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        基于STM32的交流電磁場(chǎng)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        2022-01-06 10:39:30尚亞期楊會(huì)敏袁新安邵鑫宇趙建超
        實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2021年11期
        關(guān)鍵詞:功率放大電磁場(chǎng)磁場(chǎng)

        李 偉, 尚亞期, 楊會(huì)敏, 袁新安, 邵鑫宇, 趙建超

        (中國(guó)石油大學(xué)(華東)海洋油氣裝備與安全技術(shù)研究中心,山東青島266580)

        0 引 言

        隨著社會(huì)與生產(chǎn)的發(fā)展,無(wú)損檢測(cè)需求日益增加,交流電磁場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)由于其不需耦合劑、提離不敏感等優(yōu)點(diǎn),在航空航天、水下結(jié)構(gòu)、管道、壓力容器等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用無(wú)損檢測(cè)中[1-2]。

        交流電磁場(chǎng)檢測(cè)設(shè)備由于信號(hào)調(diào)理復(fù)雜、存在多個(gè)信號(hào)處理模塊,造成設(shè)備體積大、功耗高、不易攜帶,為教學(xué)和科研工作帶來(lái)諸多不便。針對(duì)上述問(wèn)題,在交流電磁場(chǎng)檢測(cè)理論的基礎(chǔ)上,開(kāi)發(fā)一種低功耗、輕量級(jí)的嵌入式交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)[3]。系統(tǒng)主控選擇STM32H743作為系統(tǒng)MCU,構(gòu)建RT-Thread實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)與TouchGFX前端交互框架,構(gòu)建交流電磁場(chǎng)檢測(cè)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試[4]。

        1 交流電磁場(chǎng)檢測(cè)原理

        交流電磁場(chǎng)檢測(cè)理論基礎(chǔ)是電磁感應(yīng)理論。當(dāng)通入交流電的激勵(lì)線圈靠近被測(cè)鐵磁性材料時(shí),交變電流產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)作用于被測(cè)件產(chǎn)生感應(yīng)電流,由于集膚效應(yīng),感應(yīng)電流會(huì)趨于被測(cè)件的表面。在無(wú)缺陷的被測(cè)件表面,感應(yīng)電流是均勻分布的,在有缺陷的部位感應(yīng)電流產(chǎn)生了偏轉(zhuǎn),表面的磁場(chǎng)產(chǎn)生畸變,通過(guò)磁場(chǎng)傳感器測(cè)量到畸變磁場(chǎng)即可判斷和評(píng)估裂紋[5-6]。

        如圖1所示,X方向磁場(chǎng)在缺陷兩端呈現(xiàn)較小幅值,在缺陷中部呈現(xiàn)波谷,包含裂紋深度信息。Z方向磁場(chǎng)在缺陷兩端呈現(xiàn)正負(fù)相反波峰,反映裂紋的長(zhǎng)度[7]。

        圖1 交流電磁場(chǎng)缺陷檢測(cè)原理圖

        2 檢測(cè)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

        基于STM32交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)包括儀器主機(jī)與檢測(cè)探頭兩部分,對(duì)不同的檢測(cè)條件可設(shè)計(jì)更換不同探頭以滿足檢測(cè)作業(yè)條件。檢測(cè)系統(tǒng)主要組成如圖2所示。

        圖2 檢測(cè)系統(tǒng)主要組成

        探頭包括激勵(lì)線圈、信號(hào)放大電路、隧道磁阻(Tunnel Magnetic Resistance,TMR)磁場(chǎng)傳感器[8],當(dāng)線圈通入正弦激勵(lì),在工件表面產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng),電流在缺陷周圍擾動(dòng),TMR傳感器拾取缺陷周圍畸變磁場(chǎng),磁場(chǎng)信號(hào)經(jīng)放大電路傳輸至儀器主機(jī)。

