<5 μm,離散(Y)<5 μm,離散(Y 旋轉(zhuǎn))<5 μm。測試結(jié)果雖略高于指標(biāo),在手動干預(yù)的條件下,能夠滿足生產(chǎn)需求。使用改造后的機(jī)臺,完成150 mm GaN 圓片的所有曝光工藝,最后進(jìn)行劃片工藝。劃片結(jié)果表明,芯片崩邊的現(xiàn)象得到顯著改善,劃片完好率明顯提升。
圖12 圓片傳輸重復(fù)性測試結(jié)果
根據(jù)所購的150 mm GaN 圓片的晶向,通過對 NIKON i12D(type3)型光刻機(jī) Notch 定位傳感器模塊的改制,實(shí)現(xiàn)了芯片排布方式與圓片晶向平行,有效降低了劃片過程中由于芯片崩邊而引起的報廢概率,顯著提升了產(chǎn)品完好率。事實(shí)上,本文所設(shè)計(jì)的模塊,在不與機(jī)臺內(nèi)部其他硬件干涉的前提下,可實(shí)現(xiàn)Notch 任意角度的旋轉(zhuǎn),成本低廉,結(jié)果可靠。