        儀器主體包括電源電路、STM32H743核心板、按鍵電路、DDS信號(hào)發(fā)生器、功率放大電路、信號(hào)濾波電路、RMS-DC電路、SD卡電路與顯示器。MCU與DDS信號(hào)發(fā)生器通過(guò)SPI通訊,產(chǎn)生1~10 kHZ頻率可調(diào)正弦波,經(jīng)過(guò)功率放大為激勵(lì)信號(hào),加到探頭線圈上;TMR傳感器采集的磁場(chǎng)信號(hào)經(jīng)過(guò)信號(hào)放大、濾波,最后通過(guò)RMS-DC電路求信號(hào)有效值;MCU通過(guò)A/D采集RMS-DC電路的直流信號(hào),在顯示器上顯示波形,SD卡有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與回溯功能,按鍵電路用于非觸摸情況下操作儀器。如圖3(a)~(g)所示為檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)實(shí)物圖。

        圖3 檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)實(shí)物圖

        3 硬件模塊設(shè)計(jì)

        良好的硬件設(shè)計(jì)對(duì)保證實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性起著決定性的作用,系統(tǒng)主要圍繞高精度檢測(cè)探頭、儀器主體信號(hào)處理、MCU外圍電路進(jìn)行硬件模塊設(shè)計(jì)。

        3.1 高精度檢測(cè)探頭

        如圖4所示為檢測(cè)探頭示意圖,探頭包括殼體、頂蓋、TMR傳感器、放大電路、均勻纏繞500匝銅線的磁芯以及用來(lái)連接儀器主體的航空插頭。

        圖4 檢測(cè)探頭

        經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)量,TMR傳感器測(cè)量到的電壓信號(hào)只有mV級(jí),需要經(jīng)過(guò)放大。選擇AD620用于儀表信號(hào)放大,其具有低成本、高精度、低失調(diào)電壓、只需一個(gè)外部電阻就可設(shè)置增益等優(yōu)點(diǎn)。

        圖5所示為AD620放大電路[9],設(shè)置Bx信號(hào)放大倍數(shù)為50,Bz信號(hào)放大倍數(shù)為100,選擇Bx信號(hào)放大電阻阻值為1 kΩ,Bz信號(hào)放大電阻阻值為500 Ω。放大電路為差分輸入,使用耦合電容,可去除信號(hào)中的直流分量。

        圖5 AD620放大電路

        3.2 電源電路

        電源的穩(wěn)定對(duì)信號(hào)處理電路、儀器的穩(wěn)定運(yùn)行有著決定性的作用。隔離電源有抗干擾能力強(qiáng)、安全性高、較寬的電壓輸入范圍等優(yōu)點(diǎn)[10]。如圖6(a)~(c)所示為電源電路,為了系統(tǒng)的穩(wěn)定性添設(shè)了5處濾波電容,添設(shè)了1.5 A保險(xiǎn)絲與自鎖按鍵。

        圖6 電源電路

        3.3 信號(hào)發(fā)生器與功率放大電路

        系統(tǒng)使用直接數(shù)字合成技術(shù)(Direct Digital Synthesizer,DDS)信號(hào)發(fā)生器作為信號(hào)激勵(lì)源,儀器使用AD9833,具有功耗低、輸出頻率范圍廣、分辨率高、可輸出波形種類多等優(yōu)點(diǎn)。AD9833輸出功率低,無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)激勵(lì)線圈,添加TDA2030a功率放大電路[11-12]。如圖7(a)、(b)所示為信號(hào)發(fā)生器與功率放大電路。

        圖7 信號(hào)發(fā)生器與功率放大電路

        AD9833所需晶振為25 MHz有源晶體振蕩器,外接3線SPI通信接口,MCU可控制AD9833產(chǎn)生1~10 kHz的正弦波;TDA2030A功率放大模塊輸入端并聯(lián)可調(diào)電阻,通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流的大小,調(diào)節(jié)輸出功率,同時(shí)輸入端耦合電路濾除干擾,兩個(gè)二極管用于穩(wěn)壓,功率放大倍數(shù)為32倍[13]。

        3.4 濾波電路與RMS-DC電路

        探頭通過(guò)航空插頭與儀器主體相連,主機(jī)內(nèi)濾波電路可降低信號(hào)噪聲,AD637芯片可實(shí)現(xiàn)特征信號(hào)有效值計(jì)算[14]。濾波與有效值電路如圖8所示。濾波電路使用帶通頻率為10 kHz~150 kHz的二階巴特沃斯帶通濾波器[15],有效值電路中電容C7用于控制計(jì)算時(shí)間。

        圖8 濾波與RMS-DC電路

        4 軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)軟件主要由RT-Thread實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)和TouchGFX前端交互框架組成,如圖9所示。

        圖9 系統(tǒng)軟件框圖

        儀器使用RT-Thread嵌入式實(shí)時(shí)多線程操作系統(tǒng),系統(tǒng)完全開(kāi)源,不僅是一個(gè)實(shí)時(shí)內(nèi)核,還具備豐富的中間層生態(tài)[16]。儀器創(chuàng)建了運(yùn)行TouchGFX前端交互框架的線程。以及各種驅(qū)動(dòng)線程,包括軟件SPI通信的AD9833線程、作為顯存的SDRAM線程、軟件IIC通信的FT5426觸摸屏驅(qū)動(dòng)線程、上升沿中斷觸發(fā)的按鍵檢測(cè)線程、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的SD卡線程、用于采集探頭信號(hào)的AD采集線程,同時(shí)在SD卡構(gòu)建了FATFS虛擬文件系統(tǒng)。

        系統(tǒng)使用TouchGFX前端交互框架,作為新興的GUI框架,基于C/C++面向?qū)ο缶帉懀哂姓加觅Y源少、動(dòng)畫美觀、響應(yīng)迅速等優(yōu)點(diǎn)[17]。儀器的GUI以波形顯示程序?yàn)楹诵?,包括屏保界面、桌面、設(shè)備信息界面、儀器操作說(shuō)明界面。圖10為系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)界面。

        圖10 波形顯示界面

        5 實(shí)驗(yàn)測(cè)試

        5.1 測(cè)試系統(tǒng)

        交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)主要包括檢測(cè)探頭、STM32H743核心板、顯示屏、電源、DDS信號(hào)發(fā)生電路、功率放大電路、濾波與RMS-DC電路等。

        5.2 檢測(cè)試件

        本次檢測(cè)對(duì)象為帶有人為加工缺陷的不銹鋼試塊,如圖11所示。缺陷1~5長(zhǎng)度為5 mm,深度分別為4、3、2、1.5、1 mm,長(zhǎng)度相同,深度遞減;缺陷6~10深度為3 mm,長(zhǎng)度分別為2、3、5、7、9 mm,深度相同,長(zhǎng)度遞增。

        圖11 不銹鋼裂紋試塊

        5.3 檢測(cè)結(jié)果

        手持探頭貼緊不銹鋼缺陷試塊,分2次測(cè)量,第1次從缺陷5勻速掃描到缺陷1,得到的缺陷特征信號(hào)Bx和Bz如圖12所示。第2次從缺陷6勻速掃描到缺陷10,檢測(cè)結(jié)果如圖13所示。利用SD卡導(dǎo)出上述數(shù)據(jù)進(jìn)行繪制,如圖14所示。

        圖12 缺陷1~5檢測(cè)結(jié)果

        圖13 缺陷6~10檢測(cè)結(jié)果

        從檢測(cè)結(jié)果可以看出,Bx、Bz信號(hào)特征處分別對(duì)應(yīng)缺陷1~10。本系統(tǒng)可以較好檢出不銹鋼板上的微小裂紋。

        圖14 缺陷檢測(cè)結(jié)果圖

        6 結(jié) 語(yǔ)

        本文基于STM32單片機(jī)為核心,開(kāi)發(fā)低功耗、輕量級(jí)的嵌入式交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng),設(shè)計(jì)基于TMR的高精度檢測(cè)探頭,設(shè)計(jì)信號(hào)處理關(guān)鍵模塊,移植RTThread實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)與TouchGFX前端交互框架,開(kāi)發(fā)缺陷顯示軟件,搭建完善的檢測(cè)系統(tǒng),進(jìn)行不銹鋼裂紋檢測(cè)實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明本文開(kāi)發(fā)的嵌入式交流電磁場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)可很好地檢測(cè)出不銹鋼微小裂紋,對(duì)交流電磁場(chǎng)檢測(cè)儀器研制有良好的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)意義與現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用適用性。

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